JPH04159639A - 光磁気ディスク - Google Patents
光磁気ディスクInfo
- Publication number
- JPH04159639A JPH04159639A JP28615190A JP28615190A JPH04159639A JP H04159639 A JPH04159639 A JP H04159639A JP 28615190 A JP28615190 A JP 28615190A JP 28615190 A JP28615190 A JP 28615190A JP H04159639 A JPH04159639 A JP H04159639A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- interference
- magneto
- optical disk
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光磁気ディスク、特に、光によって情報の記
録、再生を行う光磁気ディスクに関する。
録、再生を行う光磁気ディスクに関する。
従来の光磁気ディスクは、光で情報の記録、再生、消去
を行うために、透明なガラスまたはプラスチックの基板
上に希土類遷移金属合金薄膜からなる垂直磁化膜を成膜
し、記録膜として用いる。
を行うために、透明なガラスまたはプラスチックの基板
上に希土類遷移金属合金薄膜からなる垂直磁化膜を成膜
し、記録膜として用いる。
このとき、光磁気ディスクの記録膜に用いる希土類遷移
金属合金薄膜は非常に活性であるため、酸化劣化しない
ように、酸素や水分を通さない保護膜で挟み込む必要が
ある。
金属合金薄膜は非常に活性であるため、酸化劣化しない
ように、酸素や水分を通さない保護膜で挟み込む必要が
ある。
また、上記した希土類遷移金属合金薄膜は、信号として
利用する磁気光学回転角が小さいため、干渉効果により
見かけ上の磁気光学回転角を大きくする必要がある。こ
れらのため、一般に光磁気ディスクでは保護膜と保護効
果を有する干渉層と反射膜とを設けた構造をとり、記録
膜を保護しながら干渉効果により磁気光学回転角を見か
け上大きくして用いている。
利用する磁気光学回転角が小さいため、干渉効果により
見かけ上の磁気光学回転角を大きくする必要がある。こ
れらのため、一般に光磁気ディスクでは保護膜と保護効
果を有する干渉層と反射膜とを設けた構造をとり、記録
膜を保護しながら干渉効果により磁気光学回転角を見か
け上大きくして用いている。
しかしながら、このように上述した従来の光磁気ディス
クは、干渉層として用いられる膜が非常に薄いため、膜
面からの水分の侵入を完全に防ぐのは困難であり、記録
膜が酸化劣化してしまうという欠点を有している。
クは、干渉層として用いられる膜が非常に薄いため、膜
面からの水分の侵入を完全に防ぐのは困難であり、記録
膜が酸化劣化してしまうという欠点を有している。
通常これを解決するためには、干渉層の膜厚な厚くして
外部からの水分の侵入を抑えるという手段が用いられる
が、干渉層の膜厚を厚くした場合、干渉条件が変化する
という問題が生じる。
外部からの水分の侵入を抑えるという手段が用いられる
が、干渉層の膜厚を厚くした場合、干渉条件が変化する
という問題が生じる。
また、干渉条件を再度満足するまで干渉層の厚みを厚く
した場合は、膜のストレスが増加し膜が剥がれ易くなる
という問題を生じる。
した場合は、膜のストレスが増加し膜が剥がれ易くなる
という問題を生じる。
本発明の光磁気ディスクは、ガラスまたはプラスチック
からなる透明基板上に、保護膜、記録膜、干渉層2反射
膜を有する光磁気ディスクにおいて、上記干渉層が屈折
率の異なる少なくとも2層の薄膜からなることにより、
干渉条件の変化と膜ストレスの増加を生じることがなく
記録膜の保護効果を改善することが可能となる。
からなる透明基板上に、保護膜、記録膜、干渉層2反射
膜を有する光磁気ディスクにおいて、上記干渉層が屈折
率の異なる少なくとも2層の薄膜からなることにより、
干渉条件の変化と膜ストレスの増加を生じることがなく
記録膜の保護効果を改善することが可能となる。
次に、本発明の実施例について、図面を参照して説明す
る。
る。
第1図は本発明の一実施例を示す断面図である。
