JPH04143292A - アルミニウム合金のメッキ方法 - Google Patents
アルミニウム合金のメッキ方法Info
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- JPH04143292A JPH04143292A JP26621990A JP26621990A JPH04143292A JP H04143292 A JPH04143292 A JP H04143292A JP 26621990 A JP26621990 A JP 26621990A JP 26621990 A JP26621990 A JP 26621990A JP H04143292 A JPH04143292 A JP H04143292A
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- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 12
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 9
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 8
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 17
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 4
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 238000002715 modification method Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 229910021364 Al-Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007567 Zn-Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910007614 Zn—Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- -1 and in this example Substances 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はアルミニウム合金のメッキ方法に関する。
アルミニウム合金は軽量、高強度と優れた特性をもつた
め、各種産業に多量に使われている。しかし、各種の優
れた特性に比べ、硬度は比較的低く、耐摩耗性に欠ける
ため、摺動部への利用は困難とされてきた。そのため、
摺動部品への適用を目的として、アルミニウム合金の表
層を硬化し耐摩耗性を付与する各種表面改質法が検討さ
れている。
め、各種産業に多量に使われている。しかし、各種の優
れた特性に比べ、硬度は比較的低く、耐摩耗性に欠ける
ため、摺動部への利用は困難とされてきた。そのため、
摺動部品への適用を目的として、アルミニウム合金の表
層を硬化し耐摩耗性を付与する各種表面改質法が検討さ
れている。
各種表面改質法の内、Ｃｒ、ＮｉおよびＮ ｉ −Ｐ等
の電解および無電解硬質メッキは、耐摩耗性。
の電解および無電解硬質メッキは、耐摩耗性。
生産性に優れるため、工業的に広く用いられている方法
である。
である。
なお、レビュー・アルミニウム、＆４７２の第１７３項
から１８０項（Ｒｅｖ、 Ａｌｌ＋＋＋、 Ｎａ４７２
＋ ｐ１７３〜１８０ （１９７８））において、Ａ
ｌｌｌＳｉ合金にＦｅ−３ｎメッキ処理を行うことが論
じられている。また、素形材、ｖｏＱ、２８．Ｎα２の
第１１項から１９項（１９８７）において。
から１８０項（Ｒｅｖ、 Ａｌｌ＋＋＋、 Ｎａ４７２
＋ ｐ１７３〜１８０ （１９７８））において、Ａ
ｌｌｌＳｉ合金にＦｅ−３ｎメッキ処理を行うことが論
じられている。また、素形材、ｖｏＱ、２８．Ｎα２の
第１１項から１９項（１９８７）において。
アルミニウム合金にＳｉＣ分散のＮ１−Ｐメッキを行う
ことが論じられている。さらに、特開昭５８−２８００
０号公報において、Ｎｉ−５ｉＣ電解メッキを行うまえ
に、被膜の接着性を高める目的でＺｎ−Ｎｉの無電解メ
ッキを行うことが論じられている。
