JPH04134803U - チツプ抵抗器 - Google Patents

チツプ抵抗器

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Publication number
JPH04134803U
JPH04134803U JP5065891U JP5065891U JPH04134803U JP H04134803 U JPH04134803 U JP H04134803U JP 5065891 U JP5065891 U JP 5065891U JP 5065891 U JP5065891 U JP 5065891U JP H04134803 U JPH04134803 U JP H04134803U
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JP
Japan
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resistor
overcoat layer
layer
overcoat
ceramic substrate
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Pending
Application number
JP5065891U
Other languages
English (en)
Inventor
理 多田
龍 荒澤
Original Assignee
アルプス電気株式会社
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Filing date
Publication date
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Priority to JP5065891U priority Critical patent/JPH04134803U/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 最上層のオーバーコート層の天面が広い平坦
面として形成されるように工夫することにより、小型化
されてもマウントノズル用の広い吸着面を確保すること
ができてチヤツキング不良を起こしにくいチツプ抵抗器
を提供する。 【構成】 第1のオーバーコート層4上で抵抗体3を外
れた位置に、該抵抗体3と略同厚で少なくとも一部が第
2のオーバーコート層5に覆われる中間絶縁層10を設
けた。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、絶縁基板上の抵抗体がオーバーコート層で保護されているチツプ抵 抗器に関する。
【0002】
【従来の技術】
図4は従来一般のチツプ抵抗器を示す平面図、図5は図4のA−A線に沿う断 面図である。
【0003】 これらの図において、直方体形状のセラミツク基板1は、スラリを薄板状に形 成した所謂グリーンシートを焼成・分割してなるもので、このセラミツク基板1 の両側部にはメツキ処理を施した一対の電極2が形成されている。そして、セラ ミツク基板1上には、両電極2,2間を連結する抵抗体3と、セラミツク基板1 を短手方向に横切つて抵抗体3を被覆する第1のオーバーコート層4と、比較的 膜厚が大きく第1のオーバーコート層4を被覆する第2のオーバーコート層5と が、それぞれ形成されており、設定抵抗値を調整するためのトリミング溝6が第 1のオーバーコート層4を貫通して抵抗体3に刻設されている。
【0004】 両オーバーコート層4,5はいずれもガラスペーストを印刷・焼成してなるも のであるが、第1のオーバーコート層4は、トリミング工程でレーザ等の熱衝撃 から抵抗体3を保護するために設けられ、一方第2のオーバーコート層5は、メ ツキ工程でメツキ材が抵抗体3に付着するのを防止するとともに機械的強度を確 保するために設けられる。したがつて、第1のオーバーコート層4がトリミング 処理前に形成されるのに対し、第2のオーバーコート層5はトリミング処理後に 形成され、また、メツキ処理に先立つ酸洗いで腐食しないようにするため第2の オーバーコート層5には耐酸性に富む材料が用いられる。
【0005】 このようなチツプ抵抗器を製造する際には、まず、図6(a)に示すように、 縦横の分割溝7,8を刻設したセラミツク大基板9を用意し、このセラミツク大 基板9上に多数個分の電極2や抵抗体3、第1のオーバーコート層4を形成した 後、レーザトリミングを行つてトリミング溝6を形成し、次いで図6(b)に示 すように、第2のオーバーコート層5を形成しておく。しかる後、分割溝7に沿 つてセラミツク大基板9を短冊状に一次分割し、それぞれの側面に電極2を延出 形成してから分割溝8に沿つて二次分割することにより、セラミツク大基板9が 細分化されてセラミツク基板1となり、各セラミツク基板1の両側部に露出する 電極2をメツキ処理して単品のチツプ抵抗器を完成する。そして、実装時には、 第2のオーバーコート層5の天面5aをマウントノズルでエアーチヤツキングす るという自動実装が一般に行われ、各チツプ抵抗器はプリント配線板等に面実装 される。
