JPH04145418A - 偏光無依存性光スイッチ／変調器及びその製造方法 - Google Patents
偏光無依存性光スイッチ／変調器及びその製造方法Info
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- JPH04145418A JPH04145418A JP2268323A JP26832390A JPH04145418A JP H04145418 A JPH04145418 A JP H04145418A JP 2268323 A JP2268323 A JP 2268323A JP 26832390 A JP26832390 A JP 26832390A JP H04145418 A JPH04145418 A JP H04145418A
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
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- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
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- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
概要
偏光無依存住光スイッチ及び光変調器並びにその製造方
法に関し、 電極配置を工夫することにより、駆動回路の簡単化及び
低電圧駆動を可能にした偏光無依存性光スィッチ及び光
変調器並びにその製造方法を提供することを目的とし、 光導波路の両側の導波路基板に、該導波路基板表面に平
行な方向に電界成分を有する偏光を制御する少なくとも
一組の埋込型第１電極を設けるとともに、前記光導波路
上に、該導波路基板表面に垂直な方向に電界成分を有す
る偏光を制御する少なくとも一組の第２電極を設けて構
成する。
法に関し、 電極配置を工夫することにより、駆動回路の簡単化及び
低電圧駆動を可能にした偏光無依存性光スィッチ及び光
変調器並びにその製造方法を提供することを目的とし、 光導波路の両側の導波路基板に、該導波路基板表面に平
行な方向に電界成分を有する偏光を制御する少なくとも
一組の埋込型第１電極を設けるとともに、前記光導波路
上に、該導波路基板表面に垂直な方向に電界成分を有す
る偏光を制御する少なくとも一組の第２電極を設けて構
成する。
産業上の利用分野
本発明は偏光無依存性光スィッチ及び光変調器並びにそ
の製造方法に関する。
の製造方法に関する。
光通信又は光伝送の分野において光路を切り換えるため
に使用される光スィッチは、機械的な運動機構によって
光路を切り換える機械的光スィッチと、電気光学効果等
を利用して光路を切り換える電気的光スィッチとに大別
される。また最近、波長分散に起因する伝送距離又は伝
送速度の制限を排除するものとして、電気光学効果を利
用した導波路型光変調器が盛んに開発されている。
に使用される光スィッチは、機械的な運動機構によって
光路を切り換える機械的光スィッチと、電気光学効果等
を利用して光路を切り換える電気的光スィッチとに大別
される。また最近、波長分散に起因する伝送距離又は伝
送速度の制限を排除するものとして、電気光学効果を利
用した導波路型光変調器が盛んに開発されている。
Ｌ ＩＮ ｂ ０３ 等の光学異方性を有する電気光学
結晶を基板とした導波路型光スイッチ及び光変調器は、
偏光依存性を持つため、７Ｍ偏光もしくはＴＥ偏光のい
ずれか一方を利用するか、あるいは、大きな駆動電圧を
印加して７Ｍ偏光及びＴＥ偏光の両方の制御を行わなけ
ればならない。そこで、偏光依存性の無い低電圧駆動が
可能な光スィッチ及び光変調器が要望されている。
結晶を基板とした導波路型光スイッチ及び光変調器は、
偏光依存性を持つため、７Ｍ偏光もしくはＴＥ偏光のい
ずれか一方を利用するか、あるいは、大きな駆動電圧を
印加して７Ｍ偏光及びＴＥ偏光の両方の制御を行わなけ
ればならない。そこで、偏光依存性の無い低電圧駆動が
可能な光スィッチ及び光変調器が要望されている。
従来の技術
電気光学結晶を基板とした導波路型光スイッチ及び光変
調器で偏光依存性の問題を解決した、導波路型光スイッ
チ及び光変調器が米国特許第４゜２９１．９３９号に開
示されている。この特許に記載された偏光無依存性光ス
ィッチ及び光変調器は、電極配置を特徴とするものであ
り、光導波路を挟むようにしてＴＥ偏光を制御する電極
の組を設けるとともに、光導波路上に７Ｍ偏光を制御す
る電極の組を設けて、各々の電極の組に独立して電圧を
印加することにより、ＴＥ偏光及び７Ｍ偏光を個別に制