ことが論じられている。さらに、特開昭５８−２８００
０号公報において、Ｎｉ−５ｉＣ電解メッキを行うまえ
に、被膜の接着性を高める目的でＺｎ−Ｎｉの無電解メ
ッキを行うことが論じられている。
上記従来技術は被膜と下地であるアルミニウム合金との
接着性、特に、金属組織内にＳｉ相をもつＳ１含有率の
高いＡ Ｑ −Ｓ ｉ合金との接着性について考慮がさ
れておらず、被膜のはく離、あるいは接着不良部分を起
点とした被膜の破壊が生じる問題があった。
接着性、特に、金属組織内にＳｉ相をもつＳ１含有率の
高いＡ Ｑ −Ｓ ｉ合金との接着性について考慮がさ
れておらず、被膜のはく離、あるいは接着不良部分を起
点とした被膜の破壊が生じる問題があった。
本発明の目的は、下地であるアルミニウム合金、特に、
Ｓｉ含有量率の高いＡｌ−Ｓｉ合金上に、接着力の強い
被膜をメッキ法で形成することにある。
Ｓｉ含有量率の高いＡｌ−Ｓｉ合金上に、接着力の強い
被膜をメッキ法で形成することにある。
上記目的を達成するために、本発明はメッキ膜の接着性
を低減する酸化膜を、不活性ガスのイオンあるいは原子
照射によって取り除き、メッキ膜と接着性の優れる物質
の薄膜を形成したものである。
を低減する酸化膜を、不活性ガスのイオンあるいは原子
照射によって取り除き、メッキ膜と接着性の優れる物質
の薄膜を形成したものである。
また、下地金属が８１含有率の高いＡｌ２−５ｉ合金の
場合、メッキ膜の接着性を低減する表層のＳｉ相を変質
させるため、不活性ガスのイオン、あるいは原子照射に
よって酸化膜を取り除き、活性化させた後、金属薄膜を
被覆し、シリサイドを形成し、メッキ膜との接着性を増
したものである。
場合、メッキ膜の接着性を低減する表層のＳｉ相を変質
させるため、不活性ガスのイオン、あるいは原子照射に
よって酸化膜を取り除き、活性化させた後、金属薄膜を
被覆し、シリサイドを形成し、メッキ膜との接着性を増
したものである。
あるいは、レーザ照射によって表面を加熱、急冷するこ
とによって、上記のＳｉ相を微細化させ、メッキ膜との
接着性を増したものである。
とによって、上記のＳｉ相を微細化させ、メッキ膜との
接着性を増したものである。
アルミニウム合金において、メッキ膜の接着性を低減さ
せるのは主に酸化膜である。アルミニウムは活性な金属
であるため、酸化膜を除去した状態で、大気中で取り扱
うことは不可能である。従って、メッキ処理に先立ち、
大気中で取り扱ってもメッキ膜の接着を低下させない物
質を、下地に対し接着性良くコーティングしておくこと
は、メッキ膜の接着性を増すことに有効である。コーテ
ィングに先立って行う不活性ガスによるアルミニウム合
金のスパッタリングは、表面の酸化膜を除去し活性化さ
せるため、その後にコーティングする薄膜の接着性を高
める働きをする。
せるのは主に酸化膜である。アルミニウムは活性な金属
であるため、酸化膜を除去した状態で、大気中で取り扱
うことは不可能である。従って、メッキ処理に先立ち、
大気中で取り扱ってもメッキ膜の接着を低下させない物
質を、下地に対し接着性良くコーティングしておくこと
は、メッキ膜の接着性を増すことに有効である。コーテ
ィングに先立って行う不活性ガスによるアルミニウム合
金のスパッタリングは、表面の酸化膜を除去し活性化さ
せるため、その後にコーティングする薄膜の接着性を高
める働きをする。
また、Ｓｉ含有率の高いＡｌ２−３ｉ合金の場合に限る
と、メッキ膜の接着性を低減させるのは。
と、メッキ膜の接着性を低減させるのは。
主にＳｉ相である。従って、メッキ処理を施す面のＳｉ
相を、他の物質でコーティングするかあるいは、超微細
化することは、メッキ膜の接着性を増すために有効であ
る。コーティングに先立って行う不活性ガスによるスパ
ッタリングは、母相のアルミニウム及びＳｉ相の表面を
活性化させ、その後に形成するコーティング薄膜との接
着性を高める働きをする。特に、Ｓｉ相は活性化のため
容易に８１化合物を形成し、メッキ膜の接着性に対する
悪影響が低減する。また、アルミニウム合金の表層をレ
ーザ照射によって加熱、急冷すると。
相を、他の物質でコーティングするかあるいは、超微細
化することは、メッキ膜の接着性を増すために有効であ
る。コーティングに先立って行う不活性ガスによるスパ
ッタリングは、母相のアルミニウム及びＳｉ相の表面を
活性化させ、その後に形成するコーティング薄膜との接
着性を高める働きをする。特に、Ｓｉ相は活性化のため
