JPH04137547A - 連続式ウエハ冷却装置 - Google Patents

連続式ウエハ冷却装置

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JPH04137547A
JPH04137547A JP26005490A JP26005490A JPH04137547A JP H04137547 A JPH04137547 A JP H04137547A JP 26005490 A JP26005490 A JP 26005490A JP 26005490 A JP26005490 A JP 26005490A JP H04137547 A JPH04137547 A JP H04137547A
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semiconductor wafer
cooling
chamber
wafer
mounting table
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Hideari Horinouchi
秀有 堀之内
Tsutomu Ueno
勉 上野
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Nagase and Co Ltd
Nagase Sangyo KK
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Nagase and Co Ltd
Nagase Sangyo KK
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は半導体素子の極低温における諸特性の測定をウ
ェハ状態でかつ連続して行なうことができる連続式ウェ
ハ冷却装置に関する。
[従来の技術及び発明が解決しようとする課題]近年、
コンピュータの高速化等の要求から、低温で動作する半
導体材料・素子の開発が盛んであり、そのためには、素
子の低温試験を行なうことが必要である。
しかるに、従来はウェハ状に形成された個々のチップを
切り出し、各チップ毎にテストリードを付は保護手段を
施した後に冷却し、電気的特性テストを行なう方法が採
られていた。しかしながら、かかる方法では、素子の切
り出し等に多くの手間がかかり、多大な労力及び時間を
費やさなければならなかった。
このような事情に鑑み、最近、プローブを備え、ウェハ
状態で低温における素子の諸特性を測定することができ
る装置が開発されている。
しかし、このような装置であっても、素子の取り替えを
行なう毎に冷却・昇温工程を繰り返し行なわなければな
らず、連続して多種類の素子の特性測定を行なう場合に
は、多大な時間を要するという欠点があった。
また、冷凍機本体の振動によりウェハ載置台も微振動す
る場合があり、安定した測定ができない場合もあった。
本発明は上記した課題を解消するためになされたもので
あり、半導体素子の評価及び試験をウェハ状態で連続し
てかつ安定して行なうことができる連続式ウェハ冷却装
置を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 上記目的を達成するため、本発明の連続式ウェハ冷却装
置は、試験すべき半導体ウェハの載置台を内蔵し、プロ
ーバにより該半導体ウェハの電気的特性を測定する連続
式ウェハ冷却装置において、半導体ウェハ出入れ口を有
する予備室と、該出入れ口から挿入された半導体ウェハ
を保持し、該半導体ウェハを所定位置まで搬送可能なア
ームを有するアクチュエータと、半導体ウェハ載置台を
有するとと共に、該予備室とゲートパルプを介1、アl
!I1.fEト乙+t=、fll−−テ11+771’
2ミで、ルー’jV!I’;ミrgrjs47冷却ヘッ
ドが臨んで配設される冷凍機と、該冷凍機の冷却ヘッド
と半導体ウェハ載置台とを接続する伝熱体と、前記予備
室と測定室を真空とすることができる真空装置と、を有
し、測定室を常時真空に維持することにより、半導体ウ
ェハの低温試験を連続して行ない得るように設けたこと
を特徴とする。
[実施例1 以下、図面に示した本発明の一実施例に基づきさらに詳
細に説明する。
図において、■は本実施例の冷却装置を示し、予備室2
、測定室4、冷凍機7等を有して構成される。
予備室2は、半導体ウェハの出入れ口が形成されている
と共に、半導体ウェハ搬送用のアームが該予備室2内を
移動可能に配設され、かつ密閉空M8−竪成j、得るよ
