JP2994077B2 - 方向性結合器型光機能素子およびその駆動方法 - Google Patents
方向性結合器型光機能素子およびその駆動方法Info
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は新規構造の方向性結合器
型光機能素子とその駆動方法に関し、更に詳しくは、光
スイッチ，光偏波スプリッタ，光変調器，光合分波器な
どに用いて高消光比特性を実現することができる方向性
結合器型光機能素子とその駆動方法に関する。
型光機能素子とその駆動方法に関し、更に詳しくは、光
スイッチ，光偏波スプリッタ，光変調器，光合分波器な
どに用いて高消光比特性を実現することができる方向性
結合器型光機能素子とその駆動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、導波路型の方向性結合器構造を有
する各種の光機能素子が開発され、それを用いた光スイ
ッチ，光偏波スプリッタ，光変調器，光合分波器などが
提案されている。従来の２入力・２出力方向性結合器型
の光機能素子例の平面パターンを図６に示す。
する各種の光機能素子が開発され、それを用いた光スイ
ッチ，光偏波スプリッタ，光変調器，光合分波器などが
提案されている。従来の２入力・２出力方向性結合器型
の光機能素子例の平面パターンを図６に示す。
【０００３】図６において、互いに等しい路幅Ｗを有す
る２本の光導波路Ａ，Ｂがエバネッセント結合可能な間
隔Ｇを置いて互いに近接して平行配置されることによ
り、長さＬの結合部Ｃ0 が構成されている。結合部Ｃ0
における光導波路Ａ，Ｂのそれぞれ入射端Ａ1 ，Ｂ1 お
よび出射端Ａ2 ，Ｂ2 には、路幅がＷで曲率半径Ｒの曲
線光導波路Ｄ1 ，Ｄ2 ，Ｄ3 ，Ｄ4 がそれぞれ光接続さ
れて入射側リード部Ｃ1 ，出射側リード部Ｃ2を形成し
ている。更に、曲線光導波路Ｄ1 ，Ｄ2 ，Ｄ3 ，Ｄ4 に
は、それぞれ、路幅がＷの直線光導波路Ｅ1 ，Ｅ2 ，Ｅ
3 ，Ｅ4 が互いの路幅中心間の距離ＧF の間隔で光接続
されている。そして、結合部Ｃ0 における光導波路Ａ，
Ｂの上には、電極Ｆ1 ，Ｆ2 ，Ｆ3 ，Ｆ4 が装荷されて
いる。これら電極Ｆ1 〜Ｆ4 は、ここから所定の電気信
号を導入することにより、それぞれの直下に位置する光
導波路の伝搬定数を必要な値に制御するための伝搬定数
制御手段として機能する。
る２本の光導波路Ａ，Ｂがエバネッセント結合可能な間
隔Ｇを置いて互いに近接して平行配置されることによ
り、長さＬの結合部Ｃ0 が構成されている。結合部Ｃ0
における光導波路Ａ，Ｂのそれぞれ入射端Ａ1 ，Ｂ1 お
よび出射端Ａ2 ，Ｂ2 には、路幅がＷで曲率半径Ｒの曲
線光導波路Ｄ1 ，Ｄ2 ，Ｄ3 ，Ｄ4 がそれぞれ光接続さ
れて入射側リード部Ｃ1 ，出射側リード部Ｃ2を形成し
ている。更に、曲線光導波路Ｄ1 ，Ｄ2 ，Ｄ3 ，Ｄ4 に
は、それぞれ、路幅がＷの直線光導波路Ｅ1 ，Ｅ2 ，Ｅ
3 ，Ｅ4 が互いの路幅中心間の距離ＧF の間隔で光接続
されている。そして、結合部Ｃ0 における光導波路Ａ，
Ｂの上には、電極Ｆ1 ，Ｆ2 ，Ｆ3 ，Ｆ4 が装荷されて
いる。これら電極Ｆ1 〜Ｆ4 は、ここから所定の電気信
号を導入することにより、それぞれの直下に位置する光
導波路の伝搬定数を必要な値に制御するための伝搬定数
制御手段として機能する。
【０００４】ここで、直線皮下導波路Ｅ1 を入射ポート
にすると、出射側リード部Ｃ2 に接続する直線光導波路
Ｅ3 ，Ｅ4はそれぞれスルーポートとクロスポートにな
る。また直線光導波路Ｅ2 を入射ポートにすると、直線
光導波路Ｅ3 ，Ｅ4 はそれぞれクロスポートとスルーポ
ートになる。上記したこれらの素子を現在実施段階に入
りつつあるファイバ通信システムに組込むためには、漏
話による誤り発生を防止することが必要になる。したが
って、低漏話、すなわち高消光比特性を有する素子が必
要になる。
にすると、出射側リード部Ｃ2 に接続する直線光導波路
Ｅ3 ，Ｅ4はそれぞれスルーポートとクロスポートにな
る。また直線光導波路Ｅ2 を入射ポートにすると、直線
光導波路Ｅ3 ，Ｅ4 はそれぞれクロスポートとスルーポ
ートになる。上記したこれらの素子を現在実施段階に入
りつつあるファイバ通信システムに組込むためには、漏
話による誤り発生を防止することが必要になる。したが
って、低漏話、すなわち高消光比特性を有する素子が必
要になる。
【０００５】ところで、図６で示した素子の場合、電極
Ｆ1 ，Ｆ2 ，Ｆ3 ，Ｆ4 から適当な電気信号を導入する
ことによって、理論的には、完全なクロス状態を実現す
ることは可能である。しかしながら、スルー状態の場合
は、入射側リード部Ｃ1 ，出射側リード部Ｃ2 におい
て、わずかではあるが結合が生ずるため、完全なスルー
状態を実現することができず、その消光比は１５〜３０
ｄＢ程度である。
Ｆ1 ，Ｆ2 ，Ｆ3 ，Ｆ4 から適当な電気信号を導入する
ことによって、理論的には、完全なクロス状態を実現す
ることは可能である。しかしながら、スルー状態の場合
は、入射側リード部Ｃ1 ，出射側リード部Ｃ2 におい
て、わずかではあるが結合が生ずるため、完全なスルー
状態を実現することができず、その消光比は１５〜３０
ｄＢ程度である。
【０００６】このように、従来の素子は、スルー状態ま
たはクロス状態のいずれかの状態で消光比が低くなり、
両方の状態で高い消光比特性を示すということはない。
そして、光機能素子における消光比特性は、スルー状態
またはクロス状態の消光比のうち低い消光比で規定され
るので、結局、素子全体の消光比としては低い値しか得
られないことになる。
たはクロス状態のいずれかの状態で消光比が低くなり、
両方の状態で高い消光比特性を示すということはない。
そして、光機能素子における消光比特性は、スルー状態
またはクロス状態の消光比のうち低い消光比で規定され
るので、結局、素子全体の消光比としては低い値しか得
られないことになる。
【０００７】ここでいう消光比とは、スルーポートの出
力パワーを｜ｒ｜2 とし、クロスポートの出力パワーを
｜ｓ｜2 としたとき、次式： １０１og10（ ｜ｒ｜2 ／｜ｓ｜2 ） で算出される値をいう。上記した構造の光機能素子にお
いても、比較的高い消光比特性を有するものとしては、
例えば、P. GranestrandらがTech Dig. ＩＧＷＯ’８６
で発表した消光比２７ｄＢ程度の光スイッチや、H. M.
