JPH04155801A - ノイズフィルタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電圧非直線性抵抗体として機能するノイズフ
ィルタに関し、特に、金属−半導体間の界面におけるシ
ョットキー障壁を利用して電圧非直線性が得られている
ノイズフィルタに関する。

〔従来の技術〕

近年、マイクロコンピュータの発達により、産業用機器
、家電製品及び通信機器等のあらゆる装置にマイクロコ
ンピュータが搭載されている。

マイクロコンピュータが搭載された機器では、デジタル
制御処理が行われており、ノイズフィルタによる破壊あ
るいは誤動作の恐れがあり、実際に、ノイズフィルタに
起因する事故も生じている。

ノイズフィルタの機器への侵入経路は、電源部分及び信
号配線部分であることが多く、従って、入出力部分に用
いられるノイズフィルタの役割が重要視されている。

ＥＭＩノイズの問題を解消するためには、ノイズを機器
から出さず、かつ機器に侵入させないことが必要である
。ノイズの出入は電線を経由するのが普通であり、従っ
て機器人出力部近傍において電線にノイズフィルタを接
続する方法が多用されている。

従来から用いられているノイズフィルタとしては、（ａ
）コンデンサ素子を用いたもの、（ｂ）コンデンサーイ
ンダクタ複合系のもの、（Ｃ）インダクタ素子を用いた
もの、及び（ｄ）バリスタ素子を用いたもの等がある。

（ａ）のコンデンサを用いたものは、微小ノイズを除去
するという点において優れているか、コンデンサのみで
は静電気のような高電圧パルスを吸収することができず
、高電圧パルスに基づく装置の破壊や誤動作を防止する
ことができなかった。

（ｂ）のコンデンサーインダクタ複合系ノイズフィルタ
は、ホワイトノイズ等を吸収するのに適している。また
、（ｄ）のバリスタ素子を用いたものはトランジェント
・ノイズを吸収するのに適している。

しかしながら、信号ラインにおけるノイズ吸収は信号の
周波数と密接な関係がある。また、最近では、デジタル
化が進んでいるため、波形に太きな歪みが生じてはなら
ない。よって、静電容量が大きすぎると信号ライン用ノ
イズフィルタとして用いることができず、またＩＣの耐
電圧が６０〜７０Ｖ程度であるため、これ以下にノイズ
成分を抑える必要がある。

コンデンサーインダクタ系ノイズフィルタは、静電容量
の点では問題はないが、共振周波数帯のトランジェント
・ノイズをそのまま通過させてしまい、回路保護ができ
ないという問題がある。また、高電圧ノイズの場合には
、波形を変えることは可能であるが、波高値を大きく抑
えることはできない。

他方、バリスタ素子を用いたものでは、静電容量が５０
０ｐＦ以上あり、信号ラインのような数１００ｋＨｚ〜
数１０ＭＨｚの信号を扱う場合には、信号までも吸収あ
るいは変形させることがあった。従って、現在のところ
、バリスタは信号ラインのノイズ除去用素子としてはあ
まり用いられていない。

〔発明が解決しようとする課題〕

本願発明者らは、先に、トランジェント・ノイズの吸収
性に優れたバリスタ素子の特徴を活かしつつ、静電容量
が低減されており、信号の吸収や変形を生じさせ難いノ
イズフィルタを提案した（特願平１−１７６３７０号）
。

このノイズフィルタは、第２図に示すように、バリスタ
特性を有する複数枚のセラミックグリーンシート１〜４
を後述の電極を介在させて積層し、一体焼成することに
より得られた焼結体を利用して構成されている。すなわ
ち、セラミックグリーンシート３上には、端縁３ａ、３
ｂ間に延びるように、導電ペーストが印刷されて共通電
極５が形成されている。また、セラミックグリーンシー
ト２の上面には、端縁２ａ、２ｂ間に延びるように導電
ペーストが印刷されて複数本のスルー電極６〜８が形成
されている。

