JP2994078B2 - 方向性結合器型光機能素子とその駆動方法 - Google Patents
方向性結合器型光機能素子とその駆動方法Info
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
Landscapes
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は新規構造の方向性結合器
型光機能素子とその駆動方法に関し、更に詳しくは、光
スイッチ，光偏波スプリッタ，光変調器，光合分波器な
どに用いて高消光比を実現できる方向性結合器型光機能
素子とその駆動方法に関する。
型光機能素子とその駆動方法に関し、更に詳しくは、光
スイッチ，光偏波スプリッタ，光変調器，光合分波器な
どに用いて高消光比を実現できる方向性結合器型光機能
素子とその駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、導波路型の方向性結合器構造を有
する各種の光機能素子が開発され、それを用いた光スイ
ッチ，光偏波スプリッタ，光変調器，光合分波器などが
提案されている。従来の方向性結合器型の光機能素子例
の平面パターンを図６，図７にそれぞれ示す。図６で示
した素子は２入力・２出力の素子であり、図７で示した
素子は１入力・２出力の素子である。
する各種の光機能素子が開発され、それを用いた光スイ
ッチ，光偏波スプリッタ，光変調器，光合分波器などが
提案されている。従来の方向性結合器型の光機能素子例
の平面パターンを図６，図７にそれぞれ示す。図６で示
した素子は２入力・２出力の素子であり、図７で示した
素子は１入力・２出力の素子である。
【０００３】図６において、互いに等しい路幅Ｗを有す
る２本の光導波路Ａ，Ｂがエバネッセント結合可能な間
隔Ｇを置いて互いに近接して平行配置されることによ
り、長さＬの結合部Ｃ0 が構成されている。結合部Ｃ0
における光導波路Ａ，Ｂのそれぞれ入射端Ａ1 ，Ｂ1 お
よび出射端Ａ2 ，Ｂ2 には、路幅がＷで曲率半径Ｒの曲
線光導波路Ｄ1 ，Ｄ2 ，Ｄ3 ，Ｄ4 がそれぞれ光接続さ
れて入射側リード部Ｃ1 ，出射側リード部Ｃ2を形成し
ている。更に、曲線光導波路Ｄ1 ，Ｄ2 ，Ｄ3 ，Ｄ4 に
は、それぞれ、路幅がＷの直線光導波路Ｅ1 ，Ｅ2 ，Ｅ
3 ，Ｅ4 が互いの路幅中心間の距離ＧF の間隔で光接続
されている。そして、結合部Ｃ0 における光導波路Ａ，
Ｂの上には、電極Ｆ1 ，Ｆ2 ，Ｆ3 ，Ｆ4 が装荷されて
いる。これら電極Ｆ1 〜Ｆ4 は、ここから所定の電気信
号を導入することにより、それぞれの直下に位置する光
導波路の伝搬定数を必要な値に制御するための伝搬定数
制御手段として機能する。
る２本の光導波路Ａ，Ｂがエバネッセント結合可能な間
隔Ｇを置いて互いに近接して平行配置されることによ
り、長さＬの結合部Ｃ0 が構成されている。結合部Ｃ0
における光導波路Ａ，Ｂのそれぞれ入射端Ａ1 ，Ｂ1 お
よび出射端Ａ2 ，Ｂ2 には、路幅がＷで曲率半径Ｒの曲
線光導波路Ｄ1 ，Ｄ2 ，Ｄ3 ，Ｄ4 がそれぞれ光接続さ
れて入射側リード部Ｃ1 ，出射側リード部Ｃ2を形成し
ている。更に、曲線光導波路Ｄ1 ，Ｄ2 ，Ｄ3 ，Ｄ4 に
は、それぞれ、路幅がＷの直線光導波路Ｅ1 ，Ｅ2 ，Ｅ
3 ，Ｅ4 が互いの路幅中心間の距離ＧF の間隔で光接続
されている。そして、結合部Ｃ0 における光導波路Ａ，
Ｂの上には、電極Ｆ1 ，Ｆ2 ，Ｆ3 ，Ｆ4 が装荷されて
いる。これら電極Ｆ1 〜Ｆ4 は、ここから所定の電気信
号を導入することにより、それぞれの直下に位置する光
導波路の伝搬定数を必要な値に制御するための伝搬定数
制御手段として機能する。
【０００４】ここで、直線光導波路Ｅ1 を入射ポートに
すると、出射側リード部Ｃ2 に接続する直線光導波路Ｅ
3 ，Ｅ4 はそれぞれスルーポート，クロスポートにな
る。図７の１入力・２出力の素子の場合は、図６の２入
力・２出力の素子において、光導波路Ａの入射端Ａ1 に
のみ、直接１本の直線光導波路Ｅ0 を光接続して入射側
リード部Ｃ1 とした構造になっている。この素子では、
直線光導波路Ｅ0 が入射ポートであり、出射側リード部
Ｃ2 に接続する直線光導波路Ｅ3 ，Ｅ4 がそれぞれスル
ーボート，クロスポートになっている。
すると、出射側リード部Ｃ2 に接続する直線光導波路Ｅ
3 ，Ｅ4 はそれぞれスルーポート，クロスポートにな
る。図７の１入力・２出力の素子の場合は、図６の２入
力・２出力の素子において、光導波路Ａの入射端Ａ1 に
のみ、直接１本の直線光導波路Ｅ0 を光接続して入射側
リード部Ｃ1 とした構造になっている。この素子では、
直線光導波路Ｅ0 が入射ポートであり、出射側リード部
Ｃ2 に接続する直線光導波路Ｅ3 ，Ｅ4 がそれぞれスル
ーボート，クロスポートになっている。
【０００５】上記したこれらの素子を現在実施段階に入
りつつあるファイバ通信システムに組込むためには、漏
話による誤り発生を防止することが必要になる。したが
って、低漏話、すなわち高消光比特性を有する素子が必
要になる。ところで、図６で示した素子の場合、電極Ｆ
1 ，Ｆ2 ，Ｆ3，Ｆ4 から適当な電気信号を導入するこ
とによって、理論的には、完全なクロス状態を実現する
ことは可能である。
りつつあるファイバ通信システムに組込むためには、漏
話による誤り発生を防止することが必要になる。したが
って、低漏話、すなわち高消光比特性を有する素子が必
要になる。ところで、図６で示した素子の場合、電極Ｆ
1 ，Ｆ2 ，Ｆ3，Ｆ4 から適当な電気信号を導入するこ
とによって、理論的には、完全なクロス状態を実現する
ことは可能である。
【０００６】しかしながらスルー状態の場合は、入射側
リード部Ｃ1 ，出射側リード部Ｃ2 において、わずかで
