JPH04144296A - 半導体レーザ装置とその製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置とその製造方法Info
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- JPH04144296A JPH04144296A JP26882290A JP26882290A JPH04144296A JP H04144296 A JPH04144296 A JP H04144296A JP 26882290 A JP26882290 A JP 26882290A JP 26882290 A JP26882290 A JP 26882290A JP H04144296 A JPH04144296 A JP H04144296A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ＡｌＧａＡｓ系材料を用いた半導体レーザ
装置に関し、埋め込み成長時の再成長界面特性を向上さ
せることか可能なレーザ装置の構造とその作製方法に関
するものである。
装置に関し、埋め込み成長時の再成長界面特性を向上さ
せることか可能なレーザ装置の構造とその作製方法に関
するものである。
第６図は従来の一般に知られたＡｌＧａＡｓ系材料を用
いたリッジ導波路型半導体レーザ装置の構造を示す図で
あり、第９図はその製造フローを示す断面工程図である
。
いたリッジ導波路型半導体レーザ装置の構造を示す図で
あり、第９図はその製造フローを示す断面工程図である
。
第６図において、１はｎ型ＧａＡｓ基板であり、ｎ型Ａ
Ｉ ０．４５Ｇ ａ ０．６６Ａ Ｓ上クラッド層２
． ＡＡｏ、 ｏｖＧ ａ ０．９３Ａ Ｓ活性層３．
ｐ型Ａ Ａ ＋１．４６０ ａ ｏ、 ５ｓＡｓ上
クラッド層４ａからなるダブルヘテロ構造が基板１上に
配置される。上クラッド層４ａは順メサ壓リッジ部を有
しており、ｎ型Ｇ ａ Ａ、 ｓ電流ブロック層７がリ
ッジを埋め込むように上クラッド層４ａ上に配置される
。ｐ型ＧａＡｓ層５はリッジ上に配置され、ｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層はｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層７及びｎ
型ＧａＡｓ層５上に配置される。さらにｎ側電極１５．
ｐ側電極Ｉ６は基板工裏面およびコンタクト層９ａ上に
それぞれ設けられる。さらに対向する一対の襞間端面１
７，１８はリッジのストライプ方向に対して垂直に形成
される。
Ｉ ０．４５Ｇ ａ ０．６６Ａ Ｓ上クラッド層２
． ＡＡｏ、 ｏｖＧ ａ ０．９３Ａ Ｓ活性層３．
ｐ型Ａ Ａ ＋１．４６０ ａ ｏ、 ５ｓＡｓ上
クラッド層４ａからなるダブルヘテロ構造が基板１上に
配置される。上クラッド層４ａは順メサ壓リッジ部を有
しており、ｎ型Ｇ ａ Ａ、 ｓ電流ブロック層７がリ
ッジを埋め込むように上クラッド層４ａ上に配置される
。ｐ型ＧａＡｓ層５はリッジ上に配置され、ｐ型ＧａＡ
ｓコンタクト層はｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層７及びｎ
型ＧａＡｓ層５上に配置される。さらにｎ側電極１５．
ｐ側電極Ｉ６は基板工裏面およびコンタクト層９ａ上に
それぞれ設けられる。さらに対向する一対の襞間端面１
７，１８はリッジのストライプ方向に対して垂直に形成
される。
以下、第９図に沿って製造方法を説明する。
まず第９固唾）に示すように、（１００）ｎ型ＧａＡｓ
基板１上に、厚さ約１μｍのｎ型Ａｆｏ４５Ｇ ａ ｏ
、 ｓｓＡ ｓ上クラッド層２．厚さ約０．１μｍのＡ
！！ ６．０７Ｇ ａ ０．９３Ａ Ｓ活性層３．厚
さ約１μｍのｐ型Ａ ｌ ｏ、 ４ＳＧ ａ ｏ、 ｓ
ａＡ ｓ上クラッド層４ａ、厚さ約０．２μｍのｐ型Ｇ
ａＡｓ層５を順次、例えばＭＯＣＶＤ （有機金属気相
成長）法を用いてエピタキシャル成長する（第１回目の
エピタキシャル成長）。
基板１上に、厚さ約１μｍのｎ型Ａｆｏ４５Ｇ ａ ｏ
、 ｓｓＡ ｓ上クラッド層２．厚さ約０．１μｍのＡ
！！ ６．０７Ｇ ａ ０．９３Ａ Ｓ活性層３．厚
さ約１μｍのｐ型Ａ ｌ ｏ、 ４ＳＧ ａ ｏ、 ｓ
ａＡ ｓ上クラッド層４ａ、厚さ約０．２μｍのｐ型Ｇ
ａＡｓ層５を順次、例えばＭＯＣＶＤ （有機金属気相
成長）法を用いてエピタキシャル成長する（第１回目の
エピタキシャル成長）。
次に例えばＳｉＮやＳｉＯ□などの誘電体膜６をｐ型Ｇ
ａＡｓ層５上にバターニングし、これをマスクとして、
硫酸系エッチャントによるエツチングにより、第９図（
ｂ）に示すようなく０１１＞方向の順メサリッジ構造１
０ａを形成する。寸法としては、第９図（ｂ）において
ｈｌ＝０．２〜０．３μｍ。
ａＡｓ層５上にバターニングし、これをマスクとして、
硫酸系エッチャントによるエツチングにより、第９図（
ｂ）に示すようなく０１１＞方向の順メサリッジ構造１
０ａを形成する。寸法としては、第９図（ｂ）において
ｈｌ＝０．２〜０．３μｍ。
ｗ１＝３〜５μｍ程度となるようにする。
この後、誘電体膜６を選択成長マスクとして用い、ＭＯ
ＣＶＤ法を用いた第２回目のエピタキシャル成長により
第９図（Ｃ）に示す様に、リッジ構造１０ａを埋め込む
ようにｎ型ＧａＡｓブロック層７を成長した後、誘電体
膜６を除去し、第３回目のエピタキシャル成長により厚
さ２〜３μｍのｐ型ＧａＡｓコンタクト層８を第９図（
ｄ）に示すように形成し、さらに、基板１裏面、コンタ
クト層８表面にｎ（！！ｌ電極１５．ｐ側電極１６をそ
れぞれ設け、襞間により端面１７．１８を形成して第６
図に示すレーザ素子か完成する。