セラミックグリーンシート１〜４を積層し、焼成するこ
とにより、第３図に示す焼結体９が得られる。焼結体９
では、第１の側面９ａから第２の側面９ｂに延びるよう
に共通電極５が形成されており、第３の側面９Ｃ及び第
４の側面９ｄ間にはスルー電極６〜８が延ばされている
。

なお、共通電極５及びスルー電極６〜８は、セラミック
グリーンシート上に印刷された導電ペーストか、セラミ
ック焼結体９を得る際の焼成工程においてセラミックグ
リーンシートと共に焼付けられることにより形成されて
いる。

この先行技術のノイズフィルタは、第４図に示すように
、上記焼結体９の側面９ａ〜９ｄ（第３図参照）に、外
部電極１０ａ〜ｌＯｈを形成することにより完成される
。

上記ノイズフィルタでは、共通電極５とスルー電極６〜
８が焼結体９内において交差するように配置されている
ため、バリスタ特性部分における電極型なり面積が低減
されており、それによって静電容量が小さくされている
。また、バリスタ特性を有する焼結体９の誘電体として
の性質をも利用することにより、コンデンサとしてのノ
イズ吸収性能をも有する。従って、コンデンサとしての
ノイズ吸収性能と、バリスタとしてのノイズ吸収性能の
双方を併せ持つため、種々の形態のノイズを効果的に吸
収することか可能とされている。

ところで、上記ノイズフィルタは、共通電極５とスルー
電極６〜８との間に配置された半導体セラミックス層を
利用して電圧非直線性を得るものである。すなわち、半
導体セラミックス層における半導体粒子間の粒界におけ
る電圧非直線性を利用したものである。従って、半導体
セラミックス層の厚み及び焼成条件を調整し、共通電極
とスルー電極との間の半導体粒子の粒界を制御すること
によってバリスタ電圧が制御されている。

しかしながら、現在のセラミックス焼結技術では、セラ
ミックス粒子の粒径を高制度にコントロールすることは
非常に困難である。例えば、平均粒径に対して倍以上の
径を有する粒子が生成されることは、ごく普通である。

このような大きな粒子が存在した場合、該大きな粒子の
存在している部分によってバリスタ電圧が決定されるこ
とになる。従って、量産に際し、バリスタ電圧のばらつ
きが大きくなるおそれがあった。また、上記のような大
きな粒子が存在する部分に電流集中が生じ易く、サージ
耐量も小さくなるおそれがあった。

もっとも、内部電極の面積を増大させれば、大きな粒子
の存在確率か高くなるために、サージ耐量が高められる
。しかしながら、内部電極面積を増大させると、同時に
静電容量も増加するため、信号ラインのノイズ吸収用と
しては使用することができなくなる。

よって、本発明の目的は、バリスタ電圧のばらつきが生
じ難く、低バリスタ電圧で動作させることが可能であり
ながらサージ耐量も高められたノイズフィルタを提供す
ることにある。

〔課題を解決するための手段〕

本願発明者らは、ノイズフィルタにおける電圧非直線性
を得るメカニズムを検討した結果、内部電極と半導体粒
子との同の界面に形成されるショットキー障壁を積極的
に利用すればよいのではないかと考え、鋭意積置した結
果、本願発明をなすに至った。

すなわち、半導体粒子間の粒界で得られるバリスタ特性
は安定したものであるが、半導体粒子の粒径を均一にす
ることは非常に困難である。他方、金属−半導体の界面
におけるショットキー障壁は、材料により決定されるも
のであるため、ブレイクダウン電圧は一定である。半導
体セラミックス層の両端に金属電極を形成すると、対称
形のバリスタが形成される。通常のバルク型バリスタで
は電流分散が大きくなるか、金属−半導体間の界面に形
成されるショットキー障壁を利用した上記の構造では、
電流分散が大きくならず、ブレイクダウン電圧のばらつ
きは小さくなる。