第1図に示す光磁気ディスクは、樹脂からなる透明なデ
ィスク基板l上に、透明誘電体膜からなる保:li膜2
.非晶質希土類遷移金属合金薄膜からなる記録膜3.及
びそれぞれ屈折率が異なる第1の干渉膜4と第2の干渉
膜5からなる干渉層、さらに金属薄膜からなる反射膜6
を有する媒体の例を示す。
ィスク基板l上に、透明誘電体膜からなる保:li膜2
.非晶質希土類遷移金属合金薄膜からなる記録膜3.及
びそれぞれ屈折率が異なる第1の干渉膜4と第2の干渉
膜5からなる干渉層、さらに金属薄膜からなる反射膜6
を有する媒体の例を示す。
また、ここで使用した干渉膜5は、保護膜2と同じ透明
な誘電体膜により作成した。
な誘電体膜により作成した。
第1図に示した光磁気ディスクは、保護膜2゜記録膜3
の膜厚を変化させることなく、干渉層である第1の干渉
膜と第2の干渉膜の膜厚を変化させることで、干渉層を
単層で設けた場合と同じ光学光路長を有したまま膜のス
トレスを変更できる。
の膜厚を変化させることなく、干渉層である第1の干渉
膜と第2の干渉膜の膜厚を変化させることで、干渉層を
単層で設けた場合と同じ光学光路長を有したまま膜のス
トレスを変更できる。
これにより、保護膜2と同じ保護効果を有する干渉膜5
の厚みを厚くすることで膜面からの水分の侵入を防ぎ耐
候性を改善しても、干渉膜4の膜厚を変えることで干渉
条件の変化を防ぐことが可能になる。
の厚みを厚くすることで膜面からの水分の侵入を防ぎ耐
候性を改善しても、干渉膜4の膜厚を変えることで干渉
条件の変化を防ぐことが可能になる。
また、干渉膜4と干渉膜5を用いる場合、干渉膜5の単
層で干渉層を作成するよりも膜厚を自由に設定できるこ
とから、干渉層の膜厚の変化による膜のストレスの増加
を抑えることを簡易にすることが可能になる。
層で干渉層を作成するよりも膜厚を自由に設定できるこ
とから、干渉層の膜厚の変化による膜のストレスの増加
を抑えることを簡易にすることが可能になる。
本発明の光磁気ディスクは、反射率を低下させることな
く、さらに膜ストレスを増加させることなく記録膜の耐
候性を改善できるという効果がある。
く、さらに膜ストレスを増加させることなく記録膜の耐
候性を改善できるという効果がある。
第1図は本発明の一実施例を示す断面図である。
1・・・・・・基板、2・・・・・・保護膜、3・・・
・・・記録膜、4.5・・・・・・干渉膜、6・・・・
・・反射膜。 代理人 弁理士 内 原 晋
・・・記録膜、4.5・・・・・・干渉膜、6・・・・
・・反射膜。 代理人 弁理士 内 原 晋
Claims (1)
- ガラスおよびプラスチックのいずれかからなる透明基板
上に、保護膜、記録膜、干渉層、反射膜を有する光磁気
ディスクにおいて、上記干渉層がそれぞれ屈折率の異な
る少なくとも2層の薄膜からなることを特徴とする光磁
気ディスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28615190A JPH04159639A (ja) | 1990-10-24 | 1990-10-24 | 光磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28615190A JPH04159639A (ja) | 1990-10-24 | 1990-10-24 | 光磁気ディスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04159639A true JPH04159639A (ja) | 1992-06-02 |
Family
ID=17700600
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28615190A Pending JPH04159639A (ja) | 1990-10-24 | 1990-10-24 | 光磁気ディスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04159639A (ja) |
-
1990
- 1990-10-24 JP JP28615190A patent/JPH04159639A/ja active Pending
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