う↓こ構成されていれば特に限定されるものではない。
本実施例では、第3図(a)〜(d)に示すように、二
つの筒状体を用い、一方の筒状体20の周壁部に他方の
筒状体21を溶接等により気密に連結して略丁字形に形
成した。この場合、一体成形により丁字形の予備室2と
してもよいことはもちろんである。
一方の筒状体20の一端開口部は半導体ウェハ出入れ口
として機能し、この出入れ口に対し蓋体22が第1図の
点線で示したようにエアシリンダ(図示せず)等により
上下に摺動可能に、あるいは螺子等により取り外し可能
に取付けられ、該出入れ口を開閉する。なお、筒状体2
0の他端開口部は円板23により閉塞されている。24
は該−方の筒状体20の周壁部に、他方の筒状体21に
対向させて開口した開口部20aに突設したアクチュエ
ータ連結部である。25は内部状態確認用の観察窓であ
り、該一方の筒状体20の周壁土部付近に設けられてい
る。また周壁下部付近には任意の不動部に固定するため
の取付は突片26が設けられている。
他方の筒状体21の後端開口部にはその周部にフランジ
21aが設けられており、後述するゲートバルブ5に連
結可能に形成されている。
アクチュエータ3は、第1図に示すように、シリンダ3
1、ロッド32及び該ロッド32の先端部に取付けられ
た半導体ウェハ保持用アーム33を有し、該ロッド32
に組み込まれた磁石を利用して該ロッド32を摺動させ
る構造のものである。そして、ロッド32及びアーム3
3を筒状体20の周壁に設けた開口部20aに挿通して
該筒状体20内に臨ませ、シリンダ31の先端部を上記
連結部24に気密に接続することにより本装置1の所定
位置に配設されるものである。
測定室4は、第1図及び第2図に示すように、例えば略
箱状に形成されて上記予備室2に隣接して配設される。
また、該予備室2の第2の筒状体21の後端開口部と対
面する位置には、同径の筒状ボート41が突設形成され
、その周部にはフランジ41aが設けられている。なお
、この測定室4は、後述する冷凍機7等が配設される機
械室8に対して隔壁6により仕切られている。
ゲートバルブ5は、第4図に示すように、2つのフラン
ジ51.51と、該フランジ51.51間の中空部51
aを仕切る仕切り板52と、該仕切り板52を作動させ
る駆動部S3とを有して構成される。そして、上記予備
室2の他方の筒状体21のフランジ21aと測定室4の
筒状ボート41のフランジ41aとの間に固定配設され
ている。
冷凍機7は、冷却ヘッド7aと圧縮機(図示せず)とか
ら構成され、30〜300に程度の温度範囲で動作する
能力を有する極低温冷凍機であれば特に限定されるもの
ではない。
この冷凍機7は、上記測定室4とその下方に設けた機械
室8とを仕切る隔壁6に形成された取付は孔(図示せず
)に、冷却ヘッド7aを該取付は孔から測定室4内部に
臨ませて固定配設されている。
測定室4内において冷却ヘッド7aの上方には、半導体
ウェハを載置するための半導体ウェハ載置台lOが配設
されている。この載置台10は第5図に示すように、そ
れぞれ銅板より形成される、基台101、該基台101
上部に載置された断面略コ字状の下プレート1o2及び
略中央部に所定径の窓部103aが開設された上プレー
ト103とを有してなる。
基台101は、任意の不動部、例えば機械室8内に突設
した固定シャフト17の固定部17aに連結された4本
の固定ロッド104により支持されている。なお、第1
図において、符号11は冷凍機7の周囲に装填されると
共に、一端部が冷凍機7のフランジ7bに固着されてい
るベローズであり、このベローズ11の他端部を固定シ
ャフト17の固定部17aと連結することにより、冷凍
機7の振動を吸収し得るように構成されている。
105は可動ロッドであり、モータ17cによって駆動
せしめられる駆動ロッド17dに連結されている。そし
て、この可動ロッド105は、上プレーt−1−03と
連結され、該上プレート103を上下動可能に支持して
いる。なお、モータ17cは、固定シャフト17の一端
部に連結した底板部材17b上に配設されている。
12は該可動ロッド105に周設されたベローズであり
、一端部が該可動ロッド105に突設したフランジ10
5aに、他端部が上記固定シャフト17の固定部17a
に固着されて配設され、上記ベローズ11と同様、冷凍
機7の振動吸収を行なう。
また、第5図に示したように、上プレート103の両測
部付近には下方に突設されたクランプ部103aが設け
られており5下プレート102には、該クランプ103