はあるが結合が生ずるため、完全なスルー状態を実現す
ることができず、消光比は高々２５ｄＢ程度にしかなら
ない。図７で示した素子の場合、スルー状態においては
図６の素子の場合よりも高い約３５ｄＢ程度の消光比を
得ることができるが、しかし、クロス状態においては対
称性が崩れるため、高々２０ｄＢ程度の消光比しか得ら
れない。
リード部Ｃ1 ，出射側リード部Ｃ2 において、わずかで
はあるが結合が生ずるため、完全なスルー状態を実現す
ることができず、消光比は高々２５ｄＢ程度にしかなら
ない。図７で示した素子の場合、スルー状態においては
図６の素子の場合よりも高い約３５ｄＢ程度の消光比を
得ることができるが、しかし、クロス状態においては対
称性が崩れるため、高々２０ｄＢ程度の消光比しか得ら
れない。
【０００７】このように、従来の素子は、スルー状態ま
たはクロス状態のいずれかの状態で消光比が低くなり、
両方の状態で高い消光比特性を示すということはない。
そして、光機能素子における消光比特性は、スルー状態
またはクロス状態の消光比のうち低い消光比で規定され
るので、結局、素子全体の消光比としては低い値しか得
られないことになる。
たはクロス状態のいずれかの状態で消光比が低くなり、
両方の状態で高い消光比特性を示すということはない。
そして、光機能素子における消光比特性は、スルー状態
またはクロス状態の消光比のうち低い消光比で規定され
るので、結局、素子全体の消光比としては低い値しか得
られないことになる。
【０００８】なお、ここでいう消光比とは、スルーポー
トの出力パワーを｜ｒ｜2 とし、クロスポートの出力パ
ワーを｜ｓ｜2 としたとき、次式： １０１og10（ ｜ｒ｜2 ／｜ｓ｜2 ） で算出される値をいう。上記した構造の光機能素子にお
いても、比較的高い消光比特性を有するものとしては、
例えば、P. GranestrandらがTech Dig. ＩＧＷＯ’８６
で発表した消光比２７ｄＢ程度の光スイッチや、H. M.
Mak らが電子情報通信学会１９９０秋季全国大会Ｃ−２
１６で発表した消光比２８ｄＢ程度の光偏波スプリッタ
などが知られている。
トの出力パワーを｜ｒ｜2 とし、クロスポートの出力パ
ワーを｜ｓ｜2 としたとき、次式： １０１og10（ ｜ｒ｜2 ／｜ｓ｜2 ） で算出される値をいう。上記した構造の光機能素子にお
いても、比較的高い消光比特性を有するものとしては、
例えば、P. GranestrandらがTech Dig. ＩＧＷＯ’８６
で発表した消光比２７ｄＢ程度の光スイッチや、H. M.
Mak らが電子情報通信学会１９９０秋季全国大会Ｃ−２
１６で発表した消光比２８ｄＢ程度の光偏波スプリッタ
などが知られている。
【０００９】また、H. M. Mak らは、電子情報通信学会
１９９１春季全国大会Ｃ−２２４において、図８で示し
たような構造の素子を提案した。この素子は長さＬの結
合部Ｃ0 を、ｐ1 ，ｐ2 ，ｐ3 がｐ1 ＋ｐ2 ＋ｐ3 ＜１
（ただし、ｐ1 ≠０）を満足する少数またはゼロである
としたとき、長さｐ1 ×Ｌの前段部分結合部Ｃ3 ，長さ
（１−ｐ1 −ｐ2 −ｐ3 ）×Ｌ／２の前段電極付き部分
結合部Ｃ4 ，長さｐ2 ×Ｌの中央部分結合部Ｃ5 ，前記
前段電極付き部分結合部と同じ長さの後段電極付き部分
結合部Ｃ6 ，長さｐ3 ×Ｌの後段部分結合部Ｃ7 で構成
したものである。
１９９１春季全国大会Ｃ−２２４において、図８で示し
たような構造の素子を提案した。この素子は長さＬの結
合部Ｃ0 を、ｐ1 ，ｐ2 ，ｐ3 がｐ1 ＋ｐ2 ＋ｐ3 ＜１
（ただし、ｐ1 ≠０）を満足する少数またはゼロである
としたとき、長さｐ1 ×Ｌの前段部分結合部Ｃ3 ，長さ
（１−ｐ1 −ｐ2 −ｐ3 ）×Ｌ／２の前段電極付き部分
結合部Ｃ4 ，長さｐ2 ×Ｌの中央部分結合部Ｃ5 ，前記
前段電極付き部分結合部と同じ長さの後段電極付き部分
結合部Ｃ6 ，長さｐ3 ×Ｌの後段部分結合部Ｃ7 で構成
したものである。
【００１０】この素子の場合は、理論上は、少なくとも
４０ｄＢ程度の消光比を得ることができる。
４０ｄＢ程度の消光比を得ることができる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】図８で示した素子は、
たしかに理論上は高消光比を実現することができるが、
それは、上記した各部分結合部の寸法パタメータ等が理
論値と略同一になっている場合のときに限られる。しか
しながら、実際に素子を製造するときには、これら各部
分結合部等は計算上の理論値通りの寸法精度で作成でき
るとは限らず、微妙に理論値からはずれることがある。
たしかに理論上は高消光比を実現することができるが、
それは、上記した各部分結合部の寸法パタメータ等が理
論値と略同一になっている場合のときに限られる。しか
しながら、実際に素子を製造するときには、これら各部
分結合部等は計算上の理論値通りの寸法精度で作成でき
るとは限らず、微妙に理論値からはずれることがある。
【００１２】このような問題が起こると、各部分結合部
における光導波路間の実際の結合状態は、計算上求めら
れる理論的な結合状態から逸脱することになり、クロス
状態やスルー状態における消光比の低下は不可避とな
る。本発明は、図８で示した素子において、製造時にお
ける上記した寸法パラメータの精度のばらつきが引き起
こす問題を解決し、クロス状態，スルー状態のいずれに
おいても、消光比特性が３０ｄＢ以上である新規構造の
方向性結合器型光機能素子の提供を目的とする。
における光導波路間の実際の結合状態は、計算上求めら
れる理論的な結合状態から逸脱することになり、クロス
状態やスルー状態における消光比の低下は不可避とな
る。本発明は、図８で示した素子において、製造時にお
