JPH04137222A

JPH04137222A - 磁気ディスク用基板および磁気ディスク

Info

Publication number: JPH04137222A
Application number: JP25979990A
Authority: JP
Inventors: Jiro Yoshinari; 次郎吉成; Takanori Kobuke; 古武家　隆敬; Kunihiro Ueda; 国博上田; Yasumichi Tokuoka; 保導徳岡
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1990-09-28
Filing date: 1990-09-28
Publication date: 1992-05-12

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〈産業上の利用分野〉本発明は、いわゆるハードタイプの磁気ディスクに用い
る磁気ディスク用基板と、この磁気ディスク用基板上に
、磁性層を有する磁気ディスクとに関する。

〈従来の技術〉計算機等に用いられる磁気ディスク駆動装置には、剛性
基板上に磁性層を設層したハードタイプの磁気ディスク
と浮上型磁気ヘッドとが用いられている。

このような磁気ディスク駆動装置においては従来、塗布
型の磁気ディスクが用いられていたが、磁気ディスクの
大容量化に伴い、磁気特性、記録密度等の点で有利なこ
とから、スパッタ法等の気相成膜法等により設層される
連続薄膜型の磁性層を有する薄膜型磁気ディスクが用い
られるようになっている。

薄膜型磁気ディスクとしては、ＡＩ２系のディスク状金
属板にＮ１−Ｐ下地層をめっきにより設層するか、ある
いはこの金属板表面を酸化してアルマイトを形成したも
のを基板とし、この基板上にＣｒ層、Ｃｏ−Ｎｉ等の金
属磁性層、さらにＣ等の保護潤滑膜をスパッタ法により
順次設層して構成されるものが一般的であるが、転送レ
ートや記録密度の向上のための高速回転化や、駆動装置
の小型化の要請が大きく、磁気ディスクの軽量化、さら
には低コスト化が強く望まれている。

このため、金属製基板より軽く、しかも低コストな樹脂
製の剛性基板を用いた磁気ディスクが注目されている。

しかし、平滑な表面の基板上に、連続薄膜の金属磁性層
を成膜すると、磁性層のディスク周方向の保磁力が不十
分なものとなる。

そして、再生出力波形にモジュレーションが生じてしま
う。

このような事情から、Ｅ、ＴＥＮＧ、　Ｎ、　ＢＡＬＬ
ＡＲＤ：ＩＥＥＥ　Ｔｒａｎｓ、　Ｍａｇｎ、、　ＭＡ
Ｇ−２２，５７９（１９８６）には、基板を回転させな
がら研磨テープを作用させる、いわゆるテクスチャリン
グにより、金属等の基板表面の周方向に、不規則な微細
な凹凸を形成し、ディスク周方向の保磁力を向上させ、
再生出力波形のモジュレーションを低下させる旨が記載
されている。

〈発明が解決しようとする課題〉しかし、樹脂製の基板上に、テクスチャリングにより凹
凸を形成すると、その凹凸は、通常、その形状や寸法等
が一定ではな（、また、凹部や凸部は不連続であるため
、結晶粒子のＣ軸方向を十分にディスク周方向に一致さ
せることができない。　このため、磁性層のディスク周
方向の保磁力が不十分となり、しかも再生出力のモジュ
レーションを十分に防止できない。

本発明の目的は、ディスク周方向の保磁力が高く、しか
も再生出力のモジュレーションを防止できる磁気ディス
ク用樹脂製基板と、この基板を用いた磁気ディスクとを
提供することにある。

く課題を解決するための手段〉このような目的は、下記（１）〜（９）の本発明によっ
て達成される。

（１）樹脂製のディスク状剛性基板の少なくとも一方の
主面に、開口部幅が底部幅より大であり、開口部幅および断面形
状が実質的に均一であり、基板周方向に形成された溝を
有することを特徴とする磁気ディスク用基板。