上記のようなショットキー障壁を利用した構造は、単結
晶を用いて構成することも可能であるが、単結晶の場合
には製造コストが非常に高く付く。

他方、マイクロチップ・コンデンサ等の製造に用いるも
のとして、膜厚の非常に薄い、〜１０μｍ程度のグリー
ンシートを用いる技術が確率されている。本発明は、こ
のような非常に薄い膜厚のグリーンシートの取扱技術を
利用することにより、完成されたものである。

本発明のノイズフィルタでは、半導体セラミックスより
なる焼結体の側面の第１の部分から第２の部分に向かっ
て延びるように焼結体内に共通電極が形成されている。

そして、該焼結体の厚み方向において半導体セラミック
ス層を介して前記共通電極から隔てられた高さ位置に、
前記焼結体の側面の第３の部分から第４の部分に向かっ
て延びるように、かつ前記共通電極と交差するように少
なくとも一本のスルー電極が形成されている。焼結体の
側面の第１〜第４の部分には、第１〜第４の外部電極が
形成されている。

また、共通電極とスルー電極との間には、前記外部電極
に電気的に接続されないように配置された少なくとも１
つの非接続型内部電極が形成されている。少なくとも１
つの非接続型内部電極は、共通電極と半導体セラミック
ス層を介して隔てられており、またスルー電極とも半導
体セラミックス層を介して隔てられており、さらに、厚
み方向に複数の非接続型内部電極が形成されている場合
には非接続型内部電極同士が半導体セラミックス層を介
して隔てられるように配置されている。

本発明のノイズフィルタでは、共通電極、スルー電極及
び非接続型内部電極のそれぞれと、半導体セラミックス
層との界面に形成されるショットキー障壁により電圧非
直線性が得られる。また、共通電極と非接続型内部電極
との間の半導体セラミックス層、スルー電極と非接続型
内部電極との間の半導体セラミックス層、及び非接続型
内部電極間の半導体セラミックス層の半導体粒子の粒界
数の最小値は２以下とされている。

本発明において、半導体セラミックス層の粒界数の最小
値を２以下としたのは、焼結体を得るためにセラミック
グリーンシート積層体を焼成する際し、電極、特にＰｄ
を成分として含む電極を用いた場合、半導体粒子間の粒
界１〜２層分の酸素を電極が吸収し、粒界のショットキ
ー障壁を減少させ、粒界に起因するバリスタ特性の影響
を低減することができ、安定なバリスタ電圧を得ること
ができるからである。

半導体セラミックスを構成する材料としては、ＺｎＯや
Ｆｅｉｇｎを主成分とする種々のものが用いられ得る。

好ましくは、ＺｎＯを主成分とする材料で半導体セラミ
ックス層を構成した場合、内部電極及び非接続型内部電
極材として、０．　　Ｑｌ〜１０ｆｉｊｉ９６の希土類
酸化物を含有する金属材料が用いられる。

希土類酸化物を上記の範囲の量だけ含有させた方が好ま
しいのは、以下の理由による。すなわち、希土類酸化物
の含有量が０．０１重量％より少ない場合には、共通電
極、スルー電極または非接続型内部電極と、半導体セラ
ミックス層との界面に十分に酸素が拡散しないため、電
圧非直線係数αが小さくなるからである。他方、希土類
酸化物含有量が１（ｌ量％を超えると、半導体セラミッ
クス層の焼結が不十分なものとなり、バリスタ電圧が著
しく大きくなるからである。

〔発明の作用及び効果〕

本発明では、共通電極、スルー電極及び非接続型内部電
極と、半導体セラミックス層との界面に形成されたショ
ットキー障壁により電圧非直線性が与えられる。従って
、バリスタ電圧のばらつきの小さなノイズフィルタが構
成され得る。

また、共通電極、スルー電極及び非接続型内部電極間の
半導体セラミックス層の粒界数の最小値が２以下とされ
ているため、粒界部分におけるショットキー＃壁が減少
され、それによってバリスタ電圧がより一層安定なもの
とされている。