ける上記した寸法パラメータの精度のばらつきが引き起
こす問題を解決し、クロス状態，スルー状態のいずれに
おいても、消光比特性が３０ｄＢ以上である新規構造の
方向性結合器型光機能素子の提供を目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明においては、伝搬定数制御手段が装荷さ
れ、互いに等しい値の伝搬定数を有する２本の光導波路
を平行配置した結合部を備え、前記２本の光導波路のう
ち１本の光導波路のみがその入射端で１本の直線光導波
路と光接続して入射側リード部を形成し、前記２本の光
導波路の出射端はそれぞれ曲線または直線の光導波路と
光接続してスルーポートおよびクロスポートに接続する
出射側リード部を形成している１入力・２出力方向性結
合器型光機能素子において、前記出射側リード部の各光
導波路にはモード結合抑圧手段がそれぞれ装置されてい
ることを特徴とする方向性結合器型光機能素子が提供さ
れ、前記伝搬定数制御手段に必要な駆動用電気信号を導
入し、かつ、前記出射端リード部におけるクロスポート
側のモード結合抑圧手段を動作して、高消光比のスルー
状態を実現することを特徴とする方向性結合器型光機能
素子の駆動方法、および、前記伝搬定数制御手段に必要
な駆動用電気信号を導入し、かつ、前記出射側リード部
におけるスルーポート側のモード結合抑圧手段を動作し
て、高消光比のクロス状態を実現することを特徴とする
方向性結合器型光機能素子の駆動方法が提供される。
ために、本発明においては、伝搬定数制御手段が装荷さ
れ、互いに等しい値の伝搬定数を有する２本の光導波路
を平行配置した結合部を備え、前記２本の光導波路のう
ち１本の光導波路のみがその入射端で１本の直線光導波
路と光接続して入射側リード部を形成し、前記２本の光
導波路の出射端はそれぞれ曲線または直線の光導波路と
光接続してスルーポートおよびクロスポートに接続する
出射側リード部を形成している１入力・２出力方向性結
合器型光機能素子において、前記出射側リード部の各光
導波路にはモード結合抑圧手段がそれぞれ装置されてい
ることを特徴とする方向性結合器型光機能素子が提供さ
れ、前記伝搬定数制御手段に必要な駆動用電気信号を導
入し、かつ、前記出射端リード部におけるクロスポート
側のモード結合抑圧手段を動作して、高消光比のスルー
状態を実現することを特徴とする方向性結合器型光機能
素子の駆動方法、および、前記伝搬定数制御手段に必要
な駆動用電気信号を導入し、かつ、前記出射側リード部
におけるスルーポート側のモード結合抑圧手段を動作し
て、高消光比のクロス状態を実現することを特徴とする
方向性結合器型光機能素子の駆動方法が提供される。
【００１４】本発明の光機能素子の基本構成を平面パタ
ーン図として図１に示す。図から明らかなように、本発
明の光機能素子の平面パターンは、結合部Ｃ0 、出射側
リード部Ｃ2 が後述するような構成をとることを除いて
は、図７で示した従来の１入力・２出力方向性結合器型
光機能素子と変わることはない。まず、結合部Ｃ0 にお
いては、等幅（路幅Ｗ）の２本の光導波路Ａ，Ｂが微小
間隔Ｇで平行配置され、そのうちの１本の光導波路Ａの
入射端Ａ1 には路幅Ｗの直線光導波路Ｅ0 が光接続され
て入射側リード部Ｃ1 を構成している。また、光導波路
Ａ，光導波路Ｂのそれぞれの出射端Ａ2 ，Ｂ2 には曲率
半径がＲで路幅Ｗの曲線光導波路Ｄ3 ，Ｄ4 が光接続さ
れて出射側リード部Ｃ2 を構成し、更にこれら曲線光導
波路Ｄ3 ，Ｄ4 には、路幅Ｗの直線光導波路Ｅ3 ，Ｅ4
が路幅中心間の距離ＧF でそれぞれ光接続されて、スル
ーポート（Ｅ3 ）とクロスポート（Ｅ4 ）を構成してい
る。
ーン図として図１に示す。図から明らかなように、本発
明の光機能素子の平面パターンは、結合部Ｃ0 、出射側
リード部Ｃ2 が後述するような構成をとることを除いて
は、図７で示した従来の１入力・２出力方向性結合器型
光機能素子と変わることはない。まず、結合部Ｃ0 にお
いては、等幅（路幅Ｗ）の２本の光導波路Ａ，Ｂが微小
間隔Ｇで平行配置され、そのうちの１本の光導波路Ａの
入射端Ａ1 には路幅Ｗの直線光導波路Ｅ0 が光接続され
て入射側リード部Ｃ1 を構成している。また、光導波路
Ａ，光導波路Ｂのそれぞれの出射端Ａ2 ，Ｂ2 には曲率
半径がＲで路幅Ｗの曲線光導波路Ｄ3 ，Ｄ4 が光接続さ
れて出射側リード部Ｃ2 を構成し、更にこれら曲線光導
波路Ｄ3 ，Ｄ4 には、路幅Ｗの直線光導波路Ｅ3 ，Ｅ4
が路幅中心間の距離ＧF でそれぞれ光接続されて、スル
ーポート（Ｅ3 ）とクロスポート（Ｅ4 ）を構成してい
る。
【００１５】なお本発明においては、出射側リード部Ｃ
2 は図のような曲線光導波路で構成することに限定され
ることなく、例えば出射端Ａ2 ，Ｂ2 から直線光導波路
Ｅ3 ，Ｅ4 までを微小テーパ角θから成る直線光導波路
を介装して構成してもよい。これら各光導波路は、いず
れも電気光学効果を発現する材料や電気信号を導入して
その屈折率制御が可能な構造の材料で構成されていて、
しかも、自然状態においては、互いの伝搬定数は等しく
なっている。例えばＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓのような半
導体材料をＭＯＣＶＤ法で多層に積層して形成すること
ができる。
2 は図のような曲線光導波路で構成することに限定され
ることなく、例えば出射端Ａ2 ，Ｂ2 から直線光導波路
Ｅ3 ，Ｅ4 までを微小テーパ角θから成る直線光導波路
を介装して構成してもよい。これら各光導波路は、いず
れも電気光学効果を発現する材料や電気信号を導入して
その屈折率制御が可能な構造の材料で構成されていて、
しかも、自然状態においては、互いの伝搬定数は等しく