（２）前記溝は、同心円状または渦巻状に形成されてい
る上記（１）に記載の磁気ディスク用基板。

（３）前記溝の底部幅Ｃと開口部幅ａとの比ｃ　／　ａ
が９／１０以下である上記（１）または（２）に記載の
磁気ディスク用基板。

（４）前記溝の開口部幅の変動係数が５０％以下である
上記（１）ないしく３）のいずれかに記載の磁気ディス
ク用基板。

（５）前記溝の深さの変動係数が５０％以下である上記
（１）ないしく４）のいずれかに記載の磁気ディスク用
基板。

（６）前記溝の溝間間隙の変動係数が５０％以下である
上記（１）ないしく５）のいずれかに記載の磁気ディス
ク用基板。

（７）前記溝の開口部幅が０．０５〜１０μｍ、深さが
０．０１〜０．５坤、溝間間隙が０〜１０μｓである上
記（１）ないしく６）のいずれかに記載の磁気ディスク
用基板。

（８）上記（１）ないしく７）のいずれかに記載の磁気
ディスク用基板の溝形成面上に、連続薄膜の磁性層を有
することを特徴とする磁気ディスク。

（９）前記磁性層のディスク周方向の角形比Ｓ、と、デ
ィスク径方向の角形比Ｓ２との比Ｓ、／Ｓ２が１．１０
以上である上記（８）に記載の磁気ディスク。

く作用〉本発明の磁気ディスク用基板は、樹脂製であり、基板表
面の周方向に、開口部より底部の幅が狭く、実質的に均
一な溝を有する。

このような溝を有する基板上に、スパッタリング等の気
相成膜法により、Ｃｒ薄膜等の下地層を形成した後、Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｃｒ薄膜、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｎｉ薄膜等の磁性層
を形成すると、成膜の際、結晶粒子のＣ軸方向が面内か
つ溝方向すなわち周方向に拘束されて均一にエピタキシ
ャル成長を行なう。

このため、磁性層の磁化容易軸の方向がディスク周方向
に揃い、磁気異方性が増大し、周方向の保磁力や角形比
が向上し、加えて、再生出力のモジュレーションを防止
できる。

なお、溝形状を矩形としても、ある程度は結晶粒子は、
Ｃ軸方向が周方向に拘束されてエピタキシャル成長を行
なうが、溝の開口部幅と底部幅とが同じであり、溝の底
部がほぼ直線状であるため、溝内で配向方向に自由度が
生じ、十分にディスク周方向に配向しない。

このため、矩形の溝の場合には、再生出力にモジュレー
ションが生じてしまう場合があり、特に周方向の保磁力
が不十分である。

これに対し、本発明の磁気ディスク用基板の溝形状は、
例えば■状やＵ状等であり、開口部幅より底部幅が狭い
ため、溝内部でもエピタキシャル成長の方向を規制でき
、Ｃ軸をディスク周方向に揃えることができる。

この結果、ディスク周方向の保磁力が高（、再生出力に
モジュレーションが生じない磁気ディスクが実現する。

また、本発明の磁気ディスク用基板は樹脂製であり、加
工性が良いため、所定形状の溝を正確に形成でき、しか
も量産上非常に有利である。

〈具体的構成〉以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。

本発明の磁気ディスク用基板は、樹脂製のディスク状剛
性基板である。

用いる樹脂には特に制限がな（、熱可塑性樹脂、熱硬化
性樹脂、放射線硬化性樹脂等何れの樹脂を使用してもよ
い。

この場合、基板をキャスティスグ法で成型する場合は、
ポリウレタン、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリスチ
レン、ポリアミド、シリコーン樹脂、ポリエステルおよ
びこれらの変性体等が使用できる。

