JP2003099918A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高密度記録が可能なフレキシブルディスク等
の磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 磁気記録媒体において、非磁性基板の少
なくとも一方の面に、少なくともルテニウムを含有した
下地層、少なくともコバルト、白金、クロムを含有する
強磁性金属合金と非磁性物質からなる磁性層を形成した
磁気記録媒体。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体に関
し、特に高密度磁気記録が可能な磁気記録媒体に関す
る。 【０００２】 【従来の技術】近年、インターネット等の普及による大
容量の画像情報の取り扱いに対応して、パーソナルコン
ピュータには大容量のハードディスクが装着されてい
る。ハードディスクに蓄積した大量の情報をバックアッ
プしたり、あるいは他のコンピュータで利用するために
は、各種のリムーバブル型の記録媒体が用いられてい
る。磁気テープ、フレキシブルディスク等の可撓性の磁
気記録媒体は、ハードディスクと同様に情報の記録、読
み出しに要する時間が短く、また情報の記録、読み出し
に必要な装置も小型である等の多くの特徴を有してい
る。このため、磁気テープ、フレキシブルディスクは代
表的なリムーバブル型の記録媒体として、コンピュータ
のバックアップ、大量のデータの保存に用いられてい
る。そして、少ない個数の磁気テープ、フレキシブルデ
ィスクで大量のデータを保存可能な磁気記録媒体が求め
られており、記録密度の更なる向上が求められている。 【０００３】フレキシブルディスク等の可撓性高分子支
持体を用いた磁気記録媒体には、基体上に、鉄、クロ
ム、コバルト等の金属を含有する磁性微粒子を高分子バ
インダーに分散させて塗布した塗布型磁気記録媒体とコ
バルト系合金を真空中で蒸着によって成膜した蒸着型磁
気記録媒体が用いられている。塗布型磁気記録媒体に比
べて、蒸着型磁気記録媒体はより高密度の記録が可能で
あるという特徴を有しているものの、蒸着によって金属
薄膜を形成した可撓性の磁気記録媒体の磁性層はハード
ディスクで使用されているコバルト系合金のスパッタリ
ングで成膜した強磁性金属薄膜と比較するとノイズが大
きく、磁気抵抗素子を用いた高密度記録用のヘッドにお
いては、十分な電磁変換特性が得られず、高記録密度特
性には適していない。そこでハードディスクと同様にス
パッタリングによる強磁性金属薄膜を有するフレキシブ
ルディスクを作製しようとする試みはいくつか報告され
ているものの、実用化には至っていない。 【０００４】これはハードディスクの製造ではスパッタ
リング時に基板を２００℃程度まで加熱しているが、こ
れと同様の製造方法をフレキシブルディスクに適用しよ
うとすると、フレキシブルディスク用の基材として一般
的なポリエチレンテレフタレートやポリエチレンナフタ
レートでは耐熱性が不足し変形してしまうためである。
また耐熱性に優れている芳香族ポリアミドフィルムを使
用しても、製造工程中でフィルムの熱膨張、熱収縮、湿
度膨張などの寸法変化が生じるため、変形の少ないフレ
キシブルディスクを作製することが困難であった。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】本発明は、高密度記録
が可能な磁気記録媒体を提供することを課題とするもの
であり、高密度記録が可能なフレキシブルディスク型磁
気記録媒体を提供することを課題とするものである。 【０００６】 【課題を解決するための手段】本発明の課題は、磁気記
録媒体において、非磁性基板の少なくとも一方の面に、
少なくともルテニウムを含有した下地層、少なくともコ
バルト、白金、クロムを含有する強磁性金属合金と非磁
性物質からなる磁性層を形成した磁気記録媒体において
解決することができる。また、ルテニウムを含有した下
地層が、コバルト、ベリリウム、オスミウム、レニウ
ム、チタン、亜鉛、タンタル、アルミニウム、クロム、
モリブデン、タングステン、鉄、アンチモン、イリジウ
ム、ロジウム、白金、パラジウム、ケイ素、ジルコニウ
ムからなる群から選ばれる少なくとも１種を含有する前
記の磁気記録媒体である。非磁性基板が可撓性高分子支
持体である前記の磁気記録媒体である。 【０００７】 【発明の実施の形態】本発明の磁気記録媒体は、非磁性
支持体上の少なくとも一方の面に、少なくともルテニウ
ムを含有する下地層上に、少なくともコバルト、白金、
クロムを含有する強磁性金属合金と非磁性物質から構成
された磁性層を形成したので、室温であってもスパッタ
リング法等によって形成することが可能であり、高温度
に加熱した場合には変形等が生じる可撓性高分子支持体
を基体とした場合であっても特性が優れた磁気記録媒体
を製造することができる。 【０００８】以下に図面を参照して本発明を説明する。
図１は、本発明の一実施例を示す図であり、断面図であ
る。図１（Ａ）に示す磁気記録媒体はフレキシブルディ
スクである場合を説明する図である。フレキシブルディ
スク１１は、可撓性高分子支持体１２上の両面に、ルテ
ニウム含有下地層１５が設けられ、ルテニウム含有下地
層１５上に磁性層１６が形成されたものである。磁性層
１６は、少なくともコバルト、白金、クロムを含有する
強磁性金属合金１９と非磁性物質２０から構成されてい
る。磁性層１６上には、磁性層の酸化等による劣化を防
止し、ヘッドや摺動部材との接触による摩耗から保護す
る保護層１７が形成されている。また、保護層１７上に
は、走行耐久性および耐食性等を改善する目的で潤滑層