なっている。例えばＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓのような半
導体材料をＭＯＣＶＤ法で多層に積層して形成すること
ができる。
【００１６】結合部Ｃ0 では、各光導波路Ａ，Ｂに電極
Ｆ1 ，Ｆ2 ，Ｆ3 ，Ｆ4 を反転Δβ構造に装荷すること
により、これらで伝搬定数制御手段を構成している。す
なわち、これらの電極から所定の電気信号を導入するこ
とにより、その直下に位置する光導波路の伝搬定数を変
化させることができるようになっている。例えば、半導
波路Ａ，Ｂが半導体材料で構成されている場合には、図
２で示したように、電極Ｆ1 と電極Ｆ4 ，電極Ｆ2 と電
極Ｆ3 をそれぞれ、リードｆ1 ，ｆ2 で接続すればよ
い。
Ｆ1 ，Ｆ2 ，Ｆ3 ，Ｆ4 を反転Δβ構造に装荷すること
により、これらで伝搬定数制御手段を構成している。す
なわち、これらの電極から所定の電気信号を導入するこ
とにより、その直下に位置する光導波路の伝搬定数を変
化させることができるようになっている。例えば、半導
波路Ａ，Ｂが半導体材料で構成されている場合には、図
２で示したように、電極Ｆ1 と電極Ｆ4 ，電極Ｆ2 と電
極Ｆ3 をそれぞれ、リードｆ1 ，ｆ2 で接続すればよ
い。
【００１７】本発明の光機能素子は、出射側リード部Ｃ
2 の光導波路Ｄ3 ，Ｄ4 にそれぞれ電極Ｆ5 ，Ｆ6 を装
荷することにより、モード結合抑圧手段が構成されてい
る。すなわち、電極Ｆ5 ，Ｆ6 のいずれかから例えば所
定の順方向電流を注入すると、その電極直下の光導波路
Ｄ3 ，Ｄ4 においては、プラズマ効果やバンドフィリン
グ効果が発現して屈折率低下が引き起こされるため、光
導波路Ｄ3 ，Ｄ4 間における結合が非対称になり、結果
として、光導波路Ｄ3 ，Ｄ4 間の光のモード結合は抑圧
される。
2 の光導波路Ｄ3 ，Ｄ4 にそれぞれ電極Ｆ5 ，Ｆ6 を装
荷することにより、モード結合抑圧手段が構成されてい
る。すなわち、電極Ｆ5 ，Ｆ6 のいずれかから例えば所
定の順方向電流を注入すると、その電極直下の光導波路
Ｄ3 ，Ｄ4 においては、プラズマ効果やバンドフィリン
グ効果が発現して屈折率低下が引き起こされるため、光
導波路Ｄ3 ，Ｄ4 間における結合が非対称になり、結果
として、光導波路Ｄ3 ，Ｄ4 間の光のモード結合は抑圧
される。
【００１８】上記した順方向電流の注入値を変化させる
と、このモード結合の抑圧状態も変化し、例えばより一
層大きな順方向電流を注入していくと、あるレベルで光
導波路が等価的に存在しなくなる状態、すなわちモード
結合がゼロになる状態を得ることができる。このときの
状態は、モード結合抑圧の状態の極限状態であり、モー
ドカットオフ状態と呼ぶ。
と、このモード結合の抑圧状態も変化し、例えばより一
層大きな順方向電流を注入していくと、あるレベルで光
導波路が等価的に存在しなくなる状態、すなわちモード
結合がゼロになる状態を得ることができる。このときの
状態は、モード結合抑圧の状態の極限状態であり、モー
ドカットオフ状態と呼ぶ。
【００１９】
【作用】本発明の光機能素子においては、入射リード部
Ｃ1 と出射リード部Ｃ2 は対称になっていないため、結
合部Ｃ0 の電極（反転Δβ構造）Ｆ1 〜Ｆ4 に適当な電
気信号を導入したとしても、完全なスルー状態や完全な
クロス状態を得ることはできない。そのため、高消光比
のスイッチング状態を得るためには、出射側リード部Ｃ
2 におけるわずかな結合を除去すること、および、入射
側リード部Ｃ1 と出射側リード部Ｃ2 との結合を一致さ
せること（結合が存在しない場合であっても）を実現す
ることが必要になる。
Ｃ1 と出射リード部Ｃ2 は対称になっていないため、結
合部Ｃ0 の電極（反転Δβ構造）Ｆ1 〜Ｆ4 に適当な電
気信号を導入したとしても、完全なスルー状態や完全な
クロス状態を得ることはできない。そのため、高消光比
のスイッチング状態を得るためには、出射側リード部Ｃ
2 におけるわずかな結合を除去すること、および、入射
側リード部Ｃ1 と出射側リード部Ｃ2 との結合を一致さ
せること（結合が存在しない場合であっても）を実現す
ることが必要になる。
【００２０】本発明の光機能素子においては、結合部Ｃ
0 のスイッチング状態に対応して、例えばクロス状態で
は出射側リード部Ｃ2 の光導波路Ｄ3 （スルーポートＥ
3 に接続）の、またスルー状態では出射側リード部Ｃ2
の光導波路Ｄ4 （クロスポートＥ4 に接続）の各モード
結合抑圧手段Ｆ5 ，Ｆ6 を動作することより、この出射
側リード部Ｃ2 における結合を除去することができる。
0 のスイッチング状態に対応して、例えばクロス状態で
は出射側リード部Ｃ2 の光導波路Ｄ3 （スルーポートＥ
3 に接続）の、またスルー状態では出射側リード部Ｃ2
の光導波路Ｄ4 （クロスポートＥ4 に接続）の各モード
結合抑圧手段Ｆ5 ，Ｆ6 を動作することより、この出射
側リード部Ｃ2 における結合を除去することができる。
【００２１】したがって、この状態においては、出射側
リード部Ｃ2 におけるわずかな結合も除去され消光比劣
化の原因が除去されているので結合部Ｃ0 の電極Ｆ1 〜
Ｆ4 への電気信号の導入により、高消光比のクロス状態
とスルー状態を実現することができるようになる。
リード部Ｃ2 におけるわずかな結合も除去され消光比劣
化の原因が除去されているので結合部Ｃ0 の電極Ｆ1 〜
Ｆ4 への電気信号の導入により、高消光比のクロス状態
とスルー状態を実現することができるようになる。
【００２２】
【実施例】実施例１ 図３の平面パターン図で示すような光機能素子を製造し
た。図において、結合部Ｃ0 の長さは6.０mm、光導波路
Ａ，Ｂの間隔Ｇは3.５μｍ、スルーポートＥ3 とクロス