【0006】
【考案が解決しようとする課題】
ところで、上述した従来のチツプ抵抗器は、セラミツク基板1上の抵抗体3の 輪郭に沿つて形成される第1のオーバーコート層4を印刷面として第2のオーバ ーコート層5が形成されるので、両オーバーコート層4,5の形状は抵抗体3上 で盛り上がるという類似したものとなるが、かかる形状の第2のオーバーコート 層5は、その天面5aにマウントノズル用の広い吸着面を確保することができな いという不具合があつた。特に最近は、一辺が1mm前後の極めて小さいチツプ 抵抗器が主流となりつつあるため、マウントノズルが吸着面から外れてエアー漏 れを起こすというチヤツキング不良が起こりやすくなつており、実装率の低下を 余儀なくされていた。
【0007】 したがつて本考案の目的とするところは、上記従来技術の課題を解消し、小型 化されても広い吸着面を確保することができてチヤツキング不良を起こしにくい チツプ抵抗器を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記した本考案の目的は、絶縁基板上に、一対の電極と、これら両電極間を連 結する抵抗体と、設定抵抗値を調整するためのトリミング処理を行う前に上記抵 抗体を被覆する第1のオーバーコート層と、耐酸性に富む材料からなり上記トリ ミング処理後に上記第1のオーバーコート層を介して上記抵抗体を被覆する第2 のオーバーコート層とを設けたチツプ抵抗器において、上記第1のオーバーコー ト層上で上記抵抗体を外れた位置に、該抵抗体と略同厚で少なくとも一部が上記 第2のオーバーコート層に覆われる中間絶縁層を設けることによつて達成される 。
【0009】
【作用】
上記手段によれば、絶縁基板上における抵抗体および第1のオーバーコート層 の積層体の厚みと、該絶縁基板上で抵抗体が存在しない領域における第1のオー バーコート層および中間絶縁層の積層体の厚みとが、ほぼ同等になるので、第2 のオーバーコート層の天面は抵抗体上においても中間絶縁層上においてもほぼ同 一な平坦面として形成され、マウントノズル用の広い吸着面が確保できる。
【0010】
【実施例】
以下、本考案の実施例を図面に基づいて説明する。
【0011】 図1は本考案によるチツプ抵抗器の一実施例を示す平面図、図2は図1のB− B線に沿う断面図、図3はこのチツプ抵抗器の製造工程図であり、先に説明した 図4〜6と対応する部分には同一符号が付してある。
【0012】 図1,2に示すチツプ抵抗器は、そのセラミツク基板1上に、一対の電極2, 2間を連結する抵抗体3と、セラミツク基板1を短手方向に横切つてトリミング 処理前に抵抗体3を被覆する第1のオーバーコート層4と、トリミング処理後に 第1のオーバーコート層4上の両縁部に付設され抵抗体3の長手方向両側に位置 する中間絶縁層10と、第1のオーバーコート層4および中間絶縁層10の大部 分を被覆して抵抗体3を保護しているがセラミツク基板1の周縁からは若干離間 している第2のオーバーコート層5とが、それぞれ形成されており、設定抵抗値 を調整するためのトリミング溝6は、中間絶縁層10および第2のオーバーコー ト層5によつて完全に覆われている。ここで、中間絶縁層10は、第1のオーバ ーコート層4と同等のガラスペーストを印刷・焼成してなるもので、靱性が比較 的弱くて割りやすい、換言するなら破断面にバリが発生しにくい材料を用いてお り、この中間絶縁層10の膜厚は抵抗体3と同等に設定されている。
【0013】 このようなチツプ抵抗器を製造する際には、まず図3(a)に示すように、セ ラミツク大基板9上に分割溝7に跨る多数個分の電極2,2,…を印刷形成し、 次いで図3(b)に示すように、多数個分の抵抗体3,3,…を印刷形成して対 をなす電極2,2間を連結する。この後、図3(c)に示すように、隣合う分割 溝7,7の間にそれぞれ縦方向に延びる第1のオーバーコート層4を印刷形成し て各抵抗体3を被覆してから、レーザトリミングを行い、図3(d)に示すよう に、第1のオーバーコート層4を貫通するトリミング溝6を各抵抗体3に刻設し て設定抵抗値を調整する。そしてトリミング工程後、図3(e)に示すように、 第1のオーバーコート層4上で各抵抗体3の長手方向両側に画成される凹所内に それぞれ、分割溝8に跨る中間絶縁層10,10,…を印刷形成し、次いで図3 (f)に示すように、分割溝7,8に跨らぬようにマスキングして多数個分の第 2のオーバーコート層5,5,…を印刷形成し、図示はしていないが、抵抗値表 示等の捺印を第2のオーバーコート層5の天面5aに施す。しかる後、分割溝7 に沿つてセラミツク大基板9を短冊状に一次分割し、それぞれの側面に電極2を 延出形成してから分割溝8に沿つて二次分割することにより、セラミツク大基板 9が細分化されてセラミツク基板1となり、各セラミツク基板1の両側部に露出 する電極2をメツキ処理して単品のチツプ抵抗器を完成する。