１８が設けられている。また、中心部には、フレキシブ
ルディスクドライブに装着するための係合手段２１が装
着されている。 【０００９】また、図１（Ｂ）に示す磁気記録媒体は、
可撓性高分子支持体１２上の表面に、可撓性高分子支持
体１２の表面性を調整するとともに、可撓性高分子支持
体１２から生じた気体が、ルテニウム含有下地層１５あ
るいは磁性層１６に到達するのを防止するために下塗り
層１３を設け、更にルテニウム含有下地層１５の結晶配
向性を制御するシード層１４を設けたものである。図１
（Ｂ）に示したものは図１（Ａ）に示したものに比べ
て、シード層が設けられているので、ルテニウム含有下
地層の結晶配向性の調整が優れ、それによって下地層上
に形成される強磁性金属の結晶配向性が優れたものとな
り、磁気特性がより優れた磁性層が得られる。また、本
発明のフレキシブルディスクは、機器に装着した際にヘ
ッドのアクセス用の窓を設けた合成樹脂等で作製された
カートリッジ内に装着されて使用される。本発明の磁気
記録媒体に形成する磁性層は、少なくともコバルト、白
金、クロムを含有する強磁性金属合金と非磁性物質から
構成された強磁性金属薄膜磁性層を備えているので、ハ
ードディスクと同様に高記録密度記録が可能となり、リ
ムーバブル型の磁気記録媒体の高容量化が可能となる。
また、このコバルトを含有する強磁性金属合金と非磁性
の金属酸化物からなる強磁性金属薄膜はハードディスク
で提案されている、特開平５−７３８８０号公報や特開
平７−３１１９２９号公報等に記載されているものと同
様の方法によって製造したものが使用できる。 【００１０】ルテニウムは室温成膜で結晶配向しやすい
ため、ルテニウム下地層を用いることで、室温成膜であ
っても磁性層の結晶配向を制御することができる。これ
は、大森らが日本応用磁気学会誌 ２５，６０７−６１
０（２００１）でも報告している。ところが実際には、
ルテニウムの格子定数とコバルトの格子定数には差があ
り、磁性層の記録特性の向上という点で最適であるとは
いえない。またルテニウム自体の膜応力が非常に大き
く、基板との密着性が悪い。そのため、ルテニウム下地
層の下にもう１層密着層を設ける必要がある。さらに、
可撓性性高分子支持体を用いた場合、その膜応力によ
り、基板の変形が見られた。そこで、室温成膜による磁
性層結晶配向制御が可能で、磁性層の記録特性向上を目
的とした、膜応力も低い下地層が望まれていた。本発明
のルテニウム含有下地層は、ルテニウムとともにその他
の元素を含有しているので、室温成膜であっても磁性層
結晶配向制御による記録特性の向上が可能で、かつルテ
ニウムより膜応力が低いことを見出した。 【００１１】この様なルテニウム含有下地層、強磁性金
属薄膜を使用することによって、従来のような基板加熱
が不要となり、基板温度が室温であっても、良好な磁気
特性を達成することができる。このため、ガラス基板や
アルミニウム基板だけでなく、支持体が高分子フィルム
であっても熱的な損傷を生じることないため、変形が無
く、平坦なフレキシブルディスクを提供することが可能
となる。 【００１２】磁性層は、ディスク面に対して垂直方向に
磁化容易軸を有するいわゆる垂直磁気記録膜でもよい
し、現在のハードディスクで広く用いられている面内磁
気記録膜でも良い。この磁化容易軸の方向はルテニウム
含有下地層の材料や結晶構造および磁性膜の組成と成膜
条件によって制御することができる。本発明の磁気記録
媒体に用いる磁性層は、コバルト、白金、クロムを含有
する強磁性金属合金と非磁性物質から形成された磁性層
である。 【００１３】図２は、本発明の磁性層を説明する図であ
り、断面図である。図２（Ａ）は、可撓性高分子支持体
１２からなる非磁性支持体上に、クロムを含む下地層１
５が設けられ、ルテニウム含有下地層１５上に磁性層１
６が形成されたものである。磁性層１６は少なくともコ
バルト、白金、クロムを含有する強磁性金属合金１９と
非磁性物質２０から構成されている。強磁性金属合金１
９と非磁性物質２０は見かけ上は混合して存在している
が、図に示す強磁性金属合金１９は、全体組成に比べて
強磁性金属合金の存在量が多い部分であり、非磁性物質
２０は、全体組成に比べて非磁性物質が多い部分であ
る。また、強磁性金属合金の存在量が多い部分は、相互
に０．０１ｎｍ〜１０ｎｍの間隔を設けて形成されてい
る。また、本発明の磁性層１６は、下地層１５の結晶配
向を反映して結晶成長が起こり、図２に示すような柱状
構造を形成することが望ましい。この様な構造となるこ
とで、非磁性物質に富んだ領域による磁性金属合金に富
んだ領域間の分離構造が安定となり、高い保持力を達成
できるとともに、強磁性金属合金に富んだ部分では磁化
量が増えるため、高出力化が可能となり、しかも強磁性
金属合金に富んだ部分の分散性が均一となるため、ノイ
ズも小さくすることが可能なる。 【００１４】コバルト、白金、クロムを含有する強磁性
金属合金としてはＣｏ、Ｃｒ、ＰｔとＮｉ、Ｆｅ、Ｂ、
Ｓｉ、Ｔａ、Ｎｂ等の元素との合金が使用できるが、記
録特性を考慮するＣｏ−Ｐｔ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｃｒ
−Ｔａ、Ｃｏ、Ｐｔ−Ｃｒ−Ｂ等が特に好ましい。 【００１５】非磁性物質としてはＳｉ、Ｚｒ、Ｔａ、
Ｂ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｎａ、Ｌａ、Ｉ
ｎ、Ｐｂ等の酸化物、炭化物、窒化物等が使用できる
が、記録特性を考慮するとＳｉＯ_x が最も好ましい。 【００１６】コバルト、白金、クロムを含有する強磁性
金属合金と非磁性物質の混合比は、強磁性金属合金：非
