JPH0850060A - 熱検知器及びその製法 - Google Patents

熱検知器及びその製法

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JPH0850060A
JPH0850060A JP7106109A JP10610995A JPH0850060A JP H0850060 A JPH0850060 A JP H0850060A JP 7106109 A JP7106109 A JP 7106109A JP 10610995 A JP10610995 A JP 10610995A JP H0850060 A JPH0850060 A JP H0850060A
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thermal
heat
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plane array
common electrode
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イー.ロビンソン ジェームズ
James F Belcher
エフ.ベルチャー ジェームズ
R Beratan Howard
アール.ベラタン ハワード
Steven N Frank
エヌ.フランク スチーブン
Charles M Hanson
エム.ハンソン チャールズ
Paul O Johnson
オー.ジョンソン ポール
Robert J S Kyle
ジェイ.エス.カイル ロバート
Edward G Meissner
ジー.メイスナー エドワード
Robert A Owen
エイ.オーウェン ロバート
Gail D Shelton
ディー.シェルトン ゲイル
William K Walker
ケイ.ウオーカー ウィリアム
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    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N15/00Thermoelectric devices without a junction of dissimilar materials; Thermomagnetic devices, e.g. using the Nernst-Ettingshausen effect
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 焦点面アレーにおける検知器ピクセルの物理
的面積を縮小することによって熱容量を低減し、熱検知
器の性能の向上を図る。 【構成】 熱検知システム(10)は、焦点面アレー
(12)、熱絶縁構造体(14)、及び集積回路基板
(16)を含んで構成される。焦点面アレー(12)
は、熱センサ(28)を含み、各々の熱センサは関連す
る熱検知素子(30)を有する。熱検知素子(39)
は、一方の面において赤外線吸収体及び共通電極組立体
(36)と結合し、他方の面において集積回路基板(1
6)上に配置される関連する接触パッドに結合する。網
状の切り溝(52a、52b)は、少なくとも単一の熱
検知素子(30a、30b、30c)の平均幅の半分の
距離ほど隣接する熱検知素子(30a、30b、30
c)を離間させる。連続で、非網状のオプティカルコー
ティング(38)は、熱検知素子(30a、30b、3
0c)の上に配置され、焦点面アレー(12)に入射す
る熱放射の吸収を最大にする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、熱(赤外線)検知
器、更に詳しくは熱容量を低減した熱検知装置及びその
方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】熱センサのひとつの一般的な応用として
は、暗視装置のような熱(赤外線)検知装置がある。あ
る種の熱検知装置は、集積回路基板と結合した赤外線検
知素子すなわち熱センサの焦点面アレーを備え、焦点面
アレーと集積回路基板との間に接触パッドの対応アレー
を具備するものがある。該熱センサは、得られる熱画像
の個々の画素すなわちピクセルを画成する。
【0003】ある実施例では、熱センサは、チタン酸ス
トロンチウムバリウム(BST)のような、熱放射に応
答して電気的極性および容量を変化する焦電性材料から
なる熱検知素子を含む。赤外線吸収体および共通電極組
立体が、熱検知素子の一方の面に配置され、共通電極を
覆ってオプティカルコーティングが施される。センサ信
号電極は、各々の熱検知素子の反対面に配置される。赤
外線吸収体および共通電極組立体は、典型的には、焦点
面アレーの表面を横切って延び、各々の熱検知素子を共
通電極を介して電気的に結合する。各々の赤外線検知素
子すなわち熱センサは、赤外線吸収体及び共通電極組立
体の部分とそれぞれのセンサ信号電極によって画成され
て容量性電極を構成する部分、及び容量性電極の間に配
置された誘電体すなわち絶縁体からなる熱検知素子に、
それぞれ部分的に画定される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】熱検知素子の熱容量の
低減は、関連する熱センサの性能の限界を拡張できる。
熱センサとその環境との間の熱絶縁が所与の値であれ
ば、熱検知素子の熱容量の低減は所与の放射束に対する
熱センサの温度レスポンスを増大させる。数種の方法で
は、熱容量を低減する薄型の熱検知素子を用いて、熱検
知器の性能の向上を図っている。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、焦点面
アレーにおける熱センサの熱容量の低減に伴う不具合お
よび問題点は、実質的に減少あるいは除去される。本発
明は検知器ピクセルの物理的面積を縮小することによっ
て熱容量を低減する。特に、本発明は隣接する熱検知素
子間の網状の切り溝の幅を広げて、熱容量の低減及び熱
検知器の性能の向上を図る。
【0006】本発明の一態様によれば、熱検知器は焦点
面アレーおよび集積回路基板を具備する。熱センサは、
焦点面アレーに入射する熱放射量を表すセンサ信号出力
を発生する。熱センサは、網状の切り溝によって空間的
に離間された熱検知素子を備える。各々の網状の切り溝
は、単一の熱検知素子の平均幅の少なくとも半分の距離
ほど隣接する熱検知素子を離間させる。赤外線吸収体及
び共通電極組立体は熱検知素子の一方の面と結合する。
センサ信号電極は、熱検知素子の他方の面と結合する。
信号接触パッドは、集積回路基板上に配置され、センサ
信号電極と結合し、熱センサからのセンサ信号出力を受
信する。熱絶縁構造体は集積回路基板から突出して信号
接触パッドに隣接し、集積回路基板上に焦点面アレーを
載置する。
【0007】本発明の別の態様では、焦点面アレーに入