さらに、共通電極及びスルー電極が焼結体内で交差する
ように配置されているため、バリスタ特性部分における
電極型なり面積が低減されており、それによって静電容
量がかさくされている。

よって、本発明によれば、バリスタ電圧のばらつきが生
じ難く、低バリスタ電圧で動作させることができ、かつ
サージ耐量の大きなノイズフィルタが提供され得る。

〔実施例の説明〕

本発明の一実施例にかかるノイズフィルタを第１図、第
５図及び第６図を参照して説明する。本実施例のノイズ
フィルタは、第１図に示すように、複数枚のセラミック
グリーンシート１１〜１５を後述の電極を介在させて積
層し、一体焼成して得られた焼結体を用いて構成されて
いる。

セラミックグリーンシート１４の上面には、端縁１４ａ
、１４ｂ門に延びるように導電ペーストを印刷すること
により、共通電極１６が形成されている。

セラミックグリーンシート１３上には、いずれの端縁に
も至らない複数本の非接続型内部電極１７〜１９が導電
ペーストを印刷することにより形成されている。

さらに、セラミックグリーンシート１２の上面には、複
数本のスルー電極２０〜２２が導電ペーストを印刷する
ことにより形成されている。スルー電極２０〜２２は、
セラミックグリーンシート１２の端縁１２ａ、１２ｂｆ
ｉＨに至る長さに形成されている。なお、前述した非接
続型内部電極１７〜１９は、セラミックグリーンシート
１１〜１５を積層して得られる積層体において、セラミ
ックグリーンシート１２を介して、スルー電極２０〜２
２と重なり合う位置に形成されている。

また、セラミックグリーンシート１２．１３としては、
その厚みが、焼成後に半導体セラミ・ソクス層の半導体
粒界数の最小値か２以下となるような厚みのものが用い
られている。

セラミックグリーンシート１１〜１５を積層して得られ
た積層体を焼成することにより、第５図に示す焼結体２
３が得られる。焼結体２３ては、第１の側面２３ａ、第
２の側面２３ｂ間に延びるように共通電極１６が配置さ
れている。他方、焼結体２３の第３の側面２３ｃと第４
の側面２３ｄとの門に延びるように、スルー電極２０〜
２２が形成されている。

さらに、第５図では図示されていないが、共通電極１６
とスルー電極２０〜２２との間の高さ位置に、前述した
非接続型内部電極１７〜１９が形成されている。

次に、焼結体２３の第１〜第４の側面２３ａ〜２３ｄに
、第６図に示すように、第１．第２の外部電極２４ａ、
２４ｂ及び第３．第４の外部電極２４ｃ　〜２４ｅ、２
４ｆ〜２４ｈか形成される。

外部電極２４ａ〜２４ｈは、上述した共通電極１６及び
スルー電極２０〜２２を外部と電気的に接続するために
設けられているものである。外部電極２４ａ〜２４ｈは
、得られた焼結体２３の所定部分に導電ペーストを塗布
し、焼付けることにより、あるいは蒸着、スパッタまた
はめっき等の適宜の導電膜形成方法により形成すること
ができる。

本実施例のノイズフィルタでは、共通電極１６と半導体
セラミックス層との界面、スルー電極２０〜２２と半導
体セラミックス層との界面、並びに非接続型内部電極１
７〜１９と半導体セラミックス層との界面に形成された
各ショットキー障壁により電圧非直線性が与えられてい
る。金属−半導体の界面に形成されるショットキー障壁
は、材質により決定されるものであるため、ブレイクダ
ウン電圧が一定であり、従って本実施例のノイズフィル
タではバリスタ電圧のばらつきが小さくされ得る。

しかも、焼結体２３の厚み方向において、共通電極１６
、非接続型内部電極１７〜１９及びスルー電極２０〜２
２間に挟まれる半導体セラミックス層の厚みは、各半導
体セラミックス層の半導体粒界層の最小値が２以下とな
るような厚みとされている。従って、半導体粒子間の粒
界１〜２層分の酸素を共通電極１６、非接続型内部電極
１７〜１９またはスルー電極２０〜２２か吸収し、それ
によって粒界に起因するバリスタ特性の影響が低減され
ている。