磁性物質＝９５：５〜８０：２０（原子比）の範囲であ
ることが好ましく、９０：１０〜８５：１５の範囲であ
ることが特に好ましい。これよりも強磁性金属合金が多
くなると、磁性粒子間の分離が不十分となり、保持力が
低下してしまう。逆にこれよりも少なくなると、磁化量
が減少するため、信号出力が著しく低下してしまう。 【００１７】コバルト、白金、クロムを含有する強磁性
金属合金と非磁性物質の混合物からなる磁性層の厚みと
しては好ましくは１０ｎｍ〜６０ｎｍ、さらに好ましく
は２０ｎｍ〜４０ｎｍの範囲である。これよりも厚みが
厚くなるとノイズが著しく増加してしまい、逆に厚みが
薄くなると、出力が著しく減少してしまう。 【００１８】コバルト、白金、クロムを含有する強磁性
金属合金と非磁性物質からなる磁性層を形成する方法と
しては真空蒸着法、スパッタリング法などの真空成膜法
が使用できる。なかでもスパッタリング法は良質な薄膜
が容易に成膜可能であることから、本発明に好適であ
る。スパッタリング法としてはＤＣスパッタリング法、
ＲＦスパッタリング法のいずれも使用可能である。スパ
ッタリング法は連続フィルム上に連続して成膜するウェ
ブスパッタリング装置、枚葉式スパッタリング装置を用
いることができるがウェブスパッタリング装置を用いる
ことが好ましい。スパッタリング時の雰囲気に使用する
気体はアルゴンが使用できるが、その他の希ガスを使用
しても良い。また非磁性物質の酸素含有率や表面粗さを
調整するために微量の酸素を導入しても良い。 【００１９】とくに、本発明のようにスパッタリング法
でコバルト、白金、クロムを含有する強磁性金属合金
と、非磁性物質からなる磁性層を形成するためには強磁
性金属合金ターゲットと非磁性物質ターゲットの２種を
用い、これらの共スパッタリング法を使用することも可
能であるが、形成すべき強磁性金属合金と非磁性物質の
組成比に合致した強磁性金属合金と非磁性物質を均質に
混合した混合物ターゲットを用いると、強磁性金属合金
が均一に分散した磁性層を形成することができる。ま
た、この混合物ターゲットはホットプレス法で作製する
ことができる。 【００２０】下地層は、少なくともルテニウムを含んだ
ものである。ルテニウム含有下地層としては、磁性層結
晶配向制御すなわち、格子定数制御、膜応力の緩和、密
着性の向上を目的として、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓ
ｉ、Ｐ、Ｓ、Ｋ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、
Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓ
ｅ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｈ、Ｐｄ、
Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｔｌ、
Ｐｂ、Ｂｉからなる群から選択される少なくとも１種の
元素を有するルテニウム含有下地層を用いることができ
る。なかでも、Ｃｏ、Ｂｅ、Ｏｓ、Ｒｅ、Ｔｃ、Ｔｉ、
Ｚｎ、Ｔａ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｆｅ、Ｓｂ、Ｉ
ｒ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｐｄ、ＳｉおよびＺｒから選択される
少なくとも１種の元素を有する合金を用いることが好ま
しいが、格子定数制御、膜応力の緩和、密着性向上とい
う点では、Ｂｅ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｚｒ等がさらに望まし
い。この様な下地層を用いることによって、磁性層の配
向性を改善できるため、記録特性が向上する。 【００２１】ルテニウム含有下地層において、ルテニウ
ムと他の元素の混合比は、ルテニウム：他の元素＝９
９：１〜７０：３０（原子比）の範囲であることが望ま
しく、９５：５〜８０：２０の範囲であることが特に好
ましい。これよりもルテニウムの割合が多くなると、他
の元素の添加効果が少なく、膜応力により密着性が悪く
なる。逆にこれより少なくなると、磁性層結晶配向制御
が難しく、磁気特性が悪くなる。 【００２２】ルテニウム含有下地層の厚みは１０ｎｍ〜
２００ｎｍが好ましく、１０ｎｍ〜１００ｎｍが特に好
ましい。これよりも厚みが厚くなると、生産性が悪くな
るとともに、膜応力が大きくなってしまい、逆にこれよ
りも厚みが薄くなると、下地層を設けたことによる磁気
特性の向上の効果が得られない。 【００２３】ルテニウム含有下地層を成膜する方法とし
ては真空蒸着法、スパッタリング法などの真空成膜法が
使用できる。なかでもスパッタリング法は良質な超薄膜
が容易に成膜可能であることから、本発明に好適であ
る。スパッタリング法としては、ＤＣスパッタリング
法、ＲＦスパッタリング法のいずれも使用可能である。
スパッタリング法は、可撓性高分子支持体を用いたフレ
キシブルディスクを製造する場合には、フィルム上に連
続して成膜するウェブスパッタリング装置が好適である
が、アルミニウム基板やガラス基板を用いる場合に使用
されるような枚様式スパッタリング装置や通過型スパッ
タリング装置も使用できる。 【００２４】ルテニウム含有下地層のスパッタリング時
のスパッタリングガスとしてはアルゴンが使用できる
が、その他の希ガスを使用しても良い。また、下地層の
格子定数制御、膜応力の緩和の目的で、微量の酸素ガス
を導入しても良い。 【００２５】スパッタリング法で、ルテニウム含有下地
層を形成するためには、ルテニウムターゲットと他元素