射する熱放射量を表すセンサ信号出力を発生するような
熱センサを具備する焦点面アレーを制作するための方法
が開示される。熱センサに電圧を供給するための共通電
極が形成される。焦電性材料を使用して、共通電極の一
方の面と結合する熱検知素子を形成させてことができ
る。マスキング材料で焦電性材料を覆い、パターン形成
してもよい。焦電性材料を除去して、網状の切り溝によ
って空間的に離間した熱検知素子を形成する。網状の各
々の切り溝は、単一の熱検知素子の平均幅の少なくとも
半分の距離ほど隣接する熱検知素子を離間させる。
【0008】本発明の重要な技術的利点は、隣接する熱
検知素子間に介在する空隙すなわち網状の切り溝を拡大
することによる熱センサの熱容量の低減を含むことであ
る。単独に、あるいは、熱センサ形成のために用いられ
る焦電性材料を薄型化する従来の方法と併用して、本発
明は隣接する熱検知素子間の網目上の切り溝を拡幅す
る。一実施例においては、網状の各々の切り溝は、単一
の熱検知素子の平均幅の少なくとも半分の距離ほど、隣
接する熱検知素子を離間させる。拡幅された網状の切り
溝は、熱センサの熱容量を低減させ、所与の熱放射に対
する熱検知器の温度レスポンスを向上する。
【0009】本発明の別の重要な技術的利点は、隣接す
る熱検知素子間の網状切り溝を橋絡する連続性で非網状
のオプティカルコーティングを実現し、検知素子の寸法
の縮小にもかかわらず入射熱放射の吸収を最大するよう
にできることである。焦点面アレーの全面積にわたるオ
プティカルコーティングは、最大熱放射を吸収し、熱検
知素子間の間隔に無関係に、下方に位置する熱検知素子
へ熱エネルギーを移送する。
【0010】本発明の別の重要な技術的利点は、隣接す
る熱検知素子間の網状の切り溝の拡幅によってピクセル
間の熱絶縁の増大をも含み得ることである。熱検知素子
と結合した赤外線吸収体と共通電極組立体によって、ク
ロストークすなわち熱結合が隣接する熱センサ間に生ず
ることがある。本発明は、隣接する熱検知素子間の網目
上の切り溝を拡幅することによって、ピクセル間熱絶縁
を向上する。
【0011】
【実施例】本発明の一層完全な理解、更には本発明の特
徴及び利点の理解のために、添付の図面を参照して実施
例を説明する。本発明及びその利点は、図1及び図2を
参照することによって最もよく理解できる。図中の類似
の参照番号は、類似の、あるいは、対応する部分を表す
ために用いてある。
【0012】赤外線検知器は、典型的には、検知器に到
達する入射赤外線放射に起因する温度変化による電圧ま
たは電流の変化の発生、あるいは、検知器を形成するた
めに用いられる材料の内部における光子−電子相互作用
による電圧または電流の変化の発生、のいずれかに基づ
く。後者の効果は内部光電効果と呼ばれることがあり、
この現象を利用する検知器は光子検知器と呼ばれる。温
度依存特性を利用する検知器は熱検知器と呼ばれる。熱
検知器には、入射赤外線放射の発熱作用によって生ずる
薄型導体の抵抗または容量の変化に基づくものもある。
この種の熱検知器はボロメーターと称されることがあ
る。
【0013】熱検知システム10は、更に詳細に後述す
るが、入射赤外線放射に起因する焦電性材料の温度変化
による電圧または電流の変化の発生に基づいて作用す
る。しかし、本発明はボロメーターを含む別の形式の熱
検知器について用いられてもよい。
【0014】従来の熱検知器には、一層薄型の熱検知素
子を用いることによって、関連する熱センサの有効応答
特性の向上を図ったものがある。熱センサとその周囲の
環境との間の熱絶縁が所与の値であれば、低減された熱
容量は所与の放射束に対する温度反応を増大させること
になろう。しかし、熱検知素子の薄型化は、厚さに比例
して変化する電圧応答特性の低減、及び、厚さに反比例
して変化する電気容量の増大を伴う。熱絶縁が充分な場
合でも、電圧反応の減少は温度応答特性の増大を相殺す
る。電気容量の増大は、処理回路における寄生容量に起
因する損失を減少させれば、熱センサの有効応答特性を
増大させる。薄型熱検知素子は、誘電損失雑音及び温度
ゆらぎ雑音の減少をもたらす。薄型熱検知素子を使用す
る従来形の熱検知器における有効な効果は、熱センサに
よって発生される全信号の変化ではなく、雑音源の有効
な低減によるものである。
【0015】従来形の熱センサに関連する問題点には、
熱検知素子が薄型化し、また熱検知素子間の網状の切り
溝の幅が狭くなるに伴い、製作が困難になることも含ま
れる。薄型熱センサによって達成される、網目上の切り
溝の最小幅、焦点面アレーにおける熱センサの実装密
度、及びピクセル間の熱絶縁の最大レベルを考慮すれ
ば、この問題は不可避的な製作上の限界をもたらす。
【0016】本発明は、熱容量を低減した熱センサを提
供するものであり、したがって、総合的な応答特性を向
上し、かつ従来形の熱センサに関連する多くの問題点を
解消する。本発明の利点は、隣接する熱検知素子間の網
状の切り溝の幅を拡大することによって、単独に、ある
いは熱検知素子の薄型化と組み合わせて、実現される。
幅広の網状の切り溝は、熱容量の低減による熱センサの
熱応答性を向上し、ピクセル間の熱絶縁を向上し、焦点
面アレーの製作工程を単純化する。
【0017】図1の熱検知器すなわち熱検知システム1
0と関連させて、本発明の一実施例を示す。熱検知シス
テム10を構成する主要な構成要素には、焦点面アレー
12、熱絶縁構造体14、及び集積回路基板16があ
る。熱検知システム10の種々の構成要素は、好ましく
は、真空環境に置かれた筐体(図示せず)内に収納され
る。
【0018】熱絶縁構造体14は、ピクセル−IC間の
熱絶縁、焦点面アレー12と集積回路基板16間の電気
結合、及び集積回路基板16上に焦点面アレー12を載
置するための構造的支持材をなす。熱絶縁構造体14
は、集積回路基板16の接触パッドに隣接して形成され
るメサ(台地)型構成体18を含む。メサ型構成体18
はポリイミドまたは他の適当な低熱伝導性材料から形成
される。各々のメサ型構成体18は対応するメサ型スト
リップ導体24を支持し、該メサ型ストリップ導体24
は焦点面アレー12を集積回路基板16上に配置された
対応する接触パッド20に電気的に結合する。メサ型ス
トリップ導体24はチタン/タングステン合金のような
相互連結金属から形成されてよく、適切な電気伝導度を
付与して焦点面アレー12を集積回路基板16に結合す
る。
【0019】バンプ接合材26はメサ型ストリップ導体
24上に配置され、熱絶縁構造体14の焦点面アレー1
2への接合を容易にする。インジウムバンプ接合技術
は、焦点面アレー12と熱絶縁構造体14との間の導電
性結合の形成に用いるに適切である。本発明はピクセル
−IC間の熱絶縁、製作工程における機械的完全性、及
び集積回路基板16と焦点面アレー12間の適切な電気
結合を実現する任意の熱絶縁構造体14を対象とするも
のであることを理解すべきである。