ポートＥ4 の路幅中心間の距離ＧF は２５０μｍ、出射
側リード部Ｃ2 を構成する曲線光導波路Ｄ3 ，Ｄ4 の曲
率半径Ｒはいずれも３０μｍ、路幅Ｗは７μｍである。
た。図において、結合部Ｃ0 の長さは6.０mm、光導波路
Ａ，Ｂの間隔Ｇは3.５μｍ、スルーポートＥ3 とクロス
ポートＥ4 の路幅中心間の距離ＧF は２５０μｍ、出射
側リード部Ｃ2 を構成する曲線光導波路Ｄ3 ，Ｄ4 の曲
率半径Ｒはいずれも３０μｍ、路幅Ｗは７μｍである。
【００２３】この結合部Ｃ0 、および出射側リード部Ｃ
2 は、それぞれ図３のIV−IV線に沿う断面図である図
４、Ｖ−Ｖ線に沿う断面図である図５で示したような構
成になっている。すなわち、ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕから成
る下部電極１の上に、ＭＯＣＶＤ法によって、ｎ+ Ｇａ
Ａｓから成る基板２，ｎ+ ＧａＡｓから成る厚み0.５μ
ｍのバッファ層３，ｎ+ ＧａＡｌＡｓから成る厚み3.０
μｍの下部クラッド層４，ｎ- ＧａＡｓから成る厚み1.
０μｍのコア層５がこの順序で積層されている。更にこ
のコア層５の上には、ｎ-ＧａＡｌＡｓから成るクラッ
ド６ａ，ｐ- ＧａＡｌＡｓから成るクラッド６ｂ，ｐ+
ＧａＡｓから成るキャップ６ｃが順次ＭＯＣＶＤ法で積
層されて上部クラッド層６を形成し、その上面はＳｉＯ
2 膜のような絶縁膜７で被覆されることにより、路幅が
Ｗである２本の光導波路Ａ，Ｂが間隔Ｇでリッジ状に形
成されている。
2 は、それぞれ図３のIV−IV線に沿う断面図である図
４、Ｖ−Ｖ線に沿う断面図である図５で示したような構
成になっている。すなわち、ＡｕＧｅＮｉ／Ａｕから成
る下部電極１の上に、ＭＯＣＶＤ法によって、ｎ+ Ｇａ
Ａｓから成る基板２，ｎ+ ＧａＡｓから成る厚み0.５μ
ｍのバッファ層３，ｎ+ ＧａＡｌＡｓから成る厚み3.０
μｍの下部クラッド層４，ｎ- ＧａＡｓから成る厚み1.
０μｍのコア層５がこの順序で積層されている。更にこ
のコア層５の上には、ｎ-ＧａＡｌＡｓから成るクラッ
ド６ａ，ｐ- ＧａＡｌＡｓから成るクラッド６ｂ，ｐ+
ＧａＡｓから成るキャップ６ｃが順次ＭＯＣＶＤ法で積
層されて上部クラッド層６を形成し、その上面はＳｉＯ
2 膜のような絶縁膜７で被覆されることにより、路幅が
Ｗである２本の光導波路Ａ，Ｂが間隔Ｇでリッジ状に形
成されている。
【００２４】なお、各光導波路の高さｈは、いずれの光
導波路においても1.０μｍとした。また、各電極間のギ
ャップｇは３μｍとした。電極Ｆ1 ，Ｆ2 ，Ｆ3 ，Ｆ4
が装荷される個所は、図４で示したように、光導波路
Ａ，Ｂを被覆する絶縁膜７の一部をスリット状に除去し
て窓７ａ，７ｂを形成し、ここからキャップ６ｃの上面
にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを例えば、蒸着して電極Ｆ3 ，Ｆ4
（Ｆ1 ，Ｆ2 ）を形成する。そして電極Ｆ3 と電極Ｆ2
をリードｆ1 で、電極Ｆ4 と電極Ｆ1 をリードｆ2 でそ
れぞれ接続することにより反転Δβ構造とし、伝搬定数
制御手段を構成する。
導波路においても1.０μｍとした。また、各電極間のギ
ャップｇは３μｍとした。電極Ｆ1 ，Ｆ2 ，Ｆ3 ，Ｆ4
が装荷される個所は、図４で示したように、光導波路
Ａ，Ｂを被覆する絶縁膜７の一部をスリット状に除去し
て窓７ａ，７ｂを形成し、ここからキャップ６ｃの上面
にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを例えば、蒸着して電極Ｆ3 ，Ｆ4
（Ｆ1 ，Ｆ2 ）を形成する。そして電極Ｆ3 と電極Ｆ2
をリードｆ1 で、電極Ｆ4 と電極Ｆ1 をリードｆ2 でそ
れぞれ接続することにより反転Δβ構造とし、伝搬定数
制御手段を構成する。
【００２５】出射側リード部Ｃ2 においては、図５で示
したように、光導波路Ｄ3 ，Ｄ4 を被覆する絶縁膜７の
一部をスリット状に除去して窓７ａ，７ｂを形成して、
ここからキャップ６ｃの上面にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを蒸着
して電極Ｆ5 ，Ｆ6 を形成する。そして、これらの各電
極Ｆ5 ，Ｆ6 は、それぞれ独立して電気信号の導入シス
テムと接続され、電極Ｆ5 は光導波路Ｄ3 のモード結合
抑圧手段，電極Ｆ6 は光導波路Ｄ4 のモード結合抑圧手
段として構成されている。
したように、光導波路Ｄ3 ，Ｄ4 を被覆する絶縁膜７の
一部をスリット状に除去して窓７ａ，７ｂを形成して、
ここからキャップ６ｃの上面にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを蒸着
して電極Ｆ5 ，Ｆ6 を形成する。そして、これらの各電
極Ｆ5 ，Ｆ6 は、それぞれ独立して電気信号の導入シス
テムと接続され、電極Ｆ5 は光導波路Ｄ3 のモード結合
抑圧手段，電極Ｆ6 は光導波路Ｄ4 のモード結合抑圧手
段として構成されている。
【００２６】このようにして形成された光導波路におい
ては、クラッド６ａとクラッド６ｂの界面がｐｎ接合界
面６ｄになっている。したがって、今、電極Ｆ1 ，
Ｆ2 ，Ｆ 3 ，Ｆ4 から所定の電気信号を導入すると、ｐ
ｎ接合界面では電気光学効果、プラズマ効果やバンドフ
ィリング効果などが発現して電極直下に位置するコア層
５の屈折率が変化して、光導波路Ａ，Ｂ間に伝搬定数差
Δβが生じ、光の結合状態が変化する。
ては、クラッド６ａとクラッド６ｂの界面がｐｎ接合界
面６ｄになっている。したがって、今、電極Ｆ1 ，
Ｆ2 ，Ｆ 3 ，Ｆ4 から所定の電気信号を導入すると、ｐ
ｎ接合界面では電気光学効果、プラズマ効果やバンドフ
ィリング効果などが発現して電極直下に位置するコア層
