JPH04158564A - リードフレームおよびそのリードフレームを用いた半導体装置 - Google Patents
リードフレームおよびそのリードフレームを用いた半導体装置Info
- Publication number
- JPH04158564A JPH04158564A JP2283936A JP28393690A JPH04158564A JP H04158564 A JPH04158564 A JP H04158564A JP 2283936 A JP2283936 A JP 2283936A JP 28393690 A JP28393690 A JP 28393690A JP H04158564 A JPH04158564 A JP H04158564A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- island
- semiconductor chip
- lead frame
- polyimide film
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H10W90/756—
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はリードフレームと、そのリードフレームを用い
た半導体装置、特に樹脂封止型半導体装置に関する。
た半導体装置、特に樹脂封止型半導体装置に関する。
従来のリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置（
以下モールドＩＣと記す）の製造方法を図面を用いて説
明する。
以下モールドＩＣと記す）の製造方法を図面を用いて説
明する。
まず第３図（ａ）に示すように、リードフレームは４２
合金で作られた厚さ約１５０μｍのアイランド１２及び
リード１１と、そのステッチ側に蒸着された厚さ約２０
μｍ程度のＡｕ−５ｉ膜７とから主に構成されている。
合金で作られた厚さ約１５０μｍのアイランド１２及び
リード１１と、そのステッチ側に蒸着された厚さ約２０
μｍ程度のＡｕ−５ｉ膜７とから主に構成されている。
次に第３図（ｂ）に示すように、半導体チップ４をアイ
ランド１２上にダイボンディング行う、この時リードフ
レーム全体は約４００℃の温度が加わる。次に半導体チ
ツブ４とリード１１をボンディングワイヤー５により接
続する。次に第３図（ｃ）に示すように、半導体チップ
４．ボンディングワイヤー５及びリード１１の一部をモ
ールド樹脂６により封止する。このモールドＩＣを例え
ばプリント基板８に半田付けにより実装する。
ランド１２上にダイボンディング行う、この時リードフ
レーム全体は約４００℃の温度が加わる。次に半導体チ
ツブ４とリード１１をボンディングワイヤー５により接
続する。次に第３図（ｃ）に示すように、半導体チップ
４．ボンディングワイヤー５及びリード１１の一部をモ
ールド樹脂６により封止する。このモールドＩＣを例え
ばプリント基板８に半田付けにより実装する。
次にこのモールドＩＣをプリント基板８上に実装した時
の高さ（パッケージ厚）の１例を算出する。プリント基
板８上からアイランド１２の下面までの下部樹脂の厚さ
を約４００μｍ、リードフレームの厚さを１５０μｍ、
半導体チップ４の厚さを３５０μｍ、半導体チップ４表
面から上部樹脂までの厚さを１００μｍとすると、パッ
ケージ厚は合計で１．０＋ｌＩ＋ｍとなる。
の高さ（パッケージ厚）の１例を算出する。プリント基
板８上からアイランド１２の下面までの下部樹脂の厚さ
を約４００μｍ、リードフレームの厚さを１５０μｍ、
半導体チップ４の厚さを３５０μｍ、半導体チップ４表
面から上部樹脂までの厚さを１００μｍとすると、パッ
ケージ厚は合計で１．０＋ｌＩ＋ｍとなる。
又薄型パッケージとして他に第４図に示す様なＴＡＢ型
のものや、第５区に示す様なＣ０Ｂ（ｃｈｉｐ ｏｎ
ｂｏａｒｄ）型のものがある６ 第４図はモールド樹脂封止型ＴＡＢＩＣであり、バンブ
９により、リード１１と半導体チップ４が接続され、モ
ールド樹脂６にて封止を行う構造である。
のものや、第５区に示す様なＣ０Ｂ（ｃｈｉｐ ｏｎ
ｂｏａｒｄ）型のものがある６ 第４図はモールド樹脂封止型ＴＡＢＩＣであり、バンブ
９により、リード１１と半導体チップ４が接続され、モ
ールド樹脂６にて封止を行う構造である。
第５図のＣＯＢ型ＩＣでは、プリント基板８上に直接半
導体チップ４をダイボンディングしてワイヤーボンディ
ングを行う。次にモールド樹脂６をポツテングにより封
止する構造を有している。
導体チップ４をダイボンディングしてワイヤーボンディ
ングを行う。次にモールド樹脂６をポツテングにより封
止する構造を有している。
上述した従来の薄型プラスチックパッケージの厚さは第
３図（Ｃ）に示した様に、アイランド１２の下面から上