【0020】本発明には、種々の形式の半導体材料及び
集積回路基板を用いてよい。米国特許第4,143,6
29号、発明の名称「強誘電体画像装置」(授権者マコ
ーマック他、権利譲受者テキサス・インストルメント
社)は、熱検知素子とシリコンスイッチングマトリクス
または集積回路基板から製作される熱検知器に関する情
報を開示している。本発明は、焦点面アレー12によっ
て発生された信号を受信可能なあらゆる適切な基板と共
に用いてよいことを理解すべきである。米国特許第5,
047,644号、発明の名称「熱画像装置のためのポ
リイミド熱絶縁メサ」(授権者メイスナー他、権利譲受
者テキサス・インストルメント社)は、ポリイミドから
形成されるメサ型構成体を有する熱絶縁構造体を開示し
ている。
【0021】焦点面アレー12は、複数の熱センサ28
を含む。熱センサ28の数量及び形状は焦点面アレー1
2の所望のN×Mピクセルの分解能に依存する。熱セン
サ28は、チタン酸バリウムストロンチウム(BST)
のような、熱放射に応答して電気的極性及び容量を変化
する焦電性材料から形成される熱検知素子30を含む。
図1は、3個の特定の熱検知素子30a、30b、30
cを図示して、本発明の1形態を説明するものである
が、参照数字「30」は任意の熱検知素子30を全般的
に指すものとして使用する。チタン酸鉛(PT)、チタ
ン酸ランタン鉛(PLT)、チタン酸ジルコニウム鉛
(PZT)、及びチタン酸ジルコニウムランタン鉛(P
ZLT)を含むチタン酸鉛系列に含まれる材料も熱検知
素子30の形成に使用してよい。
【0022】各熱センサ28と関連する焦電性トランス
デューサすなわちコンデンサは、部分的には、熱検知素
子30、センサ信号電極32、及び赤外線吸収体と共通
電極組立体36からなる共通電極34によって部分的に
画成される。したがって、熱検知素子30はセンサ信号
電極32及び共通電極34に関して誘電体として作用す
る。赤外線吸収体及び共通電極組立体36は、オプティ
カルコーティング38、及び随意であるが薄い外層40
を更に含む。
【0023】一実施例では、赤外線吸収体及び共通電極
組立体36は、所望の赤外線スペクトルの吸収を最大に
するように調整された共振性光学空洞を形成する多層構
造をなす。共通電極34は、ニクロム(NiCr)その
他の適切な材料のような不透明、高反射性材料から形成
されて、熱検知素子30に共通電圧を分配できるもので
よい。共通電圧は負、正、又はゼロ電位でよい。オプテ
ィカルコーティング38はパリレンのような有機材料で
あり、屈折率に応じて厚さを適切に調節し、所望のスペ
クトルの吸収を最大にするように空洞を整調する。薄い
外層40は、共振性空洞から反射される電磁波の実効振
幅を最小にするように厚さを調節された薄い半透明の金
属である。
【0024】一実施例では、オプティカルコーティング
38及び随意の薄い外層40は、図1に示すように、連
続性で非網状の層であり、隣接する熱検知素子30a、
30b、30cの間の網状の切り溝52a、52bを橋
絡する。連続性の非網状オプティカルコーティング38
は、焦点面アレー12に入射する最大熱放射を吸収し、
熱検知素子30a、30b、30c間の間隔に無関係
に、熱エネルギーを熱検知素子30a、30b、30c
に移送する。
【0025】動作時には、熱検知装置10は、焦点面ア
レー12に到達する入射赤外線放射に応答して熱画像を
生成する。赤外線吸収体及び共通電極組立体36は赤外
線エネルギーを吸収し、熱センサ28の熱検知素子30
に温度変化を伝達する。温度変化は熱検知素子30の電
気的極性及び容量を変化させ、センサ信号電極32上に
対応するセンサ信号を発生する。全センサ信号出力は熱
検知素子30の電気的極性及びキャパシタンスに依存す
る、換言すれば、入射赤外線放射の関数である。センサ
信号電極32は、熱絶縁構造体14のメサ型ストリップ
導体24を介して、集積回路基板16上の対応する接触
パッド20に電気的に結合する。
【0026】本発明によれば、熱センサ28の熱検知素
子30の形状は、部分的には、高さ42、第1の幅4
4、及び第2の幅46によって定まる。座標系47に関
して、高さ42はz軸方向に、第1の幅44はy軸方向
に、及び第2の幅46はx軸方向に測定される。明示す
れば、熱検知素子30は平行6面体として図示される
が、熱検知素子30の反対面は平行である必要はないこ
とを理解すべきである。熱検知素子30の反対面が平行
でない場合には、第1の幅44と第2の幅46は平均幅
として表されてよい。更に、熱検知素子30の面は、図
1に示すような6面よりも多くてもよいし、また少なく
てもよい。
【0027】一実施例では、熱検知素子30の壁面は実
質的に垂直であり、共同電極34と結合する第1の面4
8から、センサ信号電極32と結合する第2の面50に
延びる。本発明は、焦点面アレー12の製作工程によっ
ては、図2を参照して以下に説明するように中央部で隆
起したり傾斜するような代替的構造であって、第1の面
48から第2の面50に延びる壁面を有する熱検知素子
30をも対象にするものであることを理解すべきであ
る。
【0028】網状の切り溝52aは熱検知素子30aを
熱検知素子30bから離間させ、また網状の切り溝52
bは熱検知素子30bを熱検知素子30cから離間させ
る。本発明の望ましい実施例では、網状の切り溝52a
は、隣接する熱検知素子30a及び30bの第1の幅4
4の少なくとも半分に等しい網状の切り溝幅54aを有
する。同様に、網状の切り溝52bは、隣接する熱検知
素子30b及び30cの第2の幅46の少なくとも半分
に等しい網状の切り溝幅52bを有する。
【0029】本発明では、第1の幅44及び網状の切り
溝幅54aは座標系47のy軸方向に測定され、第2の
幅46及び網状の切り溝幅54bは座標系47のx軸方
向に測定されることを理解すべきである。本発明の説明
の便宜上、網状の切り溝幅54aは熱検知素子30a、
30bの第1の幅44に関して一般に定められ、また網
状の切り溝幅54bは熱検知素子30b、30cの第2
の幅46に関して一般に定められる。第1の幅44と第
2の幅46とが等しく、かつ網状の切り溝幅54aと網
状の切り溝幅54bとが等しいような特定の実施例にお
いては、熱検知素子30a、30b、30cの間隔と配
列は、座標系47のx−y平面において対称である。
【0030】上述のように、熱検知システム10は焦点
面アレー12における入射赤外線放射を受光し、この放
射を熱エネルギーに変換して、熱検知素子30の温度上
昇を引き起こす。赤外線放射の照射時間と強度を与えれ
ば、熱検知素子30は以下の2つの要因に依存してある
温度まで上昇する。第一に、熱検知素子30における温
度上昇は、集積回路基板16とのピクセル−IC熱絶縁
及び隣接の熱センサとの間のピクセル間熱絶縁を含む周
囲環境からの熱絶縁に依存する。第二に、熱検知素子3
0の温度は熱容量に依存して上昇する。したがって、固