ターゲットとの複数個を用い、これらの共スパッタリン
グ法を使用することもできるが、格子定数等を精密に制
御し、かつ均質な膜を作製するためには、ルテニウムと
他の元素を所望の比率で含有した混合ターゲットを用い
ることが好ましい。この混合ターゲットはホットプレス
法等で作製することができる。 【００２６】また、下地層と可撓性高分子支持体との間
に、密着性の向上、結晶配向性の改善等を目的としてシ
ード層を設けることがより好ましい。シード層として
は、Ｔａ、Ｔａ−Ｓｉ、Ｔａ−Ａｌ、Ｔａ−Ｃ、Ｔａ−
Ｗ、Ｔａ−Ｔｉ、Ｔａ−Ｎ、Ｔａ−Ｎｉ、Ｔａ−Ｏ、Ｔ
ａ−Ｐ、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ａｌ、Ｎｉ−Ｃ、Ｎｉ−Ｔ
ｉ、Ｎｉ−Ｗ、Ｎｉ−Ｓｉ、Ｎｉ−Ｎ、Ｎｉ−Ｏ、Ｔｉ
−Ｗ、Ｔｉ−Ｃ、Ｔｉ−Ｎ、Ｔｉ−Ｓｉ、Ｔｉ−Ｏ、Ｔ
ｉ−Ｐ、Ａｌ−Ｔｉ、Ｍｇ−Ｏ、Ｍｇ−Ｗ、Ｍｇ−Ｃ、
Ｍｇ−Ｎ、Ｍｇ−Ｔｉ、Ｍｇ−Ｎｉ、Ｍｇ−Ａｌ、Ｍｇ
−Ｓｉ、Ｍｇ−Ｐ、Ｚｎ−Ｓｉ、Ｚｎ−Ａｌ、Ｚｎ−
Ｃ、Ｚｎ−Ｗ、Ｚｎ−Ｔｉ、Ｚｎ−Ｎ、Ｚｎ−Ｎｉ、Ｚ
ｎ−Ｏ、Ｚｎ−Ｐ等を使用することができる。なかで
も、Ｔａ、Ｔａ−Ｓｉ、Ｔａ−Ｃ、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ａ
ｌ、Ｔｉ−Ｗ、Ｔｉ−Ｃ、Ｍｇ−Ｏ、Ｚｎ−Ｓｉ等が密
着性の向上、結晶配向性の改善という点で、特に好適で
ある。シード層を形成する方法としては、真空蒸着法、
スパッタリング法などの真空成膜法が使用でき、なかで
もスパッタリング法は良質な超薄膜が容易に成膜可能で
ある。 【００２７】本発明の磁気記録媒体は、支持体として磁
気ヘッドと磁気ディスクとが接触した時の衝撃を回避す
るために、合成樹脂フイルムからなる可撓性高分子支持
体で構成されている。このような合成樹脂フィルムとし
ては、芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド、芳香族ポ
リアミドイミド、ポリエーテルケトン、ポリエーテルス
ルホン、ポリエーテルイミド、ポリスルホン、ポリフェ
ニレンスルフィド、ポリエチレンナフタレート、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリカーボネート、トリアセテ
ートセルロース、フッ素樹脂等からなる合成樹脂フィル
ムが挙げられる。本発明では基板を加熱することなく良
好な記録特性を達成することができるため、表面性が良
好で、また入手も容易なポリエチレンテレフタレートま
たはポリエチレンナフタレートが特に好ましい。 【００２８】また、可撓性高分子支持体として合成樹脂
フィルムを複数枚を積層したものを用いても良い。複数
枚を積層した積層フィルムを用いることにより、可撓性
高分子支持体自身に起因する反りやうねりを軽減するこ
とができる。その結果、磁気記録媒体の表面が磁気ヘッ
ドと衝突による磁気記録層の耐傷性を著しく改善するこ
とがきる。可撓性フイルムを積層する方法としては、熱
ロールによるロール積層、平板熱プレスによる平板積
層、接着面に接着剤を塗布してラミネートするドライ積
層、予めシート状に成形された接着シートを用いる積層
方法等が挙げられる。積層に接着剤を用いる場合には、
ホットメルト接着剤、熱硬化性接着剤、ＵＶ硬化型接着
剤、ＥＢ硬化型接着剤、粘着シート、嫌気性接着剤など
を使用することがきる。 【００２９】可撓性高分子支持体の厚みは、１０μｍ〜
２００μｍ、好ましくは２０μｍ〜１５０μｍ、さらに
好ましくは３０μｍ〜１００μｍである。可撓性高分子
支持体の厚みが１０μｍより薄いと、高速回転時の安定
性が低下し、面ぶれが増加する。一方、可撓性高分子支
持体の厚みが２００μｍより厚いと、回転時の剛性が高
くなり、接触時の衝撃を回避することが困難になり磁気
ヘッドの跳躍を招く。 【００３０】また、下記式で表される可撓性高分子支持
体の腰の強さは、ｂ＝１０ｍｍでの値が４．９ＭＰａ〜
１９．６ＭＰａ（０．５ｋｇｆ／ｍｍ² 〜２．０ｋｇｆ
／ｍｍ² ）の範囲にあることが好ましく、６．９ＭＰａ
〜１４．７ＭＰａ（０．７ｋｇｆ／ｍｍ² 〜１．５ｋｇ
ｆ／ｍｍ² ）がより好ましい。 可撓性高分子支持体の腰の強さ＝Ｅｂｄ³／１２ なお、この式において、Ｅはヤング率、ｂはフィルム
幅、ｄはフィルム厚さを各々表す。 【００３１】可撓性高分子支持体の表面は、磁気ヘッド
による記録を行うために、可能な限り平滑であることが
好ましい。支持体表面の凹凸は、信号の記録再生特性を
著しく低下させる。具体的には、後述する下塗り層を使
用する場合では、光干渉式の表面粗さ計で測定した表面
粗さが中心面平均粗さＳＲａで５ｎｍ以内、好ましくは
２ｎｍ以内、触針式粗さ計で測定した突起高さが１μｍ
以内、好ましくは０．１μｍ以内である。また、下塗り
膜を用いない場合では、光干渉式の表面粗さ計で測定し
た表面粗さが中心面平均粗さＳＲａで３ｎｍ以内、好ま
しくは１ｎｍ以内、触針式粗さ計で測定した突起高さが
０．１μｍ以内、好ましくは０．０６μｍ以内である。 【００３２】可撓性高分子支持体表面には、平面性の改
善と気体遮断性を高めるために下塗り層を設けることが
好ましい。磁性層をスパッタリング等で形成するため、
下塗り層は耐熱性に優れることが好ましく、下塗り層の
材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイ
ミド樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂等を使用するこ
とができる。熱硬化型ポリイミド樹脂、熱硬化型シリコ