容易に８１化合物を形成し、メッキ膜の接着性に対する
悪影響が低減する。また、アルミニウム合金の表層をレ
ーザ照射によって加熱、急冷すると。
Ｓ１相が著しく微細化し、メッキ膜の接着性に対する悪
影響が低減する。
影響が低減する。
以下、本発明の一実施例を第１図、第２図により説明す
る。
る。
第１図は本実施例に用いた装置の概略を示す。
１は真空容器、２はゲートバルブ、３はガス導入端子、
４は電流導入端子、５はスパッタコーティング用ターゲ
ット（以後、ターゲットと称す）、６は試験片、本実施
例ではＡＱ−２０ｗｔ％Ｓｉ合金を用いた。７は放電用
電極、８は直流定電圧電源、９は電極の切換えスイッチ
である。
４は電流導入端子、５はスパッタコーティング用ターゲ
ット（以後、ターゲットと称す）、６は試験片、本実施
例ではＡＱ−２０ｗｔ％Ｓｉ合金を用いた。７は放電用
電極、８は直流定電圧電源、９は電極の切換えスイッチ
である。
第２図は１本発明による試験片６の組織変化（断面）を
示す模式図である。１０はＳｉ初晶部分、１１はＡＱ−
３ｉの共晶部分、１２は酸化膜、１３は不活性ガス、本
実施例ではスパッタ効率を考慮し、Ａｒイオンを用いた
。１４は金属薄膜、本実施例ではＦｅを用いた。１５は
メッキ膜、本実施例ではＮ１−Ｐ無電解メッキを用いた
。
示す模式図である。１０はＳｉ初晶部分、１１はＡＱ−
３ｉの共晶部分、１２は酸化膜、１３は不活性ガス、本
実施例ではスパッタ効率を考慮し、Ａｒイオンを用いた
。１４は金属薄膜、本実施例ではＦｅを用いた。１５は
メッキ膜、本実施例ではＮ１−Ｐ無電解メッキを用いた
。
まず、試験片６を装置内に設置する。前述のように、本
実施例ではＡＱ−２０ｗｔ％Ｓｉ合金を用いた。試験片
設置後、装置内をＩＸＬＯ−’Ｐａまで真空排気する。
実施例ではＡＱ−２０ｗｔ％Ｓｉ合金を用いた。試験片
設置後、装置内をＩＸＬＯ−’Ｐａまで真空排気する。
真空排気後、特殊フィルタによってＯｚ、Ｎ２０を５０
ＰＰＢまで除去した高純度Ａｒガスを、ガス導入端子３
から導入する。本実施例ではＡｒガス圧を０．０１〜０
．ＩＴｏｒｒとした。
ＰＰＢまで除去した高純度Ａｒガスを、ガス導入端子３
から導入する。本実施例ではＡｒガス圧を０．０１〜０
．ＩＴｏｒｒとした。
ガス封止後、まず、電極７を陽極、試験片６を陰極とし
て、両極間に直流電圧を印加し、グロー放電を発生させ
る。本実施例では、両極間の電圧は４００〜６００ｖと
した。
て、両極間に直流電圧を印加し、グロー放電を発生させ
る。本実施例では、両極間の電圧は４００〜６００ｖと
した。
試験片６は、Ｓｉ初晶１１とＡ Ｑ −Ｓ ｉ共晶１０
から成る組織をしており、表面には極く薄い酸化膜１２
が存在する。グロー放電で加速したＡｒ＋イオンは、同
状態の試験片表面をスパッタしく第２図（ａ））、表面
の酸化膜を取り除き活性化させる（第２図（ｂ））。本
実施例では、試験片６のＡｒ＋スパッタ時間を１〜２ｈ
ｒとした。
から成る組織をしており、表面には極く薄い酸化膜１２
が存在する。グロー放電で加速したＡｒ＋イオンは、同
状態の試験片表面をスパッタしく第２図（ａ））、表面
の酸化膜を取り除き活性化させる（第２図（ｂ））。本
実施例では、試験片６のＡｒ＋スパッタ時間を１〜２ｈ
ｒとした。
Ａｒ＋スパッタ後、切換えスイッチ９によって、電極７
とターゲット５との間に直流電圧を印加し、グロー放電
を発生させる。なお、極性は電１７が陽極、ターゲット
５が陰極である。また、前述のように１本実施例ではタ
ーゲットとして、９９．９９％のＦｅを用いた。Ａｒ＋
イオンでスパッタされたＦｅ原子は、対向する試験片６
上に堆積し、薄膜１４を形成する（第２図（Ｃ））。試
験片６表面は事前のＡｒ＋スパッタによって活性化して
いたため、Ｆｅスパッタ膜１４は、スパッタ中の加熱に
よって下地のＡＱ、特に、Ｓｉと界面で反応し、強固な
接着状態を得る。なお、本実施例では。
とターゲット５との間に直流電圧を印加し、グロー放電
を発生させる。なお、極性は電１７が陽極、ターゲット
５が陰極である。また、前述のように１本実施例ではタ
ーゲットとして、９９．９９％のＦｅを用いた。Ａｒ＋
イオンでスパッタされたＦｅ原子は、対向する試験片６
上に堆積し、薄膜１４を形成する（第２図（Ｃ））。試
験片６表面は事前のＡｒ＋スパッタによって活性化して
いたため、Ｆｅスパッタ膜１４は、スパッタ中の加熱に
よって下地のＡＱ、特に、Ｓｉと界面で反応し、強固な
