JPS6342032A - 併行層堆積による両面磁気デイスクの製造方法 - Google Patents

併行層堆積による両面磁気デイスクの製造方法

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JPS6342032A
JPS6342032A JP18558586A JP18558586A JPS6342032A JP S6342032 A JPS6342032 A JP S6342032A JP 18558586 A JP18558586 A JP 18558586A JP 18558586 A JP18558586 A JP 18558586A JP S6342032 A JPS6342032 A JP S6342032A
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JP
Japan
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magnetic
base body
vapor
accumulation
layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP18558586A
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English (en)
Inventor
Kazuyuki Miyamoto
和幸 宮本
Shozo Ishibashi
正三 石橋
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Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
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Publication date
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Publication of JPS6342032A publication Critical patent/JPS6342032A/ja
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  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は磁気記録媒体、特に磁気ディスクに関り、更に
詳しくは両面磁気ディスクの製造方法に関する。
(従来の技術) 磁気記録に対して、その記録の高密度化が要求されるに
伴い、磁性層はバインダー中に磁性粉を分散させた磁性
塗料?塗布する塗布型磁性層から、磁性体を稠密に充填
できる真空蒸着法、スパッタリング法で磁性層を形成す
る薄膜型磁性層に移り、更に従来の水平記録方式から飛
躍的に高密化が図れる垂直記録方式が着目され、実用化
の段階に到った口 磁気記録の前記一般的傾向は磁気ディスク分野に於ても
映し出されている。即ち5インチ或は3.5インチディ
スク等の小型高密度装置が開発されて小径のディスクが
用いられるに及び、該小径ディスクと磁気ヘッド間の相
対速度の低下による再生出力、S / N比の劣化を出
力の大きい高密度化磁性層に換えることにより補償する
等、高線記録密度、高トランク密度化が行われている。
前記磁性層は高密度化を狙う限り薄膜型であることが必
須となるが真空蒸着或はスパッタリングで形成された磁
性層は、従来の如くバインダ等による磁性層或は磁性体
に対する緩衝作用、表面過擦に対する護膜作用がなく、
磁性体は外界からの物理的衝繋、化学的刺戟に対し無防
備に裸呈し、繰返される記録、再生に対する磁気テープ
、磁気ディスク等の耐用性は甚だ乏しい。
特にコンタクトスタートストップ(C3S)方式の磁気
ディスク装置で相当な高回転をする磁気ディスクに於て
は致命的損傷1蒙る。
従って薄膜型磁性層を有する磁気記録媒体表面には保護
層を設けることが通常であり、また強磁性層上に潤滑性
のオーバコート層な設け、或は潤滑性の高い物質を含浸
させ強磁性層の表面潤滑性を高め、磁性層の損傷防止、
特性劣化防止を図る等の努力が沸われ、一部高級磁気デ
ィスク装置に適用し実用に供されている。
一方磁気ディスク装置には近年小型化、軽量化が要求さ
れ、駆動モータをはじめとする使用部品数の低減、各部
品の軽量化が必要とされる。
前記従来の磁気ディスクは非磁性基体としてアルミニウ
ム合金或はガラスその他のセラミックを用い、γ−酸化
鉄或はコバルト系磁性体からなる0、05〜1.0μm
程度の磁性記録層全没けたものであったが、前記磁気デ
ィスク装置の小型、軽量化に逍合しモータ駆動などの順
調な装置作動を保証し併せて磁気ディスクの両面化を計
り記録容量を増大して要望に応えるには、重い基体より
も軽め加工性に富む樹脂基体を用いる方が万事に好都合
である。
しかしながら樹脂基体に気相堆積法で磁性層等の構成層
を積層する際、剛性の大きなアルミニウム合金等を基体
に用いた時と同じプロセスを踏襲すると、即ち順次片面
毎に層堆積すると層堆積された構成層と樹脂基体間の残
留応力によυ基体に反りを生じ全く磁気ディスクとして
の川音なさない。
尤も片面層堆積によって生じた反りはその裏面に層堆積
すると反りの程度が軽減し、更に熱処理による矯正も成
程度効果を有するが完全な矯正には到らない。
(発明の目的) 本発明の目的は樹脂基体?用いる両面磁気ディスクに於
て回転駆動に支障のない卒直な両面磁気ディスクの提共
にある。
(発明の構成) 前記の本発明の目的は、樹脂基体に磁気記録層に担持し
た薄膜型両面磁気ディスクの製造方法に於て、前記樹脂
基体の両面に、併行して気相堆積によって積層し構成層
全形成することを特徴とする両面磁気ディスクの製造方
法によって達成される。
次に本発明を具体的に説明する。
本発明に於て使用される気相堆積方式としては、真空蒸
着法、スパッタリング法、イオンプレーテング法、化学
蒸着法或は対向ターゲットスパッタ法等が挙げられる。
気相堆積する場合の真空槽の真空度は1×10″6TO
rr〜3×10づTorrであって、必要によってAr
ガス等の不活ガスk I X 10−” 〜5 X 1
O−2Torr程度導入してもよいし更に酸化雰囲気或
は還元雰囲気に曝してもよい。
気化対象の堆積素材からなるターゲットは複数個として
もよめし、また続けて層堆積させる異種堆積素材からな
るターゲットを予め真空槽の中に入れていてもよい。
本発明に於ては、併行層堆積を施す樹脂基体は、基体中
心に設けられている軸孔或は周縁の厚み断面をなす外囲
面を、気相堆積条件の蒸気流に対する基体面の向きを相