定されたピクセル−IC間及びピクセル間の熱絶縁を与
えれば、熱センサ28の熱応答性は熱検知素子30の質
量を減少することによって向上できる。
【0031】従来の熱検知システムは高さ42を縮小す
ることによって、熱検知素子30の質量を減少させてき
た。しかし、本発明は、第1の幅44を縮小して熱検知
素子30aと30bとの間の網状の切り溝52aの幅を
拡大し、かつ第2の幅46を縮小して熱検知素子30b
と30cとの間の網状の切り溝52bの幅を拡大するこ
とによって熱応答性の向上を達成するものである。熱セ
ンサ28は、下方に配置する熱絶縁構造体14及び集積
回路基板16の製作限界を考慮すると、隣接する熱セン
サ28から最小の距離すなわちピッチで配置されてよ
い。隣接する熱センサとの間の最小のピッチを与えた場
合、本発明は、熱検知器10のピクセル分解能を犠牲に
することなく、熱検知素子30の熱容量を低減すること
を考えるものである。更に、オプティカルコーティング
38は熱検知素子30上を覆って配置される連続性で非
網状の層として広がり、したがって、下方に位置する熱
検知素子30の寸法及び配列に無関係に、焦点面アレー
12に入射する最大熱放射を吸収する。
【0032】熱センサ28は、焦点面アレー12に入射
する第1次熱応答を示す。熱応答時定数(τ)は熱検知
素子30の熱容量(C)及び熱センサ28と周囲環境と
の間の熱抵抗(R)とに依存する。
【数1】制御式τ=R・C は、熱検知素子30の熱容量(C)の低減が一層低い熱
応答時定数(τ)をもたらすことを示す。
【0033】熱応答時定数(τ)を、隣接する熱センサ
28及び下方に位置する集積回路基板16との間におけ
る熱絶縁の向上を介して増大する熱抵抗(R)によって
増大させてもよい。熱センサ28の熱応答時定数(τ)
の適切な選択は、焦点面アレー12を熱放射に交番的に
露光させるチョッパー(図示せず)の周波数及びデュー
ティサイクルに依存する。例えば、毎秒30フレームの
画像データを与えることができる50パーセントのデュ
ーティサイクルのチョッパーは、60分の1秒間開き、
次の60分の1秒間閉じる。開口中に、焦点面アレー1
2が最大赤外線放射を感光し、吸収して、熱センサ28
が最大センサ信号を発生するように適切に応答すること
が望ましい。
【0034】短い時定数は、本質的に潜在的信号を浪費
して、熱検知センサ28が最大電圧を発生することを妨
げる。長い時定数は熱センサ28の応答性の劣化をもた
らす。したがって、熱センサ28の熱応答時定数(τ)
の望ましい選択が、チョッパー開口期間における最大レ
ベルへの確実な温度上昇を生成し、最大センサ信号発生
を可能にする。
【0035】隣接する熱検知素子30間の幅広の網状切
り溝52a、52bは熱検知素子30の質量を減少させ
て熱容量(C)を減少させる。したがって、本発明は、
低減された熱容量(C)と増大された熱絶縁(R)との
折衷案を考えて、有効応答性を向上した熱センサ28を
製作するものである。この有効応答性は必然的にチョッ
パー周波数及びデューティサイクルに依存する。
【0036】熱センサ28の熱容量の低減は、処理回路
(図示せず)の寄生容量による損失を増大させる。電気
容量は、容量性極板間の誘電体の面積に比例し、極板間
の厚さ、すなわち、距離に反比例する。熱検知素子の薄
型化による従来の方法は、熱センサの熱容量を低減した
が、同時に電気容量を増大させた。熱センサの電気容量
は処理回路の寄生容量に応じて増加するから、熱センサ
の電気容量の増大は寄生容量による損失を減少させる。
処理回路の寄生容量が小さく、かつ熱センサの電気容量
が大きいなら、熱センサからの電圧の大きさは実質的に
入射熱放射に起因する信号で構成される。しかし、寄生
容量が熱センサの電気容量に比較して割合に大きいな
ら、処理回路による入射熱放射に起因する信号を読み取
ることが困難になろう。
【0037】隣接する熱検知素子30間の幅広の網状切
り溝52a、52bは熱センサ28の電気容量を低減さ
せる。処理回路の寄生容量を一定と仮定すると、このこ
とが寄生容量に起因する損失の増大をもたらす結果にな
ることがある。この損失は、幅広の網状の切り溝52
a、52bを有する熱センサ28のための処理回路の設
計変更によって克服できる。
【0038】寄生容量によってもたらされる損失のほか
に、幅広の網状の切り溝52a、52bは、熱センサ2
8で生ずる誘電体損失雑音及び温度ゆらぎ雑音の両方を
増大することになることがある。誘電体損失雑音あるい
は「ジョンソン雑音」は熱センサ28の抵抗成分に関連
する。温度ゆらぎ雑音は熱センサ28とその環境との間
の熱伝達の速度のランダム成分に関連する。
【0039】幅広の網状切り溝52a、52bを有する
熱センサ28から形成される熱検知装置10は、信号対
雑音比(SNR)の有効な向上をもたらすが、ピクセル
の物理的面積の略平方根に近似的に反比例して変化す
る。この結果は、焦点面アレー12と集積回路基板16
との間の比較的高いピクセル−IC間熱絶縁及び隣接す
る熱センサ28間の比較的高いピクセル間熱絶縁を示す
ものと考えられる。更に、SNRの増大は処理回路の寄
生容量に起因する比較的低い損失を示す。上述のように
考えると、熱センサ28の熱容量の低減による信号増大
の利点は、有効な向上されたSNRに対する誘電体損失
雑音及び熱ゆらぎ雑音の増大よりも重要である。
【0040】図2は、焦電性材料104の連続平板から
熱検知素子102を製作する工程における焦点面アレー
100の一部分の断面図を示す。焦電性材料104は、
好ましくはチタン酸ストロンチウムバリウム(BST)
であるが、図1の熱検知素子30を参照して説明した任
意の代替材料でもよい。焦点面アレー100は、焦電性
材料104の上方に配置され、かつそれに結合する赤外
線吸収体及び共通電極組立体106を更に含む。赤外線
吸収体及び共通電極組立体106は、共通電極108、
オプティカルコーティング110、及び薄い外層112
を更に含む。赤外線吸収体及び共通電極組立体106の
構造及び構成は、図1を参照して説明した赤外線吸収体
及び共通電極組立体36と類似である。
【0041】熱検知素子102は、網状の切り溝118
を形成するために焦電性材料104を除去することによ
って形成される。網状の切り溝118は熱検知素子10
2の中間位置に配置される。好ましい実施例では、網状
の切り溝118は熱検知素子102の平均幅120の少
なくとも半分に等しい網状の切り溝幅122を有する。
【0042】様々な方法を用いて、網状の切り溝118
を形成するために焦電性材料の部分を除去してよい。一
実施例では、マスクを必要としないで焦電性材料104
を除去するために、レーザー網状加工が用いられる。網
状の切り溝118を形成するためのレーザー網状加工
は、所望の網状の切り溝幅122及び特定のレーザ−器
材に応じて、1回あるいは複数回行ってよい。
【0043】別の実施例では、焦電性材料104は、イ
