JPS6342032A - 併行層堆積による両面磁気デイスクの製造方法 - Google Patents
併行層堆積による両面磁気デイスクの製造方法Info
- Publication number
- JPS6342032A JPS6342032A JP18558586A JP18558586A JPS6342032A JP S6342032 A JPS6342032 A JP S6342032A JP 18558586 A JP18558586 A JP 18558586A JP 18558586 A JP18558586 A JP 18558586A JP S6342032 A JPS6342032 A JP S6342032A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- base body
- vapor
- accumulation
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 59
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 title abstract 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 7
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 abstract 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 2
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 48
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- -1 (:'o-3i Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 4
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002441 CoNi Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020632 Co Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020678 Co—Mn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020707 Co—Pt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020516 Co—V Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020514 Co—Y Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017061 Fe Co Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017082 Fe-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017133 Fe—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018054 Ni-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018481 Ni—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N iron oxide Inorganic materials [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 1
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N methane;molecular fluorine Chemical compound C.FF QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- FPVKHBSQESCIEP-JQCXWYLXSA-N pentostatin Chemical compound C1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1N1C(N=CNC[C@H]2O)=C2N=C1 FPVKHBSQESCIEP-JQCXWYLXSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は磁気記録媒体、特に磁気ディスクに関り、更に
詳しくは両面磁気ディスクの製造方法に関する。
詳しくは両面磁気ディスクの製造方法に関する。
(従来の技術)
磁気記録に対して、その記録の高密度化が要求されるに
伴い、磁性層はバインダー中に磁性粉を分散させた磁性
塗料?塗布する塗布型磁性層から、磁性体を稠密に充填
できる真空蒸着法、スパッタリング法で磁性層を形成す
る薄膜型磁性層に移り、更に従来の水平記録方式から飛
躍的に高密化が図れる垂直記録方式が着目され、実用化
の段階に到った口 磁気記録の前記一般的傾向は磁気ディスク分野に於ても
映し出されている。即ち5インチ或は3.5インチディ
スク等の小型高密度装置が開発されて小径のディスクが
用いられるに及び、該小径ディスクと磁気ヘッド間の相
対速度の低下による再生出力、S / N比の劣化を出
力の大きい高密度化磁性層に換えることにより補償する
等、高線記録密度、高トランク密度化が行われている。
伴い、磁性層はバインダー中に磁性粉を分散させた磁性
塗料?塗布する塗布型磁性層から、磁性体を稠密に充填
できる真空蒸着法、スパッタリング法で磁性層を形成す
る薄膜型磁性層に移り、更に従来の水平記録方式から飛
躍的に高密化が図れる垂直記録方式が着目され、実用化
の段階に到った口 磁気記録の前記一般的傾向は磁気ディスク分野に於ても
映し出されている。即ち5インチ或は3.5インチディ
スク等の小型高密度装置が開発されて小径のディスクが
用いられるに及び、該小径ディスクと磁気ヘッド間の相
対速度の低下による再生出力、S / N比の劣化を出
力の大きい高密度化磁性層に換えることにより補償する
等、高線記録密度、高トランク密度化が行われている。
前記磁性層は高密度化を狙う限り薄膜型であることが必
須となるが真空蒸着或はスパッタリングで形成された磁
性層は、従来の如くバインダ等による磁性層或は磁性体
に対する緩衝作用、表面過擦に対する護膜作用がなく、
磁性体は外界からの物理的衝繋、化学的刺戟に対し無防
備に裸呈し、繰返される記録、再生に対する磁気テープ
、磁気ディスク等の耐用性は甚だ乏しい。
須となるが真空蒸着或はスパッタリングで形成された磁
性層は、従来の如くバインダ等による磁性層或は磁性体
に対する緩衝作用、表面過擦に対する護膜作用がなく、
磁性体は外界からの物理的衝繋、化学的刺戟に対し無防
備に裸呈し、繰返される記録、再生に対する磁気テープ
、磁気ディスク等の耐用性は甚だ乏しい。
特にコンタクトスタートストップ(C3S)方式の磁気
ディスク装置で相当な高回転をする磁気ディスクに於て
は致命的損傷1蒙る。
ディスク装置で相当な高回転をする磁気ディスクに於て
は致命的損傷1蒙る。
従って薄膜型磁性層を有する磁気記録媒体表面には保護
層を設けることが通常であり、また強磁性層上に潤滑性
のオーバコート層な設け、或は潤滑性の高い物質を含浸
させ強磁性層の表面潤滑性を高め、磁性層の損傷防止、
特性劣化防止を図る等の努力が沸われ、一部高級磁気デ
ィスク装置に適用し実用に供されている。
層を設けることが通常であり、また強磁性層上に潤滑性
のオーバコート層な設け、或は潤滑性の高い物質を含浸
させ強磁性層の表面潤滑性を高め、磁性層の損傷防止、
特性劣化防止を図る等の努力が沸われ、一部高級磁気デ
ィスク装置に適用し実用に供されている。
一方磁気ディスク装置には近年小型化、軽量化が要求さ
れ、駆動モータをはじめとする使用部品数の低減、各部
品の軽量化が必要とされる。
れ、駆動モータをはじめとする使用部品数の低減、各部
品の軽量化が必要とされる。
前記従来の磁気ディスクは非磁性基体としてアルミニウ
ム合金或はガラスその他のセラミックを用い、γ−酸化
鉄或はコバルト系磁性体からなる0、05〜1.0μm