５の屈折率が変化して、光導波路Ａ，Ｂ間に伝搬定数差
Δβが生じ、光の結合状態が変化する。
【００２７】この素子において、入射ポートＥ0 に波長
1.３μｍのＴＥモード光を励起し、電極Ｆ1 〜Ｆ4 に逆
バイアス電圧を印加して電気光学効果のみを発現せしめ
た場合、理論計算によると、クロス状態では１８ｄＢ程
度、スルー状態では３７ｄＢ程度のスイッチング特性が
得られる。しかしながら、実際には、逆バイアス電圧印
加して結合部Ｃ0 を駆動した場合、クロス状態における
駆動電圧が−７Ｖのときは消光比１７ｄＢ程度であり、
またスルー状態における駆動電圧が−１５Ｖのときは消
光比２６ｄＢ程度であり、とくにスルー状態での消光比
劣化が大きくなった。
1.３μｍのＴＥモード光を励起し、電極Ｆ1 〜Ｆ4 に逆
バイアス電圧を印加して電気光学効果のみを発現せしめ
た場合、理論計算によると、クロス状態では１８ｄＢ程
度、スルー状態では３７ｄＢ程度のスイッチング特性が
得られる。しかしながら、実際には、逆バイアス電圧印
加して結合部Ｃ0 を駆動した場合、クロス状態における
駆動電圧が−７Ｖのときは消光比１７ｄＢ程度であり、
またスルー状態における駆動電圧が−１５Ｖのときは消
光比２６ｄＢ程度であり、とくにスルー状態での消光比
劣化が大きくなった。
【００２８】そこで、駆動電圧が−７Ｖの前記クロス状
態において、出射側リード部Ｃ2 の光導波路Ｄ3 （スル
ーポートＥ3 に接続）側の電極Ｆ5 から適当な値の順方
向電流を注入したところ、消光比特性は３０ｄＢ以上へ
と向上し、極めて高消光比のクロス状態を実現すること
ができた。また、駆動電圧が−１５Ｖの前記スルー状態
において、出射側リード部Ｃ2 の光導波路Ｄ4 （クロス
ポートＥ4 に接続）側の電極Ｆ6 から適当な値の順方向
電流を注入したところ、消光比特性は３０ｄＢ以上へと
向上し、極めて光消光比のスルー状態を実現することが
できた。
態において、出射側リード部Ｃ2 の光導波路Ｄ3 （スル
ーポートＥ3 に接続）側の電極Ｆ5 から適当な値の順方
向電流を注入したところ、消光比特性は３０ｄＢ以上へ
と向上し、極めて高消光比のクロス状態を実現すること
ができた。また、駆動電圧が−１５Ｖの前記スルー状態
において、出射側リード部Ｃ2 の光導波路Ｄ4 （クロス
ポートＥ4 に接続）側の電極Ｆ6 から適当な値の順方向
電流を注入したところ、消光比特性は３０ｄＢ以上へと
向上し、極めて光消光比のスルー状態を実現することが
できた。
【００２９】実施例２ Ｒを５０mmにしたことを除いて、他のパラメータ設定は
実施例１と同様にして光機能素子を製造した。この素子
において、入射ポートＥ0 に波長1.３μｍのＴＥモード
光を励起し、電極Ｆ1 〜Ｆ4 に逆バイアス電圧を印加し
て電気光学効果のみを発現せしめた場合、理論計算によ
ると、光導波路Ｄ3 ，Ｄ4 の曲率半径が実施例１のもの
に比べて大きいため、クロス状態では１８ｄＢ程度、ス
ルー状態では３3.８ｄＢ程度のスイッチング特性が得ら
れる。
実施例１と同様にして光機能素子を製造した。この素子
において、入射ポートＥ0 に波長1.３μｍのＴＥモード
光を励起し、電極Ｆ1 〜Ｆ4 に逆バイアス電圧を印加し
て電気光学効果のみを発現せしめた場合、理論計算によ
ると、光導波路Ｄ3 ，Ｄ4 の曲率半径が実施例１のもの
に比べて大きいため、クロス状態では１８ｄＢ程度、ス
ルー状態では３3.８ｄＢ程度のスイッチング特性が得ら
れる。
【００３０】しかしながら、実際には、逆バイアス電圧
印加して結合部Ｃ0を駆動した場合、クロス状態におけ
る駆動電圧が−８Ｖのときは消光比１6.５ｄＢ程度であ
り、またスルー状態における駆動電圧が−１６Ｖのとき
は消光比２４ｄＢ程度であり、実施例１に比べて消光比
は劣化した。そこで、駆動電圧が−８Ｖの前記クロス状
態において、出射側リード部Ｃ2 の光導波路Ｄ3 （スル
ーポートＥ3 に接続）側の電極Ｆ5 から適当な値の順方
向電流を注入したところ、消光比特性は３０ｄＢ以上へ
と向上し、極めて高消光比のクロス状態を実現すること
ができた。
印加して結合部Ｃ0を駆動した場合、クロス状態におけ
る駆動電圧が−８Ｖのときは消光比１6.５ｄＢ程度であ
り、またスルー状態における駆動電圧が−１６Ｖのとき
は消光比２４ｄＢ程度であり、実施例１に比べて消光比
は劣化した。そこで、駆動電圧が−８Ｖの前記クロス状
態において、出射側リード部Ｃ2 の光導波路Ｄ3 （スル
ーポートＥ3 に接続）側の電極Ｆ5 から適当な値の順方
向電流を注入したところ、消光比特性は３０ｄＢ以上へ
と向上し、極めて高消光比のクロス状態を実現すること
ができた。
【００３１】また、駆動電圧が−１６Ｖの前記スルー状
態において、出射側リード部Ｃ2 の光導波路Ｄ4 （クロ
スポートＥ4 に接続）側の電極Ｆ6 から適当な値の順方
向電流を注入したところ、消光比特性は３０ｄＢ以上へ
と向上し、極めて光消光比のスルー状態を実現すること
ができた。
態において、出射側リード部Ｃ2 の光導波路Ｄ4 （クロ
スポートＥ4 に接続）側の電極Ｆ6 から適当な値の順方
向電流を注入したところ、消光比特性は３０ｄＢ以上へ
と向上し、極めて光消光比のスルー状態を実現すること
ができた。
【００３２】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
方向性結合器型光機能素子は、伝搬定数制御手段が装荷
され、互いに等しい値の伝搬定数を有する２本の光導波
路を平行配置した結合部を備え、前記２本の光導波路の
うち１本の光導波路のみがその入射端で１本の直線光導
波路と光接続して入射側リード部を形成し、前記２本の
光導波路の出射端はそれぞれ曲線または直線の光導波路
と光接続してスルーポートおよびクロスポートに接続す