ＣＶＤ法を用いた第２回目のエピタキシャル成長により
第９図（Ｃ）に示す様に、リッジ構造１０ａを埋め込む
ようにｎ型ＧａＡｓブロック層７を成長した後、誘電体
膜６を除去し、第３回目のエピタキシャル成長により厚
さ２〜３μｍのｐ型ＧａＡｓコンタクト層８を第９図（
ｄ）に示すように形成し、さらに、基板１裏面、コンタ
クト層８表面にｎ（！！ｌ電極１５．ｐ側電極１６をそ
れぞれ設け、襞間により端面１７．１８を形成して第６
図に示すレーザ素子か完成する。
次に動作について説明する。
このリッジ導波路型半導体レーザ装置のｎ側電極１５．
ｐ側電極１６間に順方向に電圧を印加すると、電流はブ
ロック層７により狭窄されて活性層３に注入されここで
発光再結合により光を発生する。発生した光はストライ
プ状リッジに沿って導波され、かつ１対の襞間端面１７
，１８の間で反射増幅され、レーザ発振に至る。
ｐ側電極１６間に順方向に電圧を印加すると、電流はブ
ロック層７により狭窄されて活性層３に注入されここで
発光再結合により光を発生する。発生した光はストライ
プ状リッジに沿って導波され、かつ１対の襞間端面１７
，１８の間で反射増幅され、レーザ発振に至る。
また第７図は従来の一般に知られたＡｌＧａＡｓ系材料
を用いたＳ Ａ Ｓ （ｓｅｌｆ−ａｌｉｇｎｅｄ ５
ｔｒｕｅｔｕｒｅ）型の半導体レーザの構造を示す斜視
図であり、第１０図はその製造工程を示す断面工程図で
ある。
を用いたＳ Ａ Ｓ （ｓｅｌｆ−ａｌｉｇｎｅｄ ５
ｔｒｕｅｔｕｒｅ）型の半導体レーザの構造を示す斜視
図であり、第１０図はその製造工程を示す断面工程図で
ある。
以下、第１Ｏ図に沿って製造方法を説明する。
まず第１０図（ａ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１
上に、厚さ約１μｍのｎ型Ａ Ｉ！ ｘ Ｇ ａ ＋
−ｘ ＡＳ下りラッド層２．厚さ約０．１μｍのＡ ｊ
’ ｙ Ｇ ａｌ−ｒ Ａ ｓ （ｙ ＜ｘ ）活性層
３．厚さ約０．３μｍのｐ型Ａ １ ｙ Ｇ ａ ＋
−１Ａ Ｓ第１上クラッド層４ｆ。
上に、厚さ約１μｍのｎ型Ａ Ｉ！ ｘ Ｇ ａ ＋
−ｘ ＡＳ下りラッド層２．厚さ約０．１μｍのＡ ｊ
’ ｙ Ｇ ａｌ−ｒ Ａ ｓ （ｙ ＜ｘ ）活性層
３．厚さ約０．３μｍのｐ型Ａ １ ｙ Ｇ ａ ＋
−１Ａ Ｓ第１上クラッド層４ｆ。
厚さ約１μＩｉｌのｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ電流ブロック層
１１を順次、ＭＯＣＶＤ法を用いてエピタキシャル成長
する（第１回目のエピタキシャル成長）。
１１を順次、ＭＯＣＶＤ法を用いてエピタキシャル成長
する（第１回目のエピタキシャル成長）。
次に第ｉ０図（１））に示すように、ｎ型ＧａＡｓ電流
ブロック層１１の一部を選択的にエツチング除去してス
トライプ状溝１３ａを形成する。
ブロック層１１の一部を選択的にエツチング除去してス
トライプ状溝１３ａを形成する。
、−の後、第２回目のエピタキシャル成長により、厚さ
約０．７μｍのｐ型Ａｉ、Ｇａｐ−、Ａｓ第２上クラッ
ド４ｇ及び厚さ約３μｍのｐ型ＧａＡｓコンタクト層１
２を第１Ｏ図（Ｃ）に示すように順次エピタキシャル成
長し、さらに、基板１裏面およびコンタクト層１２表面
にｎ側電極１５及びｐ側電極１６を設け、襞間により端
面１７，１８を形成し、て第７図に示すレーザ素子が完
成する。
約０．７μｍのｐ型Ａｉ、Ｇａｐ−、Ａｓ第２上クラッ
ド４ｇ及び厚さ約３μｍのｐ型ＧａＡｓコンタクト層１
２を第１Ｏ図（Ｃ）に示すように順次エピタキシャル成
長し、さらに、基板１裏面およびコンタクト層１２表面
にｎ側電極１５及びｐ側電極１６を設け、襞間により端
面１７，１８を形成し、て第７図に示すレーザ素子が完
成する。
次に動作について説明する。
このＳＡＳ型半型半導体ケーサ装置側電極１５゜ｐ側電
極１６間に順方向に電圧を印加すると、電流はブロック
層１１により狭窄されて活性層３に注入されここで発光
再結合により光を発生する。
極１６間に順方向に電圧を印加すると、電流はブロック
層１１により狭窄されて活性層３に注入されここで発光
再結合により光を発生する。
発生した光はストライプ溝に沿って導波され、かつ１対
の襞間端面１７，１８の間て反射増幅され、レーザ発振
に至る。
の襞間端面１７，１８の間て反射増幅され、レーザ発振
に至る。
また第８図は、例えば特開平１１３４９８５号公報に開
示された従来のＡ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ系材料を用いた
ＳＡＳ型の半導体レーザの構造を示す斜視図であり、第
１１図はその製造工程を示す断面工程図である。
示された従来のＡ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓ系材料を用いた
ＳＡＳ型の半導体レーザの構造を示す斜視図であり、第
１１図はその製造工程を示す断面工程図である。
以下、第１１図に沿って製造方法を説明する。
まず第１１図（ａ）に示すように、ｎ型Ｇ ａ Ａ ｓ
Ｍ板１上に、厚さ約１μｍのｎ型バッファ層ｌｌ。
Ｍ板１上に、厚さ約１μｍのｎ型バッファ層ｌｌ。
厚さ約２μｍのｎ型Ａ １２０．２６０ ａ ｏ、 ｓ
ｓＡ Ｓ下りラッド層２．厚さ約０．１２μｍのｐ型Ｇ
ａＡｓ活性層３．厚さ約０．５μｍのｐ型ＡβＧ、 ２
ＳＧ ａ ０．７５ＡＳ光ガイド層４ｈ、厚さ約０．１
μｍのｐ型ＧａＩ’ｎＰエツチングストッパ層９０．厚
さ約１μｍのｎ型Ａ１６５Ｇａｏ、ａ Ａｓ電流ブロッ
ク層１１を順次、例えばＭＯＣＶＤ （有機金属気相成
長）法を用いてエピタキシャル成長する（第１回目のエ
ピタキシャル成長）。
