JPH04150950A - 金属/担体系固体触媒活性成分の分散度制御方法 - Google Patents

金属/担体系固体触媒活性成分の分散度制御方法

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JPH04150950A
JPH04150950A JP2275371A JP27537190A JPH04150950A JP H04150950 A JPH04150950 A JP H04150950A JP 2275371 A JP2275371 A JP 2275371A JP 27537190 A JP27537190 A JP 27537190A JP H04150950 A JPH04150950 A JP H04150950A
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松浦 郁也
Yasushi Yoshida
吉田 康史
Tadashi Takayasu
高安 紀
Kuniaki Nitta
新田 邦昭
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野〕 本発明は、金属/担体系の固体触媒の分散度制御方法に
関するものであって、上記系の触媒調製には広く一般に
適用できる。
[従来の技術およびその問題] 一般に固体触媒の高分散化を意図した調製方法としては
、以下の方法が知られている。(触媒学余線 触媒講座
 5 触媒設計 P39■講談社(19851、同 別
冊触媒実験ハンドブック P15■講談社(1986)
 ) (1)含浸法:担体担持触媒を調製する手軽な方法とし
てよく用いられる。担体となる固体を、触媒活性成分の
化合物を含んだ溶液に浸すか、あるいは逆に担体に触媒
活性溶液を滴下し、撹拌、ときには昇温し、一定時間後
に過剰の溶媒を除去し、乾燥、高温での焼成を経たのち
、それぞれの触媒に必要な活性化を行う。触媒活性成分
となる原料を担体に含浸させる方法によって、吸着法p
ore−filling法、 1ncipient w
etness法、蒸発乾固法、およびスプレー法の五つ
の含浸法が知られている。
fa)吸着fadsorptionl法金属イオンなど
触媒活性成分の担体への吸着量をあらかじめ調べておき
、飽和吸着量以下の量を全部吸着させる方法である。飽
和吸着量以上の活性成分を含む溶液に担体な浸し、過剰
分を濾別する方法を、特に平衡吸着(equilibr
iumadsorption)法という。
fb)ボアフィリング(pore−fillingl法
その名のとおり、担体の細孔容積を測定しておき、これ
と同じ容積の活性成分溶液を加え、全部吸いとらせる方
法である。
(c) ”1ncipient wetness″法担
体の細孔容積を測定しながら含浸させる方法である。具
体的には、担体を撹拌しながらビユレットなどにより活
性成分溶液を担体に少しずつ加え、担体表面力8句−に
ぬれた状態で、しかも過剰な溶液が存在しない状態にな
るまで滴下を続ける。担持量は活性成分の溶液濃度を変
えて調節する。
(d)蒸発乾固(evaporation to dr
yness)洗清性成分溶液に相体を浸し、湯浴上など
で撹拌しながら加熱し、溶媒(水など)を蒸発させ、活
性成分中間体を担体上に乾固させる方法である。
担持量を多くしたい場合や、担体と活性成分溶液の親和
性が低い場合に用いられるが、活性成分が均一に分散さ
れにくい欠点を有する。
(e)スプレー1sprayl法 エバポレーターなどの中に担体を入れ、撹拌しながら排
気撹拌し、担体をたえず乾燥状態に保ち、活性成分溶液
な噴霧含浸させる方法である。
(2)イオン交換法:ゼオライト、リン酸ジルコニウム
あるいは表面酸性を有する各種酸化物などを担体とし、
これを、活性成分をカチオンとして含む溶液に浸し、イ
オン交換をおこさせ、担体細孔内壁に活性成分を担持さ
せる方法である。その後の処理は含浸法に準する。
(3)共沈法:担体成分と活性触媒成分の混合溶液に沈
殿剤を加え、同時に両者の沈殿を作る方法である。同成