aに対応する位置に該クランプ受部102aが形成され
ている。
102bは該下プレート102上面に固着された絶縁用
板部材であり、半導体ウェハ載置部として機能する。
107は銅編み線であり、伝熱体としての機能を果たす
。この銅編み線107はウェハ載置台lO全体を均一に
冷却するために、冷却ヘッド7aと下プレート102、
下プレート102と上プレート103の各部材のそれぞ
れに各端部が固着されて複数本配設されている。この銅
編み線107は、また、上記ベローズ11.12と共に
冷凍機7の振動吸収を行なうという機能も果たす。
第1図及び第2図において模式的に示した符号13は、
4本の固定ロッド104のうち測定室4内に臨んでいる
部分の周囲に掛け渡し巻回した表面に金属薄膜層が形成
されてなるシート状シールド部材であり、冷却効率を上
げるために配設される。このシート状シールド部材13
としては、例えばデエボン社製のカプトン(商標名)等
のアルミ蒸着シートを用いることができる。なお、巻回
する際には、載置台lOの半導体ウェハが挿入される部
分及びプローバ針が挿入される上プレート103の窓部
103aが開口するように巻回することはもちろんであ
る。
測定室4には、上記した冷却へ・ンド7a及び載置台l
Oの他、プローバ(図示せず)力≦配設されている。こ
のプローバは従来公知のものでよく、例えば、可動アー
ムによりX−Y−Z方向4こ移動可能なステージと、該
ステージに取付けられたプローブ針とを有して構成され
るものを用5sることかできる。すなわち、測定の際に
は待機位置力)ら×またはY方向に移動して、ウェハ載
置台lOの直上位置、すなわち、上記した上プレート1
03の窓部103aの上方に至った後゛、Z方向すなわ
ち上下方向に移動してプローブ針が該窓部103aから
挿入せしめられ、半導体ウエノ\と接触し、その電気的
特性を測定する構成のものである。
機械室8には、冷凍機7の他に2つの真空装置が配設さ
れている。一方はロータリーポンプ14であり、図示し
ない配管により予備室2と測定室4のそれぞれに連通さ
れ、各室2.4を大気圧から所定の真空度にするために
配設される。
他方はターボポンプ15であり、ロータリーポンプ14
により所定の真空度となった測定室4内を測定に適した
さらに高い真空度とするために配設される。このターボ
ポンプ15は、配管部15aの中途にゲートバルブ16
が配設されており、該ゲートバルブ16を開閉すること
により、測定室4内を真空引きできるものである。なお
、このターボポンプ15は配管部15a先端に突設した
フランジ(図示せず)が、隔壁6に形成した取付は孔(
図示せず)に固定せしめられて配設されている。
本実施例の連続式ウェハ冷却装置lは次のように使用さ
れる。
まず、蓋体22を第1図に示すように上方に摺動させて
開放し、ウェハ出入れ口から試験すべき半導体ウェハA
をアクチュエータ3のアーム33上にセットする。次に
、蓋体22を閉め、ロータリーポンプ14を作動させ、
予備室2及び測定室4内を所定の真空度にする。そして
、アクチュエータ3を作動させ、ロッド32を伸張させ
てアーム33を載置台lOの下プレート102上方まで
移動させる。このとき、予めゲートバルブ5は開状態に
してお(。
載置台lOの下プレート102上方までアーム33を移
動させた後、可動ロッド105を駆動して上プレート1
03のクランプ部103aにより該アーム33上から半
導体ウェハAをす(い上げるように持ち上げる。そして
、アーム33を載置台lOの下プレート102上方から
予備室2側に後退移動させ、ウェハ出入れ口付近の原位
置に待機させる。一方、上プレート103は半導体ウェ
ハAをすくい上げた後下降し、該半導体ウェハAを下プ
レート102の絶縁用板部材102b上に載置する。
しかる後、ゲートバルブ5を閉成方向に作動し、予備室
2と測定室3とを仕切り板52により仕切る。そして、
ターボポンプI5を作動させて、測定室4内を測定に適
した高い真空状態にする。なお、冷凍機7は上記した動
作を行なう前にあらかじめ作動させてお(。
測定室4内が所定の温度に達した後、プローバのステー
ジを例えばY方向に移動させ、プローブ針が半導体ウェ
ハAの直上位置となるようにする。次に、該ステージを
Z方向に移動させ、プローブ針を上プレート103の窓
部103aから挿入して半導体ウェハAに当接し、該半
導体ウェハAの電気的特性を測定する。
このとき、本実施例においては載置台lOを支持する固
定ロッド104及び可動ロッド105がベローズ11.
