JPH0415410B2 - - Google Patents

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JPH0415410B2
JPH0415410B2 JP56175950A JP17595081A JPH0415410B2 JP H0415410 B2 JPH0415410 B2 JP H0415410B2 JP 56175950 A JP56175950 A JP 56175950A JP 17595081 A JP17595081 A JP 17595081A JP H0415410 B2 JPH0415410 B2 JP H0415410B2
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JP
Japan
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pyroelectric
detector
infrared
detectors
fixed
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JP56175950A
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English (en)
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JPS5877629A (ja
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Taku Tamura
Yoichi Yamazaki
Masami Ikeda
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Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Priority to JP56175950A priority Critical patent/JPS5877629A/ja
Publication of JPS5877629A publication Critical patent/JPS5877629A/ja
Publication of JPH0415410B2 publication Critical patent/JPH0415410B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G01J5/34Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors
    • G01J5/35Electrical features thereof
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G01J5/34Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は入射赤外線変化量に応じて電荷を発生
する焦電検出体からなる赤外線検出部を少なくと
も2つ備えた赤外線検出器に関する。
第1図は既に提案されたこの種赤外線検出器を
示す。1は入射赤外線変化量に応じて電荷を発生
するタルタル酸リチウム(LiTaO3)結晶等で形
成された厚さ約50μmの焦電検出体で、該検出体
は矢印a方向に分極されている。2は上記焦電検
出体1の裏面全体にニクロム(Ni−Cr)の真空
蒸着により施された裏面電極、3a及び3bは
夫々上記焦電検出体1の表面において同様にニク
ロムの真空蒸着により施された第1及び第2表面
電極で、該第1及び第2表面電極は同形状の長方
形(紙面に垂直方向が長手方向)をなし且つ互い
に平行状態に分離されている。4はセラミツクス
などからなる絶縁性支持台で、該支持台上には、
上記裏面電極2を支持台4上面に対向するように
して、上記焦電検出体1がエポキシ系接着剤5に
て固着されている。6は上記焦電検出体1が高抵
抗であるが故に斯る高抵抗を低抵抗に変換するた
めのインピーダンス変換回路7が配置されたアル
ミナ基板、8は金属性のキヤツプ9及びヘツダ1
0からなる収納体で、該収納体の上記ヘツダ10
上には上記支持台4及び上記基板6が固定されて
いる。11は上記ヘツダ10に直接植設されたア
ース端子で、該端子は上記第1表面電極3aに結
線されている。12,13は夫々上記ヘツダ10
に絶縁材を介して植設された電源端子及び出力端
子で、該電源端子及び出力端子は夫々上記インピ
ーダンス変換回路7内のFET(後述する)のドレ
イン及びソースに結線されている。又、上記
FETのゲートは上記第2表面電極3bに結線さ
れている。14は上記焦電検出体1に第1、第2
表面電極3a,3b側から赤外線を入射せしめる
べく上記キヤツプ9に穿設された開口、15は該
開口を閉塞し赤外線を透過せしめる赤外線フイル
タである。
第2図は上記赤外線検出器の回路を示し、上記
インピーダンス変換回路7は高入力抵抗(108
1011Ω)16、出力抵抗(5〜100KΩ)17及び
FET(電界効果トランジスタ)18からなつてい
る。尚、出力抵抗17は赤外線検出器に内蔵せ
ず、外部より付加接続され使用されても良い。そ
して、上記焦電検出体1の第1、第2表面電極3
a,3b側を夫々i,jとすると、このi,j部
分は第2図からも分る通り直列接続されている。
そして、上記焦電検出体1の前方において人体
が矢印Mの如く通過すると、まず上記焦電検出体
1の第1表面電極3a側のi部分にて、人体から
放射された赤外線に基づいて入射赤外線量が変化
