JPH04147616A - 縦型熱処理装置 - Google Patents

縦型熱処理装置

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JPH04147616A
JPH04147616A JP27268590A JP27268590A JPH04147616A JP H04147616 A JPH04147616 A JP H04147616A JP 27268590 A JP27268590 A JP 27268590A JP 27268590 A JP27268590 A JP 27268590A JP H04147616 A JPH04147616 A JP H04147616A
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heat treatment
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cooling
wafer
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Takayasu Asano
浅野 貴庸
Masaharu Abe
阿部 雅春
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Tokyo Electron Sagami Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、縦型熱処理装置に関する。
(従来の技術) 近年、半導体デバイスの製造工程における熱拡散工程や
成膜工程で使用される熱処理装置として、無塵化および
省スペース化等を図ることのできる縦型熱処理装置が用
いられるようになってきた。
すなわち、このような縦型熱処理装置では、円筒状に形
成された反応管およびこの反応管を囲繞する如く設けら
れた均熱管、ヒータ、断熱材等からなる熱処理炉が筐体
内にほぼ垂直に設けられている。また、この筐体内の熱
処理炉の下部には、被処理物である半導体ウェハを載置
された処理用治具(ウェハボート)を熱処理炉内にロー
ド・アンロードするための上下動機構(ボートエレベー
タ)が設けられている。
このため、熱処理炉をほぼ水平に設けた横型熱処理装置
に較べて設置スペースを削減して省スペース化を図るこ
とかでき、また、反応管と非接触て熱処理炉内にウェハ
ボートをロード・アンロードすることができ、無塵化を
図ることかできるという特徴を有する。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、近年半導体ウェハは大口径化される傾向
にあり、一方半導体デバイスの回路パターンは微細化さ
れる傾向にある。このため、大口径ウェハ等の大型の被
処理物に対しても、均一で良好な処理を実施することの
できる縦型熱処理装置の開発か望まれていた。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、大口径ウェハ等の大型の被処理物に対しても、従来に
較べて均一で良好な処理を実施することのできる縦型熱
処理装置を提供しようとするものである。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) すなわち本発明の縦型熱処理装置は、ほぼ垂直に設けら
れ、下側端部に被処理物をロード・アンロードするため
の開口部を有する熱処理炉と、前記熱処理炉の下部に設
けられ、前記被処理物を前記熱処理炉内にロード・アン
ロードするだめの上下動機構と、非処理中に前記熱処理
炉の前記開口部を閉塞するための開閉機構と、前記開閉
機構を冷却するための冷却機構とを具備したことを特徴
とする。
(作 用) 上記構成の本発明の縦型熱処理装置では、非処理中(熱
処理炉内に被処理物が搬入されていない時)に熱処理炉
の開口部を閉塞するための開閉機構と、この開閉機構を
冷却するための冷却機構が設けられている。
したかって、開閉機構によって、非処理中に熱処理炉の
開口部を閉塞することにより、熱処理炉内に空気、水蒸
気、塵埃等が侵入することを防止することができる。ま
た、冷却機構によってこの開閉機構を冷却するので、開