Mak らが電子情報通信学会１９９０秋季全国大会Ｃ−２
１６で発表した消光比２８ｄＢ程度の光偏波スプリッタ
などが知られている。
力パワーを｜ｒ｜2 とし、クロスポートの出力パワーを
｜ｓ｜2 としたとき、次式： １０１og10（ ｜ｒ｜2 ／｜ｓ｜2 ） で算出される値をいう。上記した構造の光機能素子にお
いても、比較的高い消光比特性を有するものとしては、
例えば、P. GranestrandらがTech Dig. ＩＧＷＯ’８６
で発表した消光比２７ｄＢ程度の光スイッチや、H. M.
Mak らが電子情報通信学会１９９０秋季全国大会Ｃ−２
１６で発表した消光比２８ｄＢ程度の光偏波スプリッタ
などが知られている。
【０００８】また、H. M. Mak らは、電子情報通信学会
１９９１春季全国大会Ｃ−２２４において、図７で示し
たような構造の素子を提案した。この素子は長さＬの結
合部Ｃ0 を、ｐ1 ，ｐ2 ，ｐ3 がｐ1 ＋ｐ2 ＋ｐ3 ＜１
（ただし、ｐ1 ≠０）を満足する小数またはゼロである
としたとき、長さｐ1 ×Ｌの前段部分結合部Ｃ3 ，長さ
（１−ｐ1 −ｐ2 −ｐ3 ）×Ｌ／２の前段電極付き部分
結合部Ｃ4 ，長さｐ2 ×Ｌの中央部分結合部Ｃ5 ，前記
前段電極付き部分結合部と同じ長さの後段電極付き部分
結合部Ｃ6 ，長さｐ3 ×Ｌの後段部分結合部Ｃ7 で構成
したものである。
１９９１春季全国大会Ｃ−２２４において、図７で示し
たような構造の素子を提案した。この素子は長さＬの結
合部Ｃ0 を、ｐ1 ，ｐ2 ，ｐ3 がｐ1 ＋ｐ2 ＋ｐ3 ＜１
（ただし、ｐ1 ≠０）を満足する小数またはゼロである
としたとき、長さｐ1 ×Ｌの前段部分結合部Ｃ3 ，長さ
（１−ｐ1 −ｐ2 −ｐ3 ）×Ｌ／２の前段電極付き部分
結合部Ｃ4 ，長さｐ2 ×Ｌの中央部分結合部Ｃ5 ，前記
前段電極付き部分結合部と同じ長さの後段電極付き部分
結合部Ｃ6 ，長さｐ3 ×Ｌの後段部分結合部Ｃ7 で構成
したものである。
【０００９】この素子の場合は、理論上は、少なくとも
４０ｄＢ程度の消光比を得ることができる。
４０ｄＢ程度の消光比を得ることができる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】図７で示した素子は、
たしかに理論上は高消光比を実現することができるが、
それは、上記した各部分結合部の寸法パタメータ等が理
論値と略同一になっている場合のときに限られる。しか
しながら、実際に素子を製造するときには、これら各部
分結合部等は計算上の理論値通りの寸法精度で作製でき
るとは限らず、微妙に理論値からはずれることがある。
たしかに理論上は高消光比を実現することができるが、
それは、上記した各部分結合部の寸法パタメータ等が理
論値と略同一になっている場合のときに限られる。しか
しながら、実際に素子を製造するときには、これら各部
分結合部等は計算上の理論値通りの寸法精度で作製でき
るとは限らず、微妙に理論値からはずれることがある。
【００１１】このような問題が起こると、各部分結合部
における光導波路間の実際の結合状態は、計算上求めら
れる理論的な結合状態から逸脱することになり、クロス
状態やスルー状態における消光比の低下は不可避とな
る。本発明は、図７で示した素子において、製造時にお
ける上記した寸法パラメータの精度のばらつきが引き起
こす問題を解決し、クロス状態，スルー状態のいずれに
おいても、消光比特性が３０ｄＢ以上である新規構造の
方向性結合器型光機能素子の提供を目的とする。
における光導波路間の実際の結合状態は、計算上求めら
れる理論的な結合状態から逸脱することになり、クロス
状態やスルー状態における消光比の低下は不可避とな
る。本発明は、図７で示した素子において、製造時にお
ける上記した寸法パラメータの精度のばらつきが引き起
こす問題を解決し、クロス状態，スルー状態のいずれに
おいても、消光比特性が３０ｄＢ以上である新規構造の
方向性結合器型光機能素子の提供を目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明においては、伝搬定数制御手段が装荷さ
れ、互いに等しい値の伝搬定数を有する２本の光導波路
を平行配置した結合部を備え、前記２本の光導波路の入
射端はそれぞれ曲線または直線の光導波路を光接続して
入射側リード部を形成し、また前記２本の光導波路の出
射端はそれぞれ曲線または直線の光導波路と光接続して
出射側リード部を形成している２入力・２出力方向性結
合器型光機能素子において、前記入射側リード部および
前記出射側リード部の各光導波路にモード結合抑圧手段
が装荷されていることを特徴とする方向性結合器型光機
能素子が提供され、また、上記光機能素子の前記伝搬定
数制御手段に必要な駆動用電気信号を導入し、前記入射
側リード部の２本の光導波路のうち、光が入射していな
い光導波路のモード結合抑圧手段を動作し、かつ前記出
射側リード部の２本の光導波路のうち、クロスポート側
の光導波路のモード結合抑圧手段を動作して、高消光比
のスルー状態を実現することを特徴とする上記方向性結
合器型光機能素子の駆動方法、および、上記光機能素子
の前記伝搬定数制御手段に必要な駆動用電気信号を導入
し、前記入射側リード部の２本の光導波路のうち、光が
入射していない光導波路のモード結合抑圧手段を動作
し、かつ前記出射側リード部の２本の光導波路のうち、
スルーポート側の光導波路のモード結合抑圧手段を動作
して、高消光比のクロス状態を実現することを特徴とす
る上記方向性結合器型光機能素子の駆動方法が提供され
る。
ために、本発明においては、伝搬定数制御手段が装荷さ
れ、互いに等しい値の伝搬定数を有する２本の光導波路
を平行配置した結合部を備え、前記２本の光導波路の入
射端はそれぞれ曲線または直線の光導波路を光接続して