ｓＡ Ｓ下りラッド層２．厚さ約０．１２μｍのｐ型Ｇ
ａＡｓ活性層３．厚さ約０．５μｍのｐ型ＡβＧ、 ２
ＳＧ ａ ０．７５ＡＳ光ガイド層４ｈ、厚さ約０．１
μｍのｐ型ＧａＩ’ｎＰエツチングストッパ層９０．厚
さ約１μｍのｎ型Ａ１６５Ｇａｏ、ａ Ａｓ電流ブロッ
ク層１１を順次、例えばＭＯＣＶＤ （有機金属気相成
長）法を用いてエピタキシャル成長する（第１回目のエ
ピタキシャル成長）。
次に硫酸系エッチャントによるエツチングにより、第１
１図（ｂ）に示すように、ブロック層１１にメサストラ
イプ状溝１３ａを形成する。この際、エツチングストッ
パ層９０はエツチングされない。
１図（ｂ）に示すように、ブロック層１１にメサストラ
イプ状溝１３ａを形成する。この際、エツチングストッ
パ層９０はエツチングされない。
この後、第２回目のエピタキシャル成長により、厚さ約
１．５μｍのｐ型Ａβ０．２７Ｇ ａ Ｏ，７３Ａ Ｓ
上クラッド４１及び厚さ約１μｍのｐ型ＧａＡｓコンタ
クト層１２を第１１図（Ｃ）に示すように順次エピタキ
シャル成長し、さらに、基板１裏面およびコンタクト層
１２表面にｎ側電極１５及びｐ（ｔｌｌＪ電極１６を設
け、襞間により端面１７，１８を形成して第８図に示す
レーザ素子が完成する。
１．５μｍのｐ型Ａβ０．２７Ｇ ａ Ｏ，７３Ａ Ｓ
上クラッド４１及び厚さ約１μｍのｐ型ＧａＡｓコンタ
クト層１２を第１１図（Ｃ）に示すように順次エピタキ
シャル成長し、さらに、基板１裏面およびコンタクト層
１２表面にｎ側電極１５及びｐ（ｔｌｌＪ電極１６を設
け、襞間により端面１７，１８を形成して第８図に示す
レーザ素子が完成する。
本従来例の動作は上記第７図のレーザと全く同様である
。即ち、ｎ側電極１５．ｐ側電極１６間に順方向に電圧
を印加すると、電流はブロック層１１により狭窄されて
活性層３に注入されここで発光再結合により光を発生す
る。発生した光はストライプ溝に沿って導波され、かつ
１対の襞間端面１７．１８の間で反射増幅され、レーザ
発振に至る。
。即ち、ｎ側電極１５．ｐ側電極１６間に順方向に電圧
を印加すると、電流はブロック層１１により狭窄されて
活性層３に注入されここで発光再結合により光を発生す
る。発生した光はストライプ溝に沿って導波され、かつ
１対の襞間端面１７．１８の間で反射増幅され、レーザ
発振に至る。
なお、この従来例レーザては、エツチングストッパ層９
０を設けており、Ｇａ ＩｎＰかＡｌＧａＡｓ層 より生じるＡｌＧａＡｓ上クラッド層との界面特性か改
善される。
０を設けており、Ｇａ ＩｎＰかＡｌＧａＡｓ層 より生じるＡｌＧａＡｓ上クラッド層との界面特性か改
善される。
従来のＡｊｌ’ＧａＡｓ系材料を用いたリッジ導波路型
、ＳＡＳ型の半導体レーザ装置では、上述した様に２回
もしくは３回のエピタキシャル成長を必要としており、
第６図、第７図に示すものにおいては再成長界面となる
ＡｌＧａＡｓ層か成長前に大気にさらされ表面が酸化さ
れ、再成長界面を良好なものとすることかできなかった
。
、ＳＡＳ型の半導体レーザ装置では、上述した様に２回
もしくは３回のエピタキシャル成長を必要としており、
第６図、第７図に示すものにおいては再成長界面となる
ＡｌＧａＡｓ層か成長前に大気にさらされ表面が酸化さ
れ、再成長界面を良好なものとすることかできなかった
。
また第８図に示す半導体レーザては上述のようなＡＡ’
ＧａＡｓ層表面の酸化という問題点は解消されているも
のの、再成長界面となるＧａＩｎＰは再成長条件により
熱分解が生じ易いなとの理由により再成長界面特性を良
好なものとすることか困難であり、良好なレーザ特性が
得られないという問題点があった。
ＧａＡｓ層表面の酸化という問題点は解消されているも
のの、再成長界面となるＧａＩｎＰは再成長条件により
熱分解が生じ易いなとの理由により再成長界面特性を良
好なものとすることか困難であり、良好なレーザ特性が
得られないという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たものであり、再成長界面特性が良好なリッジ導波路型
、ＳＡＳ型の半導体レーザ装置およびその製造方法を得
ることを目的とする。
たものであり、再成長界面特性が良好なリッジ導波路型
、ＳＡＳ型の半導体レーザ装置およびその製造方法を得
ることを目的とする。
この発明に係る半導体レーザ装置は、ＡｌＧａＡｓ系材
料を用いた第１導電形下クラッド層、活性層、及び第２
導電形第１上クラッド層からなるダブルヘテロ構造上に
Ｇａ ＩｎＰ薄膜層を介して第２導電形第２上クラッド
層を形成し、該第２上クラッド層を上記Ｇａ ＩｎＰ薄
膜層をエツチングストッパ層として用いてリッジ状に成
形し、該リッジを第１導電形のブロック層で埋め込んで
なる構造を有する、リッジ導波路型の半導体レーザ装置
において、上記リッジ以外の領域の上記第１上クラッド
層上の上記Ｇａ ＩｎＰ薄膜層を除去した構造としたも
のである。
料を用いた第１導電形下クラッド層、活性層、及び第２
導電形第１上クラッド層からなるダブルヘテロ構造上に
Ｇａ ＩｎＰ薄膜層を介して第２導電形第２上クラッド
層を形成し、該第２上クラッド層を上記Ｇａ ＩｎＰ薄
膜層をエツチングストッパ層として用いてリッジ状に成
形し、該リッジを第１導電形のブロック層で埋め込んで
なる構造を有する、リッジ導波路型の半導体レーザ装置
において、上記リッジ以外の領域の上記第１上クラッド
層上の上記Ｇａ ＩｎＰ薄膜層を除去した構造としたも
のである。
また、この発明に係る半導体レーザ装置は、ＡｆｆｉＧ
ａＡｓ系材料を用いた系材溝電形下クラッド層、活性層
、及び第２導電形第１上クラッド層からなるダブルヘテ
ロ構造上にＧａ ＩｎＰ薄膜層を介して第１導電形のブ
ロック層を形成し、上記Ｇａ ＩｎＰ薄膜層をエツチン
