JPH0413446B2 - - Google Patents

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JPH0413446B2
JPH0413446B2 JP59192050A JP19205084A JPH0413446B2 JP H0413446 B2 JPH0413446 B2 JP H0413446B2 JP 59192050 A JP59192050 A JP 59192050A JP 19205084 A JP19205084 A JP 19205084A JP H0413446 B2 JPH0413446 B2 JP H0413446B2
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/005Growth of whiskers or needles
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36Carbides

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  • Inorganic Fibers (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
本発明は微細繊維の製造方法に関する。更に詳
細には、遷移金属化合物と有機ケイ素化合物と炭
素化合物との混合ガスを、加熱帯域中で高温反応
させることを特徴とする炭素とケイ素からなる微
細繊維の製造方法に関する。 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高強度、高弾性、耐熱性、耐酸化性
の微細繊維であつて、特に樹脂、金属等の強化材
として利用価値の高い材料である。 〔従来の技術〕 炭化ケイ素繊維は、高強度、高弾性、且つ耐熱
性、耐酸化性に優れているため、構造材料として
有望な材料である。炭素繊維はAl等の金属を濡
れにくく且つ反応しやすいという欠点を有してい
るためFRM(繊維強化金属)の強化材としては、
一般的に炭化ケイ素繊維のほうが有効である。従
つてその製造方法も種々検討されている。例え
ば、炭素−ケイ素を主骨格とする有機ケイ素重合
体の紡糸、焼成で炭化ケイ素繊維を得る方法。ま
たは化学気相析出法によつて炭化ケイ素ウイスカ
ーを得る方法等が知られている。しかし前者につ
いては有機ケイ素重合体の合成、紡糸、焼成等の
複雑な工程を有し、製品が高価なものにつくとい
う難点がある。また後者に関しても生産性と収率
が低いためやはり高価となる難点を有している。
そこで上記の問題点を除去するために、金属また
は金属化合物の微粒子を種触媒として存在させた
加熱反応帯域で有機ケイ素化合物を気相熱分解さ
せて炭化ケイ素を主体とする繊維を得る方法(特
願昭57−113689)が知られている。しかしこの方
法では、基板に金属超微粒子をシードする操作
基板を反応炉にセツトする操作 反応炉の
加熱操作 有機ケイ素化合物の気相反応操作
(繊維の生成) 反応炉の冷却操作 繊維の
取り出し操作のため連続製造が極めて困難である
ことが分つた。またこの方法では反応が基板表面
でしか行われないため収率が低く、結果として高
コストになることも分つた。 〔発明の目的〕 それ故、本発明の一般的な目的は、生産性が高
く、製品の低コスト化が可能な炭素とケイ素から
なる微細繊維の連続製造方法を提供することにあ
る。 〔発明の要点〕 この目的を達成するために、この発明に係る炭
素とケイ素からなる微細繊維の製造方法は、遷移
金属化合物と有機ケイ素化合物と炭素化合物との
混合ガスを高温反応させることを特徴とする。ま
た別法として、遷移金属化合物と有機ケイ素化合
物との混合ガスを高温反応させることを特徴とす
る。 本発明者は既に、炭素化合物のガスと有機遷移
金属化合物のガスとキヤリヤガスとの混合ガスを
高温反応させることを特徴とする気相成長炭素繊
維の製造方法を発明し出願した(特願昭58−
162606号)。その場合、炭素繊維が浮遊状態で気
相成長して得られ、前記シード法のような工程の
中断がなく、高い生産性が得られた。 その後引き続き研究改良を重ねた結果、その系
に更に有機ケイ素化合物のガスを混合することに
より、炭素繊維ではなく、炭素とケイ素からなる
微細繊維を高収率且つ高い生産性で得ることが可
能であることを突き止めた。 本発明における炭素化合物とは、炭素の供給源
となり得る炭素化合物全般を対象とし特に限定は
ないが、有効に使用できるものとしては、有機鎖
式化合物又は、有機環式化合物からなる有機化合
物全般と、ガス状またはガス化可能な含炭素無機
化合物等がある。一部例示すると、無機化合物と
しては、CO,CS2等が有利であり又有機化合物
としては、特に脂肪族炭化水素、芳香族炭化水素
等が有利である。即ちメタン、エタン等のアルカ
ン化合物、エチレン、ブタジエン等のアルケン化
合物、アセチレン等のアルキン化合物、ベンゼ
ン、トルエン、スチレン等のアリール炭化水素化
合物、インデン、ナフタリン、フエナントレン等