なお、第１図、第５図及び第６図を参照して示した実施
例の構造は、本発明が適用されるノイズフィルタの一例
を示すものに過ぎない。すなわち、共通電極、非接続型
内部電極及びスルー電極の形状及び数は、本発明の範囲
内において適宜変更し得るものである。また、図示の実
施例では、焼結体２３の側面の第１〜第４の部分は、そ
れぞれ、第１〜第４の側面２３ａ〜２３ｄとされていた
が、本発明における焼結体の側面の第１〜第４の部分は
、図示のように異なる側面に分散させる必要は必ずしも
ない。すなわち、焼結体２３のいずれか１の側面に、側
面の第１〜第４の部分のうちの２以上の部分が配置され
ていてもよい。

次に、本発明の具体的な実施例につき説明する。

実施例ｌ Ｚｎ０（９５，０モル９６）　、　ＣｏＯ（１−０モル
９６、）ＭｎＯ（１，０モル％）、Ｓｂ、０８（２，０
モル％）及びＣｒｘＯｓ　　（１，０モル％）を、上記
のモル比で混合してなるセラミックス材料に、ＢｍＯｘ
　、Ｓ　ｉ　Ｏｘ　、ＰｂＯ及びＺｎＯからなるガラス
粉末１０重量％を加えて原料を調製した。

得られた原料に、有機バインダとしてポリビニルブチラ
ール樹脂を１０重量％の割合で混合し、リバース・ロー
ル・コータ方式により、膜厚５μｍ１１０μｍ１１５μ
ｍ、２０μｍ及び３０μｍの厚みの各グリーンシートを
形成した。

次に、上記各グリーンシートを、所定の大きさの矩形形
状に切り出し、第１図に示したセラミックグリーンシー
ト１１〜１５を得た。但し、セラミックグリーンシート
１１．１４．１５としては膜厚３０μｍのグリーンシー
トを、セラミックグリーンンー）１２．１３としては膜
厚５μｍ、］００μｍ１１５μｍ１２０μｍび３０μｍ
のものをそれぞれ用意した。

次に、Ａｇ及びＰｄを重量比で７：３の割合て混合した
導電ペーストを、セラミックグリーンシート１２〜１４
上に図示の印刷形状に印刷し、共通電極１６、非接続型
内部電極１７〜１９及びスルー電極２０〜２２を形成し
た。もっとも、これらの各電極は、後述の焼成工程によ
り焼付けられることにより電極として完成されるもので
ある。

次に、上述のようにして用意したセラミックグリーンシ
ート１１〜１５を、第４図に示したように積層し、厚み
方向に２ｔ／ａＩＩ′の圧力を加えて圧着し、積層体を
得、所定の大きさに切断した。

なお、セラミックグリーンシート１２．１３としては、
上述したような５種類の膜厚のものを順に用いた。従っ
て、上記積層体として５種類の積層体を得た。

上記のようにして得られた各積層体を９５０〜１０５０
℃の温度で空気中で３時間焼成し、第５図に示した焼結
体２３を得た。焼結体２３の側面２３ａ〜２３ｄにＡｇ
ペーストを塗布し、７００°Ｃの温度で１０分同焼付け
ることにより、外部電極２４ａ〜２４ｈを形成し、ノイ
ズフィルタを得た。

上記のようにして得られた各ノイズフィルタの電圧−電
流特性、及び８×２０μ秒の三角電流波（強度は１００
Ａ）を印加したときのバリスタ電圧（１ｍＡの電流を流
したときの外部電極間の電圧）の変化を第１表に示す。

第１表において、ｎは共通電極とスルー電極との間にお
いて、非接続型内部電極１７〜１９により得られた半導
体セラミックス層の数、従って第４図に示したセラミッ
クグリーンシート１１〜１５を積層して得られた焼結体
では、ｎ＝２となる。