る出射側リード部を形成している１入力・２出力方向性
結合器型光機能素子において、前記出射側リード部の各
光導波路にはモード結合抑圧手段がそれぞれ装荷されて
いることを特徴とするので、前記モード結合抑圧手動を
動作することにより、出射側リード部におけるわずかな
結合も除去することができる。その結果、クロス状態、
スルー状態のいずれにおいても３０ｄＢ以上の高消光比
特性を実現することができる。
方向性結合器型光機能素子は、伝搬定数制御手段が装荷
され、互いに等しい値の伝搬定数を有する２本の光導波
路を平行配置した結合部を備え、前記２本の光導波路の
うち１本の光導波路のみがその入射端で１本の直線光導
波路と光接続して入射側リード部を形成し、前記２本の
光導波路の出射端はそれぞれ曲線または直線の光導波路
と光接続してスルーポートおよびクロスポートに接続す
る出射側リード部を形成している１入力・２出力方向性
結合器型光機能素子において、前記出射側リード部の各
光導波路にはモード結合抑圧手段がそれぞれ装荷されて
いることを特徴とするので、前記モード結合抑圧手動を
動作することにより、出射側リード部におけるわずかな
結合も除去することができる。その結果、クロス状態、
スルー状態のいずれにおいても３０ｄＢ以上の高消光比
特性を実現することができる。
【００３３】また、実施例１と実施例２の素子で明らか
なように、素子の設計パラメータが変化しても、消光比
はそれに依存することがなく、３０ｄＢ以上の高消光比
である。したがって、本発明の素子は寸法パラメータを
高精度で厳格に管理することなく製造しても高消光比特
性が得られるので、製造が容易でありその工業的価値は
大である。
なように、素子の設計パラメータが変化しても、消光比
はそれに依存することがなく、３０ｄＢ以上の高消光比
である。したがって、本発明の素子は寸法パラメータを
高精度で厳格に管理することなく製造しても高消光比特
性が得られるので、製造が容易でありその工業的価値は
大である。
【００３４】なお、実施例では光スイッチとして駆動さ
せる場合を説明したが、本発明の光機能素子は、例えば
電極から順方向電流の注入と逆電圧の印加を同時に行な
ってＴＥモード光とＴＭモード光の分離を行なう光偏波
スプリッタとして使用することもできる。更に、光変調
器や光合分波器として使用した時に、高消光比特性が得
られる。
せる場合を説明したが、本発明の光機能素子は、例えば
電極から順方向電流の注入と逆電圧の印加を同時に行な
ってＴＥモード光とＴＭモード光の分離を行なう光偏波
スプリッタとして使用することもできる。更に、光変調
器や光合分波器として使用した時に、高消光比特性が得
られる。
【図１】本発明の光機能素子の基本構成を示す平面パタ
ーン図である。
ーン図である。
【図２】電極の接続例を示す平面パターン図である。
【図３】実施例の光機能素子を示す平面パターン図であ
る。
る。
【図４】図３のIV−IV線に沿う断面図である。
【図５】図３のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。
【図６】従来の２入力・２出力方向性結合器の平面パタ
ーン図である。
ーン図である。
【図７】従来の１入力・２出力方向性結合器の平面パタ
ーン図である。
ーン図である。
【図８】電子情報通信学会１９９１年春季全国大会Ｃ−
２２４で発表された光機能素子の平面パターン図であ
る。
２２４で発表された光機能素子の平面パターン図であ
る。
１ 下部電極 ２ 基板 ３ バッファ層 ４ 下部クラッド層 ５ コア層 ６ 上部クラッド層 ６ａ，６ｂ クラッド ６ｃ キャップ ６ｄ ｐｎ接合界面 ７ 絶縁膜 ７ａ，７ｂ 窓 Ａ 光導波路 Ａ1 光導波路Ａの入射端 Ａ2 光導波路Ａの出射端 Ｂ 光導波路 Ｂ1 光導波路Ｂの入射端 Ｂ2 光導波路Ｂの出射端 Ｄ1 ，Ｄ2 ，Ｄ3 ，Ｄ4 曲線光導波路 Ｅ0 直線光導波路（入射ポート） Ｅ1 直線光導波路（入射ポート） Ｅ3 直線光導波路（スルーポート） Ｅ4 直線光導波路（クロスポート） Ｃ0 結合部 Ｃ1 入射側リード部 Ｃ2 出射側リード部 Ｆ1 ，Ｆ2 ，Ｆ3 ，Ｆ4 電極（伝搬定数制御手段） Ｆ5 ，Ｆ6 電極（モード結合抑圧手段） ｆ1 ，ｆ2 リード ｈ 光導波路の高さ ｇ ギャップ Ｗ 光導波路の路幅 ＧF 光導波路Ａ，Ｂの間隔 Ｆ 直線光導波路Ｅ3 ，Ｅ4 の路幅中心間の間隔 Ｒ 曲線光導波路Ｄ3 ，Ｄ4 の曲率半径
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−235030（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−142333（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−308125（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−200016（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−238326（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−59933（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−13906（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−217346（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−93428（ＪＰ，Ａ) 1990年電子情報通信学会秋季全国大会 講演論文集 ［分冊４］通信・エレクト ロニクス ｐ．４−258麦漢明ｅｔ．ａ ｌ．，「Ｃ−216半導体方向性結合器光 モードスプリッタ」 1991年電子情報通信学会春季全国大会 講演論文集 ［分冊４］通信・エレクト ロニクス ｐ．４−241麦漢明ｅｔ．ａ ｌ．，「Ｃ−224 高消光比方向性結合 型光機能素子」 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/00 - 1/035 G02F 1/29 - 1/313 G02B 6/12 - 6/14