インジェクション法で成型する場合は、ポリエチレン、
ポリプロピレン、塩化ビニル樹脂、塩化ビニリデン樹脂
、フッ化ビニリデン樹脂、ポリスチレン、アクリロニト
リル−スチレン共重合体、アクリロニトリル−ブタジェ
ン−スチレン共重合体、アクリル樹脂、ポリアミド、ポ
リカーボネート、ポリアセタール、ボリエステル、ポリ
サルホン、ポリオキシベンジレン、ボッエーテルサルホ
ン、ポリエーテルケトン、ボッエーテルエーテルケトン
、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニレンエーテ
ル、ポリフェニレンオキサイド、ポリケトンサルファイ
ド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアクノルイミ
ド、ポリエーテルイミド、ポリオレフィン、アモルファ
スポリオレフィンおよびこれらの変性体等が使用できる
。

基板の寸法は、用途等に応じて適宜選択すればよいが、
通常、外径６５〜１３０ｍｍ程度、内径２０〜４０ｍ１
Ｉ＋程度、厚さ０．８〜１．７＋ｎｍ程度である。

本発明の磁気ディスク用基板は、一方の主面あるいは両
主面に開口部幅が底部幅より広（、しかも開口部幅およ
び断面形状が実質的に均である溝を有する。

この場合、溝が基板周方向に形成されていれば、そのパ
ターンには特に制限がないが、同心円状または渦巻状が
好ましく、溝パターンは多少変形ないし偏心していても
よい。

また、基板が両主面に溝を有する場合、溝の形状、寸法
、パターン等は、同一でも互いに異なっていてもよい。

溝は、開口部幅が底部幅より大であり、開口部幅および
断面形状が実施的に均一であれば、その形状や寸法等に
は特に制限がないが、好適例を第１図〜第８図に示し以
下説明する。

第１図に示される磁気ディスク用基板２には、断面台形
状で、開口部幅ａが実質的に均一である溝２１が基板周
方向に形成されている。

図示例では、溝２１は１種類のみ形成されている。

この溝２１は、開口部幅ａと、断面形状とが実質的に均
一であることが必要である。

開口部幅ａが実質的に均一とは、完全同一のみの場合に
限定されるものではな（、各溝の開口部幅ａに多少の差
がある場合も含まれる。

定量的には、開口部幅を基板径方向に測定したとき、開
口部幅ａの変動係数が５０％以下、より好ましくは２０
％以下であることが好ましい。

前記範囲をこえると、連続薄膜型の磁性層を成膜して磁
気ディスクにした場合、ディスク周方向の保磁力が低下
し、再生出力にモジュレーションが生じる傾向にある。

ここに、変動係数とは、平均値に対する標準偏差の比で
ある。

溝の断面形状が、実質的に均一とは、完全同一ないし相
似形のみの場合に限定されるものではな（、多少変形し
た形状の溝が含まれている場合も含まれる。

より具体的には、溝の断面の面積を、前記と同様にして
測定したとき、その変動係数が５０％以下、より好まし
くは２０％以下であることが好ましい。

このようにするためには、本発明の基板２は、溝２１の
深さｈ、溝２１の底部幅Ｃおよび溝間間隙すから選ばれ
る１以上が均一であることが好ましい。

定量的には、前記と同様に、各々の寸法ないし面積を基
板径方向に測定したとき、深さｈ、底部幅Ｃおよび溝間
間隙すの変動係数は、それぞれ、５０％以下、より好ま
しくは２０％以下であることが好ましい。

前記範囲の場合、本発明の効果がより一層向上する。

なお、前記の各寸法す、ｃおよびｈはｈ、ｂ、ｃの順序
で均一であることが好ましい。

また、溝２１の径方向の間隔については、場合によって
は、不規則に変化するものであってもよいが、溝２１は
、図示のように、好ましくは変動係数５０％以下、特に
２０％以下の範囲にて等間隔に形成され、実質的に基板
径方向に規則的に配置されていることが好ましい。