ーン樹脂は、平滑化効果が高く、特に好ましい。下塗り
層の厚みは、０．１μｍ〜３．０μｍが好ましい。支持
体に他の樹脂フィルムを積層する場合には、積層加工前
に下塗り層を形成してもよく、積層加工後に下塗り層を
形成してもよい。 【００３３】熱硬化性ポリイミド樹脂としては、ビスア
リルナジイミド（丸善石油化学社製ＢＡＮＩ）のよう
に、分子内に末端不飽和基を２つ以上有するイミドモノ
マーを、熱重合して得られるポリイミド樹脂が好適に用
いられる。このイミドモノマーは、モノマーの状態で支
持体表面に塗布した後に、比較的低温で熱重合させるこ
とができるので、原料となるモノマーを支持体上に直接
塗布して硬化させることができる。また、このイミドモ
ノマーは一般的な有機溶剤に溶解させて使用することが
でき、生産性、作業性に優れると共に、分子量が小さ
く、その溶液粘度が低いために、塗布時に凹凸に対する
回り込みが良く、平滑化効果が高い。 【００３４】熱硬化性シリコーン樹脂としては、有機基
が導入されたケイ素化合物を原料としてゾルゲル法で重
合したシリコーン樹脂が好適に用いられる。このシリコ
ーン樹脂は、二酸化ケイ素の結合の一部を有機基で置換
した構造からなりシリコーンゴムよりも大幅に耐熱性に
優れると共に、二酸化ケイ素膜よりも柔軟性に優れるた
め、可撓性フィルムからなる支持体上に樹脂膜を形成し
ても、クラックや剥離が生じ難い。また、原料となるモ
ノマーを可撓性高分子支持体上に直接塗布して硬化させ
ることができるため、汎用溶剤を使用することができ、
凹凸に対する回り込みも良く、平滑化効果が高い。更
に、縮重合反応は、酸やキレート剤などの触媒の添加に
より比較的低温から進行するため、短時間で硬化させる
ことができ、汎用の塗布装置を用いて樹脂膜を形成する
ことができる。また熱硬化性シリコーン樹脂は気体遮断
性に優れており、磁性層形成時に可撓性高分子支持体か
ら発生し、磁性層または下地層の結晶性、配向性を阻害
する気体を遮蔽する気体遮蔽性が高く、特に好適であ
る。 【００３５】下塗り層の表面には、磁気ヘッドとフレキ
シブルディスクとの真実接触面積を低減し、摺動特性を
改善することを目的として、微小突起（テクスチャ）を
設けることが好ましい。また、微小突起を設けることに
より、可撓性高分子支持体の取り扱い性も良好になる。
微小突起を形成する方法としては、球状シリカ粒子を塗
布する方法、エマルジョンを塗布して有機物の突起を形
成する方法などが使用できるが、下塗り層の耐熱性を確
保するため、球状シリカ粒子を塗布して微小突起を形成
するのが好ましい。 【００３６】微小突起の高さは５ｎｍ〜６０ｎｍが好ま
しく、ｌ０ｎｍ〜３０ｍｍがより好ましい。微小突起の
高さが高すぎると記録再生ヘッドと媒体のスペーシング
損失によって信号の記録再生特性が劣化し、微小突起が
低すぎると摺動特性の改善効果が少なくなる。微小突起
の密度は０．１〜１００個／μｍ² が好ましく、１〜１
０個／μｍ² がより好ましい。微小突起の密度が少なす
ぎる場合は摺動特性の改善効果が少なくなり、多過ぎる
と凝集粒子の増加によって高い突起が増加して記録再生
特性が劣化する。また、バインダーを用いて微小突起を
支持体表面に固定することもできる。バインダーには、
十分な耐熱性を備えた樹脂を使用することが好ましく、
耐熱性を備えた樹脂としては、溶剤可溶型ポリイミド樹
脂、熱硬化型ポリイミド樹脂、熱硬化型シリコン樹脂を
使用することが特に好ましい。 【００３７】磁性層の表面には保護層が設けられる。保
護層は、磁性層に含まれる金属材料の腐蝕を防止し、磁
気ヘッドと磁気ディスクとの擬似接触または接触摺動に
よる摩耗を防止して、走行耐久性、耐食性を改善するた
めに設けられる。保護層には、シリカ、アルミナ、チタ
ニア、ジルコニア、酸化コバルト、酸化ニッケルなどの
酸化物、窒化チタン、窒化ケイ素、窒化ホウ素などの窒
化物、炭化ケイ素、炭化クロム、炭化ホウ素等の炭化
物、グラファイト、無定型カーボンなどの炭素等の材料
を使用することができる。 【００３８】保護層としては、磁気ヘッド材質と同等ま
たはそれ以上の硬度を有する硬質膜であり、摺動中に焼
き付きを生じ難くその効果が安定して持続するものが、
摺動耐久性に優れており好ましい。また、同時にピンホ
ールが少ないものが、耐食性に優れておりより好まし
い。このような保護膜としては、ＣＶＤ法で作製される
ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）と呼ばれる硬質炭素膜が
挙げられる。保護層は、性質の異なる２種類以上の薄膜
を積層した構成とすることができる。例えば、表面側に
摺動特性を改善するための硬質炭素保護膜を設け、磁気
記録層側に耐食性を改善するための窒化ケイ素などの窒
化物保護膜を設けることで、耐食性と耐久性とを高い次
元で両立することが可能となる。 【００３９】保護層上には、走行耐久性および耐食性を
改善するために、潤滑層が設けられる。潤滑層には、炭
化水素系潤滑剤、フッ素系潤滑剤、極圧添加剤等の潤滑
剤が使用される。炭化水素系潤滑剤としては、ステアリ
ン酸、オレイン酸等のカルボン酸類、ステアリン酸ブチ
ル等のエステル類、オクタデシルスルホン酸等のスルホ
ン酸類、リン酸モノオクタデシル等のリン酸エステル
類、ステアリルアルコール、オレイルアルコール等のア
ルコール類、ステアリン酸アミド等のカルボン酸アミド
類、ステアリルアミン等のアミン類などが挙げられる。 【００４０】フッ素系潤滑剤としては、上記炭化水素系
潤滑剤のアルキル基の一部または全部をフルオロアルキ
ル基もしくはパーフルオロポリエーテル基で置換した潤
滑剤が挙げられる。パーフルオロポリエーテル基として