御して、偏光依存性の無い光スィッチ及び光変調器を実
現している。
調器で偏光依存性の問題を解決した、導波路型光スイッ
チ及び光変調器が米国特許第４゜２９１．９３９号に開
示されている。この特許に記載された偏光無依存性光ス
ィッチ及び光変調器は、電極配置を特徴とするものであ
り、光導波路を挟むようにしてＴＥ偏光を制御する電極
の組を設けるとともに、光導波路上に７Ｍ偏光を制御す
る電極の組を設けて、各々の電極の組に独立して電圧を
印加することにより、ＴＥ偏光及び７Ｍ偏光を個別に制
御して、偏光依存性の無い光スィッチ及び光変調器を実
現している。
発明が解決しようとする課題
しかし、上述した米国特許に記載された導波路型光スイ
ッチ及び光変調器は、同一平面上にＴＥ偏光制御用電極
とＴＭ偏光制御用電極を配設しているため、平行光導波
路部分の長さを有効に活用しているとは言えず、駆動回
路が複雑になるという問題があった。駆動回路を簡単化
するために、ＴＥ偏光制御用の電極及びＴＭ偏光制御用
の電極をそれぞれ一組ずつ設けた構成においては、各々
の電極の組が平行光導波路部分の異なる部分に設けられ
ているため、特にＴＥ偏光制御用の電極を長く形成する
ことができず、その結果大きな駆動電圧を必要とすると
いう問題があった。
ッチ及び光変調器は、同一平面上にＴＥ偏光制御用電極
とＴＭ偏光制御用電極を配設しているため、平行光導波
路部分の長さを有効に活用しているとは言えず、駆動回
路が複雑になるという問題があった。駆動回路を簡単化
するために、ＴＥ偏光制御用の電極及びＴＭ偏光制御用
の電極をそれぞれ一組ずつ設けた構成においては、各々
の電極の組が平行光導波路部分の異なる部分に設けられ
ているため、特にＴＥ偏光制御用の電極を長く形成する
ことができず、その結果大きな駆動電圧を必要とすると
いう問題があった。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、電極配置を工夫することにより
、駆動回路の簡単化及び低電圧駆動を可能にした偏光無
依存性光スィッチ及び光変調器並びにその製造方法を提
供することである。
の目的とするところは、電極配置を工夫することにより
、駆動回路の簡単化及び低電圧駆動を可能にした偏光無
依存性光スィッチ及び光変調器並びにその製造方法を提
供することである。
課題を解決するための手段
光導波路の両側の導波路基板に、該導波路基板表面に平
行な方向に電界成分を有する偏光を制御する少なくとも
一組の埋込型第１電極を設ける。
行な方向に電界成分を有する偏光を制御する少なくとも
一組の埋込型第１電極を設ける。
そして、前記光導波路上に、該導波路基板表面に垂直な
方向に電界成分を有する偏光を制御する少なくとも一組
の第２電極を設ける。
方向に電界成分を有する偏光を制御する少なくとも一組
の第２電極を設ける。
望ましくは、第１電極及び第２電極の長さを所定の比に
設定し、第１及び第２電極を共通電源に接続するように
構成する。
設定し、第１及び第２電極を共通電源に接続するように
構成する。
作 用
導波路基板表面に平行な方向に電界成分を有する偏光を
制御する第１電極を埋込型にしたために、第１電極と第
２電極を光導波路を横切る方向の概略同一領域に形成で
きるため、平行光導波路部の長さに対して有効な電極配
置を実現できる。
制御する第１電極を埋込型にしたために、第１電極と第
２電極を光導波路を横切る方向の概略同一領域に形成で
きるため、平行光導波路部の長さに対して有効な電極配
置を実現できる。
また、基板表面に平行な方向に電界成分を有する偏光を
消光させる最小の電圧と、基板表面に垂直な方向に電界
成分を有する偏光を消光させる最小の電圧とは異なるが
、第１電極と第２電極の長さを所定の比に設定し、画電
極を共通電源に接続することにより、両偏光を同一の電
圧で同時に制御することが可能になる。
消光させる最小の電圧と、基板表面に垂直な方向に電界
成分を有する偏光を消光させる最小の電圧とは異なるが
、第１電極と第２電極の長さを所定の比に設定し、画電
極を共通電源に接続することにより、両偏光を同一の電
圧で同時に制御することが可能になる。
実 施 例
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。
。
第１図は本発明実施例に係る方向性結合器型光スイッチ
１０の平面図であり、第２図はその■−■線断面図を示
している。１１はＺ軸方向に光学軸を有する２カツ）Ｌ
ｉＮｂ０３基板（以下ＬＮ基板と略称する）であり、基
板１１上には二本の光導波路１２．１４が形成されてい
る。光導波路１２．１４は非常に接近して配置された平
行導波路部分１２ａ、１４ａをそれぞれ含んでいる。導