接着状態を得る。なお、本実施例では。
Ｆｅ膜厚を１〜２μｍとした。
以上の処理を行った後、試験片６を装置から取り出し、
無電解Ｎ１−Ｐメッキ処理を施し、Ｎ１−ｐメッキ膜１
５を被覆する（第２図（ｄ））。
無電解Ｎ１−Ｐメッキ処理を施し、Ｎ１−ｐメッキ膜１
５を被覆する（第２図（ｄ））。
Ｎ１−Ｐメッキ膜は、接着性の相性の良いＦｅ上に形成
されるため、強固な接着状態を得る。さらに、メッキ膜
のはく離の起点となりやすいＳｉ相がＦｅによって覆わ
れているため、摺動によってはく離を生じることがない
。なお、本実施例ではメッキ膜厚を１０〜３０μｍとし
た。
されるため、強固な接着状態を得る。さらに、メッキ膜
のはく離の起点となりやすいＳｉ相がＦｅによって覆わ
れているため、摺動によってはく離を生じることがない
。なお、本実施例ではメッキ膜厚を１０〜３０μｍとし
た。
次に本発明の他の実施例を第３図によって説明する。
第３図は、ＡＱ−Ｓｉ合金表面の８１相をレーザ照射に
よって超微細化する手順を、ＡＱ−Ｓｉ合金の断面組織
で示した模式図である。１６はレーザ光、１７はレーザ
照射によって加熱、急冷してＳｉ相が微細化した急冷層
である。
よって超微細化する手順を、ＡＱ−Ｓｉ合金の断面組織
で示した模式図である。１６はレーザ光、１７はレーザ
照射によって加熱、急冷してＳｉ相が微細化した急冷層
である。
まず、不活性ガスを吹き付けながら、ＡＱ−Ｓｉ合金表
面にレーザ光を走査する。本実施例では不活性ガスとし
てＡｒ、ＡＱ−Ｓｉ合金としてＡＱ−２０ｗｔ％Ｓ１、
レーザとしてＹＡＧパルスレーザを用いた。また、レー
ザ光の照射条件は、ビーム径は約１園、エネルギは１パ
ルス当り１０〜５０Ｊ、パルス幅は０．１〜１ｍｓ
、繰り返し数は１〜ｌ０ＰＰＳとした。
面にレーザ光を走査する。本実施例では不活性ガスとし
てＡｒ、ＡＱ−Ｓｉ合金としてＡＱ−２０ｗｔ％Ｓ１、
レーザとしてＹＡＧパルスレーザを用いた。また、レー
ザ光の照射条件は、ビーム径は約１園、エネルギは１パ
ルス当り１０〜５０Ｊ、パルス幅は０．１〜１ｍｓ
、繰り返し数は１〜ｌ０ＰＰＳとした。
レーザ照射によって、ＡＱ−Ｓｉ合金表層は一度溶解し
、急冷凝固する。急冷のためＳ１初晶は成長せず、微細
２分散化した状態となる（第３図（ａ））。その後、無
電解Ｎ１−Ｐメッキ処理を施し、Ｎ１−Ｐメッキ膜１５
を形成する（第３図（ｂ））。メッキ膜の接着性を低減
するＳｉ相が微細化されているため、メッキ膜の接着は
強固となり、摺動によってはく離を生じることがない。
、急冷凝固する。急冷のためＳ１初晶は成長せず、微細
２分散化した状態となる（第３図（ａ））。その後、無
電解Ｎ１−Ｐメッキ処理を施し、Ｎ１−Ｐメッキ膜１５
を形成する（第３図（ｂ））。メッキ膜の接着性を低減
するＳｉ相が微細化されているため、メッキ膜の接着は
強固となり、摺動によってはく離を生じることがない。
なお、本実施例ではメッキ膜として無電解のＮ１−Ｐメ
ッキを用いたが、電解メッキでも。
ッキを用いたが、電解メッキでも。
Ｎｉ、Ｃｒメッキでも同様の効果が得られる。また、メ
ッキ処理に先立って行ったＦｅ薄膜のコーティングは、
本実施例ではスパッタリング法を用いたが、真空蒸着で
も効果は変わらない。また薄膜の材質としてはＦｅに限
らず、後のメッキ材質との組み合せによって適当な材質
を選択すれば良い。さらに、本実施例ではＹＡＧパルス
レーザを用いたが、Ｓｉ相を微細化できる加熱源であれ
ば、Ｃ○２レーザであってもよく、特に制限はない。
ッキ処理に先立って行ったＦｅ薄膜のコーティングは、
本実施例ではスパッタリング法を用いたが、真空蒸着で
も効果は変わらない。また薄膜の材質としてはＦｅに限
らず、後のメッキ材質との組み合せによって適当な材質
を選択すれば良い。さらに、本実施例ではＹＡＧパルス
レーザを用いたが、Ｓｉ相を微細化できる加熱源であれ
ば、Ｃ○２レーザであってもよく、特に制限はない。
本発明によれば、アルミニウム合金表面を不活性ガスイ
オンによってスパッタし、活性化した状態で薄膜をコー
ティングすると、メッキ膜の接着性を低減する酸化膜或
いはＳｉ相が表面層から除かれるため、後に形成するメ
ッキ膜の接着性を増すことができる。
オンによってスパッタし、活性化した状態で薄膜をコー
ティングすると、メッキ膜の接着性を低減する酸化膜或
いはＳｉ相が表面層から除かれるため、後に形成するメ
ッキ膜の接着性を増すことができる。