オンミリング、プラズマエッチング、化学的エッチン
グ、その他の適切な工程を用いて除去されてよい。この
実施例では、マスク要素116にパターン形成されたマ
スク材料114の層が熱検知素子102を覆って配置さ
れる。図2は、マスク材料114のパターン形成後であ
って、網状の切り溝118の形成のための焦電性材料1
04除去前における、焦点面アレー100を示す。工程
中に、マスク要素116に挟まれた焦電性材料114は
網状の切り溝118を残して除去される。マスク材料1
14は有機フォトレジスト、金属、あるいは他の適切な
マスク材料でよい。
【0044】本発明を数種の実施例について説明した
が、種々の変形あるいは変更があることは当業界の技術
者には明らかである。本発明はこの種の変形及び変更を
特許請求の範囲内に包含するものである。
【0045】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 (1) 焦点面アレー及び集積回路基板を含む熱検知器
であって、焦点面アレーに入射する熱放射量を示すセン
サ信号出力を供給するための複数の熱センサであって、
複数の網状の切り溝によって空間的に離間された複数の
熱検知素子からなり、各々の前記網状切り溝は隣接する
前記熱検知素子を、単一の熱検知素子の平均幅の少なく
とも半分の距離ほど離間する熱センサと、前記熱検知素
子の一方の面と結合する赤外線吸収体及び共通電極組立
体と、前記熱検知素子の他方の面と結合する複数のセン
サ信号電極と、集積回路基板上に配置されて、前記セン
サ信号電極と結合し、前記熱センサからのセンサ信号出
力を受信するための複数の信号接触パッドと、前記集積
回路基板から前記信号接触パッドに隣接して突出し、前
記集積回路基板上に焦点面アレーを載置するための熱絶
縁構造体と、から構成されることを特徴とする熱検知
器。
【0046】(2) 前記赤外線吸収体及び共通電極組
立体が、赤外線放射を受感する連続性、非網状のオプテ
ィカルコーティングからなる第1項記載の検知器。 (3) 前記各々の熱検知素子が、前記共通電極に結合
する第1の面から、関連する前記センサ信号電極に結合
する第2の面に延びる少なくとも一つの実質的に垂直な
壁面によって部分的に画成される第1項記載の検知器。 (4)前記熱検知素子が、焦電性材料から形成される第
1項記載の検知器。
【0047】(5) 前記熱検知素子がチタン酸バリウ
ムストロンチウムから形成される第1項記載の検知器。 (6) 前記赤外線吸収体及び共通電極組立体が、前記
熱検知素子に電圧を供給するための熱検知素子と結合す
る共通電極組立体と、共通電極の上に配置され、赤外線
放射を受感するオプティカルコーティングとから成る第
1項記載の検知器。 (7) 前記各々の熱検知素子が一方の面において前記
共通電極と、かつ、他方の面において関連する前記セン
サ信号電極と結合し、前記センサ信号電極が熱絶縁構成
体を介して、前記集積回路基板上に配置される関連する
前記信号接触パッドと結合する第1項記載の検知器。
【0048】(8) 焦点面アレーに入射する熱放射量
を示すセンサ信号出力を供給するための複数の熱センサ
を含む焦点面アレーであって、前記熱センサに電圧を供
給する共通電極と、前記共通電極の一方の面と結合し、
入射赤外線放射を受感するオプティカルコーティング
と、前記共通電極の他方の面と結合する複数の熱検知素
子であって、前記熱検知素子は複数の網状切り溝によっ
て空間的に離間され、各々の前記網状切り溝は隣接する
前記熱検知素子を単一の熱検知素子の平均幅の少なくと
も半分の距離ほど離間する熱検知素子と、焦点面アレー
に入射する熱放射量を示す信号出力を受信するために、
前記熱検知素子と結合された複数のセンサ信号電極と、
からなることを特徴とする焦点面アレー。
【0049】(9) 前記各々の熱検知素子が、前記共
通電極に結合する第1の面から、関連する前記センサ信
号電極に結合する第2の面まで延びる実質的に垂直な壁
面によって部分的に画成される第8項記載の焦点面アレ
ー。 (10) 前記熱検知素子が、チタン酸ストロンチウム
バリウム、チタン酸鉛、チタン酸ランタン鉛、チタン酸
ジクロミウム鉛、及びチタン酸ジクロニウムランタン鉛
からなる群から選ばれる焦電性材料から形成される第8
項記載の焦点面アレー。 (11) 前記オプティカルコーティングの上に配置さ
れる薄い半透明金属層を更に含む第8項記載の焦点面ア
レー。
【0050】(12) 焦点面アレーに入射する赤外線
放射量を示すセンサ信号出力を供給する複数の熱センサ
を備える焦点面アレーの製作する方法であって、熱セン
サに電圧を供給する共通電極を形成する工程と、前記共
通電極の一方の面に赤外線放射を受感するオプティカル
コーティングを形成する工程と、前記オプティカルコー
ティングとは反対の共通電極の面に焦電性材料を形成す
る工程と、焦電性材料を除去して複数の網状切り溝によ
って空間的に離間された複数の熱検知素子を形成し、各
々の前記網状切り溝が単一の熱検知素子の平均幅の半分
の距離ほど隣接する熱検知素子を離間させる工程と、か
らなることを特徴とする方法。
【0051】(13) 前記焦電性材料がチタン酸スト
ロンチウムバリウム、チタン酸鉛、チタン酸ランタン
鉛、チタン酸ジクロミウム鉛、及びチタン酸ジクロニウ
ムランタン鉛からなる群から選ばれる第12項記載の方
法。 (14) 前記オプティカルコーティングがパリレンか
ら形成される第12項記載の方法。 (15) 前記共通電極がニクロムから形成される第1
2項記載の方法。 (16) 前記オプティカルコーティングがパリレンか
らなる連続性、非網状の層から形成される第12項記載
の方法。
【0052】(17) 前記オプティカルコーティング
の上に配置される薄い半透明金属層を形成する工程を更
に含む第12項記載の方法。 (18) 前記焦電性材料除去の工程がレーザー網状加
工を用いて遂行される第12項記載の方法。 (19)前記焦電性材料の除去工程がイオンミルを用い
て遂行され、前記焦電性材料の上に配置されるマスク材
料を形成する工程、及び前記マスク材料をパターン形成
する工程を更に含む、第12項記載の方法。
【0053】(20) 熱検知システム(10)は、焦
点面アレー(12)、熱絶縁構造体(14)、及び集積
回路基板(16)を含んで構成される。焦点面アレー
(12)は、熱センサ(28)を含み、各々の熱センサ
は関連する熱検知素子(30)を有する。熱検知素子
(39)は、一方の面において赤外線吸収体及び共通電
極組立体(36)と結合し、他方の面において集積回路
基板(16)上に配置される関連する接触パッドに結合
する。網状の切り溝(52a、52b)は、少なくとも
単一の熱検知素子(30a、30b、30c)の平均幅
(44、46)の半分の距離ほど隣接する熱検知素子
(30a、30b、30c)を離間させる。連続で、非
網状のオプティカルコーティング(38)は、熱検知素
子(30a、30b、30c)の上に配置され、焦点面