入射側リード部を形成し、また前記２本の光導波路の出
射端はそれぞれ曲線または直線の光導波路と光接続して
出射側リード部を形成している２入力・２出力方向性結
合器型光機能素子において、前記入射側リード部および
前記出射側リード部の各光導波路にモード結合抑圧手段
が装荷されていることを特徴とする方向性結合器型光機
能素子が提供され、また、上記光機能素子の前記伝搬定
数制御手段に必要な駆動用電気信号を導入し、前記入射
側リード部の２本の光導波路のうち、光が入射していな
い光導波路のモード結合抑圧手段を動作し、かつ前記出
射側リード部の２本の光導波路のうち、クロスポート側
の光導波路のモード結合抑圧手段を動作して、高消光比
のスルー状態を実現することを特徴とする上記方向性結
合器型光機能素子の駆動方法、および、上記光機能素子
の前記伝搬定数制御手段に必要な駆動用電気信号を導入
し、前記入射側リード部の２本の光導波路のうち、光が
入射していない光導波路のモード結合抑圧手段を動作
し、かつ前記出射側リード部の２本の光導波路のうち、
スルーポート側の光導波路のモード結合抑圧手段を動作
して、高消光比のクロス状態を実現することを特徴とす
る上記方向性結合器型光機能素子の駆動方法が提供され
る。
【００１３】本発明の光機能素子の基本構成を平面パタ
ーン図として図１に示す。図から明らかなように、本発
明の光機能素子の平面パターンは、入射側リード部
Ｃ1 、出射側リード部Ｃ2 が後述するような構成をとる
ことを除いては、図６で示した従来の２入力・２出力方
向性結合器型光機能素子と変わることはない。まず、結
合器Ｃ0 においては、等幅（路幅Ｗ）の２本の光導波路
Ａ，Ｂが微小間隔Ｇで平行配置され、これら２本の光導
波路Ａ，Ｂの入射端Ａ1 ，Ｂ1 には路幅Ｗ，曲率半径Ｒ
で曲線光導波路Ｄ1 ，Ｄ2 が光接続されて入射側リード
部Ｃ1を構成し、これら光導波路Ｄ1 ，Ｄ2 にはそれぞ
れ直線光導波路Ｅ1 ，Ｅ2 が路幅中心間の距離Ｇf で光
接続されて入射ポートになっている。光導波路Ａ，光導
波路Ｂのそれぞれの出射端Ａ2 ，Ｂ2 には居率半径がＲ
で路幅Ｗの曲線光導波路Ｄ3 ，Ｄ4 が光接続されて出射
側リード部Ｃ2 を構成し、更にこれら曲線光導波路
Ｄ3 ，Ｄ4 には、路幅Ｗの直線光導波路Ｅ3 ，Ｅ4 が路
幅中心間の距離ＧF でそれぞれ光接続されて、スルーポ
ート（Ｅ3 ）とクロスポート（Ｅ4 ）を構成している。
ーン図として図１に示す。図から明らかなように、本発
明の光機能素子の平面パターンは、入射側リード部
Ｃ1 、出射側リード部Ｃ2 が後述するような構成をとる
ことを除いては、図６で示した従来の２入力・２出力方
向性結合器型光機能素子と変わることはない。まず、結
合器Ｃ0 においては、等幅（路幅Ｗ）の２本の光導波路
Ａ，Ｂが微小間隔Ｇで平行配置され、これら２本の光導
波路Ａ，Ｂの入射端Ａ1 ，Ｂ1 には路幅Ｗ，曲率半径Ｒ
で曲線光導波路Ｄ1 ，Ｄ2 が光接続されて入射側リード
部Ｃ1を構成し、これら光導波路Ｄ1 ，Ｄ2 にはそれぞ
れ直線光導波路Ｅ1 ，Ｅ2 が路幅中心間の距離Ｇf で光
接続されて入射ポートになっている。光導波路Ａ，光導
波路Ｂのそれぞれの出射端Ａ2 ，Ｂ2 には居率半径がＲ
で路幅Ｗの曲線光導波路Ｄ3 ，Ｄ4 が光接続されて出射
側リード部Ｃ2 を構成し、更にこれら曲線光導波路
Ｄ3 ，Ｄ4 には、路幅Ｗの直線光導波路Ｅ3 ，Ｅ4 が路
幅中心間の距離ＧF でそれぞれ光接続されて、スルーポ
ート（Ｅ3 ）とクロスポート（Ｅ4 ）を構成している。
【００１４】なお本発明においては、入射側リード部Ｃ
1 および出射側リード部Ｃ2 は図のような曲線光導波路
で構成することに限定されることなく、例えば、入射端
Ａ1 ，Ｂ1 や出射端Ａ2 ，Ｂ2 から直線光導波路Ｅ1 ，
Ｅ2 やＥ3 ，Ｅ4 までを微小テーパ角θから成る直線光
導波路を介装して構成してもよい。これら各光導波路
は、いずれも電気光学効果を発現する材料や電気信号を
導入してその屈折率制御が可能な構造の材料で構成され
ていて、しかも、自然状態においては、互いの伝搬定数
は等しくなっている。例えばＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓの
ような半導体材料をＭＯＣＶＤ法で多層に積層して形成
することができる。
1 および出射側リード部Ｃ2 は図のような曲線光導波路
で構成することに限定されることなく、例えば、入射端
Ａ1 ，Ｂ1 や出射端Ａ2 ，Ｂ2 から直線光導波路Ｅ1 ，
Ｅ2 やＥ3 ，Ｅ4 までを微小テーパ角θから成る直線光
導波路を介装して構成してもよい。これら各光導波路
は、いずれも電気光学効果を発現する材料や電気信号を
導入してその屈折率制御が可能な構造の材料で構成され
ていて、しかも、自然状態においては、互いの伝搬定数
は等しくなっている。例えばＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓの
ような半導体材料をＭＯＣＶＤ法で多層に積層して形成
することができる。
【００１５】結合部Ｃ0 では、各光導波路Ａ，Ｂに電極
Ｆ1 ，Ｆ2 ，Ｆ3 ，Ｆ4 を反転Δβ構造に装荷すること
により、これらで伝搬定数制御手段を構成している。す
なわち、これらの電極から所定の電気信号を導入するこ
とにより、その直下に位置する光導波路の伝搬定数を変
化させることができるようになっている。例えば、各光
導波路Ａ，Ｂが半導体材料で構成されている場合には、
図２で示したように、電極Ｆ1 と電極Ｆ4 ，電極Ｆ2 と
電極Ｆ3 をそれぞれリードｆ1 ，ｆ2 で接続すればよ
い。
Ｆ1 ，Ｆ2 ，Ｆ3 ，Ｆ4 を反転Δβ構造に装荷すること
により、これらで伝搬定数制御手段を構成している。す
なわち、これらの電極から所定の電気信号を導入するこ
