JPH04150411A - Double voltage source interface circuit - Google Patents
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Abstract
Description
[0001] [0001]
本発明は、半導体回路に係り、特に、低電圧電源と高電
圧電源の二種類の電源電圧を使用する半導体チップにお
いて、低電圧源で高電圧の回路を駆動する二重電圧源イ
ンタフェース回路に関する。
[0002]The present invention relates to semiconductor circuits, and more particularly to a dual voltage source interface circuit for driving a high voltage circuit with a low voltage source in a semiconductor chip that uses two types of power supply voltages: a low voltage power source and a high voltage power source. [0002]
一般に、3v程度の低電圧電源と5v程度の高電圧電源
の二種類の電源電圧を使用する二重電圧源インタフェー
ス回路は、図4に示すように、二つのインバータ■V
、■v2が直列に接続されて構成されている。インバー
ターv1は、pチャンネルのCMO3)ランジスタp1
とnチャンネルのCMO3)ランジスタn 及び略3
.3vの低電圧源V、を備えており、入力信号V1nを
人力して出力1ゝ
信号V を出力する。また、インバーターV2は、p
チャンネルのCMOSトid
ランジスタp とnチャンネルのCMO3)ランジスタ
n2、及び略5■の高電圧部V を備えており、インバ
ーターv1の出力であるvmidを入力して出力信号■
。Uゎを出力する。
って、入力信号V、がローレベルからハイレベルに、ま
たはハイレベルからローIn
レベルに変化するときにインバーターVの出力信号vr
rlidは、Ovから3.3■の範囲にある。そして、
インバーターV の出力信号V。i4が低電圧をスウ
ィングする場合には、インバーターv2は高電圧をスウ
ィングする。この場合、インバーターV の出力信号
vmidがOvである場合には、インバーター■2にお
いてはpチャンネルCMO3)ランジスタp2と抵抗R
1とで電流路が形成されるので出力信号■ は高電圧
5vになり、またインバーターv1の出力信号が3.3
ut
■である場合には、インバーターV2のpチャンネルC
MO3)ランジスタp2がオフとなり、nチャンネルC
MO3)ランジスタn2がオンとなるので、出力信号V
。U、はOv付近の低電圧となる。
[0003]In general, a dual voltage source interface circuit that uses two types of power supply voltages, a low voltage power supply of about 3V and a high voltage power supply of about 5V, uses two inverters ■V as shown in Figure 4.
, ■v2 are connected in series. Inverter v1 is p-channel CMO3) transistor p1
and n-channel CMO3) transistor n and about 3
.. It is equipped with a low voltage source V of 3V, and outputs an output signal V by inputting the input signal V1n. Moreover, inverter V2 has p
It is equipped with a channel CMOS transistor id transistor p, an n-channel CMOS transistor n2, and a high voltage part V of about 5 cm, and receives the output vmid of the inverter v1 and outputs a signal
. Output Uゎ. Therefore, when the input signal V changes from low level to high level or from high level to low In level, the output signal vr of inverter V changes from low level to high level or from high level to low In level.