また、本発明の基板２の満２１の寸法は、底部幅Ｃと開
口部幅ａとの比ｃ　／　ａが９７１０以下、特に５／１
０以下であることが好ましい。

前記範囲をこえると、連続薄膜型の磁性層を成膜して磁
気ディスクにした場合、ディスク周方向の保磁力が減少
し、再生出力にモジュレーションが生じる傾向にある。

また、溝２１の開口部幅ａは０．０５〜１０ｐ、より好
ましくは０．０５〜５μｓ、特に好ましくは０．０５〜
１ｐが好ましい。

前記範囲未満では、溝の効果が得られず、前記範囲をこ
えるとディスク周方向の保磁力が減少し、再生出力にモ
ジュレーションが生じる傾向にある。

講２１の深さｈは０．０１〜０．５μｍ、より好ましく
は０．０１〜０．３、特に好ましくは０．０１〜０．１
５ｇｍが好ましい。

前記範囲未満では溝の効果が得られず、前記範囲をこえ
ると再生出力が低下する傾向にある。

また、溝間間隙すは０〜１０戸、より好ましくば０〜５
；、特に好ましくは０〜１−が好ましい。

前記範囲をこえるとディスク周方向の保磁力が減少し、
再生出力にモジュレーションが生じる傾向にある。

なお、溝間間隙すが零、すなわち台形状の溝２１が連続
して形成されていてもよい。

ここに、溝２１の開口部幅ａとは、基板２の最高点間の
距離、底部幅Ｃとは、グループ２１内の基板２の最低点
が連続して存在する距離、溝間間隙すとは、隣接する一
対の溝間における基板２の最高点が連続して存在する距
離、深さｈとは、最高点と最低点間の距離である。

また、溝２１の寸法ａ、ｂ、ｃおよびｈは、それぞれ、
２ビームの走査型電子顕微鏡（Ｓ　ＥＭ）や走査型トン
ネル電子顕微鏡（ＳＴＭ）によるプロフィールから解像
度の範囲内で求めればよい。

なお、基板表面は、平滑であっても、所定の面粗さに仕
上げられていてもよい。

溝２１は、前記の台形状のほが種々の形状であってよい
が、特に■状および／またはＵ状であることが好ましい
。

第２図に示される磁気ディスク用基板２は、■状の溝２
１を有する。

溝２１は、図示されるような完全なＶ形である必要はな
く、例えば第３図に示される非対称なＶ形、第４図に示
される溝壁面が曲率な有しているもの等多少変形したも
のであってもよい。

また、第５図に示されるように、■と傾きが異なる例え
ば垂直直線部等が設けられ、溝２１の壁面が折れ線状に
なってもよく、第６図に示されるように、溝２１の壁面
には、段部や肩部があってもよい。

さらには、第７図に示されるように、１つの溝２１が、
２以上のＶ形を有していてもよ（，２以上のＶ形は、そ
れぞれ深さが異なっていてもよい。

第８図にはＵ状の溝２１を有する磁気ディスク用基板２
が示される。

この場合も溝２１は、前記Ｖ状の溝と同様、種々の変形
形状のものであってもよい。

また、前記■状やＵ状等の溝が連続して形成され、基板
表面が、サイクロイド状、サイン波状等になっていても
よい。

このような満２１は、必要に応じてその２種以上を好ま
しくは互いに所定の配置で、ともに規則的に設けてもよ
いが、基板周方向の配向性や保磁力、さらには再生出力
のモジュレーションの点で、１種であることが好ましい
。

磁気ディスク用基板２の製造方法には特に制限がなく、
例えば射出成形により溝２１を同時に形成すればよい。

また、必要に応じ、研削、加圧成形、エツチング等によ
り後から溝２１を形成してもよい。

本発明の磁気ディスク用基板２は、磁気ディスク、特に
連続薄膜型の磁性層を有する磁気ディスクに用いられる
。

次に、本発明の磁気ディスク用基板を用いた本発明の磁
気ディスクについて説明する。

第９図には、本発明の磁気ディスクの好適例が示される
。

磁気ディスク１は、基板２上に、磁性層４を有する。

そして、必要に応じて、基板２と磁性層４との間に、下
地層３を有し、磁性層４の上に保護層５等を有する。

この場合、■状の溝２１を有する基板２を用いているが
、前述した本発明の基板であれば何れを用いてもよい。

磁性層４は、連続薄膜型であれば特に制限がな（、例え
ば、Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉから選ばれる１種以上を含有
する連続薄膜、特にＣｏ系の連続薄膜で構成すればよい
。