は パーフルオロメチレンオキシド重合体、パーフルオ
ロエチレンオキシド重合体、パーフルオロ−ｎ−プロピ
レンオキシド重合体（ＣＦ₂ＣＦ₂ＣＦ₂Ｏ）_n、パーフル
オロイソプロピレンオキシド重合体（ＣＦ（ＣＦ₃）Ｃ
Ｆ₂Ｏ）_n、またはこれらの共重合体等である。具体的に
は、分子量末端に水酸基を有するパーフルオロメチレン
−パーフルオロエチレン共重合体（アウジモント社製、
商品名：FOMBLIN Z-DOL）等が挙げられる。 【００４１】極圧添加剤としては、リン酸トリラウリル
等のリン酸エステル類、亜リン酸トリラウリル等の亜リ
ン酸エステル類、トリチオ亜リン酸トリラウリル等のチ
オ亜リン酸エステルやチオリン酸エステル類、二硫化ジ
ベンジル等の硫黄系極圧剤などが挙げられる。 【００４２】上記の潤滑剤は単独もしくは複数を併用し
て使用することができ、潤滑剤を有機溶剤に溶解した溶
液を、スピンコート法、ワイヤーバーコート法、グラビ
アコート法、ディップコート法等で保護層表面に塗布す
るか、真空蒸着法により保護層表面に付着させればよ
い。潤滑剤の塗布量としては、１〜３０ｍｇ／ｍ² が好
ましく、２〜２０ｍｇ／ｍ² が特に好ましい。 【００４３】また、耐食性をさらに高めるために、防錆
剤を併用することが好ましい。防錆剤としては、ベンゾ
トリアゾール、ベンズイミダゾール、プリン、ピリミジ
ン等の窒素含有複素環類およびこれらの母核にアルキル
側鎖等を導入した誘導体、ベンゾチアゾール、２−メル
カプトベンゾチアゾール、テトラザインデン環化合物、
チオウラシル化合物等の窒素および硫黄含有複素環類お
よびこの誘導体等が挙げられる。これら防錆剤は、潤滑
剤に混合して保護層上に塗布してもよく、潤滑剤を塗布
する前に保護層上に塗布し、その上に潤滑剤を塗布して
もよい。防錆剤の塗布量としては、０．１〜１０ｍｇ／
ｍ²が好ましく、０．５〜５ｍｇ／ｍ²が特に好ましい。 【００４４】以下に、可撓性高分子支持体を用いた磁気
記録媒体の作製方法について説明する。図３は、可撓性
高分子支持体上への磁性層の形成方法を説明する図であ
る。成膜装置１は、真空室２を有し、巻だしロール３か
ら巻だされた可撓性高分子支持体４は、張力調整ロール
５Ａ、５Ｂによって張力を調整されて、成膜室６へ送ら
れる。成膜室６は真空ポンプによって所定の減圧度に減
圧された状態でアルゴンがスパッタリング気体供給管７
Ａないし７Ｄから所定の流量で供給されている。可撓性
高分子支持体４は、成膜室６に設けた成膜ロール８Ａに
巻つきながら搬送された状態で、下地層スパッタリング
装置９ＡのターゲットＴＡから下地層形成用の原子が飛
び出して可撓性高分子支持体上に成膜される。 【００４５】次いで、成膜された下地層上に成膜ロール
８Ａにおいて、磁性層スパッタリング装置９Ｂに装着し
た強磁性金属合金と非磁性物質を均一に分散したターゲ
ットＴＢから、磁性層形成用原子が放出されて下地層上
に磁性層が形成される。次に、磁性層が形成された面を
成膜ロール８Ｂに巻きつけながら移動した状態で、下地
層スパッタリング装置９ＣのターゲットＴＣから下地層
形成用の原子が飛び出して可撓性高分子支持体の先に磁
性層が形成された面とは反対側が成膜される。更に、成
膜ロール８Ｂ上において、磁性層スパッタリング装置９
Ｄに装着した強磁性金属合金と非磁性物質を均一に分散
したターゲットＴＤから、磁性層形成用原子が放出され
て下地層上に磁性層が形成される。 【００４６】以上の工程によって、可撓性高分子支持体
の両面に磁性層が形成されて、巻き取りロール１０によ
って巻き取られる。また、以上の説明では、可撓性高分
子支持体の両面に磁性層を形成する方法について説明を
したが、同様の方法で一方の面のみに形成することも可
能である。磁性層を形成した後に、磁性層上にダイヤモ
ンド状炭素をはじめとした保護層がＣＶＤ法によって形
成される。 【００４７】図４は、本発明に適用可能な高周波プラズ
マを利用したＣＶＤ装置の一例を説明する図である。磁
性層３１を形成した可撓性高分子支持体３２は、ロール
３３から巻き出され、パスローラ３４によってバイアス
電源３５からバイアス電圧が磁性層３１に給電され成膜
ロール３６に巻きつけられた状態で走行する。一方、炭
化水素、窒素、希ガス等を含有する原料気体３７は、高
周波電源３８から印加された電圧によって発生したプラ
ズマによって、成膜ロール３６上の金属薄膜上に窒素、
希ガスを含有した炭素保護膜３９が形成され、巻き取り
ロール４０に巻き取られる。また、炭素保護膜の作製の
前に磁性膜表面を希ガスや水素ガスによるグロー処理な
どによって清浄化することでより大きな密着性を確保す
ることができる。また、磁性層表面にシリコン中間層等
を形成することによって密着性をさらに高めることがで
きる。 【００４８】 【実施例】以下に実施例、比較例を示し、本発明を説明
する。 実施例１ 厚み６３μｍ、表面粗さＲａ＝１．４ｎｍのポリエチレ
ンナフタレートフィルム上に３−グリシドキシプロピル
トリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、塩
酸、アルミニウムアセチルアセトネート、エタノールか
らなる下塗り液をグラビアコート法で塗布した後、１０
０℃で乾燥と硬化を行い、厚み１．０μｍのシリコーン
樹脂からなる下塗り層を作製した。この下塗り層上に粒
子径２５ｎｍのシリカゾルと前記下塗り液を混合した塗
布液をグラビアコート法で塗布して、下塗り層上に高さ
１５ｎｍの突起を１０個／μｍ² の密度で形成した。ま
た、この下塗り層は可撓性高分子支持体フィルムの両面
に形成した。得られた可撓性高分子支持体フィルムを原
反としてスパッタリング装置に装着した。 【００４９】次に図３に示したウェブスパッタリング装