The rlid ranges from Ov to 3.3■. and,
Output signal V of inverter V. If i4 swings a low voltage, inverter v2 swings a high voltage. In this case, when the output signal vmid of the inverter V is Ov, in the inverter 2, the p-channel CMO3) transistor p2 and the resistor R
Since a current path is formed with 1, the output signal ■ becomes a high voltage of 5V, and the output signal of inverter
If ut ■, the p-channel C of inverter V2
MO3) transistor p2 is turned off and n-channel C
MO3) Since transistor n2 is turned on, the output signal V
. U is a low voltage near Ov. [0003]
しかしながら、図4の構成においては、インバーターv
1の出力信号vmidが3.3Vである場合には、イン
バーターv2のpチャンネルCMO3)ランジスタp2
のゲートとソースの間の電位差vGSは1.7V (=
5V−3,3V)となり、多少導通状態となるので、p
チャンネルCMO3)ランジスタp と抵抗R1を介し
て直流電流が流れるようになり、電力の消耗が増加され
るという問題があった。勿論、抵抗R1を設けなければ
消費電力は低減するカミその場合にはpチャンネルCM
O3)ランジスタp2は導通状態となり、その結果出力
信号■。ut、が高電圧となって誤動作を生じることに
なる。
本発明は、上述したような従来の二重電圧源インタフェ
ース回路が持つ問題を解決するためになされたものであ
り、不必要な直流電流が流れることによる消費電力の損
失を防止し、二種類の電源電圧のインターフェースを良
好に行うことができる二重電圧源インタフェース回路を
提供することを目的とするものである。
[0004]However, in the configuration of FIG. 4, the inverter v
If the output signal vmid of 1 is 3.3V, the p-channel CMO of inverter v23) transistor p2
The potential difference vGS between the gate and source of is 1.7V (=
5V-3,3V), and it becomes somewhat conductive, so p
There is a problem in that DC current flows through the channel CMO3) transistor p and the resistor R1, increasing power consumption. Of course, power consumption will be reduced if resistor R1 is not provided, but in that case, p-channel CM
O3) The transistor p2 becomes conductive, resulting in an output signal ■. ut becomes a high voltage, resulting in malfunction. The present invention was made in order to solve the problems of the conventional dual voltage source interface circuit as described above, and prevents power consumption loss due to unnecessary direct current flow, and It is an object of the present invention to provide a dual voltage source interface circuit that can perform a good power supply voltage interface. [0004]
上記の目的を達成するために、本発明の二重電圧源イン
タフェース回路は、ゲートに入力信号が供給される第1
のトランジスタと、前記入力信号を極性反転させるイン
バータと、前記インバータの出力をゲートに入力する第
2のトランジス夕と、前記第1のトランジスタのドレイ
ンと前記第2のトランジスタのドレインとの間に接続さ
れた高電圧電源を有するラッチ回路とを具備することを
特徴とする。
[0005]To achieve the above object, the dual voltage source interface circuit of the present invention comprises a first voltage source interface circuit whose gate is supplied with an input signal.
a transistor, an inverter that inverts the polarity of the input signal, a second transistor that inputs the output of the inverter to its gate, and a drain connected between the drain of the first transistor and the drain of the second transistor. and a latch circuit having a high voltage power supply. [0005]
ラッチ回路の第1のトランジスタ側のノードが高電位、
第2のトランジスタ側のノードが低電位であり、入力信
号がローレベルからハイレベルにシフトする場合には、
第1のトランジスタはオフ状態からオン状態に、第2の
トランジスタはオン状態からオフ状態になり、また、ラ
ッチ回路の第1のトランジスタ側のノードが低電位、第
2のトランジスタ側のノードが高電位であり、入力信号
がハイレベルからローレベルにシフトする場合には、第
1のトランジスタはオン状態からオフ状態に、第2のト
ランジスタはオフ状態からオン状態になる。従って、ラ
ッチ回路のいずれのノードから出力を得る場合において
も出力レベルは常に安定的に維持される。
[0006]The node on the first transistor side of the latch circuit is at a high potential,
When the node on the second transistor side is at a low potential and the input signal shifts from low level to high level,