アレー(12)に入射する熱放射の吸収を最大にする。
【0054】この出願は、いずれも同一権利者の出願に
なる、同時係属出願の第8/182,865号、発明の
名称「赤外線検知器及び方法」、代理人出願記録TI−
18788、及び同時係属出願の第8/182,268
号、発明の名称「赤外線検知器及び方法」、代理人出願
記録TI−17233、に関連する。
【図面の簡単な説明】
本発明のより完全な理解、及び将来的な特徴と利点のた
めに、関連の図を添付し、以下に説明する。
【図1】網状の切り溝によって、少なくとも熱検知素子
の幅の平均値の半分の距離ほど離間された複数の熱検知
素子を有する焦点面アレーを具備する熱検知システムの
一部の等距離図法による見取り図。
【図2】チタン酸ストロンチウムバリウム(BST)の
ような焦電性材料でできた連続性のスラブから熱検知素
子が形成される製作工程における焦点面アレーの一部の
断面図。
【符号の説明】
10 熱検知システム 12 焦点面アレー 14 熱絶縁構造体 16 集積回路基板 28 熱センサ 30 熱検知素子 39 熱検知素子 36 赤外線吸収体及び共通電極組立体 52 網状の切り溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ハワード アール.ベラタン アメリカ合衆国テキサス州リチャードソ ン,イー.ベルトライン 2111,アパート メント ナンバー 106ビー (72)発明者 スチーブン エヌ.フランク アメリカ合衆国テキサス州マッキニー,ハ ックベリー 471 (72)発明者 チャールズ エム.ハンソン アメリカ合衆国テキサス州リチャードソ ン,ウインドソング トレイル 1608 (72)発明者 ポール オー.ジョンソン アメリカ合衆国テキサス州アレン,ウォン ダリング ウエイ 925 (72)発明者 ロバート ジェイ.エス.カイル アメリカ合衆国テキサス州ローレット,ト レイル レイク ドライブ 8017 (72)発明者 エドワード ジー.メイスナー アメリカ合衆国テキサス州ダラス,ローダ ー レーン 16500,アパートメント ナ ンバー 8207 (72)発明者 ロバート エイ.オーウェン アメリカ合衆国テキサス州ローレット,ト レイドウインド ドライブ 4105 (72)発明者 ゲイル ディー.シェルトン アメリカ合衆国テキサス州メスキート,ク アポウ トレイル 1400 (72)発明者 ウィリアム ケイ.ウオーカー アメリカ合衆国テキサス州プラノ,ウエス トリッジ ドライブ 2605

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 焦点面アレー及び集積回路基板を含む熱
    検知器であって、 焦点面アレーに入射する熱放射量を示すセンサ信号出力
    を供給するための複数の熱センサであって、複数の網状
    の切り溝によって空間的に離間された複数の熱検知素子
    からなり、各々の前記網状切り溝は隣接する前記熱検知
    素子を、単一の熱検知素子の平均幅の少なくとも半分の
    距離ほど離間する熱センサと、 前記熱検知素子の一方の面と結合する赤外線吸収体及び
    共通電極組立体と、 前記熱検知素子の他方の面と結合する複数のセンサ信号
    電極と、 集積回路基板上に配置されて、前記センサ信号電極と結
    合し、前記熱センサからのセンサ信号出力を受信するた
    めの複数の信号接触パッドと、 前記集積回路基板から前記信号接触パッドに隣接して突
    出し、前記集積回路基板上に焦点面アレーを載置するた
    めの熱絶縁構造体と、 から構成されることを特徴とする熱検知器。
  2. 【請求項2】 焦点面アレーに入射する熱放射量を示す
    センサ信号出力を供給するための複数の熱センサを含む
    焦点面アレーであって、 前記熱センサに電圧を供給する共通電極と、 前記共通電極の一方の面と結合し、入射赤外線放射を受
    感するオプティカルコーティングと、 前記共通電極の他方の面と結合する複数の熱検知素子で
    あって、前記熱検知素子は複数の網状切り溝によって空
    間的に離間され、各々の前記網状切り溝は隣接する前記
    熱検知素子を単一の熱検知素子の平均幅の少なくとも半
    分の距離ほど離間する熱検知素子と、 焦点面アレーに入射する熱放射量を示す信号出力を受信
    するために、前記熱検知素子と結合された複数のセンサ
    信号電極と、 からなることを特徴とする焦点面アレー。
  3. 【請求項3】 焦点面アレーに入射する赤外線放射量を
    示すセンサ信号出力を供給する複数の熱センサを備える
    焦点面アレーの製作する方法であって、 熱センサに電圧を供給する共通電極を形成する工程と、 前記共通電極の一方の面に赤外線放射を受感するオプテ
    ィカルコーティングを形成する工程と、 前記オプティカルコーティングとは反対の共通電極の面
    に焦電性材料を形成する工程と、 焦電性材料を除去して複数の網状切り溝によって空間的
    に離間された複数の熱検知素子を形成し、各々の前記網
    状切り溝が単一の熱検知素子の平均幅の半分の距離ほど
    隣接する熱検知素子を離間させる工程と、 からなることを特徴とする方法。
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5644838A (en) * 1995-01-03 1997-07-08 Texas Instruments Incorporated Method of fabricating a focal plane array for hybrid thermal imaging system
US5602043A (en) * 1995-01-03 1997-02-11 Texas Instruments Incorporated Monolithic thermal detector with pyroelectric film and method
US5603848A (en) * 1995-01-03 1997-02-18 Texas Instruments Incorporated Method for etching through a substrate to an attached coating
US5746930A (en) * 1995-01-03 1998-05-05 Texas Instruments Incorporated Method and structure for forming an array of thermal sensors
US5646066A (en) * 1995-03-01 1997-07-08 Texas Instruments Incorporated Method for forming electrical contact to the optical coating of an infrared detector from the backside of the detector