閉機構に塵埃発生源となる断熱材を設ける必要がなく、
クリーンな環境で被処理物に処理を施すことかできる。
なお、8インチウェハ等の大型の被処理物に対応可能な
縦型熱処理装置では、熱処理炉の径か大径となり、熱量
も多くなるので、上記冷却機構かない場合は、大量の断
熱材を設ける必要が生じ、塵埃発生量も増大することに
なる。
このため、大口径ウェハ等の大型の被処理物に対しても
、従来に較べて均一で良好な処理を実施することができ
る。
(実施例) 以下、本発明を8インチ径の半導体ウェハに対応するこ
とのできる縦型熱処理装置に適用した一実施例を図面を
参照して説明する。
第1図に示すように、筐体1は、例えば鉄板等からほぼ
矩形状に形成されており、その幅(W)は例えば100
cm程度、奥行(D)は例えば2000匝程度、高さ(
H)は例えば280cm程度とされている。
上記筐体1の後側上部には、円筒状に形成された反応管
およびこの反応管を囲繞する如く設けられた均熱管、ヒ
ータ、断熱材等からなる熱処理炉2がほぼ垂直に設けら
れている。また、この筐体1内の熱処理炉2の下部には
、被処理物である半導体ウェハ(図示せず)か載置され
たウェハボート3を熱処理炉2内にロード・アンロード
するための上下動機構(ボートエレベータ)4が設けら
れている。
一方、上記筐体1の前面には、図示しないドアを備えた
開口部5か設けられており、ここから筐体1内に被処理
物である半導体ウェハ(図示せず)を収容したウェハカ
セット6を搬入・搬出可能に構成されている。
すなわち、本実施例の場合、この開口部5には、−度に
2つのウェハカセット6をほぼ水平な状態(半導体ウェ
ハが垂直な状!!りに載置可能に構成されたキャリア1
0ポート7が設けられており、キャリア10ポート7の
後方には、ウエノ\カセット6を搬送するためのキャリ
アトランスファ8が設けられている。なお、キャリア1
0ポート7には、オリエンテーションフラットを利用し
てウェハカセット6内の半導体ウェハを所定方向に整列
させるウェハ整列機構(図示せ−ず)と、ウェハカセッ
ト6を回転させて水平−垂直変換する水平−垂直変換機
構(図示せず)が設けられており、ウェハ整列機構によ
ってウェハカセット6内の半導体ウェハを所定方向に整
列させた後、水平−垂直変換機構によってウエノ1カセ
ット6を垂直な状態(半導体ウェハか水平な状態)とし
、しかる後このウェハカセット6をキャリアトランスフ
ァ8によって搬送するよう構成されている。
また、上記キャリアトランスファ8の後方には、上部に
棚状に複数(本実施例では4段2列で計8つ)のウェハ
カセット6を収容可能に構成されたキャリアステージ9
、下部にトランスファステージ10が設けられており、
トランスファステージ10の後方には半導体ウエノ1の
移載を行うウェハトランスファ11が設けられている。
上記トランスファステージ10は、例えば2つのウェハ
カセット6を正確に位置決めした状態で収容可能に構成
されており、このトランスファステージ10に収容した
ウエノ\カセット6と、ボートエレベータ4上に設けら
れたウニ11ボート3との間で、ウェハトランスファ1
1により半導体ウェハの移載を行うよう構成されている
さらに、熱処理炉2の下端部側方には、開閉機構12が
設けられている。この開閉機構12は、第2図にも示す
ように、熱処理炉2の円形状の開口部に当接される円板
状の蓋部12aと、この蓋部12a駆動するための駆動
機構部12bと、蓋部12aと駆動機構部12bとを接
続するアーム部12C等から構成されている。
また、蓋部12aの上面には、真空シール部材として例
えばOリング12dか設けられており、このOリング1
2dを熱処理炉2の開口周縁部に押圧することにより、
この開口部を気密に閉塞することができるよう構成され
ている。このため、駆動機構部12bは、蓋部12aを
θ方向に回転およびZ方向に上下動させることかできる
よう構成されており、回転軸12eの回転によって蓋部
12aを回動させ、熱処理炉2の開口下部に近接させて
位置させた状態(ハーフクローズ)と、この状態で回転
軸12eを上昇させ、蓋部12aをZ方向に上昇させて
開口部を気密に閉塞した状態(フルクローズ)との2つ
の閉塞状態を設定可能に構成されている。
これらフルクローズ状態、/%−フクローズ状態は、非