グストッパ層として用いて上記ブロック層に電流通路と
なるストライプ状溝を形成し、上記ブロック層上および
上記ストライブ状溝上に第２導電形第２上クラッド層を
形成し、てなる構造を有する、ＳＡＳ型の半導体レーザ
装置において、上記ストライプ状溝の底部の上記Ｇａ
ＩｎＰ薄膜層を除去した構造としたちのである。
ａＡｓ系材料を用いた系材溝電形下クラッド層、活性層
、及び第２導電形第１上クラッド層からなるダブルヘテ
ロ構造上にＧａ ＩｎＰ薄膜層を介して第１導電形のブ
ロック層を形成し、上記Ｇａ ＩｎＰ薄膜層をエツチン
グストッパ層として用いて上記ブロック層に電流通路と
なるストライプ状溝を形成し、上記ブロック層上および
上記ストライブ状溝上に第２導電形第２上クラッド層を
形成し、てなる構造を有する、ＳＡＳ型の半導体レーザ
装置において、上記ストライプ状溝の底部の上記Ｇａ
ＩｎＰ薄膜層を除去した構造としたちのである。
また、この発明に係る半導体レーザ装置の製造方法は１
．Ｉｌ’ＧａＡｓ系の第１の上クラッド層上に形成され
、選択エツチング時に表面に露出したＧａ ＩｎＰ薄膜
層を再成長時の結晶成長装置内で、Ｇａ ＩｎＰとＡｌ
ＧａＡｓの熱分解の温度差を利用して熱分解除去し、引
き続き半導体レーザ装置を構成するに必要な半導体層を
エピタキシャル成長するようにしたものである。
．Ｉｌ’ＧａＡｓ系の第１の上クラッド層上に形成され
、選択エツチング時に表面に露出したＧａ ＩｎＰ薄膜
層を再成長時の結晶成長装置内で、Ｇａ ＩｎＰとＡｌ
ＧａＡｓの熱分解の温度差を利用して熱分解除去し、引
き続き半導体レーザ装置を構成するに必要な半導体層を
エピタキシャル成長するようにしたものである。
この発明によるリッジ導波路型半導体レーザ装置におい
ては、活性層上に設けたＡｎＧａＡｓ系第１上クラッド
層上のリッジ部以外の領域のＧａＩｎＰエツチングスト
ッパ層を除去した構造としているから、上記Ａｊ７Ｇａ
Ａｓ系第１上クラッド層とブロック層との間の再成長界
面特性を向上できる。
ては、活性層上に設けたＡｎＧａＡｓ系第１上クラッド
層上のリッジ部以外の領域のＧａＩｎＰエツチングスト
ッパ層を除去した構造としているから、上記Ａｊ７Ｇａ
Ａｓ系第１上クラッド層とブロック層との間の再成長界
面特性を向上できる。
また、この発明によるＳＡＳ型半導体レーザ装置におい
ては、活性層上に設けたｌｊ？ＧａＡｓ系第１上クラッ
ド層上のストライプ状溝底部のＧａＩｎＰエツチングス
トッパ層を除去した構造としているから、上記、１７Ｇ
ａＡｓ系第１上クラッド層とＡ７ＧａＡｓ７ＧａＡｓ系
第２上クラッド再成長界面特性を向上できる。
ては、活性層上に設けたｌｊ？ＧａＡｓ系第１上クラッ
ド層上のストライプ状溝底部のＧａＩｎＰエツチングス
トッパ層を除去した構造としているから、上記、１７Ｇ
ａＡｓ系第１上クラッド層とＡ７ＧａＡｓ７ＧａＡｓ系
第２上クラッド再成長界面特性を向上できる。
また、この発明による半導体レーザの製造方法において
は、ＡｌＧａＡｓ系の第１の上クラッド層上に形成され
、選択エツチング時に表面に露出したＧａ ＴｎＰ薄膜
層を再成長時の結晶成長装置内で熱分解除去し、引き続
き半導体レーザ装置を構成するに必要な半導体層をエピ
タキシャル成長するようにしたから、再成長界面の接合
特性が大幅に改善された半導体レーザ層を実現できる。
は、ＡｌＧａＡｓ系の第１の上クラッド層上に形成され
、選択エツチング時に表面に露出したＧａ ＴｎＰ薄膜
層を再成長時の結晶成長装置内で熱分解除去し、引き続
き半導体レーザ装置を構成するに必要な半導体層をエピ
タキシャル成長するようにしたから、再成長界面の接合
特性が大幅に改善された半導体レーザ層を実現できる。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図および第４図は本発明の第１の実施例による半導
体レーザを説明するための図であり、第１図はその構造
を示す斜視図、第４図はその作製フ０−を示す断面工程
図である。
体レーザを説明するための図であり、第１図はその構造
を示す斜視図、第４図はその作製フ０−を示す断面工程
図である。
第１図において、第６図と同一符号は同一または相当部
分である。また９はＧａ ＩｎＰ薄膜層である。
分である。また９はＧａ ＩｎＰ薄膜層である。
次に製造フローを詳細に説明する。
まず第４図（ａ） ニ示すように、（１００）ｎ型Ｇａ
Ａ、 ｓ基板１上に、厚さ約１μｍのｎ型Ａｎｏ４５
Ｇ ａ ｏ、 ｓｓＡ ｓ下りラッド層２．厚さ約０．
１μｍのＡ、 １０．０７Ｇ ａ ０．９３Ａ Ｓ活性
層３．厚さ０．２〜０．３μｍのｐ型Ａ Ｉ！ ｏ、
ａ５Ｇ ａ ｏ、 ｓｓＡ Ｓ第１上クラッド層４ｂ、
厚さ数十〜１００人のｐ型Ｇａｏ、５Ｉｎｏ、ｓＰ薄膜
層９．厚さ０．７〜０．８μｍのｐ型Ａ７ａ、 ４６Ｇ
ａ ｏ、 ｓｓＡ Ｓ上クラッド層４ｃ、厚さ約０．
２μｍのｐ型ＧａＡｓ層５を順次、例えばＭＯＣＶＤ（
有機金属気相成長）法を用いてエピタキシャル成長する
（第１回目のエピタキシャル成長）。
Ａ、 ｓ基板１上に、厚さ約１μｍのｎ型Ａｎｏ４５
Ｇ ａ ｏ、 ｓｓＡ ｓ下りラッド層２．厚さ約０．
１μｍのＡ、 １０．０７Ｇ ａ ０．９３Ａ Ｓ活性
層３．厚さ０．２〜０．３μｍのｐ型Ａ Ｉ！ ｏ、
ａ５Ｇ ａ ｏ、 ｓｓＡ Ｓ第１上クラッド層４ｂ、
厚さ数十〜１００人のｐ型Ｇａｏ、５Ｉｎｏ、ｓＰ薄膜
層９．厚さ０．７〜０．８μｍのｐ型Ａ７ａ、 ４６Ｇ
ａ ｏ、 ｓｓＡ Ｓ上クラッド層４ｃ、厚さ約０．
２μｍのｐ型ＧａＡｓ層５を順次、例えばＭＯＣＶＤ（
有機金属気相成長）法を用いてエピタキシャル成長する
（第１回目のエピタキシャル成長）。
ここで、これらの結晶成長条件について詳述する。Ａ１