程度の磁性記録層全没けたものであったが、前記磁気デ
ィスク装置の小型、軽量化に逍合しモータ駆動などの順
調な装置作動を保証し併せて磁気ディスクの両面化を計
り記録容量を増大して要望に応えるには、重い基体より
も軽め加工性に富む樹脂基体を用いる方が万事に好都合
である。
ム合金或はガラスその他のセラミックを用い、γ−酸化
鉄或はコバルト系磁性体からなる0、05〜1.0μm
程度の磁性記録層全没けたものであったが、前記磁気デ
ィスク装置の小型、軽量化に逍合しモータ駆動などの順
調な装置作動を保証し併せて磁気ディスクの両面化を計
り記録容量を増大して要望に応えるには、重い基体より
も軽め加工性に富む樹脂基体を用いる方が万事に好都合
である。
しかしながら樹脂基体に気相堆積法で磁性層等の構成層
を積層する際、剛性の大きなアルミニウム合金等を基体
に用いた時と同じプロセスを踏襲すると、即ち順次片面
毎に層堆積すると層堆積された構成層と樹脂基体間の残
留応力によυ基体に反りを生じ全く磁気ディスクとして
の川音なさない。
を積層する際、剛性の大きなアルミニウム合金等を基体
に用いた時と同じプロセスを踏襲すると、即ち順次片面
毎に層堆積すると層堆積された構成層と樹脂基体間の残
留応力によυ基体に反りを生じ全く磁気ディスクとして
の川音なさない。
尤も片面層堆積によって生じた反りはその裏面に層堆積
すると反りの程度が軽減し、更に熱処理による矯正も成
程度効果を有するが完全な矯正には到らない。
すると反りの程度が軽減し、更に熱処理による矯正も成
程度効果を有するが完全な矯正には到らない。
(発明の目的)
本発明の目的は樹脂基体?用いる両面磁気ディスクに於
て回転駆動に支障のない卒直な両面磁気ディスクの提共
にある。
て回転駆動に支障のない卒直な両面磁気ディスクの提共
にある。
(発明の構成)
前記の本発明の目的は、樹脂基体に磁気記録層に担持し
た薄膜型両面磁気ディスクの製造方法に於て、前記樹脂
基体の両面に、併行して気相堆積によって積層し構成層
全形成することを特徴とする両面磁気ディスクの製造方
法によって達成される。
た薄膜型両面磁気ディスクの製造方法に於て、前記樹脂
基体の両面に、併行して気相堆積によって積層し構成層
全形成することを特徴とする両面磁気ディスクの製造方
法によって達成される。
次に本発明を具体的に説明する。
本発明に於て使用される気相堆積方式としては、真空蒸
着法、スパッタリング法、イオンプレーテング法、化学
蒸着法或は対向ターゲットスパッタ法等が挙げられる。
着法、スパッタリング法、イオンプレーテング法、化学
蒸着法或は対向ターゲットスパッタ法等が挙げられる。
気相堆積する場合の真空槽の真空度は1×10″6TO
rr〜3×10づTorrであって、必要によってAr
ガス等の不活ガスk I X 10−” 〜5 X 1
O−2Torr程度導入してもよいし更に酸化雰囲気或
は還元雰囲気に曝してもよい。
rr〜3×10づTorrであって、必要によってAr
ガス等の不活ガスk I X 10−” 〜5 X 1
O−2Torr程度導入してもよいし更に酸化雰囲気或
は還元雰囲気に曝してもよい。
気化対象の堆積素材からなるターゲットは複数個として
もよめし、また続けて層堆積させる異種堆積素材からな
るターゲットを予め真空槽の中に入れていてもよい。
もよめし、また続けて層堆積させる異種堆積素材からな
るターゲットを予め真空槽の中に入れていてもよい。
本発明に於ては、併行層堆積を施す樹脂基体は、基体中
心に設けられている軸孔或は周縁の厚み断面をなす外囲
面を、気相堆積条件の蒸気流に対する基体面の向きを相
対的に自在に変更しうるホルダで支持し、自動的に或は
手動で回転等の方位偏向を行い、基体の両面に均等な堆
積条件を与える。
心に設けられている軸孔或は周縁の厚み断面をなす外囲
面を、気相堆積条件の蒸気流に対する基体面の向きを相
対的に自在に変更しうるホルダで支持し、自動的に或は
手動で回転等の方位偏向を行い、基体の両面に均等な堆
積条件を与える。
また前記蒸気流は電場及び/または磁場によって流れの
方向、拡りを制御してもよい。
方向、拡りを制御してもよい。
尚本発明に謂う′併行して層堆積する“とは、設定され
た真空度等の気相堆積条件が同一に継続された環境に於
て両面に対して堆積を継続することであり、換言すれば