波路１２は入カポ−）ａと出力ポートＣを有しており、
導波路１４は入力ボートｂと出カポ−）ｄを有している
。
１０の平面図であり、第２図はその■−■線断面図を示
している。１１はＺ軸方向に光学軸を有する２カツ）Ｌ
ｉＮｂ０３基板（以下ＬＮ基板と略称する）であり、基
板１１上には二本の光導波路１２．１４が形成されてい
る。光導波路１２．１４は非常に接近して配置された平
行導波路部分１２ａ、１４ａをそれぞれ含んでいる。導
波路１２は入カポ−）ａと出力ポートＣを有しており、
導波路１４は入力ボートｂと出カポ−）ｄを有している
。
平行導波路部分１２ａ、１４ａをそれぞれ挟むように、
ＬＮ基板１１表面に対して平行な方向に電界振幅を持つ
光（ＴＥ偏光）の制御用の埋込電極１６，１８．２０が
平行導波路部分に平行に形成されている。また、平行導
波路部分１２ａ、１４ａ上には、基板表面に垂直な方向
に電界振幅を持つ光（７Ｍ偏光）の制御用電極２２．２
４がそれぞれ装架されている。そして、ＴＥ偏光制御用
埋込電極１６，１８．２０及びＴＭ偏光制御用電極２２
．２４は共通電源２６に接続されている。
ＬＮ基板１１表面に対して平行な方向に電界振幅を持つ
光（ＴＥ偏光）の制御用の埋込電極１６，１８．２０が
平行導波路部分に平行に形成されている。また、平行導
波路部分１２ａ、１４ａ上には、基板表面に垂直な方向
に電界振幅を持つ光（７Ｍ偏光）の制御用電極２２．２
４がそれぞれ装架されている。そして、ＴＥ偏光制御用
埋込電極１６，１８．２０及びＴＭ偏光制御用電極２２
．２４は共通電源２６に接続されている。
埋込電極１６，１８．２０は例えばＴｉシリサイド（主
にＴＩ Ｓｌ ２ 、他に７ｉ５Ｓｔｚ）から形成され
る。
にＴＩ Ｓｌ ２ 、他に７ｉ５Ｓｔｚ）から形成され
る。
ＴＥ偏光と７Ｍ偏光に対する方向性結合器型光スイッチ
の印加電圧に対する光出力の間係は第３図に示されたよ
うになっており、７Ｍ偏光を消光させる最小の電圧に対
してＴＥ偏光を消光させる最小の電圧は約三倍近くであ
る。そこでこの比をＮ倍とするとき、ＴＥ偏光制御用の
埋込電極１６゜１８．２０の長さを概略平行導波路部分
１２ａ。
の印加電圧に対する光出力の間係は第３図に示されたよ
うになっており、７Ｍ偏光を消光させる最小の電圧に対
してＴＥ偏光を消光させる最小の電圧は約三倍近くであ
る。そこでこの比をＮ倍とするとき、ＴＥ偏光制御用の
埋込電極１６゜１８．２０の長さを概略平行導波路部分
１２ａ。
１４ａの長さと同等にとり、ＴＭ偏光制御用の電極２２
．２４の長さをその１／Ｎ倍にすることにより、第１図
に示すように両方の組の制御用電極に共通電源２６て同
じ電圧を印加して、ＴＥ偏光及び７Ｍ偏光の両偏光に対
して光スィッチ１０を駆動することができる。
．２４の長さをその１／Ｎ倍にすることにより、第１図
に示すように両方の組の制御用電極に共通電源２６て同
じ電圧を印加して、ＴＥ偏光及び７Ｍ偏光の両偏光に対
して光スィッチ１０を駆動することができる。
第２図を参照すると、埋込電極１６．１８．２０に図示
の極性の電圧を与えると、矢印Ａで示した水平方向の電
界が発生するため、基板表面に平行な方向に電界振幅を
有するＴＥ偏光を埋込電極１６．１８．２０に適当な電
圧を印加することにより制御することができる。一方、
導波路１２ａ上に装架した電極２２と埋込電極１６との
間及び導波路１４ａ上に装架した電極２４と埋込電極１
８との間には、矢印Ｂで示すような電界が発生し、この
電界は導波路部分１２ａ、１４ａでは概略導波路に垂直
となる。このため、埋込電極１６．１８及び電極２２．
２４に適当な電圧を印加することにより、基板表面に垂
直な方向に電界振幅を有する７Ｍ偏光を制御することが
できる。
の極性の電圧を与えると、矢印Ａで示した水平方向の電
界が発生するため、基板表面に平行な方向に電界振幅を
有するＴＥ偏光を埋込電極１６．１８．２０に適当な電
圧を印加することにより制御することができる。一方、
導波路１２ａ上に装架した電極２２と埋込電極１６との
間及び導波路１４ａ上に装架した電極２４と埋込電極１
８との間には、矢印Ｂで示すような電界が発生し、この
電界は導波路部分１２ａ、１４ａでは概略導波路に垂直
となる。このため、埋込電極１６．１８及び電極２２．
２４に適当な電圧を印加することにより、基板表面に垂
直な方向に電界振幅を有する７Ｍ偏光を制御することが
できる。
いま、平行導波路部分１２ａ、１４ａは所定波長の導波
光に対して完全結合長よりも短く形成されていると仮定
する。このとき、電圧を印加しない状態で、導波路１２
の入力ボートａに入力された信号光：ま、導波路１４に
結合することなく全て同じ導波路１２の出力ポートｃか
ら出力される。