とにより、その直下に位置する光導波路の伝搬定数を変
化させることができるようになっている。例えば、各光
導波路Ａ，Ｂが半導体材料で構成されている場合には、
図２で示したように、電極Ｆ1 と電極Ｆ4 ，電極Ｆ2 と
電極Ｆ3 をそれぞれリードｆ1 ，ｆ2 で接続すればよ
い。
【００１６】本発明の光機能素子は、入射側リード部Ｃ
1 の各光導波路Ｄ1 とＤ2 および出射側リード部Ｃ2 の
各光導波路Ｄ3 ，Ｄ4 に、それぞれ電極Ｆ5 ，Ｆ6 ，Ｆ
7 ，Ｆ8 を装荷することにより、モード結合抑圧手段が
構成されている。すなわち、電極Ｆ5 ，Ｆ6 または電極
Ｆ7 ，Ｆ8 のいずれかから例えば所定の順方向電流を注
入すると、その電極直下に位置する光導波路Ｄ1 ，
Ｄ2 、光導波路Ｄ3 ，Ｄ4 においては、プラズマ効果や
バンドフィリング効果が発現して屈折率低下が引き起こ
されるため、光導波路Ｄ1 ，Ｄ2 または光導波路Ｄ3 ，
Ｄ4 間における結合が非対称になり、結果として、光導
波路Ｄ1 ，Ｄ2 または光導波路Ｄ3 ，Ｄ4 間の光のモー
ド結合は抑圧される。
1 の各光導波路Ｄ1 とＤ2 および出射側リード部Ｃ2 の
各光導波路Ｄ3 ，Ｄ4 に、それぞれ電極Ｆ5 ，Ｆ6 ，Ｆ
7 ，Ｆ8 を装荷することにより、モード結合抑圧手段が
構成されている。すなわち、電極Ｆ5 ，Ｆ6 または電極
Ｆ7 ，Ｆ8 のいずれかから例えば所定の順方向電流を注
入すると、その電極直下に位置する光導波路Ｄ1 ，
Ｄ2 、光導波路Ｄ3 ，Ｄ4 においては、プラズマ効果や
バンドフィリング効果が発現して屈折率低下が引き起こ
されるため、光導波路Ｄ1 ，Ｄ2 または光導波路Ｄ3 ，
Ｄ4 間における結合が非対称になり、結果として、光導
波路Ｄ1 ，Ｄ2 または光導波路Ｄ3 ，Ｄ4 間の光のモー
ド結合は抑圧される。
【００１７】上記した順方向電流の注入値を変化させる
と、このモード結合の抑圧状態も変化し、例えばより一
層大きな順方向電流を注入していくと、あるレベルで光
導波路が等価的に存在しなくなる状態、すなわちモード
結合がゼロの状態を得ることができる。このときの状態
は、モード結合抑圧の状態の極限状態であり、モードカ
ットオフ状態と呼ぶ。
と、このモード結合の抑圧状態も変化し、例えばより一
層大きな順方向電流を注入していくと、あるレベルで光
導波路が等価的に存在しなくなる状態、すなわちモード
結合がゼロの状態を得ることができる。このときの状態
は、モード結合抑圧の状態の極限状態であり、モードカ
ットオフ状態と呼ぶ。
【００１８】
【作用】本発明の光機能素子においては、入射リード部
Ｃ1 と出射リード部Ｃ2 は対称になっているので、結合
部Ｃ0 の電極Ｆ1 〜Ｆ4 に適当な電気信号を導入して駆
動させると、理論的には、完全なクロス状態を得ること
ができる。しかしながら、入射側リード部Ｃ1 と出射リ
ード部Ｃ2 においては、それぞれ、わずかではあるが結
合を生じているため、スルー状態における消光比特性は
劣化する。したがって、スルー状態で高消光比を得るた
めには、前記した結合を除去することが必要になる。
Ｃ1 と出射リード部Ｃ2 は対称になっているので、結合
部Ｃ0 の電極Ｆ1 〜Ｆ4 に適当な電気信号を導入して駆
動させると、理論的には、完全なクロス状態を得ること
ができる。しかしながら、入射側リード部Ｃ1 と出射リ
ード部Ｃ2 においては、それぞれ、わずかではあるが結
合を生じているため、スルー状態における消光比特性は
劣化する。したがって、スルー状態で高消光比を得るた
めには、前記した結合を除去することが必要になる。
【００１９】本発明の光機能素子の場合、上記した状態
において、入射リード部Ｃ1 の光導波路Ｄ1 ，Ｄ2 のう
ち、光が入射していない光導波路（これを光導波路Ｄ2
とする）のモード結合抑圧手段（図では、電極Ｆ6 ）を
動作して入射側リード部Ｃ1 における結合を除去し、か
つ、出射側リード部Ｃ2 のクロスポート（図では、光導
波路Ｅ4 ）と接続する光導波路Ｄ4 のモード結合抑圧手
段（電極Ｆ8 ）を動作して出射側リード部Ｃ2 における
結合を除去する。このように駆動することにより、入射
側リード部Ｃ1 ，出射側リード部Ｃ2 のわずかな結合は
完全に除去されるので、結合部Ｃ0 の電極駆動により、
高消光比のスルー状態が得られるようになる。
において、入射リード部Ｃ1 の光導波路Ｄ1 ，Ｄ2 のう
ち、光が入射していない光導波路（これを光導波路Ｄ2
とする）のモード結合抑圧手段（図では、電極Ｆ6 ）を
動作して入射側リード部Ｃ1 における結合を除去し、か
つ、出射側リード部Ｃ2 のクロスポート（図では、光導
波路Ｅ4 ）と接続する光導波路Ｄ4 のモード結合抑圧手
段（電極Ｆ8 ）を動作して出射側リード部Ｃ2 における
結合を除去する。このように駆動することにより、入射
側リード部Ｃ1 ，出射側リード部Ｃ2 のわずかな結合は
完全に除去されるので、結合部Ｃ0 の電極駆動により、
高消光比のスルー状態が得られるようになる。
【００２０】また、何らかの理由で入射側リード部Ｃ1
と出射側リード部Ｃ2 が非対称になっている場合におい
て、高消光比のクロス状態を得る場合には、前記したス
ルー状態のときと同じように、まず、入射リード部Ｃ1
の光導波路Ｄ1 ，Ｄ2 のうち、光が入射していない光導
波路（これを光導波路Ｄ2 とする）のモード結合抑圧手
段（図では、電極Ｆ6 ）を動作して入射側リード部Ｃ1
における結合を除去し、かつ、出射側リード部Ｃ2 のス
ルーポート（図では、光導波路Ｅ3 ）と接続する光導波
路Ｄ3 のモード結合抑圧手段（電極Ｆ7 ）を動作して、
出射側リード部Ｃ2 における結合を除去する。このよう
に駆動することにより、入射側リード部Ｃ1 ，出射側リ
ード部Ｃ2 のわずかな結合はいずれも完全に除去される