７ＧａＡｓもしくはＧａＡｓの成長には、■族材料とし
て例えばトリメチルガリウム（ＴＭＧ）２ トリメチル
アルミニウム（ＴＭＡ）を、■族材料としてはアルシン
（ＡｓＨａ）を用いる。
７ＧａＡｓもしくはＧａＡｓの成長には、■族材料とし
て例えばトリメチルガリウム（ＴＭＧ）２ トリメチル
アルミニウム（ＴＭＡ）を、■族材料としてはアルシン
（ＡｓＨａ）を用いる。
Ｇａ ＩｎＰの成長には■族材料として例えばＴＭＧお
よびトリメチルインジウム（ＴＭＩ）を、■族材料とし
てはホスフィン（ＰＨ３）を用いる。
よびトリメチルインジウム（ＴＭＩ）を、■族材料とし
てはホスフィン（ＰＨ３）を用いる。
各材料の成長は、上述の材料を成長装置内に同時に流し
、成長温度６５０〜７００°Ｃ２成長圧カフ６Ｔｏｒｒ
のもとで行なう。成長温度を６５０〜７００°Ｃとした
のはＧａ ＴｎＰをＡ１７ＧａＡｓもしくはＧａＡｓ上
に直接成長する場合、７５０°Ｃ以上では不可能なこと
か本発明者の実験により明らかとなっていることに基づ
いている。このように第４図（ａ）に示すようなＧａ
ＩｎＰ薄膜層９を含む多層成長においては、成長温度に
注意する必要があるが、下クラッド層２．活性層３．第
１上クラッド層４ｂの各成長を例えば７５０〜８００°
Ｃで成長した後、温度を６５０〜７００℃まで下げなが
ら第２上クラッド層４ｃ、ｐ型ＧａＡｓ層５の各層を成
長するというような工夫をすることによっても同様の構
造を得ることか可能である。
、成長温度６５０〜７００°Ｃ２成長圧カフ６Ｔｏｒｒ
のもとで行なう。成長温度を６５０〜７００°Ｃとした
のはＧａ ＴｎＰをＡ１７ＧａＡｓもしくはＧａＡｓ上
に直接成長する場合、７５０°Ｃ以上では不可能なこと
か本発明者の実験により明らかとなっていることに基づ
いている。このように第４図（ａ）に示すようなＧａ
ＩｎＰ薄膜層９を含む多層成長においては、成長温度に
注意する必要があるが、下クラッド層２．活性層３．第
１上クラッド層４ｂの各成長を例えば７５０〜８００°
Ｃで成長した後、温度を６５０〜７００℃まで下げなが
ら第２上クラッド層４ｃ、ｐ型ＧａＡｓ層５の各層を成
長するというような工夫をすることによっても同様の構
造を得ることか可能である。
次に例えばＳｉＮやＳｉＯ□などの誘電体膜６をｐ型Ｇ
ａＡｓ層５上にバターニングし、これをマスクとして、
硫酸系エッチャントによるエツチングにより、第４図（
ｂ）に示すようなく０丁１〉方向の順メサリッジ構造１
０ｂを形成する。ＧａＩｎＰ薄膜層９は硫酸系エッチャ
ントではエツチングされず、エツチングストッパ層とし
て作用するため、第４図（ｂ）に示す形状を精密にしか
も再現性よく形成することができる。なおリッジ底部の
幅は３〜５μｍ程度となるようにする。
ａＡｓ層５上にバターニングし、これをマスクとして、
硫酸系エッチャントによるエツチングにより、第４図（
ｂ）に示すようなく０丁１〉方向の順メサリッジ構造１
０ｂを形成する。ＧａＩｎＰ薄膜層９は硫酸系エッチャ
ントではエツチングされず、エツチングストッパ層とし
て作用するため、第４図（ｂ）に示す形状を精密にしか
も再現性よく形成することができる。なおリッジ底部の
幅は３〜５μｍ程度となるようにする。
以上のエツチング工程を経た後、再びウェハをＭＯＣＶ
Ｄ成長炉内にセットし、ＡｓＦ−１，雰囲気中でたとえ
ば７００〜７５０°Ｃまで昇温する。この時、ＡｓＨ，
雰囲気に直接晒されている、リッジ部以外の領域のＧａ
ＴｎＰ薄膜層９は、リン系材料であるためヒ素雰囲気
では熱分解し、しかも厚さが数十〜１００人と薄いため
蒸発して除去される。この結果、第４図（Ｃ）に示すよ
うに、ｐ型ＡｌＧａＡｓ第１上クラッド層４ｂ上にｐ型
ＧａＡＳ層５． ｐ型ＡｆＧａＡｓ第２上クラッド層
４ｃ。
Ｄ成長炉内にセットし、ＡｓＦ−１，雰囲気中でたとえ
ば７００〜７５０°Ｃまで昇温する。この時、ＡｓＨ，
雰囲気に直接晒されている、リッジ部以外の領域のＧａ
ＴｎＰ薄膜層９は、リン系材料であるためヒ素雰囲気
では熱分解し、しかも厚さが数十〜１００人と薄いため
蒸発して除去される。この結果、第４図（Ｃ）に示すよ
うに、ｐ型ＡｌＧａＡｓ第１上クラッド層４ｂ上にｐ型
ＧａＡＳ層５． ｐ型ＡｆＧａＡｓ第２上クラッド層
４ｃ。
ｐ型Ｇａ ＩｎＰ層９の三層構造の順メサリッジを配置
した形状が得られ、第１上クラッド層４ｂが露出した状
態となる。
した形状が得られ、第１上クラッド層４ｂが露出した状
態となる。
この後、誘電体膜６を選択成長マスクとして用い、ＭＯ
ＣＶＤ法を用いた第２回目のエピタキシャル成長により
第４図（ｄ）に示す様に、リッジ構造１０ｂを埋め込む
ようにｎ型ＧａＡｓブロー／り層７を成長した後、誘電
体膜６を除去し、第３回目のエピタキシャル成長により
厚さ２〜３μｍのｐ型ＧａＡｓコンタクト層８を第４図
（ｅ）に示すように形成し、さらに、基板１裏面および
コンタクト層８表面にｎ側電極１５及びｐ側電極１６を
設け、襞間により端面１７，１８を形成して第１図に示
すレーサ素子か完成する。
ＣＶＤ法を用いた第２回目のエピタキシャル成長により
第４図（ｄ）に示す様に、リッジ構造１０ｂを埋め込む
ようにｎ型ＧａＡｓブロー／り層７を成長した後、誘電
体膜６を除去し、第３回目のエピタキシャル成長により
厚さ２〜３μｍのｐ型ＧａＡｓコンタクト層８を第４図
（ｅ）に示すように形成し、さらに、基板１裏面および
コンタクト層８表面にｎ側電極１５及びｐ側電極１６を
設け、襞間により端面１７，１８を形成して第１図に示
すレーサ素子か完成する。
このように、本実施例によれば、ＡＡ組成の高いＡｌ１
．４ＳＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ Ｓ上クラッド層４ｂか、