US5638599A (en) * 1995-03-29 1997-06-17 Texas Instruments Incorporated Method of fabricating hybrid uncooled infrared detectors
JPH08304173A (ja) * 1995-04-28 1996-11-22 Texas Instr Inc <Ti> ハイブリッド熱検出器構造体およびその製造方法
US5834775A (en) * 1996-01-03 1998-11-10 Raytheon Ti Systems, Inc. Integral slot shield for infrared focal plane arrays
SE510861C2 (sv) * 1997-07-11 1999-06-28 Ericsson Telefon Ab L M Anordning och förfarande i elektroniksystem
KR100472539B1 (ko) * 2002-01-16 2005-03-08 주식회사 대우일렉트로닉스 적외선 흡수 볼로메터 제조 방법
KR100632472B1 (ko) * 2004-04-14 2006-10-09 삼성전자주식회사 측벽이 비도전성인 미세 피치 범프 구조를 가지는미세전자소자칩, 이의 패키지, 이를 포함하는액정디스플레이장치 및 이의 제조방법
JP2007114089A (ja) * 2005-10-21 2007-05-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 赤外線センサ
KR101021426B1 (ko) * 2008-07-07 2011-03-15 마이크로 인스펙션 주식회사 회로기판의 검사방법
US8513605B2 (en) * 2010-04-28 2013-08-20 L-3 Communications Corporation Optically transitioning thermal detector structures
US8610070B2 (en) 2010-04-28 2013-12-17 L-3 Communications Corporation Pixel-level optical elements for uncooled infrared detector devices
US8227755B2 (en) 2010-04-28 2012-07-24 L-3 Communications Corporation Pixel-level optically transitioning filter elements for detector devices
US20110308271A1 (en) * 2010-06-18 2011-12-22 Biocision, Inc. Specimen freezing rate regulator device
US10128302B2 (en) * 2016-01-28 2018-11-13 Ams Sensors Uk Limited IR detector array device
TWI646672B (zh) 2017-12-01 2019-01-01 財團法人工業技術研究院 紅外線感測元件及其製造方法
EP3823076B1 (en) * 2019-11-12 2024-05-08 Samsung SDI Co., Ltd. Sensor system for a battery module
US11639967B2 (en) * 2019-11-12 2023-05-02 Samsung Sdi Co., Ltd. Sensor system for a battery module
CN117664358B (zh) * 2024-01-11 2024-05-17 北京北方高业科技有限公司 红外探测器像元和红外探测器

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE197806C (ja) *
CH534364A (de) * 1970-03-13 1973-02-28 Ciba Geigy Ag Vorrichtung zum Sichtbarmachen von Infrarotstrahlen
US3846820A (en) * 1973-06-26 1974-11-05 Westinghouse Electric Corp Mosaic for ir imaging using pyroelectric sensors in a bipolar transistor array
US4018608A (en) * 1975-10-10 1977-04-19 Versar, Inc. Infra red photography with silver halide films using infrared and visible light exposures
CA1098615A (en) * 1975-12-29 1981-03-31 George S. Hopper Ferroelectric imaging system
US4205227A (en) * 1976-11-26 1980-05-27 Texas Instruments Incorporated Single junction emitter array
DE2752704A1 (de) * 1976-11-26 1978-06-01 Texas Instruments Inc Infrarotdetektoranordnung
US4147562A (en) * 1977-07-05 1979-04-03 Honeywell Inc. Pyroelectric detector
US4379232A (en) * 1977-12-19 1983-04-05 Texas Instruments Incorporated Ferroelectric imaging system
US4142207A (en) * 1977-12-20 1979-02-27 Texas Instruments Incorporated Ferroelectric imaging system
US4162402A (en) * 1977-12-19 1979-07-24 Texas Instruments Incorporated Ferroelectric imaging system
US4143269A (en) * 1977-12-19 1979-03-06 Texas Instruments Incorporated Ferroelectric imaging system