部樹脂までの１．０ｍｍとなり、通常のモールドＩＣに
比べるとかなり薄型となっているが、カードタイプなど
に用いられる超薄型の装置に使用される場合はさらに薄
型化が要求される。
３図（Ｃ）に示した様に、アイランド１２の下面から上
部樹脂までの１．０ｍｍとなり、通常のモールドＩＣに
比べるとかなり薄型となっているが、カードタイプなど
に用いられる超薄型の装置に使用される場合はさらに薄
型化が要求される。
他に薄型パッケージとして第４図に示したＴＡＢ型ＩＣ
がある。ＴＡＢ型ＩＣでは０，５■勤程度のパッケージ
厚となるが、半導体チップ４とり一部１１を、バンブ９
にて熱圧着するため、バンブ製造工程及びテープの配線
工程の追加、又バンブ及び配線の材料は金を使用する事
が多いため価格のアップ及び従来の組立工程に対して新
しい製造設備が必要となる。又プリント基板への実装を
考えると、リード１１を熱圧着にてプリント基板８へ実
装するため、ＩＣの取り外しが困難であるという欠点が
ある。
がある。ＴＡＢ型ＩＣでは０，５■勤程度のパッケージ
厚となるが、半導体チップ４とり一部１１を、バンブ９
にて熱圧着するため、バンブ製造工程及びテープの配線
工程の追加、又バンブ及び配線の材料は金を使用する事
が多いため価格のアップ及び従来の組立工程に対して新
しい製造設備が必要となる。又プリント基板への実装を
考えると、リード１１を熱圧着にてプリント基板８へ実
装するため、ＩＣの取り外しが困難であるという欠点が
ある。
その化第５図に示したＣＯＢ型ＩＣがあるが、ＣＯＢ型
ＩＣの最大の欠点は、プリント基板８とＩＣが一体にな
っているなめ、ＩＣの取り外しが不可能である。
ＩＣの最大の欠点は、プリント基板８とＩＣが一体にな
っているなめ、ＩＣの取り外しが不可能である。
第１の発明のリードフレームは、半導体チップを載置す
るアイランドと、このアイランドの周辺部に形成されフ
レームに接続する複数のリードとを有するリードフレー
ムにおいて、前記アイランドはポリイミドフィルムがら
構成され、前記リードの先端部はアイランドの周辺部に
耐熱性接着剤により接着されているものである。
るアイランドと、このアイランドの周辺部に形成されフ
レームに接続する複数のリードとを有するリードフレー
ムにおいて、前記アイランドはポリイミドフィルムがら
構成され、前記リードの先端部はアイランドの周辺部に
耐熱性接着剤により接着されているものである。
第２の発明の半導体装１は、ポリイミドフィルムからな
るアイランドと、このアイランド上に固着された半導体
チップと、この半導体チップの周辺部の前記アイランド
に先端部が接着された複数のリードと、このリードと前
記半導体チップとを接続するボンディングワイヤーと、
前記半導体チップと前記ボンディングワイヤーと前記リ
ードの一部とを封止する樹脂とを含んで構成される。
るアイランドと、このアイランド上に固着された半導体
チップと、この半導体チップの周辺部の前記アイランド
に先端部が接着された複数のリードと、このリードと前
記半導体チップとを接続するボンディングワイヤーと、
前記半導体チップと前記ボンディングワイヤーと前記リ
ードの一部とを封止する樹脂とを含んで構成される。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例のリードフレームの平面
図である。
図である。
第１図において、リードフレーム１のアイランドは、見
やすいように斜線を施したポリイミドフィルム２から構
成されており、タイバー１３により連結されフレーム３
に接続するり−ド１１の先端部は、ポリイミドフィルム
２の周辺部に接着された構造となっている。以下製造方
法と共に説明する。
やすいように斜線を施したポリイミドフィルム２から構
成されており、タイバー１３により連結されフレーム３
に接続するり−ド１１の先端部は、ポリイミドフィルム
２の周辺部に接着された構造となっている。以下製造方
法と共に説明する。
インナーリード外側までの面積分のポリイミドフィルム
２上に高耐熱性接着剤として高耐熱のポリイミド接着フ
ィルムを張り付け、その上からアイランド及びつりピン
を取り除いた従来のリードフレームを位１合わせを行っ
た後、約２６０℃の熱処理にてポリイミドフィルム２と
リード１１の先端部分とを接着する。高耐熱のポリイミ
ド接着フィルムは２６０℃の温度で熱処理すると室温に
戻った時の引きはがし強さは約２．７ｋｇ／ｃｍであり
非常に強い０本実施例ではこのリード１１の先端部がポ
リイミドフィルム２に接着されているため、ポリイミド
フィルム２をアイランドとして使用出来る構造となって
いる。
２上に高耐熱性接着剤として高耐熱のポリイミド接着フ
ィルムを張り付け、その上からアイランド及びつりピン
を取り除いた従来のリードフレームを位１合わせを行っ
た後、約２６０℃の熱処理にてポリイミドフィルム２と