層堆積される構成層と基体、或は該構成層と先行して積
層された構成層を有する基体とで作る構造系が、その平
衡接合力構成系に落着くまでに未堆積面て層堆積を開始
することであって、層堆積中の一面の積層が終了して続
けて未堆積面の層堆積に移る時間範囲まで許容される。
た真空度等の気相堆積条件が同一に継続された環境に於
て両面に対して堆積を継続することであり、換言すれば
層堆積される構成層と基体、或は該構成層と先行して積
層された構成層を有する基体とで作る構造系が、その平
衡接合力構成系に落着くまでに未堆積面て層堆積を開始
することであって、層堆積中の一面の積層が終了して続
けて未堆積面の層堆積に移る時間範囲まで許容される。
また本発明に於て基体乃至磁気ディスクの面の反りの測
定には、例えば光波干渉式のコ二カフラントネステスタ
F L T −2500等を用いることができる。該テ
スタは被検面に非接触でその表面の凹凸等の平面精度全
干渉縞によるB高純表示で抑握することができる。
定には、例えば光波干渉式のコ二カフラントネステスタ
F L T −2500等を用いることができる。該テ
スタは被検面に非接触でその表面の凹凸等の平面精度全
干渉縞によるB高純表示で抑握することができる。
本発明に係る磁性体としてはFe、Co、Niその他の
磁性金属あるいは、Fe −Ba 、 Fe −Co、
pe −AI、re −Ni 、 Co −Ni 、
Fe −Si 、 Fe−Rh、 Fe−V、 Fe
−Cu、 Fe −Au、 Co−Cr。
磁性金属あるいは、Fe −Ba 、 Fe −Co、
pe −AI、re −Ni 、 Co −Ni 、
Fe −Si 、 Fe−Rh、 Fe−V、 Fe
−Cu、 Fe −Au、 Co−Cr。
Co−P、Co−V、(:’o −3i、Co −Y、
(”o−La+Co−Cr−Co−Pr、 Co−3
m、 Co −Mn。
(”o−La+Co−Cr−Co−Pr、 Co−3
m、 Co −Mn。
Co−Pt、 Ni−Cu、 Co−Ni−Fe、 f
’e−AI −N1、Co−Ni−Ag%Co −Ni
−Cr、 Co −Ni −Zn、 Co −5i−
AI、Fe−8i−A1.Mn−B1、Mn −Sb
、 Mn −AI等の合金系磁性金属及びそれらの酸化
物(例えばr −Fe2O3、Fe2O,、Baフェラ
イト)等が挙げられる。ここで好ましくは、c。
’e−AI −N1、Co−Ni−Ag%Co −Ni
−Cr、 Co −Ni −Zn、 Co −5i−
AI、Fe−8i−A1.Mn−B1、Mn −Sb
、 Mn −AI等の合金系磁性金属及びそれらの酸化
物(例えばr −Fe2O3、Fe2O,、Baフェラ
イト)等が挙げられる。ここで好ましくは、c。
あるいはCo −Ni合金(Ni含有率3Qwt%以下
)、あるいはco −Cr合金(Cr含有率25wt%
以下)である。磁性層厚は0.03〜0.6μmであっ
てよい。
)、あるいはco −Cr合金(Cr含有率25wt%
以下)である。磁性層厚は0.03〜0.6μmであっ
てよい。
更に本発明に於ては磁性層に対する保護層を設けてもよ
い。また該保護層は気相堆積により、且つ併行して層堆
積することが好しい、また気相堆積は磁性層と同方法を
踏襲すると好都合である。
い。また該保護層は気相堆積により、且つ併行して層堆
積することが好しい、また気相堆積は磁性層と同方法を
踏襲すると好都合である。
本発明に用いる保護層素材としては、クロム、非磁性ニ
ッケル、ロジウム、白金、酸化珪素、窒化珪素、酸化ク
ロム、カーボン、弗化黒鉛或は高分子物質等が各素材の
特性に適した条件で適用される。更に素材としては機械
的な保護効果、過擦防止効果が犬きく更に化学的に耐蝕
性の大きなものが好ましい。
ッケル、ロジウム、白金、酸化珪素、窒化珪素、酸化ク
ロム、カーボン、弗化黒鉛或は高分子物質等が各素材の
特性に適した条件で適用される。更に素材としては機械
的な保護効果、過擦防止効果が犬きく更に化学的に耐蝕
性の大きなものが好ましい。
更に保護層の作用効果を上げるため特性を異にする複数
層としてもよい。
層としてもよい。
また保護層は出力のスペーシングロスf 抑りるために
薄い方がよいが、薄すぎbと保護効果を失うので、0.
01〜0.15μmが好ましい。
薄い方がよいが、薄すぎbと保護効果を失うので、0.