大気中に一度も晒されることがなく、表面酸化か生じな
いため、非常に清浄なＡｌＧａＡｓ層４ｂ上にｎ型Ｇａ
Ａｓブロック層７を再成長することができる。この結果
、ＡｆＧａＡｓ第１上クラッド層とＧａＡｓブロック層
間の再成長界面特性か大幅に向上でき、かつ高品位のｎ
型ＧａＡｓブロック層を形成することかでき、これによ
りレーザ動作時の電流ブロック効果の向上、再成長界面
での電流リークの低減を図ることができる。
．４ＳＧ ａ ｏ、 ｓｓＡ Ｓ上クラッド層４ｂか、
大気中に一度も晒されることがなく、表面酸化か生じな
いため、非常に清浄なＡｌＧａＡｓ層４ｂ上にｎ型Ｇａ
Ａｓブロック層７を再成長することができる。この結果
、ＡｆＧａＡｓ第１上クラッド層とＧａＡｓブロック層
間の再成長界面特性か大幅に向上でき、かつ高品位のｎ
型ＧａＡｓブロック層を形成することかでき、これによ
りレーザ動作時の電流ブロック効果の向上、再成長界面
での電流リークの低減を図ることができる。
なお、本実施例の動作は第６図の従来例と全く同様であ
るので説明を省略する。
るので説明を省略する。
第２図は第１の実施例の変形例による半導体レーザの構
造を示す斜視図である。これはリッジ導波路を＜０１１
＞方向の逆メサ形状としたものであり第１図と全く同様
の工程により作製することができる。
造を示す斜視図である。これはリッジ導波路を＜０１１
＞方向の逆メサ形状としたものであり第１図と全く同様
の工程により作製することができる。
次に、本発明の第２の実施例による半導体装置ザ装置に
ついて説明する。
ついて説明する。
第３図は本発明の第２の実施例による半導体レーザの構
造を示す斜視図、第５図はその作製フローを示す断面工
程図である。
造を示す斜視図、第５図はその作製フローを示す断面工
程図である。
第３図において、第７図、第８図と同一符号は同一また
は相当部分である。またＧａＩｎＰ薄膜層９はＡｆＧａ
ｌｎＰ第１上クラッド層４ｂ上のブロック層か形成され
ている領域のみに配置され、ストライブ溝底部の薄膜層
は除去された構造になっている。
は相当部分である。またＧａＩｎＰ薄膜層９はＡｆＧａ
ｌｎＰ第１上クラッド層４ｂ上のブロック層か形成され
ている領域のみに配置され、ストライブ溝底部の薄膜層
は除去された構造になっている。
次に作製フローについて説明する。
まず、第１の実施例で説明したのと同様な成長条件で、
第５図ｆａ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、
連続して、厚さ約１μｍのｎ型ＡＩ！ｏ４５Ｇ ａ ｏ
、 ｓａＡ Ｓ下りラッド層２、厚さ約０．１μｍのＡ
Ｉ！ ０．０７０ ａ ｏ、 ［Ａ Ｓ活性層３．厚
さ０．２〜０．３μｍの第１のｐ型Ａ １０．４５Ｇ
ａ ｏ、 ｓｓＡ Ｓ上クラッド層４ｄ、厚さ数十〜１
００人のｐ型Ｇａ ＩｎＰ薄膜層９．厚さ約１μｍのｎ
型ＧａＡｓ電流ブロック層１１を順次ＭＯＣＶＤ法によ
りエピタキシャル成長する（第１回目のエピタキシャル
成長）。
第５図ｆａ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１上に、
連続して、厚さ約１μｍのｎ型ＡＩ！ｏ４５Ｇ ａ ｏ
、 ｓａＡ Ｓ下りラッド層２、厚さ約０．１μｍのＡ
Ｉ！ ０．０７０ ａ ｏ、 ［Ａ Ｓ活性層３．厚
さ０．２〜０．３μｍの第１のｐ型Ａ １０．４５Ｇ
ａ ｏ、 ｓｓＡ Ｓ上クラッド層４ｄ、厚さ数十〜１
００人のｐ型Ｇａ ＩｎＰ薄膜層９．厚さ約１μｍのｎ
型ＧａＡｓ電流ブロック層１１を順次ＭＯＣＶＤ法によ
りエピタキシャル成長する（第１回目のエピタキシャル
成長）。
次に、第５図（ｂ）に示すように、硫酸系エッチャント
を用いてＧａｌｎＰ層９をエツチングストッパとしてｎ
型ＧａＡｓ電流ブロック層１１のみを選択的にエツチン
グし、ストライプ上溝１２を形成する。ここで図におい
てＷ２＝３〜５μｍとなるようにする。このウェハを上
記第１の実施例で示したと全く同じ方法で１２のストラ
イブ状溝部のＧａ ＩｎＰ薄膜層５Ｃのみを熱分解除去
し、第５図（Ｃ）に示すように清浄なＡ１ＧａＡｓ第１
上クラッド層４ｂの表面を露出させた後、連続して厚さ
０．７〜０．８μｍの第２のｐ型Ａ Ｉ！ ０．４５０
ａ ｏ、 ５ｓＡｓ上クラッド層４ｅ、及び厚さ２〜
３μｍのｐ−型ＧａＡｓコンタクト層１２を第３図（ｄ
）に示すように順次エピタキシャル成長しく第２回目の
エピタキシャル成長）、さらに、基板１裏面、コンタク
ト層１２表面にｎ側電極１５．ｐ側電極１６をそれぞれ
設け、襞間により端面１７，１８を形成して第３図に示
すＳＡＳ型レーザ素子が完成する。
を用いてＧａｌｎＰ層９をエツチングストッパとしてｎ
型ＧａＡｓ電流ブロック層１１のみを選択的にエツチン
グし、ストライプ上溝１２を形成する。ここで図におい
てＷ２＝３〜５μｍとなるようにする。このウェハを上
記第１の実施例で示したと全く同じ方法で１２のストラ
イブ状溝部のＧａ ＩｎＰ薄膜層５Ｃのみを熱分解除去
し、第５図（Ｃ）に示すように清浄なＡ１ＧａＡｓ第１
上クラッド層４ｂの表面を露出させた後、連続して厚さ
０．７〜０．８μｍの第２のｐ型Ａ Ｉ！ ０．４５０
ａ ｏ、 ５ｓＡｓ上クラッド層４ｅ、及び厚さ２〜
３μｍのｐ−型ＧａＡｓコンタクト層１２を第３図（ｄ
）に示すように順次エピタキシャル成長しく第２回目の
エピタキシャル成長）、さらに、基板１裏面、コンタク
ト層１２表面にｎ側電極１５．ｐ側電極１６をそれぞれ
設け、襞間により端面１７，１８を形成して第３図に示
すＳＡＳ型レーザ素子が完成する。
このように本実施例では、第２の上クラッド層４ｅを成
長する前に、選択エツチングによりストライプ状溝１３
ｂの底部に露出したＱａ ＩｎＰ薄膜層９が熱分解によ