磁性層５の組成の具体例としては、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃ
ｏ−Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｖ合金、Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ合
金；Ｃｏ−Ｐ合金、Ｃｏ−Ｚｎ−Ｐ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−
Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ　−Ｎ　ｉ　−Ｍ　ｎ
　−Ｒｅ　−Ｐ合金等が挙げられる。

なお、これら合金には、必要に応じ、○、Ｎ、Ｓｉ、Ａ
ｊ２、Ｍｎ、Ａｒ、Ｂ、Ｃ等の他の元素が２０重量％程
度以下含有されていてもよい。

磁性層４の膜厚は、０．０３〜０．２−が好ましい。

前記範囲未満では、再生出力が不十分であり、前記範囲
をこえると保磁力が低下する。

磁性層４は、蒸着、スパッタリング、イオンブレーティ
ング、ＣＶＤ等の各種気相成膜法にて成膜すればよいが
、特にスパッタリングにて成膜することが好ましい。

スパッタリングにて成膜する場合、スパッタの方式、装
置等には特に制限がなく、また諸条件もスパッタ方式等
に応じて適宜決定すればよい。

例えば、ＤＣ−マグネトロンスパッタの場合、動作圧力
は、０．１〜１０Ｐａ程度とし、Ａｒ等の不活性ガス雰
囲気下で行なえばよい。

また、磁性層４のディスク周方向の角形比を８１　ディ
スク径方向の角形比を８２としたとき、本発明では、Ｓ
、と８２との比Ｓ、／Ｓ２が１．１０以上のディスクが
実現する。

基板２と、磁性層４との間には、必要に応じて、下地層
３が設けられる。

下地層３を設けることにより、磁性層４のエピタキシャ
ル成長を良好に行なうことができ、磁気特性が向上する
場合がある。

下地層３は、例えば、Ｃｒ％ＭｏおよびＷから選ばれる
１種以上を含有する連続薄膜にて構成すればよい。

この場合、用いる金属は単体でも合金でもよい。

下地層３の膜厚は、０．０５〜０．５ｐが好ましい。

前記範囲未満では、磁性層４の配向性や結晶性が悪化す
る傾向にある。

前記範囲をこえると、磁性層４の配向性が悪化する傾向
にある。

下地層３は、前述した磁性層４と同様、蒸着、スパッタ
リング、イオンブレーティング、ＣＶＤ等の各種気相成
膜法にて成膜すればよく、特にスパッタリングにて成膜
することが好ましい。

磁性層４上には、必要に応じて、さらに保護層５や図示
しない有機系潤滑膜等を設けてもよい。

この場合、前記基板上の溝２１によって、ディスク最上
面に凹凸が形成され、磁気ディスクと磁気ヘッド間の潤
滑性がより一層向上し、このためＣ８Ｓ耐久性が向上す
る。

保護層５は、通常炭素あるいは炭素に他の元素を５重量
％程度以下添加したもので構成され、その膜厚は、０．
０３〜０．１戸程度とすればよい。

また、潤滑膜は、通常フッ素系液体潤滑剤等にて構成さ
れ、その膜厚は５〜２０人程度度板ればよい。

なお、保護層５等は、各種気相成膜法、特にスパッタリ
ングにて成膜すればよい。

また、潤滑膜等は、デイツプコーティング、スプレーコ
ーティング、スピンコーティング等にて成膜すればよい
。

以上では、第９図に示される片面記録型磁気ディスクを
例に挙げて説明してきたが、本発明は、両面記録型の磁
気ディスクであってもよい。

〈実施例〉以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をさらに詳
細に説明する。

実施例１外径φ３．５インチ、厚さ１．２７ｍｍのポリエーテル
イミド製の磁気ディスク用基板を射出成形により製造し
、同時に基板の一方の主面に均一な溝を形成した。

溝は、基板の周方向に同心円状に形成し、断面Ｕ状とし
た。

また、溝の開口部幅ａ、溝の底部幅Ｃ１溝の深さｈおよ
び溝間間隙すを、それぞれ、基板径方向に測定し、各寸
法の平均値と、変動係数とを求めたところ下記のとおり
であった。　なお、各寸法は、ＳＴＭにて求めた。