01〜0.15μmが好ましい。
また基体としては、ポリイミド、ポリアラミド、ポリカ
ーボネート、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリエチ
レン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルサル
ホン、ポリサルホン、ポリエーテルイミド、ポリテトラ
フルオロエチレン、ポリプロピレン等のプラスチックが
ある。基体は盤状、フィルム状等種々であってよガ、基
体の厚みとしては0.8〜3.Qmmが好しい。
ーボネート、ポリアミドイミド、ポリアミド、ポリエチ
レン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルサル
ホン、ポリサルホン、ポリエーテルイミド、ポリテトラ
フルオロエチレン、ポリプロピレン等のプラスチックが
ある。基体は盤状、フィルム状等種々であってよガ、基
体の厚みとしては0.8〜3.Qmmが好しい。
(実施例)
次に実施例によって本発明を説明する。
実施例1
外径13Qmm、軸孔径4Qmm、厚さ1.9mmのポ
リカー1ボネート基体の両面に第1図に示す層構成で順
次帆511mの磁化補助層(Cr層)、0.08 μm
の磁性層(CoNi 20層)及び0.03 μmの保
護層(0層)をスパッタ法で夫々併行層堆積した。
リカー1ボネート基体の両面に第1図に示す層構成で順
次帆511mの磁化補助層(Cr層)、0.08 μm
の磁性層(CoNi 20層)及び0.03 μmの保
護層(0層)をスパッタ法で夫々併行層堆積した。
各堆積素材のCr 、 CoNi 20及びCのターゲ
ットは各1ケ宛予め真空槽内に設冒し、到達真空度3X
10= TorrとしA[ガスを導入しI X 10−
” Torrとして、各併行スパツクを行った。
ットは各1ケ宛予め真空槽内に設冒し、到達真空度3X
10= TorrとしA[ガスを導入しI X 10−
” Torrとして、各併行スパツクを行った。
比較例1
実施例1の層構成を片面づつ完成し両面磁気ディスクを
作成した。
作成した。
比較例2
比較例10両面磁気ディスクに100℃、1時間の熱矯
正を施した。
正を施した。
前記3例の両面磁気ディスク及びディスク基体の反り(
平担度)f測定し、表−1の結果分えた。
平担度)f測定し、表−1の結果分えた。
表 −l
併行層堆積した実施例1の試料には殆ど反りの発生が認
められないが、比較試料に於て甚しい反りを生じ、熱矯
正によっても救済できない。
められないが、比較試料に於て甚しい反りを生じ、熱矯
正によっても救済できない。
(発明の効果)
本発明の併行層堆積法によれば、格別のコスト増を招く
ことなく平置性のよい磁気ディスクを提供できる。
ことなく平置性のよい磁気ディスクを提供できる。
第1図は本発明Uてよった両面磁気ディスクの断面図で
ある。 I・・・基体、 2・・・磁化補助層、 3・・・磁性層、 4・・・保護層。
ある。 I・・・基体、 2・・・磁化補助層、 3・・・磁性層、 4・・・保護層。
Claims (1)
- 樹脂基体に磁気記録層を担持した薄膜型両面磁気ディ
スクの製造方法に於て、前記樹脂基体の両面に、併行し
て気相堆積によって積層し構成層を形成することを特徴
とする両面磁気ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18558586A JPS6342032A (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 併行層堆積による両面磁気デイスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18558586A JPS6342032A (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 併行層堆積による両面磁気デイスクの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6342032A true JPS6342032A (ja) | 1988-02-23 |
Family
ID=16173379
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18558586A Pending JPS6342032A (ja) | 1986-08-06 | 1986-08-06 | 併行層堆積による両面磁気デイスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6342032A (ja) |
-
1986
- 1986-08-06 JP JP18558586A patent/JPS6342032A/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2003208710A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS62298923A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
JP4123806B2 (ja) | 磁気記録媒体、その製造方法および磁気記録装置 | |
JPH05143972A (ja) | 金属薄膜型磁気記録媒体およびその製造法 | |
JPS6342032A (ja) | 併行層堆積による両面磁気デイスクの製造方法 | |
JPH0481268B2 (ja) | ||
JP2747695B2 (ja) | 金属薄膜型磁気記録媒体の表面潤滑膜構造 | |
JP2861081B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS6330691B2 (ja) | ||
JPH04109427A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH10334442A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS61204831A (ja) | 磁気デイスク | |
JPH02210614A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH0268712A (ja) | 薄膜型磁気記録媒体 | |
JPS63102014A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH03263613A (ja) | 磁気記録媒体及びその装置 | |
JPH04143920A (ja) | 磁気ディスク | |
JPH01237925A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH04157619A (ja) | 磁気ディスク | |
JPS62149024A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPS62264426A (ja) | 磁性層を磁性金属酸化物で被層した磁気記録媒体 | |
JPH07111775B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH02101618A (ja) | 磁気ディスク | |
JPH01237926A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP2003099918A (ja) | 磁気記録媒体 |