ので、結合部Ｃ0 の電極駆動により、高消光比のクロス
状態が得られるようになる。
と出射側リード部Ｃ2 が非対称になっている場合におい
て、高消光比のクロス状態を得る場合には、前記したス
ルー状態のときと同じように、まず、入射リード部Ｃ1
の光導波路Ｄ1 ，Ｄ2 のうち、光が入射していない光導
波路（これを光導波路Ｄ2 とする）のモード結合抑圧手
段（図では、電極Ｆ6 ）を動作して入射側リード部Ｃ1
における結合を除去し、かつ、出射側リード部Ｃ2 のス
ルーポート（図では、光導波路Ｅ3 ）と接続する光導波
路Ｄ3 のモード結合抑圧手段（電極Ｆ7 ）を動作して、
出射側リード部Ｃ2 における結合を除去する。このよう
に駆動することにより、入射側リード部Ｃ1 ，出射側リ
ード部Ｃ2 のわずかな結合はいずれも完全に除去される
ので、結合部Ｃ0 の電極駆動により、高消光比のクロス
状態が得られるようになる。
【００２１】なお、上記したモード結合抑圧手段を動作
させるときには、光のモード結合をゼロにするように、
すなわちモードカットオフ状態が実現するような状態に
動作させると、上記した入射側リード部Ｃ1 と出射側リ
ード部Ｃ2 におけるわずかな結合を完全に除去すること
ができ、消光比特性を一層高めることができて有効であ
る。
させるときには、光のモード結合をゼロにするように、
すなわちモードカットオフ状態が実現するような状態に
動作させると、上記した入射側リード部Ｃ1 と出射側リ
ード部Ｃ2 におけるわずかな結合を完全に除去すること
ができ、消光比特性を一層高めることができて有効であ
る。
【００２２】
【実施例】実施例１ 図３の平面パターン図で示すような光機能素子を製造し
た。図において、結合部Ｃ0 の長さは6.０mm、光導波路
Ａ，Ｂの間隔Ｇは3.５μｍ、入射ポートＥ1 と入射ポー
トＥ2 の路幅中心間の距離Ｇf 、スルーポートＥ3 とク
ロスポートＥ4 の路幅中心間の距離ＧF はいずれも２５
０μｍ、入射側リード部Ｃ1 ，出射側リード部Ｃ2 をそ
れぞれ構成する、曲線光導波路Ｄ1 ，Ｄ2 とＤ3 ，Ｄ4
の曲率半径Ｒ0 ，Ｒ1 はいずれも５０μｍ、路幅Ｗは７
μｍである。各電極間のギャップｇは3.０μｍである。
た。図において、結合部Ｃ0 の長さは6.０mm、光導波路
Ａ，Ｂの間隔Ｇは3.５μｍ、入射ポートＥ1 と入射ポー
トＥ2 の路幅中心間の距離Ｇf 、スルーポートＥ3 とク
ロスポートＥ4 の路幅中心間の距離ＧF はいずれも２５
０μｍ、入射側リード部Ｃ1 ，出射側リード部Ｃ2 をそ
れぞれ構成する、曲線光導波路Ｄ1 ，Ｄ2 とＤ3 ，Ｄ4
の曲率半径Ｒ0 ，Ｒ1 はいずれも５０μｍ、路幅Ｗは７
μｍである。各電極間のギャップｇは3.０μｍである。
【００２３】この結合部Ｃ0 ならびに入射側リード部Ｃ
1 と出射側リード部Ｃ2 は、それぞれ、図３のIV−IV線
に沿う断面図である図４、Ｖ−Ｖ線に沿う断面図である
図５で示したような構成になっている。すなわち、Ａｕ
ＧｅＮｉ／Ａｕから成る下部電極１の上に、ＭＯＣＶＤ
法によって、ｎ+ ＧａＡｓから成る基板２，ｎ+ ＧａＡ
ｓから成る厚み0.５μｍのバッファ層３，ｎ+ ＧａＡｌ
Ａｓから成る厚み3.０μｍの下部クラッド層４，ｎ- Ｇ
ａＡｓから成る厚み1.０μｍのコア層５がこの順序で積
層されている。更にこのコア層５の上には、ｎ- ＧａＡ
ｌＡｓから成るクラッド６ａ，ｐ- ＧａＡｌＡｓから成
るクラッド６ｂ，ｐ+ ＧａＡｓから成るキャップ６ｃが
順次ＭＯＣＶＤ法で積層されて上部クラッド層６を形成
し、その上面はＳｉＯ2 膜のような絶縁膜７で被覆され
ることにより、路幅がＷである２本の光導波路Ａ，Ｂが
間隔Ｇでリッジ状に形成されている。
1 と出射側リード部Ｃ2 は、それぞれ、図３のIV−IV線
に沿う断面図である図４、Ｖ−Ｖ線に沿う断面図である
図５で示したような構成になっている。すなわち、Ａｕ
ＧｅＮｉ／Ａｕから成る下部電極１の上に、ＭＯＣＶＤ
法によって、ｎ+ ＧａＡｓから成る基板２，ｎ+ ＧａＡ
ｓから成る厚み0.５μｍのバッファ層３，ｎ+ ＧａＡｌ
Ａｓから成る厚み3.０μｍの下部クラッド層４，ｎ- Ｇ
ａＡｓから成る厚み1.０μｍのコア層５がこの順序で積
層されている。更にこのコア層５の上には、ｎ- ＧａＡ
ｌＡｓから成るクラッド６ａ，ｐ- ＧａＡｌＡｓから成
るクラッド６ｂ，ｐ+ ＧａＡｓから成るキャップ６ｃが
順次ＭＯＣＶＤ法で積層されて上部クラッド層６を形成
し、その上面はＳｉＯ2 膜のような絶縁膜７で被覆され
ることにより、路幅がＷである２本の光導波路Ａ，Ｂが
間隔Ｇでリッジ状に形成されている。
【００２４】なお、各光導波路の高さｈは、いずれの光
導波路においても1.０μｍとした。電極Ｆ1 ，Ｆ2 ，Ｆ
3 ，Ｆ4 が装荷される個所は、図４で示したように、光
導波路Ａ，Ｂを被覆する絶縁膜７の一部をスリット状に
除去して窓７ａ，７ｂを形成し、ここからキャップ６ｃ
の上面にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを例えば、蒸着して電極
Ｆ3 ，Ｆ4 （Ｆ1 ，Ｆ2 ）を形成する。そして電極Ｆ3
と電極Ｆ2 をリードｆ1 で、電極Ｆ4 と電極Ｆ1 をリー
ドｆ2 でそれぞれ接続することにより反転Δβ構造と
し、伝搬定数制御手段を構成する（図３）。
導波路においても1.０μｍとした。電極Ｆ1 ，Ｆ2 ，Ｆ
3 ，Ｆ4 が装荷される個所は、図４で示したように、光
導波路Ａ，Ｂを被覆する絶縁膜７の一部をスリット状に
除去して窓７ａ，７ｂを形成し、ここからキャップ６ｃ
の上面にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを例えば、蒸着して電極
Ｆ3 ，Ｆ4 （Ｆ1 ，Ｆ2 ）を形成する。そして電極Ｆ3