置に得られた原反を装着し、水冷した成膜ロール上にフ
ィルムを密着させながら搬送し、下塗り層上に、ＤＣマ
グネトロンスパッタリング法でＲｕ：Ｃｒ＝９０：１０
（原子比）からなる下地層を４０ｎｍの厚みで形成し、
引き続き、ＣｏＰｔＣｒ合金（Ｃｏ：Ｐｔ：Ｃｒ＝７
０：２０：１０原子比）：ＳｉＯ₂ ＝８８：１２（原子
比）からなる組成の磁性層を２５ｎｍの厚みで形成し
た。この下地層、磁性層はフィルムの両面に成膜した。
次に磁性層を形成した原反を図４に示したウェブ式のＣ
ＶＤ装置に設置し、エチレン、窒素、アルゴンを反応ガ
スとして用いたＲＦプラズマＣＶＤ法でＣ：Ｈ：Ｎ＝６
２：２９：７（ｍｏｌ比）からなる窒素添加ダイヤモン
ド状炭素からなる保護膜を１０ｎｍの厚みで形成した。
なおこのとき磁性層には−４００Ｖのバイアス電圧を印
加した。保護層もフィルムの両面に成膜した。 【００５０】次に、両面の保護層表面に分子末端に水酸
基を有するパーフルオロポリエーテル系潤滑剤（アウジ
モント社製ＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ−ＤＯＬ）をフッ素系溶
剤（住友スリーエム社製ＨＦＥ−７２００）に溶解した
溶液をグラビアコート法で塗布し、厚み１ｎｍの潤滑層
を形成した。得られた原反から直径９４ｍｍの円盤を打
ち抜き、これをテープ研磨した後、フレキシブルディス
ク用合成樹脂製カートリッジ（富士写真フイルム社製Ｚ
ｉｐ１００用）に組み込んで、フレキシブルディスクを
作製した。得られたフレキシブルディスクを以下に示し
た評価方法によって特性の評価を行い、その結果を表２
に示す。 【００５１】実施例２ 実施例１において下塗り層を形成した原反から直径１３
０ｍｍの円盤状シートを打ち抜き、これを円形のリング
に固定した。このシートに対してバッチ式スパッタリン
グ装置を用いて、実施例１と同一組成の下地層、磁性層
を両面に形成し、さらにＣＶＤ装置で保護膜を形成し
た。このシート状にディップコート法で実施例１と同一
の潤滑層を形成した。次にこのシートから直径９４ｍｍ
のディスクを打ち抜き、これをテープ研磨した後、フレ
キシブルディスク用合成樹脂製カートリッジ（富士写真
フイルム社製Ｚｉｐ１００用）に組み込んで、フレキシ
ブルディスクを作製した。得られたフレキシブルディス
クを以下に示した評価方法によって特性の評価を行い、
その結果を表２に示す。 【００５２】実施例３〜２５ 下地層の組成、および厚みを表１に示した点を除き実施
例１と同様にフレキシブルディスクを作製した。得られ
たフレキシブルディスクを以下に示した評価方法によっ
て特性の評価を行い、その結果を表２に示す。 【００５３】 【表１】 下地層実施例 合金元素１(原子比) 合金元素２(原子比) 膜厚(ｎｍ) 実施例３ Ｒｕ（９０） Ｃｒ（１０） ３０ 実施例４ Ｒｕ（９０） Ｃｒ（１０） ６０ 実施例５ Ｒｕ（８０） Ｃｒ（２０） ４０ 実施例６ Ｒｕ（９５） Ｃｒ（５） ４０ 実施例７ Ｒｕ（９０） Ｂｅ（１０） ４０ 実施例８ Ｒｕ（９０） Ｓｉ（１０） ４０ 実施例９ Ｒｕ（９０） Ｚｒ（１０） ４０ 実施例10 Ｒｕ（９０） Ｃｏ（１０） ４０ 実施倒11 Ｒｕ（９０） Ｏｓ（１０） ４０ 実施例12 Ｒｕ（９０） Ｒｅ（１０） ４０ 実施例13 Ｒｕ（９０） Ｔｉ（１０） ４０ 実施例14 Ｒｕ（９０） Ｚｎ（１０） ４０ 実施例15 Ｒｕ（９０） Ｔａ（１０） ４０ 実施例16 Ｒｕ（９０） Ａｌ（１０） ４０ 実施例17 Ｒｕ（９０） Ｍｏ（１０） ４０ 実施例18 Ｒｕ（９０） Ｗ（１０） ４０ 実施例19 Ｒｕ（９０） Ｆｅ（１０） ４０ 実施例20 Ｒｕ（９０） Ｓｂ（１０） ４０ 実施例21 Ｒｕ（９０） Ｉｒ（１０） ４０ 実施例22 Ｒｕ（９０） Ｒｈ（１０） ４０ 実施例23 Ｒｕ（９０） Ｐｔ（１０） ４０ 実施例24 Ｒｕ（９０） Ｐｄ（１０） ４０ 【００５４】実施例２５ 基板として鏡面研磨した直径９４ｍｍガラス板を用いる
と共に、下塗り層を形成せずに実施例１と同様の磁性
層、保護層、潤滑層を形成した磁気記録媒体を作製し
た。得られた磁気記録媒体を以下に示した評価方法によ
って特性の評価を行い、その結果を表２に示す。 【００５５】比較例１ 実施例１において磁性層の組成をＣｏ：Ｐｔ：Ｃｒ＝７
０：２０：１０（原子比）とした以外は実施例１と同様
にフレキシブルディスクを作製した。得られたフレキシ
ブルディスクを以下に示した評価方法によって特性の評
価を行い、その結果を表２に示す。 【００５６】比較例２ 実施例１において下地層をルテニウムとした以外は実施
例１と同様にフレキシブルディスクを作製した。得られ
たフレキシブルディスクを以下に示した評価方法によっ
て特性の評価を行い、その結果を表２に示す。 【００５７】比較例３ 比較例２において、下塗り層とルテニウム含有下地層の
間にＴａシード層を形成した以外は、比較例２と同様に
フレキシブルディスクを作製した。得られたフレキシブ
ルディスクを以下に示した評価方法によって特性の評価
を行い、その結果を表２に示す。 【００５８】（評価方法） １．磁気特性 保磁力Ｈｃを試料振動型磁力計（ＶＳＭ）で測定して磁
気特性とした。 ２．面ぶれ フレキシブルディスクおよびハードディスクを３０００
ｒｐｍで回転させ、中心から半径３５ｍｍの位置におけ
る面ぶれをレーザー変位計で測定した。 ３．Ｃ／Ｎ 再生トラック幅２．２μｍ、再生ギャップ０．２６μｍ
のＭＲヘッドを用いて、線記録密度１３０ｋＦＣＩの記
録再生を行い、再生信号／ノイズ（Ｃ／Ｎ）比を測定し
た。なおこのとき回転数は３０００ｒｐｍ、ヘッドは半