12を介して配設されているため、冷凍機7の振動を緩
和することができ、正確な測定が行なわれる。また、銅
編み線107により冷却ヘッド7と載置台10の所定個
所とが連結されているため、半導体ウェハA全体を均一
に冷凍することができると共に、該銅編み線107によ
っても振動吸収が行なわれる。さらに、シート状シール
ド部材13が配設されているため、従来と比較して冷却
時間を短縮することができる。
測定後は、ゲートバルブ5の仕切り板52を開方向に移
動させると共に、上記アクチュエータ3を作動させアー
ム33を載置台10まで再び前進移動させる。そして、
上プレート103のクランプ部103aによって持ち上
げられている半導体ウェハAを該アーム33上に載せ、
ロッド32を後退させて該アーム33を原位置まで復帰
させる。と同時に、ゲートバルブ5を閉成動作する。
アーム33が原位置に復帰した後、蓋体22を開け、測
定済の半導体ウェハAを取り出し、次の試験すべき半導
体ウェハAをアーム33上に載せて、上記した動作を繰
り返す。
測定室4と予備室2とはゲートバルブ5により仕切られ
ているので、半導体ウェハAの交換により、予備室2内
が大気圧になっても、測定室4内は、常時、真空状態に
維持されており、載置台lOも低温状態に維持されてい
る。
[発明の効果] 本発明の連続式ウェハ冷却装置によれば、測定室内を常
に真空状態に、また、載置台を低温状態に維持しておく
ことができる構造であるため、従来のように、冷却・昇
温工程を繰り返す必要がなく、連続測定する際の測定時
間を従来と比較して著しく短縮することができる。
また、測定室内における半導体ウェハ載置台を、ベロー
ズを介して支持すると共に、冷凍機に対して銅編み線に
より連結したため、効率のよい冷却を行なうことができ
る。また、冷凍機の振動を吸収することができるため、
半導体ウェハの電気的特性を正確に測定することができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の連続式ウェハ冷却装置の一実施例を模
式的に示した縦断面図である。第2図は第1図■−■線
矢視図である。第3図は予備室の構造を示す図であり、
(a)は平面図、(b)は背面図、(c)は側面図、(
d)は正面図、である。第4図はゲートバルブを示す斜
視図である。 第5図は半導体ウェハ載置台及び冷却ヘッドの配設関係
を示す斜視図である。 1・−・・・・連続式ウェハ冷却装置 2・・・・・・予備室 3・・・・・・アクチュエータ 4・・・・・・測定室 5.16−・・・・・ゲートバルブ 6・・・・・・隔壁 7・・・・・・冷凍機 8 =−−−−機械室 lO・・・・・・半導体ウニ八載置台 Ll、12・・・・・・ベローズ 13・・・・・・シート状シールド部材14・・・・・
・ロータリーポンプ 15・・・・・・ターボポンプ 17・・・・・・固定シャフト

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)試験すべき半導体ウェハの載置台を内蔵し、プロ
    ーバにより該半導体ウェハの電気的特性を測定する連続
    式ウェハ冷却装置において、 半導体ウェハ出入れ口を有する予備室と、 該出入れ口から挿入された半導体ウェハを保持し、該半
    導体ウェハを所定位置まで搬送可能なアームを有するア
    クチュエータと、半導体ウェハ載置台を有するとと共に
    、該予備室とゲートバルブを介して隣接して設けられた
    測定室と、該測定室内に冷却ヘッドが臨んで配設される
    冷凍機と、該冷凍機の冷却ヘッドと半導体ウェハ載置台
    とを接続する伝熱体 と、前記予備室と測定室を真空とすることができる真空
    装置と、を有し、測定室を常時真空に維持することによ
    り、半導体ウェハの低温試験を連続して行ない得るよう
    に設けたことを特徴とする連続式ウェハ冷却装置。
  2. (2)前記半導体ウェハ載置台が、任意の不動部に対し
    ベローズを介して連結された固定ロッドに支持されると
    共に冷却ヘッド上方に配設される基台と、半導体ウェハ
    載置部を有すると共に該基台上に配設される下プレート
    と、クランプ部を有すると共に、任意の不動部に対しベ
    ローズを介して上下動可能に連結配設された可動ロッド
    に支持され、搬送されてきた半導体ウェハをクランプ部
    によりアーム上から前記下プレートの載置部に載置可能
    な上プレートと、を有して構成される請求項1記載の連
    続式ウェハ冷却装置。
  3. (3)表面に金属薄膜層が形成されてなるシート状シー
    ルド部材を、少なくとも前記固定ロッド間に掛け渡し巻
    回することにより、前記冷却ヘッドを取り囲むように配
    設してなる請求項2記載の連続式ウェハ冷却装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3734303A1 (en) * 2019-05-03 2020-11-04 Afore Oy Cryogenic probe station with loading assembly
CN113109687A (zh) * 2019-12-24 2021-07-13 爱思开海力士有限公司 测试半导体器件的系统和方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01278739A (ja) * 1988-04-30 1989-11-09 Nippon Denshi Zairyo Kk 半導体ウェハー低温試験装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01278739A (ja) * 1988-04-30 1989-11-09 Nippon Denshi Zairyo Kk 半導体ウェハー低温試験装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3734303A1 (en) * 2019-05-03 2020-11-04 Afore Oy Cryogenic probe station with loading assembly
CN111965517A (zh) * 2019-05-03 2020-11-20 艾伏有限公司 测试设备
US11226364B2 (en) 2019-05-03 2022-01-18 Afore Oy Testing device
CN113109687A (zh) * 2019-12-24 2021-07-13 爱思开海力士有限公司 测试半导体器件的系统和方法

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