光に対して完全結合長よりも短く形成されていると仮定
する。このとき、電圧を印加しない状態で、導波路１２
の入力ボートａに入力された信号光：ま、導波路１４に
結合することなく全て同じ導波路１２の出力ポートｃか
ら出力される。
電源２６により埋込電極１６，１８．２０及び電極２２
．２４に電圧を印加すると、平行導波路部分１２ａ、１
４ａの屈折率が変化する。このようにこの部分の屈折率
を変化させて、平行導波路部分１２ａ、１４ａがそれぞ
れの偏光に対する完全結合長になったとき、光導波路１
２を導波する信号先は平行導波路部分１４ａで光導波路
１４に完全に結合され、出カポ−）ｄから出力される。
．２４に電圧を印加すると、平行導波路部分１２ａ、１
４ａの屈折率が変化する。このようにこの部分の屈折率
を変化させて、平行導波路部分１２ａ、１４ａがそれぞ
れの偏光に対する完全結合長になったとき、光導波路１
２を導波する信号先は平行導波路部分１４ａで光導波路
１４に完全に結合され、出カポ−）ｄから出力される。
即ち、光スイッチング機能が達成されたことになる。
同様に、光導波路１４の入力ボートｂから入力される信
号光についても、埋込電極１６．１８．２０及び電極２
２．２４に適当な電圧を印加することにより、光導波路
１２に完全に結合させて、出力ボートＣから出力させる
ことができる。
号光についても、埋込電極１６．１８．２０及び電極２
２．２４に適当な電圧を印加することにより、光導波路
１２に完全に結合させて、出力ボートＣから出力させる
ことができる。
次に第４図を参照すると、本発明をマツハツエンダ型光
変調器に適用した他の実施例の平面図が示されている。
変調器に適用した他の実施例の平面図が示されている。
この実施例においては、第１図に示した実施例と実質的
に同一構成部分については同一符号を付し、その説明を
省略することにする。
に同一構成部分については同一符号を付し、その説明を
省略することにする。
光導波路３０はＹ分岐により平行導波路３２゜３４に分
岐し、各平行導波路はその他端において同じくＹ分岐に
より一本の光導波路３６に接続されている。本実施例の
マツハツエンダ型光変調器の電極配置は、第１図に示し
た方向性結合器型光スイッチ１０の電極配置と同様であ
り、埋込電極１６．１８．２０と装架電極２２．２４か
ら構成されている。そして、各電極は共通電源２６に接
続されている。
岐し、各平行導波路はその他端において同じくＹ分岐に
より一本の光導波路３６に接続されている。本実施例の
マツハツエンダ型光変調器の電極配置は、第１図に示し
た方向性結合器型光スイッチ１０の電極配置と同様であ
り、埋込電極１６．１８．２０と装架電極２２．２４か
ら構成されている。そして、各電極は共通電源２６に接
続されている。
本実施例では、ＴＥ偏光及びＴＭ偏光の位相を電圧印加
により制御することにより人力光を変調し、−本の光導
波路３６に出力する光変調器として動作させるものであ
る。電圧印加によるＴＥ偏光及びＴＭ偏光の制御は第１
図に示した実施例と概略同様なのでその説明を省略する
。
により制御することにより人力光を変調し、−本の光導
波路３６に出力する光変調器として動作させるものであ
る。電圧印加によるＴＥ偏光及びＴＭ偏光の制御は第１
図に示した実施例と概略同様なのでその説明を省略する
。
次に第５図を参照して、本発明実施例による光スィッチ
の製造プロセスの一例について説明する。
の製造プロセスの一例について説明する。
まず第５図（ａ）に示すように、ＺカントのＬＮ基板４
０の導波路形成部４２の両側にエツチング等により溝４
４を形成する。次いで、ら）に示すように溝４４中及び
基板上にバッファ層として作用するＳｉ０２層４６を蒸
着により形成し、その上に（Ｃ）に示すようにＳｉ層４
８を蒸着により形成し、溝４４内をＳｉで充填する。次
いで（ｄ）に示すように、研磨又はエツチングによりＬ
Ｎ基板４０上のＳｉ層４８及びＳ】０２層４６を除去し
てから、（ｅ）に示すように溝部４４及び導波路形成部
４２上に例えばリフトオフ法によりＴｉ層５０を形成す
る。
０の導波路形成部４２の両側にエツチング等により溝４
４を形成する。次いで、ら）に示すように溝４４中及び
基板上にバッファ層として作用するＳｉ０２層４６を蒸
着により形成し、その上に（Ｃ）に示すようにＳｉ層４
８を蒸着により形成し、溝４４内をＳｉで充填する。次
いで（ｄ）に示すように、研磨又はエツチングによりＬ
Ｎ基板４０上のＳｉ層４８及びＳ】０２層４６を除去し
てから、（ｅ）に示すように溝部４４及び導波路形成部
４２上に例えばリフトオフ法によりＴｉ層５０を形成す
る。
次いで、（ｆ）に示すように、Ｔｉ層５０を熱拡散する
ことにより導波路５２を形成するとともに、溝部４４中