径は３５ｍｍに設けて測定した。ヘッド加重は２９．４
ｍＮ（３ｇｆ）とした。 ４．モジュレーション 前記Ｃ／Ｎ測定の際の再生出力をディスク一周について
計測し、この出力の最小値の最大値に対する比を１００
分率で表した。 ５．耐久性 ハードディスクを除く、フレキシブルディスクをフレキ
シブルディスク用ドライブ（富士写真フイルム社製Ｚｉ
ｐ１００用ドライブ）で記録再生を繰り返し行いながら
走行させ、出力が初期値よりも３ｄＢ低下した時点で走
行を中止し、耐久時間とした。なお環境は２３℃５０％
ＲＨとし、試験は最大３００時間とした。 【００５９】 【表２】 Ｈｃ 面ぶれ Ｃ／Ｎ モシ゛ュレーション 耐久時間 （ｋＡ／ｍ） （μｍ） （ｄＢ） （％） （ｈ） 実施例１ ２６３ ２５ ０ ９５ ＞３００ 実施例２ ２７１ ３０ ＋１．０ ９２ ＞３００ 実施例３ ２３９ ３０ −１．０ ９４ ＞３００ 実施例４ ２４７ ３５ −１．４ ９２ ＞３００ 実施例５ ２３１ ２５ −１．２ ９６ ＞３００ 実施例６ ２６３ ４０ −０．８ ９１ ＞３００ 実施例７ ２４７ ２０ ０ ９６ ＞３００ 実施例８ ２３９ １８ ０ ９７ ＞３００ 実施例９ ２４３ ２５ −０．２ ９６ ＞３００ 実施例10 ２７９ ３５ ０ ９０ ＞３００ 実施例11 ２６３ ３０ −０．２ ９４ ＞３００ 実施例12 ２６７ ３５ −０．２ ９３ ＞３００ 実施例13 ２５６ ３０ −０．６ ９０ ＞３００ 実施例14 ２５１ ３０ −０．６ ９２ ＞３００ 実施例15 ２４７ ３５ −０．８ ９２ ＞３００ 実施例16 ２３１ ４０ −１．４ ９０ ＞３００ 実施例17 ２５５ ３５ ０ ９３ ＞３００ 実施例18 ２４７ ４０ −１．０ ９０ ＞３００ 実施例19 ２７１ ４０ −０．６ ９０ ＞３００ 実施例20 ２５３ ３０ −０．２ ９４ ＞３００ 実施例21 ２５９ ３５ −０．２ ９３ ＞３００ 実施例22 ２５５ ３５ −０．２ ９２ ＞３００ 実施例23 ２７１ ４０ −０．２ ９３ ＞３００ 実施例24 ２４７ ３０ −０．４ ９２ ＞３００ 実施例25 ２４７ １０ −１．０ ９８ −− 比較例１ １４３ ３０ −６．２ ９４ ＞３００ 比較例２ １９１ ８２ −８．４ ７３ １２ 比較例３ ２５５ ６０ −１．０ ８５ ２２０ 【００６０】前記結果からわかるように本発明のフレキ
シブルディスクは記録特性と耐久性ともに優れているこ
とがわかる。一方、基板にガラス基板を用いた実施例２
５では、同様に作製したフレキシブルディスクである実
施例１に対してＣ／Ｎが若干低下している。これは出力
が相対的に低下しているためであり、ハードディスクの
方がフレキシブルディスクよりもヘッドの浮上量が高い
ためと考えられる。また磁性層に非磁性物質（Ｓｉ０
₂ ）を使用しなかった比較例１では保磁力が低下し、記
録特性が低下している。さらにルテニウム下地層を用い
た比較例２では、ある程度の保磁力は得られたものの、
膜応力によって支持体フイルムが変形してしまい面ぶれ
の増加に伴いＣ／Ｎ特性が低下した。下地層の下にＴｉ
Ｗシード層を設けた比較例３においても、ルテニウム下
地層による膜応力の影響で面ぶれの増加を抑制できず、
Ｃ／Ｎ特性は若干低下した。 【００６１】 【発明の効果】本発明の磁気記録媒体は、非磁性支持体
上に、ルテニウム含有下地層を設け、下地層上には、少
なくともコバルト、白金、クロムを含有する強磁性金属
合金と非磁性物質から構成された磁性層を形成したの
で、室温等の低温度において可撓性高分子支持体上にも
特性が優れた磁性層を形成することができるので、高密
度記録が可能なフレキシブルディスクを提供することが
できる。

【図面の簡単な説明】 【図１】図１は、本発明の一実施例を示す図であり、断
面図である。 【図２】図２は、本発明の磁気記録媒体の磁性層を説明
する図であり、断面図である。 【図３】図３は、可撓性高分子支持体上への磁性層の形
成方法を説明する図である。 【図４】図４は、本発明に適用可能な高周波プラズマを
利用したＣＶＤ装置の一例を説明する図である。 【符号の説明】 １…成膜装置、２…真空室、３…巻だしロール、４…可
撓性高分子支持体、５Ａ，５Ｂ…張力調整ロール、６…
成膜室、７Ａ，７Ｂ，７Ｃ，７Ｄ…スパッタリング気体
供給管、８Ａ，８Ｂ…成膜ロール、９Ａ，９Ｂ，９Ｃ，
９Ｄ…下地層スパッタリング装置、ＴＡ，ＴＢ，ＴＣ，
ＴＤ…ターゲット、１０…巻き取りロール、１１…フレ
キシブルディスク、１２…可撓性高分子支持体、１３…
下塗り層、１４…シード層、１５…ルテニウム含有下地
層、１６…磁性層、１７…保護層、１８…潤滑層、１９
…強磁性金属合金、２０…非磁性物質、１７…保護層、
１８…潤滑層、２１…係合手段、３１…磁性層、３２…
可撓性高分子支持体、３３…ロール、３４…パスロー
ラ、３５…バイアス電源、３６…成膜ロール、３７…原
料気体、３８…高周波電源、３９…炭素保護膜、４０…
巻き取りロール

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長尾 信 神奈川県小田原市扇町２丁目12番１号 富 士写真フイルム株式会社内 Ｆターム(参考） 5D006 BB02 CA01 CB01 CB02 CB03 DA02 EA03

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】 磁気記録媒体において、非磁性基板の少
   なくとも一方の面に、少なくともルテニウムを含有した
   下地層、少なくともコバルト、白金、クロムを含有する
   強磁性金属合金と非磁性物質からなる磁性層を形成した
   ことを特徴とする磁気記録媒体。