リード１１の先端部分とを接着する。高耐熱のポリイミ
ド接着フィルムは２６０℃の温度で熱処理すると室温に
戻った時の引きはがし強さは約２．７ｋｇ／ｃｍであり
非常に強い０本実施例ではこのリード１１の先端部がポ
リイミドフィルム２に接着されているため、ポリイミド
フィルム２をアイランドとして使用出来る構造となって
いる。
第２図（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２の実施例を説明す
るための工程順に示した断面図である。
るための工程順に示した断面図である。
まず第２図（ａ）に示すように、第１図で説明した様に
、アイランドとなるポリイミドフィルム２とリード１１
の先端部を高耐熱のポリイミド接着フィルム２Ａにて熱
処理により接着しリードフレームを構成し、次で半導体
チップ４をポリイミドフィルム２及びポリイミド接着フ
ィルム２Ａで構成したアイランド上に約２００℃の熱処
理にて接着する。高耐熱のポリイミド接着フィルム２Ａ
を２００℃以上の高温にて熱処理を行うと、り一部１１
が剥離するため、温度は約２００℃にて行う。
、アイランドとなるポリイミドフィルム２とリード１１
の先端部を高耐熱のポリイミド接着フィルム２Ａにて熱
処理により接着しリードフレームを構成し、次で半導体
チップ４をポリイミドフィルム２及びポリイミド接着フ
ィルム２Ａで構成したアイランド上に約２００℃の熱処
理にて接着する。高耐熱のポリイミド接着フィルム２Ａ
を２００℃以上の高温にて熱処理を行うと、り一部１１
が剥離するため、温度は約２００℃にて行う。
次に第２図（ｂ）に示す様に、半導体チ・ンブ４とリー
ド１１とをボンディングワイヤー５で接続したのち、モ
ールド樹脂６でポリイミドフィルム２の上面のみを封止
する。このモールド樹脂封止は、金型に入込むモールド
封入でもボ・ンテイング封入でも可能である。又ワイヤ
ーボンディング時及びモールド樹脂封止時の工程では、
いずれもポリイミドフィルム２に加わる温度は１５０〜
１７０℃であるため、リード１１及び半導体チ・ンブ４
の剥離は起らない。次にリードフレームより１個のモー
ルドＩＣとして切り離すために、リード切断分離及びタ
イバー切断分離を行う。
ド１１とをボンディングワイヤー５で接続したのち、モ
ールド樹脂６でポリイミドフィルム２の上面のみを封止
する。このモールド樹脂封止は、金型に入込むモールド
封入でもボ・ンテイング封入でも可能である。又ワイヤ
ーボンディング時及びモールド樹脂封止時の工程では、
いずれもポリイミドフィルム２に加わる温度は１５０〜
１７０℃であるため、リード１１及び半導体チ・ンブ４
の剥離は起らない。次にリードフレームより１個のモー
ルドＩＣとして切り離すために、リード切断分離及びタ
イバー切断分離を行う。
次に第２図（ｃ）に示すように、このようにして製造さ
れたモールドＩＣをプリント基板８に半田付けにより実
装する。
れたモールドＩＣをプリント基板８に半田付けにより実
装する。
次に本第２の実施例における薄型モールドＩＣのパッケ
ージの厚さについて説明する。まず下面側よりポリイミ
ドフィルム２の厚さは２５μｍ。
ージの厚さについて説明する。まず下面側よりポリイミ
ドフィルム２の厚さは２５μｍ。
高耐熱のポリイミド接着フィルム２Ａも２５μｍ。
半導体チップ４は裏面研削済で３５０μｍ、半導体チッ
プ４表面からモールド樹脂上面までの厚さは、ボンディ
ングワイヤー５のループを考慮した上で１００μｍであ
る。よって合計５００μｍの薄型モールドＩＣのパッケ
ージが実現出来る。
プ４表面からモールド樹脂上面までの厚さは、ボンディ
ングワイヤー５のループを考慮した上で１００μｍであ
る。よって合計５００μｍの薄型モールドＩＣのパッケ
ージが実現出来る。
又、リード成形についてはリード１１の厚さが１５０μ
ｍであるためと、リード１１をプリント基板に半田付は
時の半田の量（厚さ）を考えると、リード１１の下面の
ポリイミドフィルム２と高耐熱のポリイミド接着フィル
ム２Ａの計５０μｍの隙間は無視出来る厚さと考えられ
、プリント基板に半田付けする時の５０μｍの浮きは問
題にならない。
ｍであるためと、リード１１をプリント基板に半田付は
時の半田の量（厚さ）を考えると、リード１１の下面の
ポリイミドフィルム２と高耐熱のポリイミド接着フィル
ム２Ａの計５０μｍの隙間は無視出来る厚さと考えられ
、プリント基板に半田付けする時の５０μｍの浮きは問
題にならない。
以上説明したように本発明は、リードフレームのアイラ
ンドをポリイミドフィルムにて構成し、このアイランド
に半導体チップを搭載して半導体装置を構成することに
より、新しい組立設備がほとんど必要無く、安価に薄型
の半導体装置を実現出来る。しかも半導体装置に不具合
が発生した時でもプリント基板上での交換が容易に出来
るという効果も有する。
ンドをポリイミドフィルムにて構成し、このアイランド