分溶液を別々に、あるいは混合溶液として沈殿剤溶液中
に滴下し、沈殿を作る。沈殿形成には、原料選定、溶媒
、溶媒濃度、溶液量。
沈殿剤の種類、pH,溶液と沈殿剤の混合方式。
撹拌速度、温度など、さまざまな因子が関係してくる。
沈殿後の処理は、熟成、イオン交換、洗浄を必要に応じ
て行う。沈殿乾燥以後の操作は、含浸法に準する。
(4)沈着法:担体を触媒活性成分溶液に浸したのち、
撹拌しながら沈殿剤を加え、担体上に活性成分の沈殿を
沈着させる方法である。活性成分の沈殿が不均一に沈着
しやすいが、これに対しては尿素を沈殿剤とする均−沈
殿法が知られている。
(5)混線法:1種以上の触媒活性成分の沈殿をあらか
じめ作ったのち、粉末、ヒドロゲルあるいはヒドロシル
状の担体原料を加え、ボールミルあるいは混和機で混練
する方法。
(6)水熱合成法:ゼオライトあるいは層状ケイ酸塩触
媒等の合成に応用される。水に対して溶解度の小さい触
媒活性成分原料に適用される方法で、十分な溶解度を示
す高温高圧の水溶液中(水熱合成条件下)で触媒結晶を
合成する方法である。一般に、結晶の溶解度を増加させ
るため、鉱化剤(アルカリ等)を添加することが多い。
(7)湾融法=2種以上の触媒活性成分を電気炉中高温
で溶融させ混合する。酸化物の場合(F e s○4−
A120a−KNOsを原料とする二重促進鉄触媒など
)と金属(ラネー触媒用のNi−A1合金など)の場合
がある。金属の場合は還元雰囲気(Ar、N、など)で
行う。
(8)気相合成法二種々の触媒の微粉末を合成すること
に特徴がある。この方法には、(a)触媒原料の蒸発−
凝縮による方法と、(b)気相中で化学反応をおこさせ
る方法とがある。fal は原料を。
アーク、プラズマを用いて加熱し、気化した蒸気をアー
クやプラズマフレームのもつ大きな温度勾配の中で急冷
し1微粒子状に凝縮させる方法である。fb)は、揮発
性触媒化合物の蒸気の熱分解。
あるいは他の気体との気相反応によって、目的物質の微
粒子を合成する方法である。この方法の触媒原料として
は、蒸気圧が高く1反応性も比較的高い金属塩化物がよ
く用いられる。
(1)〜(6)はいずれも常温液相中での活性成分の溶
解性・分散性を利用するもの(湿式法)であり、いずれ
も分散担持後溶媒を除去する手間やコストアップの問題
が必ず伴う。また使用された活性成分が完全には利用さ
れずかなりのロスがでることなどの問題もある。
(7)および(8)はともに乾式法であって溶媒を用い
ないため上記問題は解消されるが、かなり高温での液相
状態あるいは気相状態での分散性を利用するため、高温
処理のための手間やコストアップに問題が残り、さらに
適用できる触媒がかなり限定される。
さらに重要な問題は分散度を自白に制御できない点であ
る。従来技術の(1)〜(8)のいずれの方法も高分散
化することには有効であってもその分散度を制御するこ
とは困難である。
一般に触媒は高分散化するほど高活性になることが知ら
れている。したがって活性を高くするためには高分散化
することは必要であるが、過度に高分散化すると、−時
的には高活性であっても時間の経過とともにシンタリン
グなどにより活性が低下することがある。したがって長
期的にみるとかえって活性が低下するため、適度の分散
度に相持することが最良の方法である。
本発明の方法によると、上記問題を一挙に解決すると同
時に、活性成分の分散度を自由に制御することができる
[課題を解決するための手段] 本発明は、超微粉単結晶担体材料および活性成分金属材
料を用いて以下のように特定された条件下で金属/担体
系固体触媒を調製するものであって、活性成分の分散度
を自由に制御できる方法を提供するものである0本発明
を詳細に以下に説明する。
本発明に用いる超微粉単結晶担体材料は、たとえばマグ
ネシウム蒸気と酸素含有ガスを乱流拡散状態で接触させ
マグネシウムを酸化させることにより生成した気相酸化
法製の酸化マグネシウムであり、高純度、超微粉、単結
晶、などの性質を有するtBET比表面積5〜170m
2/g、比表面積径100〜2000人、純度>99.