FR2437638A1 (fr) * 1978-09-29 1980-04-25 Anvar Procede pour la transformation d'images thermiques, notamment en images visibles, et dispositif pour sa mise en oeuvre
US4379971A (en) * 1980-11-10 1983-04-12 Statitrol, Inc. Pyroelectric sensor
GB2150387A (en) * 1983-10-14 1985-06-26 Secr Defence Thermal imager
US4595832A (en) * 1984-03-30 1986-06-17 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Thermal sensor with an improved coating
IE56194B1 (en) * 1985-01-07 1991-05-08 Scully Richard L Infrared imaging system
US4705361A (en) * 1985-11-27 1987-11-10 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator
US4740700A (en) * 1986-09-02 1988-04-26 Hughes Aircraft Company Thermally insulative and electrically conductive interconnect and process for making same
GB2206997A (en) * 1987-07-10 1989-01-18 Philips Electronic Associated Arrays of pyroelectric or ferroelectric infrared detector elements
US5010251A (en) * 1988-08-04 1991-04-23 Hughes Aircraft Company Radiation detector array using radiation sensitive bridges
US5021663B1 (en) * 1988-08-12 1997-07-01 Texas Instruments Inc Infrared detector
FR2639784B1 (fr) * 1988-11-29 1991-01-11 Commissariat Energie Atomique Structure monolithique de detection ou d'imagerie infrarouge et son procede de fabrication
US4927771A (en) * 1989-03-07 1990-05-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Method of thermal isolation of detector elements in an uncooled staring focal plane array
FR2649247B1 (fr) * 1989-06-30 1991-09-13 Thomson Csf Detecteur infrarouge a base de materiau pyroelectrique
DE3921680A1 (de) * 1989-07-01 1991-01-10 Bosch Gmbh Robert Parallel- und winkelanschlag
US5051591A (en) * 1989-07-28 1991-09-24 Texas Instruments Incorporated Reflective chopper for infrared imaging systems
US5264326A (en) * 1989-07-31 1993-11-23 Texas Instruments Incorporated Polyimide thermal isolation mesa for a thermal imaging system
US5047644A (en) * 1989-07-31 1991-09-10 Texas Instruments Incorporated Polyimide thermal isolation mesa for a thermal imaging system
US4994672A (en) * 1989-09-20 1991-02-19 Pennsylvania Research Corp. Pyro-optic detector and imager
FR2671882B1 (fr) * 1989-12-28 1993-05-28 France Etat Dispositif de conversion d'un rayonnement infrarouge en un autre rayonnement d'energie superieure a celle de ce rayonnement infrarouge.
CA2081306C (en) * 1990-04-26 2000-07-18 Kevin Charles Liddiard Semiconductor film bolometer thermal infrared detector
US5242537A (en) * 1991-04-30 1993-09-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Ion beam etching of metal oxide ceramics
US5196703A (en) * 1991-09-27 1993-03-23 Texas Instruments Incorporated Readout system and process for IR detector arrays
US5238530A (en) * 1992-04-20 1993-08-24 Texas Instruments Incorporated Anisotropic titanate etch

Also Published As

Publication number Publication date
DE69513221D1 (de) 1999-12-16
EP0680101B1 (en) 1999-11-10
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US5604977A (en) 1997-02-25
US5457318A (en) 1995-10-10

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