開口部幅ａｇ０．２７ｍ、変動係数１４％底部幅ｃ　：
　Ｏｇｍ、変動係数０％深さｈ：ｏ、１ｐ、変動係数１３％溝間間隙ｂ：ｏ、２７ｕ＋＋、変動係数１３％次いで、
膜厚０．１−のＣｒ下地層を成膜した後、膜厚０．０５
μのＣｏ−Ｎｉ−Ｃｒ磁性層を成膜した。

そして、膜厚０．０４−のＣ保護層を成膜した後、パー
フルオロポリエーテルを塗布し、１０人の潤滑膜を成膜
して、磁気ディスクサンプルＮｏ、　　１を得た。

この場合、下地層および磁性層の成膜は、それぞれ、Ｄ
Ｃ−マグネトロンスパッタにて行ない、保護層の成膜は
、ＲＦ−マグネトロンスパッタにて行なった。

また、下地層、磁性層および保護層のスパッタ条件は、
動作圧力をＩ　Ｐａとし、Ａｒ雰囲気中とした。

ターゲットには、それぞれ、Ｃｒ、ＣＯ７ＯＮ　ｉ　２０Ｃｒ　ｌｏ　（ａｔ％）およびＣ
を用いた。

なお、ＩＣＰ発光分析により磁性層の組成を求めたとこ
ろ、ＣＯＴＯＮ　１２０Ｃｒ　ｌｏ　（ａｔ％）であっ
た。

次に、溝をＶ状にしたほかは、サンプルＮｏ。

１と同様にして、サンプルＮｏ、　　２を製造した。

溝の寸法は、下記のとおりであった。

開口部幅ａ：０．２戸、変動係数１３％底部幅Ｃ：ＯＰ
、変動係数Ｏ％深さｈ：ｏ、１岬、変動係数１５％講間間隙ｂ：０．２μｓ、変動係数１３％また、比較用
サンプルとして溝を形成しないほかはサンプルＮｏ、　
　１と同様のサンプルＮｏ、　　３と、溝を矩形状にし
たほかはサンプルＮｏ、　　１と同様のサンプルＮｏ、
　４と、基板を回転させながら研磨テープを作用させ、
いわゆるテクスチャノングにより■状の溝を形成したほ
かはサンプルＮｏ、　　１と同様のサンプルＮｏ、　　
５とを製造した。

サンプルＮｏ、　４およびサンプルＮｏ、　５の溝寸法
は下記のとおりであった。

サンプルＮ０１４開口部幅ａ：ｏ、２４、変動係数１４％底部幅ｃ：０．
２４＋、変動係数１５％深さｈ：ｏ、ｌｐ、変動係数１
３％溝間間隙ｂ：ｏ、２戸、変動係数１５％サンプルＮ００
５開口部幅ミニ５戸、変動係数６０％底部幅ｃ：０μｍ、変動係数Ｏ％深さｈ：ｏ、０２μｓ、変動係数７０％なお、サンプル
Ｎｏ、　　５の溝パターンには、部組の目状の部分もあ
ったが、はぼ同心円状であり、溝の開口部幅等の寸法は
前記のとおり不規則であった。

得られた各サンプルの磁性層のディスク周方向および径
方向の保磁力ＨｃをＶＳＭにより印加磁界強度１０ｋＯ
ｅにて測定した。

また、ディスク周方向の配向性を評価するため、前記と
同様に測定をして、ディスク周方向の角形比Ｓ、と、デ
ィスク径方向の角形比Ｓ２と、Ｓｌと８２との比Ｓｌ／
Ｓ２を算出した。