と電極Ｆ2 をリードｆ1 で、電極Ｆ4 と電極Ｆ1 をリー
ドｆ2 でそれぞれ接続することにより反転Δβ構造と
し、伝搬定数制御手段を構成する（図３）。
【００２５】入射側リード部Ｃ1 および出射側リード部
Ｃ2 においては、図５で示したように、光導波路Ｄ1 ，
Ｄ2 およびＤ3 ，Ｄ4 を被覆する絶縁膜７の一部をスリ
ット状に除去して窓７ａ，７ｂを形成し、ここからキャ
ップ６ｃの上面にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを蒸着して電極
Ｆ5 ，Ｆ6 およびＦ7 ，Ｆ8 を形成する。そして、これ
らの各電極Ｆ5 ，Ｆ6 ，Ｆ7 ，Ｆ8 は、それぞれ独立し
て電気信号の導入システムと接続され、電極Ｆ5 は光導
波路Ｄ3 のモード結合抑圧手段，電極Ｆ6 は光導波路Ｄ
4 のモード結合抑圧手段，電極Ｆ7 は光導波路Ｄ3 のモ
ード結合抑圧手段，電極Ｆ8 は光導波路Ｄ4 のモード結
合抑圧手段として構成されている。
Ｃ2 においては、図５で示したように、光導波路Ｄ1 ，
Ｄ2 およびＤ3 ，Ｄ4 を被覆する絶縁膜７の一部をスリ
ット状に除去して窓７ａ，７ｂを形成し、ここからキャ
ップ６ｃの上面にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕを蒸着して電極
Ｆ5 ，Ｆ6 およびＦ7 ，Ｆ8 を形成する。そして、これ
らの各電極Ｆ5 ，Ｆ6 ，Ｆ7 ，Ｆ8 は、それぞれ独立し
て電気信号の導入システムと接続され、電極Ｆ5 は光導
波路Ｄ3 のモード結合抑圧手段，電極Ｆ6 は光導波路Ｄ
4 のモード結合抑圧手段，電極Ｆ7 は光導波路Ｄ3 のモ
ード結合抑圧手段，電極Ｆ8 は光導波路Ｄ4 のモード結
合抑圧手段として構成されている。
【００２６】このようにして形成された光導波路におい
ては、クラッド６ａとクラッド６ｂの界面がｐｎ接合界
面６ｄになっている。したがって今、電極Ｆ1 ，Ｆ2 ，
Ｆ3 ，Ｆ4 から所定の電気信号を導入すると、ｐｎ接合
界面では電気光学効果、プラズマ効果やバンドフィリン
グ効果などが発現して電極直下に位置するコア層５の屈
折率が変化して、光導波路Ａ，Ｂ間に伝搬定数差Δβが
生じ、光の結合状態が変化する。
ては、クラッド６ａとクラッド６ｂの界面がｐｎ接合界
面６ｄになっている。したがって今、電極Ｆ1 ，Ｆ2 ，
Ｆ3 ，Ｆ4 から所定の電気信号を導入すると、ｐｎ接合
界面では電気光学効果、プラズマ効果やバンドフィリン
グ効果などが発現して電極直下に位置するコア層５の屈
折率が変化して、光導波路Ａ，Ｂ間に伝搬定数差Δβが
生じ、光の結合状態が変化する。
【００２７】この素子において、入射ポートＥ0 に波長
1.３μｍのＴＥモード光を励起し、電極Ｆ1 〜Ｆ4 に逆
バイアス電圧を印加して電気光学効果のみを発現せしめ
た場合、理論計算によると、クロス状態では６０ｄＢ以
上、スルー状態では３０ｄＢ以上のスイッチング特性が
得られる。しかしながら、実際には、逆バイアス電圧印
加して結合部Ｃ0 を駆動した場合、クロス状態における
駆動電圧が−７Ｖのときは消光比３０ｄＢ以上である
が、しかしスルー状態では、駆動電圧が−１５Ｖのとき
は消光比２０ｄＢ程度であり、とくにスルー状態での消
光比劣化が大きくなった。
1.３μｍのＴＥモード光を励起し、電極Ｆ1 〜Ｆ4 に逆
バイアス電圧を印加して電気光学効果のみを発現せしめ
た場合、理論計算によると、クロス状態では６０ｄＢ以
上、スルー状態では３０ｄＢ以上のスイッチング特性が
得られる。しかしながら、実際には、逆バイアス電圧印
加して結合部Ｃ0 を駆動した場合、クロス状態における
駆動電圧が−７Ｖのときは消光比３０ｄＢ以上である
が、しかしスルー状態では、駆動電圧が−１５Ｖのとき
は消光比２０ｄＢ程度であり、とくにスルー状態での消
光比劣化が大きくなった。
【００２８】そこで入射側ポートＥ1 に光を入射し、駆
動電圧が−７Ｖの前記クロス状態において、電極Ｆ6 と
電極Ｆ7 から適当な値の順方向電流を注入して光導波路
Ｄ2 と光導波路Ｄ3 をモードカットオフの状態にした。
その結果、この光機能素子は、消光比が３０ｄＢ以上の
クロス状態で駆動した。また入射側ポートＥ1 に光を入
射し、駆動電圧が−１５Ｖの前記スルー状態において、
電極Ｆ6 と電極Ｆ8 から適当な値の順方向電流を注入し
て光導波路Ｄ2 と光導波路Ｄ4 をモードカットオフの状
態にした。その結果、この光機能素子は、消光比が３０
ｄＢ以上のスルー状態で駆動した。
動電圧が−７Ｖの前記クロス状態において、電極Ｆ6 と
電極Ｆ7 から適当な値の順方向電流を注入して光導波路
Ｄ2 と光導波路Ｄ3 をモードカットオフの状態にした。
その結果、この光機能素子は、消光比が３０ｄＢ以上の
クロス状態で駆動した。また入射側ポートＥ1 に光を入
射し、駆動電圧が−１５Ｖの前記スルー状態において、
電極Ｆ6 と電極Ｆ8 から適当な値の順方向電流を注入し
て光導波路Ｄ2 と光導波路Ｄ4 をモードカットオフの状
態にした。その結果、この光機能素子は、消光比が３０
ｄＢ以上のスルー状態で駆動した。
【００２９】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
方向性結合器型光機能素子は、伝搬定数制御手段が装荷
され、互いに等しい値の伝搬定数を有する２本の光導波
路を平行配置した結合部を備え、前記２本の光導波路の
入射端はそれぞれ曲線または直線の光導波路を光接続し
て入射側リード部を形成し、また前記２本の光導波路の
出射端はそれぞれ曲線または直線の光導波路と光接続し
て出射側リード部を形成している２入力・２出力方向性
結合器型光機能素子において、前記入射側リード部およ
び前記出射側リード部の各光導波路にモード結合抑圧手
段が装荷されていることを特徴とするので、前記結合部