の縮合環を有する芳香族炭化水素、シクロプロパ
ン、シクロヘキセン等のシクロオレフイン化合
物、ステロイド等の縮合環を有する脂環式炭化水
素化合物等である。また、炭素化合物の2種類以
上の混合物の使用も可能であることは言うに及ば
ない。 また、本発明における有機ケイ素化合物とは、
ケイ素−炭素結合をもつ有機化合物全般を対象と
する他に、シランを便宜上含むものとする。炭素
−ケイ素結合を持つ有機化合物としては、テトラ
メチルシラン、メチルトリフエニルシラン等のオ
ルガノシラン;クロルジフルオルメチルシラン、
ブロムトリプロピルシラン等のオルガノハロゲン
シラン;メトキシトリメチルシラン、トリメチル
フエノキシシラン等のオルガノアルコキシシラ
ン;ジアセトキシジメチルシラン、アセトキシト
リプロピルシラン等のオルガノアセトキシシラ
ン;ヘキサエチルジシラン、ヘキサフエニルジシ
ラン、オクタフエニルシクロテトラシラン等のオ
ルガノポリシラン;ジメチルシラン、トリフエニ
ルシラン等のオルガノヒドロゲノシラン;
(SiH2)nで表示されるシクロシラン;トリフエ
ニルシラザン、ヘキサエチルジシラジン、ヘキサ
フエニルシクロトリシラザン等のオルガノシラザ
ン;(SiH2NH)oで表示されるシクロシラザン;
ジエチルシランジオール、トリフエニルシラノー
ル等のオルガノシラノール;トリメチルシリル酢
酸、トリメチルシリルプロピオン酸等のオルガノ
シランカルボン酸;トリメチルシリコンイソシア
ナート、ジフエニルシリコンジイソシアナート等
のシリコンイソシアナート;トリメチルシリコン
イソチオシアナート、ジフエニルシリコンジイソ
チオシアナート等のオルガノシリコンイソチオシ
アナート;シアン化トリエチルシリル等のオルガ
ノシリコンエステル;ヘキサメチルジシルチア
ン、テトラメチルシクロジシルチアン等のシルチ
アン;(SiH2S)oで表示されるシクロシルチア
ン;ヘキサメチルジシルメチレン、オクタメチル
トリシルメチレン等のオルガノシルメチレン;ヘ
キサメチルジシロキサン、ヘキサプロピルジシロ
キサン等のオルガノシロキサン等が代表的であ
る。また有機ケイ素化合物のポリマー、混合物も
使用可能である。 また本発明における遷移金属とは、スカンジウ
ム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、
鉄、コバルト、ニツケル、イツトリウム、ジルコ
ニウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジ
ウム、パラジウム、タンタル、タングステン、レ
ニウム、イリジウム、白金等を指すが、鉄、Ni、
Coが最も効果的である。また遷移金属化合物と
は、上記金属の化合物全般を対象としており、無
機化合物、有機化合物、塩等を含む。しかしこの
中で特に有効に利用できるものは、250℃で0.1mm
Hg以上の蒸気圧を有するか、少くとも一種類以
上の炭素化合物又は有機ケイ素化合物に溶解可能
な化合物である。この条件を満たす化合物は非常
に多く、一部代表的なものを例示する。まず無機
遷移金属化合物としては、(1)単独で気化が可能な
化合物:FeCl3,Fe(NO)3Cl,Fe(NO)2Br,Fe
(NO)2I,FeF3等々。(2)少くとも一種類以上の有
機化合物によつて溶解が可能な化合物:(1)で例示
した化合物の他にFe(NO32,FeBr3,Fe
(HCOO)3,C27H42FeN9O12,Fe(SO43,Fe
(SCN)3,Fe(NO)3NH3,Co(NO)2Cl,Ni(NO)
Cl,Pd(NO)2Cl2,NiCl2等々。また有機遷移金
属化合物の場合には、遷移金属の有機化合物全般
が対象となる。例えばアルキル基と金属が結合し
たアルキル金属、アリル基と金属が結合したアリ
ル金属、炭素間2重結合や3重結合と金属とが結
合したπ−コンプレツクス、キレート型化合物、
金属とカルボニルの結合した金属カルボニル等が
代表的なものであつて、具体例を一部示すと、ア
ルキル金属として、(C4H94Ti,CH2CHCH2Mn
(Co)5
【式】 (C2H52FeBr・(C2H5)FeBr2: アリル金属として、(C6H53PtI;π−コンプレ
ツクスとして、(C5H52Fe,(C6H62Mo,
(C9H72Fe,〔C5H5Fe(Co)22,〔C5H5Fe(Co)2
CN,
【式】
【式】
【式】 〔発明の実施例〕
次に、本発明に係る炭化ケイ素繊維の製造方法
を添付図面を参照しながら詳説する。 実施例 1 第1図は、実施例1に使用した実験装置の概略
系統図である。アルミナ製反応管34は、内径52
mm、外径60mm、長さ1700mmであつて、長さ1000mm
にわたりヒーターが等間隔に長さ方向に3分割さ
れる。各々独立に温度制御可能な3回路電気炉3
6によつて覆われており、反応管内部温度を
1.150℃に保つように設定した。温度制御可能な
貯留槽14,22,30には、各々
〔(CH33Si〕2(ヘキサメチルジシラン)、
(C5H52Fe(フエロセン)、C6H12(シクロヘキサ