なお、Ｘ線回折により、本発明のサンプルＮｏ、　　１
およびＮｏ、　２は、それぞれ、磁性層の結晶粒子のＣ
軸が、ディスク周方向に配向していることが確認された
。

次に、各サンプルに対し、ディスク最内周、内周と外周
の中間局および最外周のそれぞれにおける再生出力のモ
ジュレーションＭ　ＯＤ　ｉを下記のとおり算出し、こ
の平均値ＭＯＤを求め、モジュレーションの評価を行な
った。

ＭＯＤｉ：ディスクに３．３ＭＨｚの単一波長の信号を記録し、そ
の１周分の出力波形エンベロープより、出力のＰ　−Ｐ
　（ｐｅａｋ　ｔｏ　ｐｅａｋ）値の最大値をＡ、最小
値をＢとし下記式から算出した。

ＭＯＤ、　＝　（Ａ−Ｂ）　／　（Ａ＋Ｂ）Ｘ　　１０
０　　（％）評価基準 ○・・・ＭＯＤが５％未満 △・・・ＭＯＤが５〜１０％ ×・・・ＭＯＤが１０％超結果は表１に示されるとおりである。

表１に示される結果から本発明の効果が明らかである。

なお、このほか、溝形状や溝寸法が異なる各種サンプル
、磁性層や基板材質が異なる各種サンプルを製造し、前
記と同様の評価を行なったところ同等の結果が得られた
。

〈発明の効果〉本発明の磁気ディスク用基板は、樹脂製であるため、軽
量であり、しかも製造時の加工性が良好である。

そして、基板は、周方向に所定の溝を有するため、周方
向の保磁力が高い磁性層を有し、しかも再生出力のモジ
ュレーションのない磁気ディスクが実現する。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第８図は、それぞれ、本発明の磁気ディスク用
基板の１例が示される部分断面図である。第９図は、本発明の磁気ディスクの１例が示される部分
断面図である。符号の説明１・・・磁気ディスク２・・・磁気ディスク用基板２１・・・溝３・・・下地層４・・・磁性層５・・・保護層特許出願人　ティーデイ−ケイ株式会社代　　理　　人
　　弁理士　　　石　　井　　隔間　　　　　弁理士　
　　増　　１）　達　　哉ＩＧＦ１Ｇ、７６．８ＦＩＧ、９

Claims

【特許請求の範囲】

（１）樹脂製のディスク状剛性基板の少なくとも一方の
主面に、開口部幅が底部幅より大であり、開口部幅および断面形
状が実質的に均一であり、基板周方向に形成された溝を
有することを特徴とする磁気ディスク用基板。
（２）前記溝は、同心円状または渦巻状に形成されてい
る請求項１に記載の磁気ディスク用基板。
（３）前記溝の底部幅ｃと開口部幅ａとの比ｃ／ａが９
／１０以下である請求項１または２に記載の磁気ディス
ク用基板。
（４）前記溝の開口部幅の変動係数が５０％以下である
請求項１ないし３のいずれかに記載の磁気ディスク用基
板。
（５）前記溝の深さの変動係数が５０％以下である請求
項１ないし４のいずれかに記載の磁気ディスク用基板。
（６）前記溝の溝間間隙の変動係数が５０％以下である
請求項１ないし５のいずれかに記載の磁気ディスク用基
板。
（７）前記溝の開口部幅が０．０５〜１０μｍ、深さが
０．０１〜０．５μｍ、溝間間隙が０〜１０μｍである
請求項１ないし６のいずれかに記載の磁気ディスク用基
板。
（８）請求項１ないし７のいずれかに記載の磁気ディス
ク用基板の溝形成面上に、連続薄膜の磁性層を有するこ
とを特徴とする磁気ディスク。
（９）前記磁性層のディスク周方向の角形比Ｓ＿１と、
ディスク径方向の角形比Ｓ＿２との比Ｓ＿１／Ｓ＿２が
１．１０以上である請求項８に記載の磁気ディスク。