の伝搬定数制御手段を駆動させて、全体の素子をクロス
状態またはスルー状態に保持しつつ、前記モード結合抑
圧手段を動作することにより、入射側リード部と出射側
リード部で発生するわずかな結合を除去することが可能
となり、その結果、クロス状態，スルー状態のいずれに
おいても３０ｄＢ以上の高消光比特性を実現することが
できる。
方向性結合器型光機能素子は、伝搬定数制御手段が装荷
され、互いに等しい値の伝搬定数を有する２本の光導波
路を平行配置した結合部を備え、前記２本の光導波路の
入射端はそれぞれ曲線または直線の光導波路を光接続し
て入射側リード部を形成し、また前記２本の光導波路の
出射端はそれぞれ曲線または直線の光導波路と光接続し
て出射側リード部を形成している２入力・２出力方向性
結合器型光機能素子において、前記入射側リード部およ
び前記出射側リード部の各光導波路にモード結合抑圧手
段が装荷されていることを特徴とするので、前記結合部
の伝搬定数制御手段を駆動させて、全体の素子をクロス
状態またはスルー状態に保持しつつ、前記モード結合抑
圧手段を動作することにより、入射側リード部と出射側
リード部で発生するわずかな結合を除去することが可能
となり、その結果、クロス状態，スルー状態のいずれに
おいても３０ｄＢ以上の高消光比特性を実現することが
できる。
【００３０】また、上記した高消光比実現のメカニズム
は素子の設計パラメータに無依存である。したがって、
本発明の光機能素子の製造は寸法精度の点で容易とな
り、その工業的価値は大である。なお、実施例では光ス
イッチとして駆動させる場合を説明したが、本発明の光
機能素子は、例えば電極から順方向電流の注入と逆電圧
の印加を同時に行なってＴＥモード光とＴＭモード光の
分離を行なう光偏波スプリッタとして使用することもで
きる。更に、光変調器や光合分波器として使用したとき
に、高消光比特性を得ることができる。
は素子の設計パラメータに無依存である。したがって、
本発明の光機能素子の製造は寸法精度の点で容易とな
り、その工業的価値は大である。なお、実施例では光ス
イッチとして駆動させる場合を説明したが、本発明の光
機能素子は、例えば電極から順方向電流の注入と逆電圧
の印加を同時に行なってＴＥモード光とＴＭモード光の
分離を行なう光偏波スプリッタとして使用することもで
きる。更に、光変調器や光合分波器として使用したとき
に、高消光比特性を得ることができる。
【図１】本発明の光機能素子の基本構成を示す平面パタ
ーン図である。
ーン図である。
【図２】電極の接続例を示す平面パターン図である。
【図３】実施例の光機能素子を示す平面パターン図であ
る。
る。
【図４】図３のIV−IV線に沿う断面図である。
【図５】図３のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。
【図６】従来の２入力・２出力方向性結合器の平面パタ
ーン図である。
ーン図である。
【図７】電子情報通信学会１９９１年春季全国大会Ｃ−
２２４で発表された光機能素子の平面パターン図であ
る。
２２４で発表された光機能素子の平面パターン図であ
る。
１ 下部電極 ２ 基板 ３ バッファ層 ４ 下部クラッド層 ５ コア層 ６ 上部クラッド層 ６ａ，６ｂ クラッド ６ｃ キャップ ６ｄ ｐｎ接合界面 ７ 絶縁膜 ７ａ，７ｂ 窓 Ａ 光導波路 Ａ1 光導波路Ａの入射端 Ａ2 光導波路Ａの出射端 Ｂ 光導波路 Ｂ1 光導波路Ｂの入射端 Ｂ2 光導波路Ｂの出射端 Ｄ1 ，Ｄ2 ，Ｄ3 ，Ｄ4 曲線光導波路 Ｅ1 ，Ｅ2 直線光導波路（入射ポート） Ｅ3 直線光導波路（スルーポート） Ｅ4 直線光導波路（クロスポート） Ｃ0 結合部 Ｃ1 入射側リード部 Ｃ2 出射側リード部 Ｆ1 ，Ｆ2 ，Ｆ3 ，Ｆ4 電極（伝搬定数制御手段） Ｆ5 ，Ｆ6 ，Ｆ7 ，Ｆ8 電極（モード結合抑圧手段） ｆ1 ，ｆ2 リード ｇ ギャップ ｈ 光導波路の高さ Ｗ 光導波路の路幅 Ｇ 光導波路Ａ，Ｂの間隔 Ｇf 直線光導波路Ｅ1 ，Ｅ2 の路幅中心間の間隔 ＧF 直線光導波路Ｅ3 ，Ｅ4 の路幅中心間の間隔 Ｒ0 ，Ｒ1 曲線光導波路Ｄ1 ，Ｄ2 ，Ｄ3 ，Ｄ4 の曲
率半径
率半径
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−235030（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−142333（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−308125（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−200016（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−238326（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−59933（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−13906（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−217346（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−93428（ＪＰ，Ａ) 1990年電子情報通信学会秋季全国大会 講演論文集 ［分冊４］通信・エレクト ロニクス ｐ．４−258麦漢明ｅｔ．ａ ｌ．，「Ｃ−216半導体方向性結合器光 モードスプリッタ」 1991年電子情報通信学会秋季全国大会 講演論文集 ［分冊４］通信・エレクト ロニクス ｐ．４−241麦漢明ｅｔ．ａ ｌ．，「Ｃ−224 高消光比方向性結合 型光機能素子」 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G02F 1/00 - 1/035 G02F 1/29 - 1/313 G02B 6/12 - 6/14