98%)。
さらに上記気相酸化法によれば酸化条件をかえることに
より容易に上記範囲で望みの平均粒径の酸化マグネシウ
ムを経済的に得ることができる。また、このほか超微粉
(比表面積径100〜2000人)でかつ単結晶材料で
あれば、広(適用でき、上記酸化マグネシウムのみに限
定するものではない。
本発明に用いる活性成分金属材料は、たとえば市販のア
セチルアセトアト塩、さらに具体的にはアセチルアセト
アトニッケルなどであり、一般に比較的低温たとえば3
00℃以下で溶融し、かつ400℃以下で熱分解して金
属酸化物となる金属材料であれば適用できる。アセチル
アセトアトニッケルの場合、その融点は228℃、熱分
解温度は約300℃であり、熱分解後には酸化ニッケル
(N i O)となる。
上記2種類の原材料、すなわち超微粉単結晶担体材料お
よび活性成分金属材料をまず十分よく混合する。この際
、十分均一に混合されておれば。
混合方法に限定はなく9通常の乾式混合方法で良い。つ
ぎに得られた混合粉末を通常の乾式成形機を用いて成形
する。この際の成形機としては乾式成形機であればいず
れでもよく、たとえば打錠機、ブリケラティングマシン
などの乾式圧縮成形機などが用いられる。また、その際
成形体(タブレッド)の形状は9球1円柱、リング、小
粒状。
いずれでもよく、また大きさは通常20mm以内である
が、これらはともに使用面から決定される。
こうして得られたタブレットをHe、Ar。
N2などの不活性ガス雰囲気中において、一旦その活性
成分材料の融点より高く、かつ融点の近傍の温度で加熱
保持し、その活性成分を担体材料表面に均一に溶融分散
させる。さらに、同一の不活性ガス雰囲気中においてそ
の活性成分材料の熱分解する温度より高い温度で完全に
分解するまで加熱処理を行う。
たとえば、前記超微粉単結晶酸化マグネシウム(比表面
積径100〜2000人)およびアセチルアセトアトニ
ッケルの場合には、これらを乾式で十分混合成形した後
、230〜250℃における不活性ガス中において少な
くとも10分間加熱保持し、さらに同じ雰囲気ガス中に
おいて300〜400℃の温度で少なくとも10分間加
熱処理を行う。
このようにして、得られた触媒タブレットは必要に応じ
活性化処理が予め使用前にあるいは使用直前に行われる
。たとえば、活性成分材料がニッケル金属塩の場合には
、使用直前にH2ガス雰囲気中で通常300℃以上で行
われる。
以上のような調製過程において、活性成分の担持量およ
び担体材料の比表面積径を適当に選択することにより、
活性成分の分散度を制御することができる。ここで、活
性成分の分散度とは、活性成分の平均粒子径(d)およ
び担体単位表面積当りの活性成分粒子数(N)の両方を
意味する。
また、活性成分の粒子径は極めてシャープな分布を示し
、活性成分の担持量を増大させると、その平均粒子径d
は大きくなり、その粒子数Nは減少する傾向がある。さ
らに、担体材料の比表面積径を増大させると、dもNも
大きくなる傾向がある。そして、それらの仰向は極めて
規則的に変化するため、制御が可能である。
この制御を行うためには、あらかじめ所定材料を用いて
予備実験を行い、担持量および担体材料比表面積径とd
およびNの関係を把握した後1行うことができる。制御
方法は以上の通りであるが、実施例を用いてさらに詳細
に説明する。
[実施例] まず、金属マグネシウムをレトルト内に入れ。
1200℃に加熱して蒸発を発生させ、この蒸気と空気
を二重管バーナーに導入した後ノズルから噴射させなが
らマグネシウム蒸気を酸化させた。
このようにして得られた高純度超微粉単結晶酸化マグネ
シウム3種類についてBET比表面積を測定し、それぞ
れの比表面積径が、100人。
500人および2000人であることがわかった。また
、これらの酸化マグネシウム粒子は、透過型電子顕微鏡
などにより、均一でかつ単結晶立方体であることが確認
された。
上記それぞれの酸化マグネシウム粉末および市販のアセ
チルアセトアトニッケル粉末を各所定量秤量し、乳鉢で
十分よ(混合した後9通常の打錠機を用いてφ5X5m
mのシリンダー状に成形した。この際のニッケル担持量
はそれぞれ酸化マグネシウムに対して1,2,5,10
.15あるいは30mo1%の6段階に変えた。これら
をHeガス流量2000mff/minを流しながら、
230℃で一旦加熱処理し、さらに同一雰囲気ガス中で
300℃に昇温して3時間加熱処理した。
加熱処理を終えた触媒タブレット5gをH2ガス流量2
000rrl/1Ilinを流しながら600℃、3時
間の条件下で還元処理し、活性化した。