対的に自在に変更しうるホルダで支持し、自動的に或は
手動で回転等の方位偏向を行い、基体の両面に均等な堆
積条件を与える。
また前記蒸気流は電場及び/または磁場によって流れの
方向、拡りを制御してもよい。
尚本発明に謂う′併行して層堆積する“とは、設定され
た真空度等の気相堆積条件が同一に継続された環境に於
て両面に対して堆積を継続することであり、換言すれば
層堆積される構成層と基体、或は該構成層と先行して積
層された構成層を有する基体とで作る構造系が、その平
衡接合力構成系に落着くまでに未堆積面て層堆積を開始
することであって、層堆積中の一面の積層が終了して続
けて未堆積面の層堆積に移る時間範囲まで許容される。
また本発明に於て基体乃至磁気ディスクの面の反りの測
定には、例えば光波干渉式のコ二カフラントネステスタ
F L T −2500等を用いることができる。該テ
スタは被検面に非接触でその表面の凹凸等の平面精度全
干渉縞によるB高純表示で抑握することができる。
本発明に係る磁性体としてはFe、Co、Niその他の
磁性金属あるいは、Fe −Ba 、 Fe −Co、
pe −AI、re −Ni 、 Co −Ni 、 
Fe −Si 、 Fe−Rh、 Fe−V、 Fe 
−Cu、 Fe −Au、 Co−Cr。
Co−P、Co−V、(:’o −3i、Co −Y、
 (”o−La+Co−Cr−Co−Pr、 Co−3
m、 Co −Mn。
Co−Pt、 Ni−Cu、 Co−Ni−Fe、 f
’e−AI −N1、Co−Ni−Ag%Co −Ni
 −Cr、 Co −Ni −Zn、 Co −5i−
AI、Fe−8i−A1.Mn−B1、Mn −Sb 
、 Mn −AI等の合金系磁性金属及びそれらの酸化
物(例えばr −Fe2O3、Fe2O,、Baフェラ
イト)等が挙げられる。ここで好ましくは、c。
あるいはCo −Ni合金(Ni含有率3Qwt%以下
)、あるいはco −Cr合金(Cr含有率25wt%
以下)である。磁性層厚は0.03〜0.6μmであっ
てよい。
更に本発明に於ては磁性層に対する保護層を設けてもよ
い。また該保護層は気相堆積により、且つ併行して層堆
積することが好しい、また気相堆積は磁性層と同方法を
踏襲すると好都合である。
本発明に用いる保護層素材としては、クロム、非磁性ニ
ッケル、ロジウム、白金、酸化珪素、窒化珪素、酸化ク
ロム、カーボン、弗化黒鉛或は高分子物質等が各素材の
特性に適した条件で適用される。更に素材としては機械
的な保護効果、過擦防止効果が犬きく更に化学的に耐蝕
性の大きなものが好ましい。
更に保護層の作用効果を上げるため特性を異にする複数
層としてもよい。
また保護層は出力のスペーシングロスf 抑りるために
薄い方がよいが、薄すぎbと保護効果を失うので、0.
01〜0.15μmが好ましい。
また基体としては、ポリイミド、ポリアラミド、ポリカ
ーボネート、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリエチ
レン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルサル
ホン、ポリサルホン、ポリエーテルイミド、ポリテトラ
フルオロエチレン、ポリプロピレン等のプラスチックが
ある。基体は盤状、フィルム状等種々であってよガ、基
体の厚みとしては0.8〜3.Qmmが好しい。
(実施例) 次に実施例によって本発明を説明する。
実施例1 外径13Qmm、軸孔径4Qmm、厚さ1.9mmのポ
リカー1ボネート基体の両面に第1図に示す層構成で順
次帆511mの磁化補助層(Cr層)、0.08 μm
の磁性層(CoNi 20層)及び0.03 μmの保
護層(0層)をスパッタ法で夫々併行層堆積した。
各堆積素材のCr 、 CoNi 20及びCのターゲ
ットは各1ケ宛予め真空槽内に設冒し、到達真空度3X
10= TorrとしA[ガスを導入しI X 10−
” Torrとして、各併行スパツクを行った。
比較例1 実施例1の層構成を片面づつ完成し両面磁気ディスクを
作成した。
比較例2 比較例10両面磁気ディスクに100℃、1時間の熱矯
正を施した。
前記3例の両面磁気ディスク及びディスク基体の反り(
平担度)f測定し、表−1の結果分えた。
表  −l 併行層堆積した実施例1の試料には殆ど反りの発生が認
められないが、比較試料に於て甚しい反りを生じ、熱矯
正によっても救済できない。
(発明の効果) 本発明の併行層堆積法によれば、格別のコスト増を招く
ことなく平置性のよい磁気ディスクを提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明Uてよった両面磁気ディスクの断面図で
ある。 I・・・基体、 2・・・磁化補助層、 3・・・磁性層、 4・・・保護層。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  樹脂基体に磁気記録層を担持した薄膜型両面磁気ディ
    スクの製造方法に於て、前記樹脂基体の両面に、併行し
    て気相堆積によって積層し構成層を形成することを特徴
    とする両面磁気ディスクの製造方法。
JP18558586A 1986-08-06 1986-08-06 併行層堆積による両面磁気デイスクの製造方法 Pending JPS6342032A (ja)

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JP18558586A JPS6342032A (ja) 1986-08-06 1986-08-06 併行層堆積による両面磁気デイスクの製造方法

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JP18558586A JPS6342032A (ja) 1986-08-06 1986-08-06 併行層堆積による両面磁気デイスクの製造方法

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JPS6342032A true JPS6342032A (ja) 1988-02-23

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ID=16173379

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JP18558586A Pending JPS6342032A (ja) 1986-08-06 1986-08-06 併行層堆積による両面磁気デイスクの製造方法

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