にＴｉシリサイド５４を形成する。Ｔｉ層の残渣５０′
を除去してから、（ｇ）に示すように基板表面上にバッ
ファ層としてのＳｉ０２層５６を蒸着し、次いで（社）
に示すように、導波路５２上にバッファ層５６を介して
電極５８を形成する。
ことにより導波路５２を形成するとともに、溝部４４中
にＴｉシリサイド５４を形成する。Ｔｉ層の残渣５０′
を除去してから、（ｇ）に示すように基板表面上にバッ
ファ層としてのＳｉ０２層５６を蒸着し、次いで（社）
に示すように、導波路５２上にバッファ層５６を介して
電極５８を形成する。
発明の詳細
な説明した本発明によれば、電極配置を工夫することに
より、駆動回路の簡単化及び低電圧駆動を可能にした偏
光無依存性の光スィッチ及び光変調器を提供できるとい
う効果を奏する。
より、駆動回路の簡単化及び低電圧駆動を可能にした偏
光無依存性の光スィッチ及び光変調器を提供できるとい
う効果を奏する。
第１図は本発明実施例の平面図、
第２図は第１図の■−■線断面図、
第３図は印加電圧に対する光出力の関係を示すグラフ、
第４図は本発明の他の実施例平面図、
第５図は光スィッチの製造プロセスの一例を示す図であ
る。 ０・・・方向性結合器型光スイッチ、 １・・・基板、 ２．１４・・・光導波路、 ２ａ、１４ａ・・・平行導波路部、 ６．１８．２０・・・埋込電極、 ２．２４・・・装架電極、 ６・・・共通電源。
る。 ０・・・方向性結合器型光スイッチ、 １・・・基板、 ２．１４・・・光導波路、 ２ａ、１４ａ・・・平行導波路部、 ６．１８．２０・・・埋込電極、 ２．２４・・・装架電極、 ６・・・共通電源。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光導波路（１２ａ、１４ａ）の両側の導波路基板（
１１）に、該導波路基板（１１）表面に平行な方向に電
界成分を有する偏光を制御する少なくとも一組の埋込型
第１電極（１６、１８、２０）を設けるとともに、前記
光導波路（１２ａ、１４ａ）上に、該導波路基板（１１
）表面に垂直な方向に電界成分を有する偏光を制御する
少なくとも一組の第２電極（２２、２４）を設けたこと
を特徴とする偏光無依存性光スイッチ／変調器。 ２、前記第１電極（１６、１８、２０）及び第２電極（
２２、２４）の長さを所定の比に設定し、該第１及び第
２電極を共通電源（２６）に接続したことを特徴とする
請求項１記載の偏光無依存性光スイッチ／変調器。 ３、電気光学材料から形成された基板（４０）の導波路
形成部（４２）の両側に溝（４４）を形成し、該溝（４
４）中及び基板（４０）上にＳｉＯ＿２層（４６）を形
成し、 該ＳｉＯ＿２層（４６）上にＳｉ層（４８）を形成して
前記溝（４４）をＳｉで充填し、基板（４０）上のＳｉ
層（４８）及びＳｉＯ＿２層（４６）を除去して基板表
面を露出させ、 前記溝部（４４）及び導波路形成部（４２）上にＴｉ層
（５０）を形成し、 該Ｔｉ層（５０）を熱拡散することにより光導波路（５
２）を形成するとともに前記溝部（４４）中にＴｉシリ
サイド（５４）を形成し、 該Ｔｉ層の残渣（５０′）を除去した後、ＳｉＯ＿２バ
ッファ層（５６）を前記基板（４０）上に形成し、前記
光導波路（５２）上に該ＳｉＯ＿２バッファ層（５６）
を介して電極（５８）を形成する、 ことを特徴とする偏光無依存性光スイッチ／変調器の製
造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2268323A JP2856880B2 (ja) | 1990-10-08 | 1990-10-08 | 偏光無依存性光スイッチ／変調器及びその製造方法 |
| US07/770,316 US5263102A (en) | 1990-10-08 | 1991-10-03 | Polarization-independent optical switches/modulators |
| CA002052923A CA2052923C (en) | 1990-10-08 | 1991-10-07 | Polarization-independent optical switches/modulators |
| DE69119019T DE69119019T2 (de) | 1990-10-08 | 1991-10-08 | Polarisationsunabhängige optische Schalter/Modulatoren |