【0014】 このように上記実施例は、抵抗体3の長手方向両側にそれぞれ該抵抗体3と同 厚の中間絶縁層10が付設してあつて、セラミツク基板1上における抵抗体3お よび第1のオーバーコート層4の積層体の厚みと、該セラミツク基板1上で抵抗 体3が存在しない領域における第1のオーバーコート層4および中間絶縁層10 の積層体の厚みとが、ほぼ同等になるので、第2のオーバーコート層5の天面5 aが抵抗体3上においても中間絶縁層10上においてもほぼ同一な平坦面として 形成されている。その結果、このチツプ抵抗器は同サイズの従来品に比して、マ ウントノズル用の吸着面が広くなつており、その分エアー漏れによるチヤツキン グ不良が起こりにくくなつて、実装率の大幅な向上が期待できる。
【0015】 また、上記実施例では、耐酸性に富むため靱性が強い第2のオーバーコート層 5がセラミツク基板1の周縁から離間させた独立形状に印刷形成してあるので、 該オーバーコート層5は製造段階の分割溝8に跨らず、よつて二次分割時の分割 作業性が向上するとともに、該オーバーコート層5が分割時にバリを生じる虞も なくなる。
【0016】 なお、上記実施例のように第2のオーバーコート層5がセラミツク基板1の周 縁から離間させた独立形状に印刷形成してある場合は、トリミング溝6の一部が 該オーバーコート層5からはみ出すため、中間絶縁層10をトリミング処理後に 形成して該トリミング溝6を覆つておくことが好ましいが、第2のオーバーコー ト層5を第1のオーバーコート層4と同様、セラミツク基板1を横切る連続形状 に印刷形成するのであれば、中間絶縁層10をトリミング処理前に形成しておい ても差し支えない。
【0017】
【考案の効果】
以上説明したように本考案によるチツプ抵抗器は、抵抗体を外れた位置に該抵 抗体と略同厚の中間絶縁層が設けてあつて、最上層のオーバーコート層の天面が 抵抗体上においても中間絶縁層上においてもほぼ同一な平坦面として形成される ので、小型化されてもマウントノズル用の広い吸着面を確保することができ、よ つてチヤツキング不良が起こりにくくなつて実装率の向上が図れるという優れた 効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案によるチツプ抵抗器の一実施例を示す平
面図である。
【図2】図1のB−B線に沿う断面図である。
【図3】図1,2に示すチツプ抵抗器の製造工程図であ
る。
【図4】従来一般のチツプ抵抗器を示す平面図である。
【図5】図4のA−A線に沿う断面図である。
【図6】図4,5に示すチツプ抵抗器の製造工程図であ
る。
【符号の説明】
1 セラミツク基板 2 電極 3 抵抗体 4 第1のオーバーコート層 5 第2のオーバーコート層 5a 天面 6 トリミング溝 10 中間絶縁層

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁基板上に、一対の電極と、これら両
    電極間を連結する抵抗体と、設定抵抗値を調整するため
    のトリミング処理を行う前に上記抵抗体を被覆する第1
    のオーバーコート層と、耐酸性に富む材料からなり上記
    トリミング処理後に上記第1のオーバーコート層を介し
    て上記抵抗体を被覆する第2のオーバーコート層とを設
    けたチツプ抵抗器において、上記第1のオーバーコート
    層上で上記抵抗体を外れた位置に、該抵抗体と略同厚で
    少なくとも一部が上記第2のオーバーコート層に覆われ
    る中間絶縁層を設けたことを特徴とするチツプ抵抗器。
JP5065891U 1991-06-06 1991-06-06 チツプ抵抗器 Pending JPH04134803U (ja)

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58136460A (ja) * 1982-02-08 1983-08-13 Hitachi Ltd 薄膜感熱記録ヘツド
JPH01152701A (ja) * 1987-12-10 1989-06-15 Rohm Co Ltd チップ型電子部品

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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