Claims (5)
- 【請求項１】 伝搬定数制御手段が装荷され、互いに等
しい値の伝搬定数を有する２本の光導波路を平行配置し
た結合部を備え、前記２本の光導波路のうち１本の光導
波路のみがその入射端で１本の直線光導波路と光接続し
て入射側リード部を形成し、前記２本の光導波路の出射
端はそれぞれ曲線または直線の光導波路と光接続してス
ルーポートおよびクロスポートに接続する出射側リード
部を形成している１入力・２出力方向性結合器型光機能
素子において、前記出射側リード部の各光導波路にはモ
ード結合抑圧手段がそれぞれ装荷されていることを特徴
とする方向性結合器型光機能素子。 - 【請求項２】 前記光導波路は電気光学効果またはバン
ドフィリング効果を発現する材料から成る請求項１の方
向性結合器型光機能素子。 - 【請求項３】 請求項１の光機能素子の前記伝搬定数制
御手段に必要な駆動用電気信号を導入し、かつ、前記出
射端リード部におけるクロスポート側のモード結合抑圧
手段を動作して、高消光比のスルー状態を実現すること
を特徴とする方向性結合器型光機能素子の駆動方法。 - 【請求項４】 請求項１の光機能素子の前記伝搬定数制
御手段に必要な駆動用電気信号を導入し、かつ、前記出
射側リード部におけるスルーポート側のモード結合抑圧
手段を動作して、高消光比のクロス状態を実現すること
を特徴とする方向性結合器型光機能素子の駆動方法。 - 【請求項５】 前記モード結合抑圧手段を、モード結合
がゼロになる状態で動作させる請求項３または４の方向
性結合器型光機能素子の駆動方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13116491A JP2994078B2 (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | 方向性結合器型光機能素子とその駆動方法 |
| US07/891,411 US5255334A (en) | 1991-06-03 | 1992-05-29 | Directional coupler type optical device and a driving method therefor |
| CA002070259A CA2070259A1 (en) | 1991-06-03 | 1992-06-02 | Directional coupler type optical device and a driving method therefor |
| DE69216299T DE69216299T2 (de) | 1991-06-03 | 1992-06-03 | Richtkoppleroptische Vorrichtung und Steuerverfahren dafür |
| EP92305080A EP0517499B1 (en) | 1991-06-03 | 1992-06-03 | Directional coupler type optical device and a driving method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13116491A JP2994078B2 (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | 方向性結合器型光機能素子とその駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04355731A JPH04355731A (ja) | 1992-12-09 |
| JP2994078B2 true JP2994078B2 (ja) | 1999-12-27 |
Family
ID=15051505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13116491A Expired - Lifetime JP2994078B2 (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | 方向性結合器型光機能素子とその駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2994078B2 (ja) |
-
1991
- 1991-06-03 JP JP13116491A patent/JP2994078B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| １９９０年電子情報通信学会秋季全国大会講演論文集 ［分冊４］通信・エレクトロニクス ｐ．４−２５８麦漢明ｅｔ．ａｌ．，「Ｃ−２１６半導体方向性結合器光モードスプリッタ」 |
| １９９１年電子情報通信学会春季全国大会講演論文集 ［分冊４］通信・エレクトロニクス ｐ．４−２４１麦漢明ｅｔ．ａｌ．，「Ｃ−２２４ 高消光比方向性結合型光機能素子」 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04355731A (ja) | 1992-12-09 |
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