Claims (5)
- 【請求項１】 伝搬定数制御手段が装荷され、互いに等
しい値の伝搬定数を有する２本の光導波路を平行配置し
た結合部を備え、前記２本の光導波路の入射端はそれぞ
れ曲線または直線の光導波路を光接続して入射側リード
部を形成し、また前記２本の光導波路の出射端はそれぞ
れ曲線または直線の光導波路と光接続して出射側リード
部を形成している２入力・２出力方向性結合器型光機能
素子において、前記入射側リード部および前記出射側リ
ード部の各光導波路にモード結合抑圧手段が装荷されて
いることを特徴とする方向性結合器型光機能素子。 - 【請求項２】 前記光導波路は、いずれも電気光学効果
またはバンドフィリング効果を発現する材料から成る請
求項１の方向性結合器型光機能素子。 - 【請求項３】 請求項１の光機能素子の前記伝搬定数制
御手段に必要な駆動用電気信号を導入し、前記入射側リ
ード部の２本の光導波路のうち、光が入射していない光
導波路のモード結合抑圧手段を動作し、かつ前記出射側
リード部の２本の光導波路のうち、クロスポート側の光
導波路のモード結合抑圧手段を動作して、高消光比のス
ルー状態を実現することを特徴とする方向性結合器型光
機能素子の駆動方法。 - 【請求項４】 請求項１の光機能素子の前記伝搬定数制
御手段に必要な駆動用電気信号を導入し、前記入射側リ
ード部の２本の光導波路のうち、光が入射していない光
導波路のモード結合抑圧手段を動作し、かつ前記出射側
リード部の２本の光導波路のうち、スルーポート側の光
導波路のモード結合抑圧手段を動作して、高消光比のク
ロス状態を実現することを特徴とする方向性結合器型光
機能素子の駆動方法。 - 【請求項５】 前記モード結合抑圧手段を、モード結合
がゼロになる状態で動作させる請求項３または４の方向
性結合器型光機能素子の駆動方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13116391A JP2994077B2 (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | 方向性結合器型光機能素子およびその駆動方法 |
| US07/891,411 US5255334A (en) | 1991-06-03 | 1992-05-29 | Directional coupler type optical device and a driving method therefor |
| CA002070259A CA2070259A1 (en) | 1991-06-03 | 1992-06-02 | Directional coupler type optical device and a driving method therefor |
| EP92305080A EP0517499B1 (en) | 1991-06-03 | 1992-06-03 | Directional coupler type optical device and a driving method therefor |
| DE69216299T DE69216299T2 (de) | 1991-06-03 | 1992-06-03 | Richtkoppleroptische Vorrichtung und Steuerverfahren dafür |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13116391A JP2994077B2 (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | 方向性結合器型光機能素子およびその駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04355730A JPH04355730A (ja) | 1992-12-09 |
| JP2994077B2 true JP2994077B2 (ja) | 1999-12-27 |
Family
ID=15051480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13116391A Expired - Lifetime JP2994077B2 (ja) | 1991-06-03 | 1991-06-03 | 方向性結合器型光機能素子およびその駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2994077B2 (ja) |
-
1991
- 1991-06-03 JP JP13116391A patent/JP2994077B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| １９９０年電子情報通信学会秋季全国大会講演論文集 ［分冊４］通信・エレクトロニクス ｐ．４−２５８麦漢明ｅｔ．ａｌ．，「Ｃ−２１６半導体方向性結合器光モードスプリッタ」 |
| １９９１年電子情報通信学会秋季全国大会講演論文集 ［分冊４］通信・エレクトロニクス ｐ．４−２４１麦漢明ｅｔ．ａｌ．，「Ｃ−２２４ 高消光比方向性結合型光機能素子」 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04355730A (ja) | 1992-12-09 |
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