する。すると、このi部分に電荷が発生し、斯る
電荷による信号が上記出力端子13から出力され
る。次いで、上記焦電検出体1の第2表面電極3
b側のj部分にて入射赤外線量が変化する。この
場合も同様にして信号が上記出力端子13から出
力される。そして、上記出力端子13からの信号
は侵入検出用として用いられる。
一方、上記焦電検出体1は周囲温度が変化した
場合も斯る変化を検知して電荷を発生するが、こ
の場合上記出力端子13から信号は出力されな
い。即ち、斯る周囲温度の変化は上記焦電検出体
1のi,j部分の両方で同時に検知されるから、
i,j部分には互いに相殺しあう等量の電荷が同
時に発生し、従つて出力端子13から信号は出力
されない。よつて、上記赤外線検出器は周囲温度
の影響を受けずに人体の侵入を検知できる。
しかし乍ら、上記赤外線検出器では、上記焦電
検出体1のi,j部分の一方に入射赤外線による
熱エネルギが発生すると、斯る熱エネルギがi,
j部分の他方にまで伝わる。これにより、人体の
侵入にて例えば焦電検出体1のi部分に人体から
の赤外線が入射した場合、勿論第1表面電極3a
には電荷が発生するが、同時にi部分に入射した
赤外線による熱エネルギj部分へ伝達してこの熱
エネルギに基づいてj部分にも幾分かは電荷が発
生する。従つて、i部分に発生した電荷の一部が
j部分で発生した電荷と相殺しあうから、出力端
子13の出力する信号が小さくなりS/N比が低
くなると云う欠点がある。また、支持台としてセ
ラミツクス等の絶縁性支持台を用いる場合、第2
図に示す如く焦電検出体1のi,j部分を直列接
続する際には何ら構造上問題はないが、上記i,
j部分の分極方向を互いに逆にし、かつ斯るi,
j部分を並列に接続する際には裏面電極2をアー
ス等へ電気的に接続しなければならず、その接続
が困難となるという問題が生じる。
本発明は斯る点に鑑みてなされたもので、以下
本発明実施例赤外線検出器を第3図、第4図に基
づいて詳述する。尚、第1図及び第2図と同一部
分には同一符号を記してその説明を省略する。
19a,19bは互いに同形状を有する第1、
第2赤外線検出部である。該第1、第2赤外線検
出部において、20a,20bは夫々入射赤外線
変化量に応じて電荷を発生するタンタル酸リチウ
ム単結晶等で形成された厚さ約50μmの第1、第
2焦電検出体で、該検出体は共に矢印a方向に分
極されている。21a,21bは夫々上記第1、
第2焦電検出体20a,20bの表面にニクロム
の真空蒸着により形成された第1、第2表面電
極、22a,22bは夫々上記第1、第2焦電検
出体20a,20bの裏面において同様にニクロ
ムの真空蒸着により形成された第1、第2裏面電
極、23a,23bは銅、燐青銅などからなる柱
状で金属性の第1、第2支持台、25は上記第
1、第2支持台23a,23bの上面に酸エツチ
ングにより形成された深さ0.1〜0.2mmの凹部、2
6,26、…は上記凹部25の外周縁部27に酸
エツチングにより形成された深さDが0.05mm以上
で幅Wが0.3mm以上の通気溝である。そして、上
記第1、第2焦電検出体20a,20bは夫々第
1、第2裏面電極22a,22bが第1、第2支
持台23a,23b上面に対向するようにして外
周縁部27に銀ペーストなどの導電性接着剤2
4,24にて固着されている。ここに、上記第
1、第2焦電検出体20a,20bは熱エネルギ
の散逸量が大である程出力低下を起こしてしま
う。殊に上述の如く上記第1、第2支持台23
a,23bが金属であると、第1、第2焦電検出
体20a,20bの出力低下は甚だしくなるが、
この場合上記第1、第2焦電検出体20a,20
bは中空の凹部25により断熱されているからさ
ほど出力低下を生じない。28は銅。燐青銅など
からなり第1、第2隅部29a,29bを有する
凸形状の金属性固定台で、上記第1、第2赤外線
検出部19a,19bは夫々第1、第2支持台2
3a,23bが上記第1、第2隅部29a,29
bに位置決めされて上記固定台28に導電性接着
剤にて固定されている。30はセラミツクスから
なる絶縁台で、上記固定台は斯る絶縁台30を介
して上記ヘツダ10に固定されている。そして、
上記赤外線検出器の回路は第2図の通りである。
而して、上記構造において、第1、第2赤外線
検出部19a,19bは固定台28上で互いに完
全分離しているため、上記凹部25の有無に拘わ
らず、即ち第1、第2焦電検出体20a,20b
から第1、第2支持台23a,23bへの熱エネ
ルギの散逸量(伝達量)の多少に拘わらず、第
1、第2焦電検出体20a,20bとの間での熱
エネルギの伝達は顕著に抑制される。更に、凹部
25は通気溝26,26、…を介して外部と通じ
ているため、第1、第2焦電検出体20a,20
bに表裏面から加わる空気圧は一定となり、従つ
て第1、第2焦電検出体20a,20bは異常な
空気圧が加わらないから、異常圧力によるノイズ
発生を抑制できる。更に、第1、第2焦電検出体
20a,20bの間には従来の如き焦電検出体か
らなり、相互に熱エネルギが伝達するような部分
が削除されるから、それだけ焦電検出体を節減で
きる。
因に上記赤外線検出器の製造方法を第5図にお
いて説明する。まず、第5図Aに示す如く、最終
的に分割されて第1、第2支持台23a,23b
となる広面積の支持台原板23を準備する。該原
板の上面には、予め凹部25,25…が互いに等
間隔で酸エツチングされていると共に最終的に分
割されて外周縁部27,27…の一辺となる隔壁
27′,27′…にも夫々通気溝26′,26′…が
酸エツチングされている。そして、第5図に示す
如く、裏面に裏面電極22を真空蒸着してなり、