上記のようにして用意された各ノイズフィルタを研磨し
、サーマルエツチングした結果、半導体セラミック粒子
の粒径が平均４．２μｍであることがわかった。従って
、セラミックグリーンシートの膜厚が３０μｍの場合に
は、半導体セラミックス層の最小粒界数は３であること
がわかる。すなわち、第１表に示したグリーンシート膜
厚が３０μｍの例は、本発明の範囲外にあるものである
。

第１表の結果から明らかなように、グリーンシートの膜
厚が５．１Ｏ１１５及び２０μｍのグリーンシートを用
いたノイズフィルタでは、すなわち半導体セラミックス
層の最小粒界数が２以下である本発明の範囲内にあるノ
イズフィルタでは、膜厚３０μｍのグリーンシートを用
いた本発明外のノイズフィルタに比べて、より大きな電
圧非直線係数α。、１−１を示し、さらにバリスタ電圧
の変動ΔＶ　ｌ　ｍ　Ａ　もかなり小さいことがわかる
。

（以下、余白） 第　　　１　　　表 但し、第１表において、平均値の単位はＶである。

実施例２ ＺｎＯに対して、Ｃｏ５ｏ４、ＭｇＯ１Ｃｒ　２０、及
びに２０．をＣｏ、Ｍｇ、Ｃｒ及びＫに換算して、それ
ぞれ、ｚＯ原子％、０．１原子％、０、１原子％、及び
０．１原子％の比率となるように秤量し、添加して原料
を得た。この原料に有機バインダを混合し、リバース・
ロールコータ方式により１０μｍの厚みの均一なグリー
ンシートを形成した後、上記グリーンシートを矩形状に
切断した。得られた矩形のセラミックグリーンシートを
第１図のセラミックグリーンシート１１〜１５として用
意した。

他方、Ｐｔにビヒクルを混合してなるペーストに、Ｐｒ
ａＯ＋＋を０．０１〜１．Ｃ１量％添加してなる導電ペ
ーストを用意し、セラミックグリーンシート１２〜１４
上に印刷し、スルー電極２０〜２２、非接続型部分電極
１７〜１９及び共通電極１６を形成した。

上記のようにして用意したセラミックグリーンシート１
１〜１５を第１図に示したように積層し、厚み方向に２
ｔ／’ａｆ！の圧力を加えて圧着し、積層体を得、所定
の大きさに切断した。

切断して得られた積層体を１１００〜１３００°Ｃの温
度で空気中にて３時間焼成し、焼結体２３を得た。この
焼結体２３の側面にＡｇペーストを塗布し、７００°Ｃ
の温度で１０分間焼付けることにより第６図に示すノイ
ズフィルタを得た。

上記のようにして得た本実施例のノイズフィルタについ
て、バリスタ電圧Ｖ１□、電圧非直線係数α、１　　及
びＣ１−１ｏ□、並びに８×２０μ秒１ｒＡ の波形を有する１００Ａ三角電流波を５分間隔て２回印
加した時のＶｌ。□の変化を第２表に示す。

また、比較のために内部電極材に希土類元素の酸化物を
含有させず、他は同様に構成したノイズフィルタについ
ても同様の測定を行った（＊＊印を付して示す。）。

なお、＊＊印を付した試料番号１，１ｏのノイズフィル
タの焼結体の組成は、ＺｎＯに対して、ＰｒａＯ＋＋、
Ｃｏ５０＋　、ＭｇＯ１ＣｒａＣｈ及びに２ＣＯ，を、
Ｃｏ、Ｍｇ、Ｃｒ及びＫに換算して、それぞれ、０．５
原子％、２０原子９６．０．１原子％、０．１原子％及
び０．１原子％の比率となるように添加したものである
。