り完全に除去されるので、第２回目のエピタキシャル成
長層の結晶性が向上するとともに、再成長界面特性も大
幅に向上できる。
長する前に、選択エツチングによりストライプ状溝１３
ｂの底部に露出したＱａ ＩｎＰ薄膜層９が熱分解によ
り完全に除去されるので、第２回目のエピタキシャル成
長層の結晶性が向上するとともに、再成長界面特性も大
幅に向上できる。
なお、本実施例の動作は第７図、第８図の従来例と全く
同様であるので説明を省略する。
同様であるので説明を省略する。
なお、上記第１．第２の実施例では、ＭＯＣＶＤ法を用
いた場合について説明したか、他のエピタキシー技術、
例えばＭＢＥ（分子線エピタキシー）法を用いても実現
可能である。
いた場合について説明したか、他のエピタキシー技術、
例えばＭＢＥ（分子線エピタキシー）法を用いても実現
可能である。
以上のように、この発明によれば、リッジ導波路型半導
体レーザ装置において、活性層上に設けたＡｊ７ＧａＡ
ｓ系第１上クラッド層上のリッジ部以外の領域のＧａＩ
ｎＰ工ツチングストツパ層を除去した構造としているか
ら、上記ＡｌＧａＡｓＡ１ａＡｓ第１上クラッド層層と
の間の再成長界面特性を向上でき、これにより低しきい
値電流。
体レーザ装置において、活性層上に設けたＡｊ７ＧａＡ
ｓ系第１上クラッド層上のリッジ部以外の領域のＧａＩ
ｎＰ工ツチングストツパ層を除去した構造としているか
ら、上記ＡｌＧａＡｓＡ１ａＡｓ第１上クラッド層層と
の間の再成長界面特性を向上でき、これにより低しきい
値電流。
高信頼性のリッジ導波路型可視光半導体レーザ装置を実
現できる効果がある。
現できる効果がある。
また、この発明によれば、ＳＡＳ型半導体レーザ装置に
おいて、活性層上に設けたＡｌＧａＡｓ系第１上クラッ
ド層上のストライブ状溝底部のＧａ ＩｎＰエツチング
ストッパ層を除去した構造としているから、上記ＡｌＧ
ａＡｓ系第１上クラッド層とＡＡ’ＧａＡｓＡ１ＧａＡ
ｓ第１上クラッド層長界面特性を向上でき、これにより
低しきい値電流、高信頼性のＳＡＳ型可型光視光半導体
レーザ装置現できる効果かある。
おいて、活性層上に設けたＡｌＧａＡｓ系第１上クラッ
ド層上のストライブ状溝底部のＧａ ＩｎＰエツチング
ストッパ層を除去した構造としているから、上記ＡｌＧ
ａＡｓ系第１上クラッド層とＡＡ’ＧａＡｓＡ１ＧａＡ
ｓ第１上クラッド層長界面特性を向上でき、これにより
低しきい値電流、高信頼性のＳＡＳ型可型光視光半導体
レーザ装置現できる効果かある。
また、この発明によれば、半導体レーザの製造方法にお
いて、ＡｌＧａＡｓ系の第１の上クラッド層上に形成さ
れ、選択エツチング時に表面に露出したＧａ ＩｎＰ薄
膜層を再成長時の結晶成長装置内で熱分解除去し、引き
続き半導体レーザ装置を構成するに必要な半導体層をエ
ピタキシャル成長するようにしたから、再成長界面の接
合特性が大幅に改善された可視光半導体レーザ装置を実
現できる効果がある。
いて、ＡｌＧａＡｓ系の第１の上クラッド層上に形成さ
れ、選択エツチング時に表面に露出したＧａ ＩｎＰ薄
膜層を再成長時の結晶成長装置内で熱分解除去し、引き
続き半導体レーザ装置を構成するに必要な半導体層をエ
ピタキシャル成長するようにしたから、再成長界面の接
合特性が大幅に改善された可視光半導体レーザ装置を実
現できる効果がある。
第１図はこの発明の第１の実施例による半導体レーザ装
置を示す斜視図、第２図は第１の実施例の変形例による
半導体レーザ装置を示す斜視図、第３図はこの発明の第
２の実施例による半導体レーザ装置を示す斜視図、第４
図は第１図の半導体レーザ装置の作製フローを示す断面
図、第５図は第３図の半導体レーザ装置の作製フローを
示す断面図、第６図は従来のりフジ導波路型半導体レー
ザ装置を示す斜視図、第７図は従来のＳＡＳ路型半型半
導体レーザ装置す斜視図、第８図は従来の他のＳＡＳ路
型半型半導体レーザ装置す斜視図、第９図は第６図の半
導体レーザ装置の作製フローを示す断面図、第１０図は
第７図の半導体レーザ装置の作製フローを示す断面図、
第１１図は第８図の半導体レーザ装置の作製フローを示
す断面図である。 図において、１はｎ型ＧａＡｓ基板、２はｎ型ＡｌＧａ
Ａｓ下クラッド層、３はＡｊ７ＧａＡｓ活性層、４ｂ、
４ｄはｐ型ＡｌＧａＡｓ第１上クラッド層、４ｃ、４ｅ
はｐ型ＡｆＧａＡｓ第２上クラッド層、５はｐ型ＧａＡ
ｓ層、６は誘電体膜、７はｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層
、８はｐ型ＧａＡｓコンタクト層、９はＧａ ＩｎＰ薄
膜層である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
置を示す斜視図、第２図は第１の実施例の変形例による
半導体レーザ装置を示す斜視図、第３図はこの発明の第
２の実施例による半導体レーザ装置を示す斜視図、第４
図は第１図の半導体レーザ装置の作製フローを示す断面
図、第５図は第３図の半導体レーザ装置の作製フローを
示す断面図、第６図は従来のりフジ導波路型半導体レー
ザ装置を示す斜視図、第７図は従来のＳＡＳ路型半型半
導体レーザ装置す斜視図、第８図は従来の他のＳＡＳ路
型半型半導体レーザ装置す斜視図、第９図は第６図の半
導体レーザ装置の作製フローを示す断面図、第１０図は
第７図の半導体レーザ装置の作製フローを示す断面図、
第１１図は第８図の半導体レーザ装置の作製フローを示
す断面図である。 図において、１はｎ型ＧａＡｓ基板、２はｎ型ＡｌＧａ
Ａｓ下クラッド層、３はＡｊ７ＧａＡｓ活性層、４ｂ、
４ｄはｐ型ＡｌＧａＡｓ第１上クラッド層、４ｃ、４ｅ
はｐ型ＡｆＧａＡｓ第２上クラッド層、５はｐ型ＧａＡ