100〜200μmの比較的厚さが大きい焦電体ウエハ
20をその裏面電極22を原板23の上面に対向
させた配置にて導電性接着剤24にて接着し、該
接着剤を加熱硬化する。この時、接着剤24など
から有機化合物ガスが発生し、このガスは凹部2
5,25…に充満するが、斯るガスは凹部25,
25…から顕著に排気される。即ち、次に第5図
Cに示す如く、ウエハ20をその表面より研摩し
て該ウエハの厚みを約50μmとした後に、ウエハ
20の表面に第1、第2表面電極21a,21b
を真空蒸着するのに先立つてウエハ20周辺を真
空にするに、この場合凹部25,25…に充満し
たガスは通気溝26′,26′…を通つて外部へ排
気されるのである。従つて、次に、ウエハ20を
研摩した後第1、第2表面電極21a,21bを
真空蒸着する場合、上記ガスはウエハ20周辺か
ら充分に排気されているので、第1、第2表面電
極21a,21bはガスの影響を受けずに充分な
蒸着力の下に蒸着される。次いで、第5図Cでの
一点鎖線で示す位置でウエハ20などをダイシン
グすると、第1、第2赤外線検出部19a,19
bが形成される。そして斯る第1、第2赤外線検
出部19a,19bを固定台28に固定して該固
定台を上記基板6と共にヘツダ10に固定し、そ
の後所定の結線をしてキヤツプ9を被せると上記
赤外線検出器が得られる。
第6図は本発明他の実施例を示し、第3図、第
4図の赤外線検出器と相違する処は、第1、第2
焦電検出体20a,20bの分極方向が矢印a,
bで示す如く互いに逆になり、更に第1、第2表
面電極21a,21bが共にFET18のゲート
に接続され且つ固定台28が直接ヘツダ10に固
定されている点にある。そして、第1、第2焦電
検出体20a,20bは第7図に示す回路からも
分る通り各々の発生する電荷が相殺されるように
並列接続されている。
尚、このように第1、第2焦電検出体20a,
20bが並列接続された構造であると、上述の如
き直列接続された場合に較べて、FET18前段
では白色ノイズの発生要素となるインピーダンス
が小となるから、白色ノイズを顕著に抑制でき
る。更に、第1、第2焦電検出体20a,20b
のインピーダンスの内、容量だけを考慮すると、
並列接続構造の方が直列接続構造に較べてFET
18前段での容量が大となり、従つて例え第1表
面電極21aと第1裏面電極22aとの間、及び
第2表面電極21bと第2裏面電極22bとの間
で突発的ノイズ所謂ポツプコーンノイズが発生し
ても斯るノイズは充分に平滑されるから実質的な
ノイズ低減となる。よつて、並列接続構造の方が
S/N比が向上する。又、並列接続構造の赤外線
検出部を製造するに、第1赤外線検出部19aは
上記直列接続構造の赤外線検出器の製造時に同時
に得ることができ、第2赤外線検出部19bも同
様の方法で得ることができる。
以上の説明から明らかな如く、本発明赤外線検
出器では、支持台を金属性としているので支持台
自身を電流通路として使用でき、従つて各焦電検
出体を並列接続することも簡単に行なえる。ま
た、焦電検出体だけでなく支持台をも分離する構
成となつているので良熱伝導の金属性支持台を採
用しているにも拘わらず焦電検出体間の熱エネル
ギの伝達を抑制でき、従つてS/N比を顕著に向
上できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は既に提案された赤外線検出器の断面
図、第2図は同回路図、第3図は本発明赤外線検
出器の断面図、第4図は同支持台の斜視図、第5
図A乃至Cは同製造方法を示す工程別図、第6図
は本発明他の実施例赤外線検出器の断面図、第7
図は同回路図である。 19a,19b……第1、第2赤外線検出部、
20a,20b……第1、第2焦電検出体、23
a,23b……第1、第2支持台。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 一対の電極を有する少なくとも2つの焦電検
    出体と該検出体の一方の電極側が導電性接着剤に
    よつて固着され互いに離間配置された少なくとも
    2つの柱状の金属性支持台と、該支持台に導電性
    接着剤によつて固着された金属性固定台と、収納
    体とを備え、 前記焦電検出体が固着された前記支持台を前記
    金属性固定台上に離間配置して前記収納体内に収
    納することにより前記少なくとも2つの焦電検出
    体間の熱エネルギの伝達を抑制することを特徴と
    する赤外線検出器。
JP56175950A 1981-11-02 1981-11-02 赤外線検出器 Granted JPS5877629A (ja)

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JP56175950A JPS5877629A (ja) 1981-11-02 1981-11-02 赤外線検出器

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JPS5877629A JPS5877629A (ja) 1983-05-11
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4865986A (ja) * 1971-12-10 1973-09-10

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS4865986A (ja) * 1971-12-10 1973-09-10

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