The first transistor changes from an off state to an on state, and the second transistor changes from an on state to an off state, and the node on the first transistor side of the latch circuit is at a low potential, and the node on the second transistor side is at a high potential. When the input signal shifts from a high level to a low level, the first transistor changes from an on state to an off state, and the second transistor changes from an off state to an on state. Therefore, no matter which node of the latch circuit obtains the output, the output level is always maintained stably. [0006]
以下、本発明を図面を参照して詳細に説明する。
図1は本発明の二重電圧源インタフェース回路の概略的
なブロック構成図、図2は本発明の二重電圧源インタフ
ェース回路の詳細回路図、図3は本発明の二重電圧イン
タフェース回路の各部の信号レベルの変化を示す図であ
る。
図1及び図2において、nチャンネルCMO3)ランジ
スタn1のゲートには入力信号Vinが供給され、nチ
ャンネルCMO3)ランジスタn2のゲートには、低電
圧源■、を備えるインバータエ■8を介して入力信号v
ioが供給される。
そして、二つのnチャンネルCMO3)ランジスタn
1. n 2のドレインの間には、高電圧源■□を備え
るラッチ回路1が配置されている。
[0007]
図1及び図2に示す構成において、図3A、Bに示すよ
うに、Ov〜3.3■の低電圧の入力信号■、が入力さ
れると、インバータ■■8によりnチャンネルCn
になる。従って、nチャンネル0MO3)ランジスタn
1がオンとなると、nチャンネル0MO3)ランジスタ
n2はオフとなり、逆にnチャンネルCMOSトランジ
スタnがオフとなると、nチャンネル0MO3)ランジ
スタn2はオンとなる。なお、図3において入力信号V
、の反転信号はV、の上にバーを付すことIn
Inによって示している。
また、ラッチ回路1は、図2に示すように、それぞれが
高電圧源■。を備える二つのインバータエ■b、工v。
が互いに逆方向に並列に接続されて構成されており、両
ノードP、Qの中にある一方のノードの信号を出力する
ようになされている。即ち、入力信号V、がOvから3
.3vにシフトする場合には図3Aに示すIn
ように、ラッチ回路1の出力信号V。utはローレベル
からハイレベルに、3.3VからOvにシフトする場合
には図3Bに示すように、ハイレベルからローレベルに
シフトする。
[0008]
従って、ラッチ回路1のノードPが高電位(5v)であ
り、ノードQが低電位(0■)である場合、入力信号V
、がローレベルからハイレベルにシフトするこIn
とになると図3Aに示すように、オフ状態にあるnチャ
ンネル0MO3)ランジスタn1はオン状態になり、n
チャンネル0MO3)ランジスタn2はインバーターV
の存在により、オン状態からオフ状態になることに
なるので、nチャンネルCMO3)ランジスタn1のソ
ースとドレインの間に電流通路が形成され、ノードPの
電位がOvにシフトすることになる。その結果、ラッチ
回路1の出力■ 即ち、ノードQの電位は5Vのハ
イレベルにシフトし、全ての電流通路OU七 ゝ
は遮断され、安定な出力信号V。utが維持されること
になる。
また、ラッチ回路1のノードPが低電位(OV) 、ノ
ードQが高電位(5V)である場合に、図3Bに示すよ
うに入力信号V、がハイレベルからローレベルにIn
シフトする場合には、オン状態のnチャンネルCMO8
)ランジスタn1はオフ状態にシフトし、nチャンネル
0MO3)ランジスタn2はインバータ■■8の存在に
よりオフ状態からオン状態にシフトすることになるので
、nチャンネル0MO3)ランジスタn2に電流通路が
形成されて、ノードQの電位、即ち、ラツことになる。
[0009]Hereinafter, the present invention will be explained in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic block diagram of the dual voltage source interface circuit of the present invention, FIG. 2 is a detailed circuit diagram of the dual voltage source interface circuit of the present invention, and FIG. 3 is a diagram showing various parts of the dual voltage source interface circuit of the present invention. FIG. 3 is a diagram showing changes in signal level of FIG. In FIGS. 1 and 2, an input signal Vin is supplied to the gate of an n-channel CMO transistor n1, and an input signal Vin is supplied to the gate of an n-channel CMO transistor n2 via an inverter equipped with a low voltage source. signal v
io is provided. and two n-channel CMO3) transistors n
1. A latch circuit 1 including a high voltage source □ is arranged between the drains of n 2 . [0007] In the configuration shown in FIGS. 1 and 2, as shown in FIGS. 3A and 3B, when a low-voltage input signal (2) of Ov to 3.3■ is input, the inverter (8) converts the n-channel Cn become. Therefore, n channel 0MO3) transistor n
1 turns on, the n-channel CMOS transistor n2 turns off, and conversely, when the n-channel CMOS transistor n turns off, the n-channel CMOS transistor n2 turns on. In addition, in FIG. 3, the input signal V
The inverted signal of , is V, with a bar above In
Indicated by In. Further, as shown in FIG. 2, each of the latch circuits 1 is connected to a high voltage source (2). Two inverters equipped with are connected in parallel in opposite directions, and output a signal from one of the nodes P and Q. That is, the input signal V, is 3 from Ov.