に半導体チップを搭載して半導体装置を構成することに
より、新しい組立設備がほとんど必要無く、安価に薄型
の半導体装置を実現出来る。しかも半導体装置に不具合
が発生した時でもプリント基板上での交換が容易に出来
るという効果も有する。
第１図は本発明の第１の実施例の平面図、第２図（ａ）
〜（ｃ）は本発明の第２の実施例を説明するための断面
図、第３図（ａ）〜（ｃ）は従来の半導体装置の製造方
法を説明するための断面図、第４図は従来のモールド封
止型ＴＡ、ＢＩＣの断面図、第５図は従来のＣＯＢ Ｉ
Ｃの断面図である。 １・・・リードフレーム、２Ａ・・・ポリイミド接着フ
ィルム、２・・・ポリイミドフィルム、３・・・フレー
ム、４・・・半導体チップ、５・・・ボンディングワイ
ヤー、６・・・モールド樹脂、７・・・Ａｕ−５ｉ膜、
８・・・プリント基板、９・・・バンブ、１０・・・サ
ポートリング、１１・・・リード、１２・・・アイラン
ド、１３・・・タイバー。
〜（ｃ）は本発明の第２の実施例を説明するための断面
図、第３図（ａ）〜（ｃ）は従来の半導体装置の製造方
法を説明するための断面図、第４図は従来のモールド封
止型ＴＡ、ＢＩＣの断面図、第５図は従来のＣＯＢ Ｉ
Ｃの断面図である。 １・・・リードフレーム、２Ａ・・・ポリイミド接着フ
ィルム、２・・・ポリイミドフィルム、３・・・フレー
ム、４・・・半導体チップ、５・・・ボンディングワイ
ヤー、６・・・モールド樹脂、７・・・Ａｕ−５ｉ膜、
８・・・プリント基板、９・・・バンブ、１０・・・サ
ポートリング、１１・・・リード、１２・・・アイラン
ド、１３・・・タイバー。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体チップを載置するアイランドと、このアイラ
ンドの周辺部に形成されフレームに接続する複数のリー
ドとを有するリードフレームにおいて、前記アイランド
はポリイミドフィルムから構成され、前記リードの先端
部はアイランドの周辺部に耐熱性接着剤により接着され
ていることを特徴とするリードフレーム。 ２、ポリイミドフィルムからなるアイランドと、このア
イランド上に固着された半導体チップと、この半導体チ
ップの周辺部の前記アイランドに先端部が接着された複
数のリードと、このリードと前記半導体チップとを接続
するボンディングワイヤーと、前記半導体チップと前記
ボンディングワイヤーと前記リードの一部とを封止する
樹脂とを含むことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2283936A JPH04158564A (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | リードフレームおよびそのリードフレームを用いた半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2283936A JPH04158564A (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | リードフレームおよびそのリードフレームを用いた半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04158564A true JPH04158564A (ja) | 1992-06-01 |
Family
ID=17672138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2283936A Pending JPH04158564A (ja) | 1990-10-22 | 1990-10-22 | リードフレームおよびそのリードフレームを用いた半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04158564A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6720645B2 (en) * | 2002-05-16 | 2004-04-13 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device |
-
1990
- 1990-10-22 JP JP2283936A patent/JPH04158564A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6720645B2 (en) * | 2002-05-16 | 2004-04-13 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device |
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