処理中に熱処理炉2の開口部を閉塞することにより、熱
処理炉2内からの熱を遮断するとともに、熱処理炉2内
に空気、水蒸気、塵埃等が侵入することを防止するため
のものであるが、フルクローズ状憇は、例えば減圧雰囲
気下で成膜処理等を実施する際、処理と処理との間の待
機時(非処理時)に熱処理炉2内を減圧状態に保持し、
熱処理炉2内を処理中と同様な状態に保持する場合等に
使用される。一方、ハーフクローズ状態は、上記のよう
に熱処理炉2内を減圧状態に保持する必要がない場合等
に使用される。
なお、蓋部12aとアーム部12cとの間には、弾性部
材として例えば複数のコイルスプリング12fが介挿さ
れており、蓋部12aを熱処理炉2の開口周縁部に所定
の押圧力で均一に弾性的に押圧することかできるよう構
成されている。また、蓋部12gの上側面には、熱処理
炉2の開口部径より僅かに小径の円板状に形成された石
英板12gが設けられており、蓋部12aを保護すると
ともに、熱処理炉2内に蓋部12aから発生した不純物
が混入しないよう構成されている。
さらに、アーム部12cは、支持部材12hを介して駆
動機構部12bの回転軸12eに接続されており、これ
らの支持部材12hとアーム部12cとは、支軸12i
および複数のボルト12j(第2図には1つのみ示す)
によって接続されている。そして、ボルト12jを取り
外すと、図中点線で示すように、アーム部12cが支軸
12iの回りに回動し、ほぼ垂直に折曲した状態とする
ことができるよう構成されている。また、アーム部12
(には係止孔12kが設けられており、この係止孔12
kに対応して、蓋部12aを開とした位置の支軸12i
の下部には、係止爪12mが設けられている。そして、
蓋部12aを開とした位置でボルト12jを取り外し、
アーム部12cを下側へ折曲げると、係止孔12にと係
止爪12mとか係合し、アーム部12cおよび蓋部12
aがほぼ垂直な状態に固定されるよう構成されている。
これは、例えば熱処理炉2を筐体1の下部に下ろしてメ
ンテナンス等を実施する際に、蓋部12a等が邪魔にな
らないようにするための機構である。本実施例の縦型熱
処理装置は、8インチ径の半導体ウェハに対応するため
、熱処理炉2、蓋部12a等が大径となるが、このよう
にすれば、装置全体(筐体1)の大形化を招くことなく
、メンテナンス性を確保することができる。
また、本実施例では、上記開閉機構12を冷却するため
の冷却機構として、蓋部12aの下面側に冷却媒体循環
用配管13が設けられている。すなわち、この冷却媒体
循環用配管13は、0リング12dとほぼ同じ直径のリ
ング状に形成されており、Oリング12dの裏面側に位
置するよう設けられている。そして、この冷却媒体循環
用配管13に図示しない循環冷却装置によって冷却媒体
例えば冷却水を循環させることにより、蓋部12aおよ
びOリング12dを冷却するよう構成されている。
本実施例では、8インチ径の半導体ウエノ1に対応する
ために熱処理炉2か大径となり、蓋部12aに伝わる熱
量も多くなるが、上述のように蓋部12aに冷却機構が
設けられているので、蓋部12aが熱のために変形、変
質することを防止することができる。また、従来の縦型
熱処理装置のように蓋部12aに発塵源となる断熱材等
を設ける必要がなく、塵埃の発生を抑制することができ
るので、被処理物である半導体ウェハに塵埃が付着する
可能性を低減し、良好な処理を実施することができる。
さらに、0リング12dが熱により変形、変質すること
を防止することかでき、蓋部12aによる熱処理炉2の
気密封止を可能とすることができる。
なお、上記冷却機構としては、どのような機構の物を用
いてもよいか、特に0リング12dか熱により変形、変
質し易いので、Oリング1.2 dを十分に冷却するこ
とのできるように構成することか必要である。
次に、上記構成の本実施例の縦型熱処理装置の動作につ
いて説明する。
予め、実施する処理に応じて熱処理炉2を所定温度に設
定しておく。そして、被処理物として例えば口径8イン
チの半導体ウェハを複数(例えば25枚)収容したウェ
ハカセット6を、例えば搬送ロボット等により2つずつ
キャリア10ポート7の所定位置に載置する。
すると、縦型熱処理装置は、図示しないウェハ整列機構
により、ウェハカセット6内の半導体ウェハを所定方向