（以下、余白） 第　　　２　　　表 実施例３ 内部電極材料として、ｐｔにビヒクルを混合してなるペ
ーストに、第３表に示すように、ＰｒｅＯｌｔ、Ｌａ＊
Ｏｉ　、Ｓｍ２０ｓ及びＣｅａＯｓの希土類酸化物の中
から少なくとも１種類の希土類酸化物を１．０重量％添
加してなる導電ペーストを用いた。上記材料を主体とす
る導電ペーストを用いた以外は実施例２と同様にして、
ノイズフィル夕を作製した。

これらのノイズフィルタについても実施例２と同様に測
定を行い、結果を第３表に示した。

第３表から明らかなように、内部電極中に含有させる希
土類酸化物としては、第２表に示したＰｒ　ｓ　Ｏ＋　
＋に限らず、Ｌａｄｏｓ　、Ｓｍ＊○８、及びＣｅ　２
０　ｓの中から任意の少なくとも１種類の希土類酸化物
を含有させても同程度の特性を得ることができる。また
、このことから、希土類酸化物は、上述したＰｒｅＯｚ
、Ｌ　ａ２０ｇ　、Ｓｍ５Ｏ８、及びＣｅ１Ｏｉに限ら
れるものではなく、本発明の趣旨の範囲から出ない他の
希土類（Ｎｄ、Ｐｍ、Ｅｍ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、
Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｓｃ及びＹ）の酸化物を用い
得ることがわかる。

（以下、余白） 第　　　３　　　表

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例のノイズフィルタを得るため
に用いられるセラミックグリーンシート及びその上に形
成される電極形状を説明するための分解斜視図、第２図
は従来のノイズフィルタを得るのに用いられるセラミッ
クグリーンシート及びその上に形成される電極形状を説
明するための分解斜視図、第３図は従来例において用い
られる焼結体を示す斜視図、第４図は従来例のノイズフ
ィルタを示す斜視図、第５図は本発明の一実施例におい
て用いられる焼結体を示す斜視図、第６図は本発明の一
実施例にかかるノイズフィルタを示す斜視図である。　
　− 図において、１１〜１５はセラミックグリーンシート、
１６は共通電極、１７〜１９は非接続型内部電極、２０
〜２２はスルー電極、２３は焼結体、２３ａ〜２３ｄは
、それぞれ、焼結体の第１〜第４の部分を構成する第１
〜第４の側面、２４ａ〜２４ｈは外部電極を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体セラミックスよりなる焼結体と、前記焼結
   体の側面の第１の部分から第２の部分に向かって延びる
   ように焼結体内に形成された共通電極と、 前記焼結体の厚み方向において、半導体セラミックス層
   を介して前記共通電極から隔てられた高さ位置において
   、前記焼結体の側面の第３の部分から第４の部分に向か
   って延びるように、かつ前記共通電極と交差するように
   設けられた少なくとも一本のスルー電極と、前記焼結体
   の側面の前記第１〜第４の部分に形成された第１〜第４
   の外部電極と、 前記焼結体内において前記共通電極と前記スルー電極と
   の間の高さ位置に配置されており、かついずれの外部電
   極にも電気的に接続されないように形成された少なくと
   も一つの非接続型内部電極とを備え、 前記共通電極と半導体セラミックス層との界面、前記ス
   ルー電極と半導体セラミックス層との界面、及び前記非
   接続型内部電極と半導体セラミックス層との界面にそれ
   ぞれ形成されたショットキー障壁により電圧非直線性が
   与えられており、 前記共通電極と非接続型内部電極との間の半導体セラミ
   ックス層、前記非接続型内部電極間の半導体セラミック
   ス層、及び前記スルー電極と非接続型内部電極との間の
   半導体セラミックス層の半導体粒界数の最小値が２以下
   であることを特徴とする、ノイズフィルタ。（２）前記
   半導体セラミックスが、酸化亜鉛を主成分として構成さ
   れており、かつ前記共通電極、非接続型内部電極及びス
   ルー電極が、希土類酸化物を０．０１〜１０重量％含有
   する金属材料により構成されていることを特徴とする請
   求項１に記載のノイズフィルタ。