ｓ層、６は誘電体膜、７はｎ型ＧａＡｓ電流ブロック層
、８はｐ型ＧａＡｓコンタクト層、９はＧａ ＩｎＰ薄
膜層である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (3)
- （１）ＡｌＧａＡｓ系材料を用いた第１導電形下クラッ
ド層、活性層、及び第２導電形第１上クラッド層からな
るダブルヘテロ構造を形成するとともに、該ダブルヘテ
ロ構造上にＧａＩｎＰ薄膜層、及びＡｌＧａＡｓ系材料
からなる第２導電形第２上クラッド層を形成し、 該第２上クラッド層を上記ＧａＩｎＰ薄膜層をエッチン
グストッパ層として用いてリッジ状に成形し、 該リッジを第１導電形のブロック層で埋め込んでなる構
造を有する、リッジ導波路型の半導体レーザ装置におい
て、 上記リッジ以外の領域の上記第１上クラッド層上の上記
ＧａＩｎＰ薄膜層を除去した構造としていることを特徴
とする半導体レーザ装置。 - （２）ＡｌＧａＡｓ系材料を用いた第１導電形下クラッ
ド層、活性層、及び第２導電形第１上クラッド層からな
るダブルヘテロ構造を形成するとともに、該ダブルヘテ
ロ構造上にＧａＩｎＰ薄膜層、及び第１導電形のブロッ
ク層を形成し、 上記ＧａＩｎＰ薄膜層をエッチングストッパ層として用
いて上記ブロック層に電流通路となるストライプ状溝を
形成し、 上記ブロック層上および上記ストライプ状溝上に第２導
電形第２上クラッド層を形成してなる構造を有する、Ｓ
ＡＳ型の半導体レーザ装置において、 上記ストライプ状溝の底部の上記ＧａＩｎＰ薄膜層を除
去した構造としていることを特徴とする半導体レーザ装
置。 - （３）活性層上に形成したＡｌＧａＡｓ系第１上クラッ
ド層上にＧａＩｎＰ薄膜層を形成し、さらに該ＧａＩｎ
Ｐ薄膜層上に他の半導体層を形成した後、上記ＧａＩｎ
Ｐ薄膜層をエッチングストッパとして用いて上記他の半
導体層の一部をエッチング除去する工程と、上記選択エ
ッチング工程で露出した上記ＧａＩｎＰ薄膜層を、Ａｓ
雰囲気とした再成長を行なう結晶成長装置内においてＧ
ａＩｎＰのみが熱分解しＡｌＧａＡｓは熱分解しないよ
うな温度に昇温し、所定時間保持することにより熱分解
除去する工程と、 上記熱分解除去工程に連続して上記他の半導体層上、及
びＧａＩｎＰ薄膜層除去により露出したＡｌＧａＡｓ系
第１上クラッド層上に半導体層を再成長する工程とを含
むことを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26882290A JPH04144296A (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 半導体レーザ装置とその製造方法 |
| US07/757,808 US5210767A (en) | 1990-09-20 | 1991-09-11 | Semiconductor laser |
| DE69115198T DE69115198D1 (de) | 1990-09-20 | 1991-09-19 | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlasers. |
| EP91308555A EP0477013B1 (en) | 1990-09-20 | 1991-09-19 | Method of producing a semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26882290A JPH04144296A (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | 半導体レーザ装置とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04144296A true JPH04144296A (ja) | 1992-05-18 |
Family
ID=17463737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26882290A Pending JPH04144296A (ja) | 1990-09-20 | 1990-10-05 | 半導体レーザ装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04144296A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05335690A (ja) * | 1992-06-01 | 1993-12-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| US8934513B2 (en) | 1994-09-14 | 2015-01-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
-
1990
- 1990-10-05 JP JP26882290A patent/JPH04144296A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05335690A (ja) * | 1992-06-01 | 1993-12-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| US8934513B2 (en) | 1994-09-14 | 2015-01-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor |
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