に整列させ、この後、図示しない水平−垂直変換機構に
よってウェハカセット6を後ろ向きに垂直な状態(半導
体ウェハが水平な状態)とする。そして、このウェハカ
セット6をキャリアトランスファ8によって搬送し、キ
ャリアステージ9に収容する。このような動作を繰り返
して、所望数のウェハカセット6をキャリアステージ9
に収容する。
しかる後、順次キャリアステージ9のウェハカセット6
をトランスファステージ10に移動し、ウェハトランス
ファ11によりこのウェハカセット6内の半導体ウェハ
をボートエレベータ4上に設けられたウェハボート3に
移載する。
そして、所望枚数(例えば150枚程度)の半導体ウェ
ハの移載が終了すると、ボートエレベータ4を上昇させ
て、ウェハボート3を熱処理炉2内にロードし、所定時
間、所定温度、所定雰囲気で所望の熱処理を実施し、処
理が終了すると、上記手順と反対の手順で処理済の半導
体ウェハをアンロードする。
上記一連の工程において、ウェハカセット6の搬入、搬
出および半導体ウェハの移載等の際は、冷却媒体循環用
配管13によって冷却しつつ、開閉機構12により熱処
理炉2の下部開口をハーフクローズ状態あるいはフルク
ローズ状態とし、熱処理炉2の開口部を閉塞する。これ
により、熱処理炉2内からの熱を遮断するとともに、熱
処理炉2内に空気、水蒸気、塵埃等が侵入することを防
止する。また、所望により、蓋部12aをフルクローズ
状態とし、熱処理炉2内を減圧状態に保持する。
このようにして、本実施例では、大口径ウェハに対して
も、従来に較べて均一で良好な処理を実施することがで
きる。
第3図は他の実施例の縦型熱処理装置の要部構成を示す
もので、この実施例では、開閉機構12のアーム部12
(、の下側に、ウェハボート3の上端部を支持するため
のウェハボート支持機構20か設けられている。このウ
ェハボート支持機構20には、例えばウェハボート3の
上端の凹部に嵌合可能とされ、ウェハボート3と同じ材
質すなわち石英によって構成された支持部材20aか設
けられており、この支持部材20aは、駆動機構20b
によって図示矢印の如く上下に移動可能に構成されてい
る。
そして、半導体ウェハの移載等を行う際に、この支持部
材20aによってウェハボート3の上端部を支持し、ウ
ェハボート3の位置ずれ、転倒等を防止することができ
るよう構成されている。このようにすれば、開閉機構1
2を利用してウェハボート3を支持することかできる。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明の縦型熱処理装置によれば
、大口径ウェハ等の大型の被処理物に対しても、従来に
較べて均一で良好な処理を実施することかできる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の縦型熱処理装置の構成を示
す図、第2図は第1図に示す縦型熱処理装置の要部構成
を示す図、第3図は他の実施例の縦型熱処理装置の要部
構成を示す図である。 1・・・・筐体、2・・・・・・熱処理炉、3・・・・
・ウェハボート、4・・・・・上下動機構(ボートエレ
ヘータ)、5・・・開口部、6・・・・・ウニ八カセッ
ト、7・・・・・・キャリアステ−ジ、8・・・・・・
キャリアトランスファ、9・・・キャリアステージ、1
0・・・・・トランスファステージ、11・・・ウェハ
トランスファ、12・・・・開閉機構。 出願人  東京エレクトロン相模株式会社代理人 弁理
士  須 山 佐 − (ほか1名) 第1 pH 一一一−月1、−′ i−シー′ 2  :二′ノ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ほぼ垂直に設けられ、下側端部に被処理物をロー
    ド・アンロードするための開口部を有する熱処理炉と、 前記熱処理炉の下部に設けられ、前記被処理物を前記熱
    処理炉内にロード・アンロードするための上下動機構と
    、 非処理中に前記熱処理炉の前記開口部を閉塞するための
    開閉機構と、 前記開閉機構を冷却するための冷却機構とを具備したこ
    とを特徴とする縦型熱処理装置。
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