.. In the case of shifting to 3V, the output signal V of the latch circuit 1 as In shown in FIG. 3A. When ut is shifted from a low level to a high level, and from 3.3V to Ov, as shown in FIG. 3B, it shifts from a high level to a low level. [0008] Therefore, when the node P of the latch circuit 1 is at a high potential (5V) and the node Q is at a low potential (0■), the input signal V
, shifts from low level to high level, as shown in FIG. 3A, n-channel transistor n1, which is in the off state, turns on,
Channel 0 MO3) transistor n2 is inverter V
Due to the presence of , the on-state changes to the off-state, so a current path is formed between the source and drain of the n-channel CMO transistor n1, and the potential of the node P shifts to Ov. As a result, the output of the latch circuit 1, that is, the potential of the node Q shifts to a high level of 5V, and all current paths OU7 are cut off, resulting in a stable output signal V. ut will be maintained. Furthermore, when the node P of the latch circuit 1 is at a low potential (OV) and the node Q is at a high potential (5V), when the input signal V shifts from a high level to a low level as shown in FIG. 3B, is the n-channel CMO8 in the on state.
) The transistor n1 shifts to the OFF state, and the n-channel 0MO3) transistor n2 shifts from the OFF state to the ON state due to the presence of the inverter ■■8, so a current path is formed in the n-channel 0MO3) transistor n2. , the potential of node Q, that is, becomes lat. [0009]
以上の説明から明らかなように本発明の二重電圧源イン
タフェース回路によれば、ラッチ回路は二つのノードの
いずれのノードからでも直流電流の損失を生じることな
く出力することができるので、不必要な消費電力の損失
を減少させるととができる。As is clear from the above explanation, according to the dual voltage source interface circuit of the present invention, the latch circuit is unnecessary because it can output from either of the two nodes without causing DC current loss. It is possible to reduce the loss of power consumption.
【図1】
本発明の二重電圧源インタフェース回路の概略的なブロ
ック構成図である。FIG. 1 is a schematic block diagram of a dual voltage source interface circuit of the present invention.
【図2】
本発明の二重電圧源インタフェース回路の詳細回路図で
ある。FIG. 2 is a detailed circuit diagram of the dual voltage source interface circuit of the present invention.
【図3】
本発明の二重電圧源インタフェース回路の各部の入出力
信号レベルの変化を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing changes in input and output signal levels of each part of the dual voltage source interface circuit of the present invention.
【図4】 従来の二重電圧源インタフェース回路の構成図である。[Figure 4] 1 is a block diagram of a conventional dual voltage source interface circuit; FIG.
1・・・ラッチ回路、nn・・・nチャンネルCMO3
)ランジスタ、pl、p2・・・1′2
り1...Latch circuit, nn...n channel CMO3
) transistor, pl, p2...1'2
【図1】 図面 1図1】[Figure 1] drawing 1 Figure 1]
【図21 【図3】 out[Figure 21 [Figure 3] out
【図4】 E図41[Figure 4] E figure 41
Claims (2)
ジスタと、前記入力信号を極性反転させるインバータと
、前記インバータの出力をゲートに入力する第2のトラ
ンジスタと、前記第1のトランジスタのドレインと前記
第2のトランジスタのドレインとの間に接続された高電
圧電源を有するラッチ回路とを具備することを特徴とす
る二重電圧源インタフェース回路。1. A first transistor whose gate is supplied with an input signal, an inverter which inverts the polarity of the input signal, a second transistor whose gate receives the output of the inverter, and a drain of the first transistor. and a latch circuit having a high voltage power supply connected between the drain of the second transistor and the drain of the second transistor.
のインバータが互いに逆方向に並列接続されて構成され
ることを特徴とする請求項1記載二重電圧源インタフェ
ース回路。2. The latch circuit includes a first inverter and a second inverter.
2. The dual voltage source interface circuit according to claim 1, wherein the inverters are connected in parallel in opposite directions.
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