また、レーザ光を照射して、アルミニウム合金の表層を
加熱、急冷すると、メッキ膜の接着性を低減するＳｉ相
が微細化するため、後に形成するメッキ膜の接着性を増
すことができる。
加熱、急冷すると、メッキ膜の接着性を低減するＳｉ相
が微細化するため、後に形成するメッキ膜の接着性を増
すことができる。
第１図は、本発明の一実施例であるアルミニウム合金表
層をイオンスパッタした後、薄膜をコーティングした装
置の縦断面図、第２図は本発明の一実施例によるアルミ
ニウム合金の断面組織の変化を示す説明図、第３図は、
本発明の他の実施例によるアルミニウム合金の断面組織
の変化を示す説明図である。 ４・・・電流溝端子、５ スパッタターゲット、６・試
験片、７・・・電極、８・・・直流定電圧電源、９・・
・切換スイッチ、１０・・・Ｓｉ初晶、１１・・・ＡＱ
−３ｉ共晶、１３＝Ａｒ＋イオン、１４− Ｆ ｅ薄膜
。 ・・Ｎ１−Ｐ無電解メッキ膜、 １６・・ レーザ光、 ■ ７・・・急冷層。
層をイオンスパッタした後、薄膜をコーティングした装
置の縦断面図、第２図は本発明の一実施例によるアルミ
ニウム合金の断面組織の変化を示す説明図、第３図は、
本発明の他の実施例によるアルミニウム合金の断面組織
の変化を示す説明図である。 ４・・・電流溝端子、５ スパッタターゲット、６・試
験片、７・・・電極、８・・・直流定電圧電源、９・・
・切換スイッチ、１０・・・Ｓｉ初晶、１１・・・ＡＱ
−３ｉ共晶、１３＝Ａｒ＋イオン、１４− Ｆ ｅ薄膜
。 ・・Ｎ１−Ｐ無電解メッキ膜、 １６・・ レーザ光、 ■ ７・・・急冷層。
Claims (4)
- １．アルミニウム合金に電解および無電解メッキ法によ
つて被膜を形成する方法において、 メッキを施す前に不活性ガスのイオン、もしくは、原子
を照射し、前記アルミニウム合金の表面を清浄化した後
、真空蒸着、もしくは、スパッタリングにより薄膜を被
覆することを特徴とするアルミニウム合金のメッキ方法
。 - ２．アルミニウム合金に電解および無電解メッキ法によ
つて被膜を形成する方法において、 メッキを施す前に、レーザ光を照射し、アルミニウム合
金表面層を一度溶解することを特徴とするアルミニウム
合金のメッキ方法。 - ３．請求項１または２において、前記アルミニウム合金
をアルミニウムとシリコンを含む合金とするアルミニウ
ム合金のメッキ方法。 - ４．請求項１または２のアルミニウム合金を、原子比率
で１１．３％以上のシリコンを含む合金とするアルミニ
ウム合金のメッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26621990A JPH04143292A (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | アルミニウム合金のメッキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26621990A JPH04143292A (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | アルミニウム合金のメッキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04143292A true JPH04143292A (ja) | 1992-05-18 |
Family
ID=17427918
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26621990A Pending JPH04143292A (ja) | 1990-10-05 | 1990-10-05 | アルミニウム合金のメッキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04143292A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1564311A1 (en) * | 2002-10-25 | 2005-08-17 | FCM Co., Ltd. | Stabilized aluminum laminate having aluminum and stabilizing layer laminated thereon |