| EP91117123A EP0480364B1 (en) | 1990-10-08 | 1991-10-08 | Polarization-independent optical switches/modulators |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2268323A JP2856880B2 (ja) | 1990-10-08 | 1990-10-08 | 偏光無依存性光スイッチ／変調器及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04145418A true JPH04145418A (ja) | 1992-05-19 |
| JP2856880B2 JP2856880B2 (ja) | 1999-02-10 |
Family
ID=17456946
Family Applications (1)
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| JP2268323A Expired - Lifetime JP2856880B2 (ja) | 1990-10-08 | 1990-10-08 | 偏光無依存性光スイッチ／変調器及びその製造方法 |
Country Status (5)
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| DE (1) | DE69119019T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP5332665B2 (ja) | 2009-02-03 | 2013-11-06 | 富士通株式会社 | 光導波路デバイスおよびその製造方法，光変調器，偏波モード分散補償器ならびに光スイッチ |
| TW201441720A (zh) * | 2013-04-23 | 2014-11-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 電光調製器 |
| TW201441725A (zh) * | 2013-04-30 | 2014-11-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 電光調製器 |
| TW201441693A (zh) * | 2013-04-30 | 2014-11-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 電光調製器 |
| TW201441692A (zh) * | 2013-04-30 | 2014-11-01 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 電光調製器 |
| CN104133306A (zh) * | 2013-04-30 | 2014-11-05 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 电光调制器 |
| US9933456B2 (en) * | 2015-05-29 | 2018-04-03 | Tektronix, Inc. | Electro-optic probe with multiple sensitivity ranges |
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- 1990-10-08 JP JP2268323A patent/JP2856880B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-10-03 US US07/770,316 patent/US5263102A/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-10-07 CA CA002052923A patent/CA2052923C/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-10-08 EP EP91117123A patent/EP0480364B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-10-08 DE DE69119019T patent/DE69119019T2/de not_active Expired - Fee Related
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| DE69119019T2 (de) | 1996-10-02 |
| DE69119019D1 (de) | 1996-05-30 |
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