以上のようにじで得たそれぞれのNi/Mg○触媒につ
いてBET比表面積測定、H2ガス化化学者によるNi
比表面積測定および透過型電子顕微鏡観察を行い、さら
にNi比表面積径(平均粒子径d)ならびに酸化マグネ
シウム単位面積当りのNi粒子数Nの算出を行った。
なお、Ni比表面積径dの算出には9次の仮定をおいた
。■Ni粒子は球である1■吸看水素原子はNi表面原
子と1=1の量的関係にある。■Ni粒子の表面におい
て (100L (110)。
flll1面が均等に露出している。
また、Ni比表面積径dj3よび酸化マグネシウム単位
面積当りのNi粒子数Nの算出には。
ぞれ(a)式および(b)式を用いた。
それ に こで、ρN 1 : N 1粒子の真密度SNI : 
N 1粒子の比表面積 ここでIMNI  :Ni粒子の原子量M、o:MgO
粒子の分子量 m   :Ni粒子の担持量 S+<go:MgO粒子の比表面積 これらの計算結果を表1に示す。
(以下、余白) 脩 また、電子顕微鏡写真から、Ni粒子は球状であり、か
つその粒子径は均一であることが確認された。
これらの結果から明らかなように、目的の分散度に制御
するためには、活性成分の担持量および担体材料の比表
面積径を調製することにより可能となる。
たとえば、活性成分平均粒子径d=50人を得るために
は、担体材料比表面積径100人では5 mo1%担持
量で、500人では211101%担持量で、さらに2
000人では約1.5mo1%で得られ、さらにNi粒
子数Nを決めたい場合にはそれに応じた酸化マグネシウ
ム比表面積径を選びさえすればよい。
[比較例] 硝酸マグネシウム水溶液にアンモニア水を加えて水酸化
マグネシウムとし、これを800℃で焼成して液相法制
酸化マグネシウムを得た。この酸化マグネシウムについ
て実施例と同様にBET比表面積および電子顕微鏡観察
を行った結果、比表面積径は200人であったが、非晶
質でかつ形状も太きさも均一ではなかった。
この酸化マグネシウムを用い実施例と同様にNi/Mg
O触媒を調製し、また同様に活性成分Niの分散度を調
べた。その結果、Ni粒子径は極めて広い範囲に存在し
、Niの担持量による分散度におよぼす影響も実施例に
示すような傾向が全黙認められなかった。
[効果〕 本発明の最大の効果は1本発明の方法に従って触媒を調
製することにより、活性成分の分散度を制御することが
できることであり、このことは触媒活性を長期間維持す
ることができることに通じる。さらに、付加的効果とし
ては、■溶媒を用いないため 溶媒除去などの後処理が
不要であること、■調製工程が簡易であること、■溶媒
への活性成分の損失がないこと、■以上の効果から総合
的に調製原価が安いこと、■金属/担体系固体触媒のか
なり広い分野に適用できること、などを挙げることがで
きる。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)金属/担体系固体触媒の調製において、超微粉単
    結晶担体材料および活性成分金属材料を乾式で十分混合
    し成形した後、一旦活性成分金属材料の融点より高く、
    かつ融点の近傍の温度において不活性ガス中で加熱保持
    し、さらに同じ雰囲気ガス中において同活性成分金属材
    料の分解温度以上で加熱処理することを特徴とする触媒
    活性成分の分散度制御方法。
  2. (2)特許請求の範囲第1項において、前記超微粉単結
    晶担体材料がBET比表面積5〜170m^2/g(B
    ET比表面積径100〜2000Å)であって、高純度
    でかつ単結晶酸化マグネシウムであることを特徴とする
    触媒活性成分の分散度制御方法。
  3. (3)特許請求の範囲第1項において、前記活性成分金
    属材料がアセチルアセトアト金属塩であることを特徴と
    する触媒活性成分の分散度制御方法。
  4. (4)特許請求の範囲第1項において、前記活性成分金
    属材料がアセチルアセトアトニッケルであることを特徴
    とする触媒活性成分の分散度制御方法。
  5. (5)特許請求の範囲第1項ないし第4項において、活
    性成分金属材料の担持量および担体材料の比表面積径を
    調製することを特徴とする触媒活性成分の分散度制御方
    法。
JP2275371A 1990-10-16 1990-10-16 金属/担体系固体触媒活性成分の分散度制御方法 Pending JPH04150950A (ja)

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