| JP2007217781A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Asahi Glass Co Ltd | Ａｌ−Ｓｉ合金又は該合金を含む複合材のメッキ方法 |
| JP2008081783A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Fukui Prefecture | 大気中の前処理を伴っためっき方法並びにめっき前処理装置 |
| WO2018143177A1 (ja) * | 2017-02-01 | 2018-08-09 | 株式会社Uacj | アルミニウム合金製の磁気ディスク基板及びその製造方法 |
| JP6439066B1 (ja) * | 2018-03-09 | 2018-12-19 | 株式会社Uacj | 磁気ディスク基板及びその製造方法並びに磁気ディスク |
-
1990
- 1990-10-05 JP JP26621990A patent/JPH04143292A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1564311A4 (en) * | 2002-10-25 | 2007-08-15 | Fcm Co Ltd | STABILIZED ALUMINUM LAMINATE OF ALUMINUM WITH STABILIZATION LAYER |
| EP1564311A1 (en) * | 2002-10-25 | 2005-08-17 | FCM Co., Ltd. | Stabilized aluminum laminate having aluminum and stabilizing layer laminated thereon |
| JP2007217781A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Asahi Glass Co Ltd | Ａｌ−Ｓｉ合金又は該合金を含む複合材のメッキ方法 |
| JP2008081783A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Fukui Prefecture | 大気中の前処理を伴っためっき方法並びにめっき前処理装置 |
| US10767247B2 (en) | 2017-02-01 | 2020-09-08 | Uacj Corporation | Aluminum alloy magnetic disk substrate and method for producing same |
| WO2018143177A1 (ja) * | 2017-02-01 | 2018-08-09 | 株式会社Uacj | アルミニウム合金製の磁気ディスク基板及びその製造方法 |
| JP6439082B1 (ja) * | 2017-02-01 | 2018-12-19 | 株式会社Uacj | アルミニウム合金製の磁気ディスク基板及びその製造方法 |
| CN110234794B (zh) * | 2017-02-01 | 2020-10-09 | 株式会社Uacj | 铝合金制的磁盘基板及其制造方法 |
| CN110234794A (zh) * | 2017-02-01 | 2019-09-13 | 株式会社Uacj | 铝合金制的磁盘基板及其制造方法 |
| JP6439066B1 (ja) * | 2018-03-09 | 2018-12-19 | 株式会社Uacj | 磁気ディスク基板及びその製造方法並びに磁気ディスク |
| JP2019160361A (ja) * | 2018-03-09 | 2019-09-19 | 株式会社Uacj | 磁気ディスク基板及びその製造方法並びに磁気ディスク |
| WO2019171675A1 (ja) * | 2018-03-09 | 2019-09-12 | 株式会社Uacj | 磁気ディスク基板及びその製造方法並びに磁気ディスク |
| US11270730B2 (en) | 2018-03-09 | 2022-03-08 | Uacj Corporation | Magnetic disk substrate, method for manufacturing same and magnetic disk |
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