ン)を入れ、キヤリヤガス導入管10,18,2
6よりH2ガスを導入し、〔(CH33Si〕2のガス
とH2ガスとの混合ガス、(C5H52Feのガスと
H2ガスとの混合ガス、C6H12のガスとH2ガス
との混合ガスをそれぞれ作製し、更に〜の混
合ガスを混合し、〔(CH33Si〕2ガス、(C5H52Fe
ガス、C6H12ガス、H2ガスの混合ガスとし、加熱
導入パイプ32により反応管34に連続的に送り
高温反応を行つた。実験は2時間継続し、貯留槽
14,22,30における各々の化合物の減少量
と反応生成物の量を測定した。反応生成物は、反
応管34内部及びフイルター38に捕捉されたも
のを計量した。 結果を表−1に示す。
【表】
【表】 実施例 2 実施例1と同様の装置を使用し反応管内部温度
を1180℃に保つように設定した。バルブ28を閉
じ、温度制御可能な貯留槽14,22には、
〔(CH32SiNH〕4(オクタメチルシクロテトラシラ
ジン)、(C9H72Feを入れ、キヤリヤガス導入管
10,18よりHeガスを導入し、
〔(CH32SiNH〕4ガスとHeガスの混合ガス及び
(C9H72FeガスとHeガスの混合ガスを作製し、
更に混合ガス導入管32にて〔(CH32SiNH〕4
スと(C9H72FeガスとHeガスとの混合ガスと
し、反応管34に導入し高温反応させた。実験は
2時間継続した。表−2に結果を示す。
【表】 実施例 3 第2図は、実施例3に使用した実験装置の概略
系統図である。またアルミナ製反応管60及びヒ
ーター62は実施例−1に使用した装置と同一の
仕様であり、1100℃に設定した。低流量ポンプ装
着貯留槽50及び54には(C5H52FeをC6H6
0.1mole/lの濃度に溶解せしめた溶液及び
〔(CH32SiNH〕3(ヘキサメチルシクロトリシラザ
ン)を準備し、各貯留槽に装着された低流量ポン
プ(日機装(株)製インフユージヨンポンプ1P−21)
によつて、各々の溶液を0.1g/min及び0.3g/
minの速度で反応管60に送つた。尚キヤリヤガ
ス導入管58からH2:N2=1:1の組成比のH2
ガスとN2ガスの混合キヤリヤガスを500ml/min
の速度で送つた。実験を1時間実施し微細繊維の
形状、収量、組成(X線回析により測定)を測定
した。 結果を表−3に示す。
【表】 【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る炭素とケイ素からなる微
細繊維の製造方法を実施する第1及び第2実施例
装置の概略系統図、第2図は同じく第3実施例装
置の概略系統図である。 第1図、10……キヤリヤガス導入管、12…
…バルブ、14……温度制御器付有機ケイ素化合
物貯留槽、16……混合ガス導入加熱管、18…
…キヤリヤガス導入管、20……バルブ、22…
…温度制御器付遷移金属化合物貯留槽、24……
混合ガス導入加熱管、26……キヤリヤガス導入
管、28……バルブ、29……混合ガス導入加熱
管、30……温度制御器付炭素化合物貯留槽、3
2……混合ガス導入加熱管、34……反応管、3
6……温度制御可能な3回路電気路、38……繊
維捕集フイルター、40……排気管。第2図、5
0……低流量ポンプ装着溶液貯留槽、52……溶
液導入管、54……低流量ポンプ装着溶液貯留
槽、56……溶液導入管、58……キヤリヤガス
導入管、60……反応管、62……温度制御可能
な3回路電気路、64……繊維捕集フイルター、
66……排気管。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 遷移金属化合物のガスと有機ケイ素化合物と
    炭素化合物のガスとからなる混合ガスを高温で反
    応させ、浮遊状態で気相成長繊維を生成させるこ
    とを特徴とする炭素とケイ素からなる微細繊維の
    製造方法。 2 加熱反応帯域の温度が700〜1400℃である特
    許請求の範囲第1項記載の炭素とケイ素からなる
    微細繊維の製造方法。 3 遷移金属化合物の金属が第族のFe,Ni,
    Coである特許請求の範囲第1項記載の炭素とケ
    イ素からなる微細繊維の製造方法。 4 遷移金属化合物が有機金属化合物である特許
    請求の範囲第1項記載の炭素とケイ素からなる微
    細繊維の製造方法。 5 遷移金属化合物のガスと有機ケイ素化合物の
    ガスとからなる混合ガスを高温で反応させ、浮遊
    状態で気相成長繊維を生成させることを特徴とす
    る炭素とケイ素からなる微細繊維の製造方法。 6 加熱反応帯域の温度が700〜1400℃である特
    許請求の範囲第5項記載の炭素とケイ素からなる
    微細繊維の製造方法。 7 繊維金属化合物の金属が第族のFe,Ni,
    Coである特許請求の範囲第5項記載の炭素とケ
    イ素からなる微細繊維の製造方法。 8 遷移金属化合物が有機金属化合物である特許
    請求の範囲第5項記載の炭素とケイ素からなる微
    細繊維の製造方法。
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