JPH04130603A - 電子可変抵抗器及びタイマ信号発生装置 - Google Patents
電子可変抵抗器及びタイマ信号発生装置Info
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- JPH04130603A JPH04130603A JP25111790A JP25111790A JPH04130603A JP H04130603 A JPH04130603 A JP H04130603A JP 25111790 A JP25111790 A JP 25111790A JP 25111790 A JP25111790 A JP 25111790A JP H04130603 A JPH04130603 A JP H04130603A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔目 次〕
概要
産業上の利用分野
従来の技術(第9図)
発明が解決しようとする課II(第10図)FARを解
決するための手段(第1.第2図)作用 実施例 (i)第1の実施例の説明(第3図〜第5図)(ii
)第2の実施例の説明(第6図)(it)第3の実施例
の説明(第7.第8図)発明の効果 〔概 要〕 電子可変抵抗器及びタイマ信号発生装置、特に制御信号
に基づいて複数の抵抗素子を選択する可変抵抗器の改善
及びその応用装置に関し、該可変抵抗器のスイッチング
素子を工夫して、その縮小化を図ること、及び負荷機器
のプロセスのばらつきが生じた場合であっても、該応用
装置の可変抵抗器をマニュアル調整処理に依存すること
な(、制御信号に基づいて自動選択すること目的とし、 第1の電子可変抵抗器は、固定抵抗素子及びスイッチン
グ素子が並列に接続された単位抵抗選択手段と、前記ス
イッチング素子に制御信号を出力する信号出力手段とを
具備し、前記スイッチング素子がバイポーラトランジス
タ又は電界効果トランジスタから成ることを含み構成し
、 前記電子可変抵抗器において、前記単位抵抗選択手段が
一以上設けられ、かつ、該単位抵抗選択手段が直列接峰
されていることを含み構成し、第2の電子可変抵抗器は
、前記電子可変抵抗器において、前記単位抵抗選択手段
が一以上設けられ、かつ、該単位抵抗選択手段が並列接
続されていることを含み構成し、 第3の電子可変抵抗器は、前記電子可変抵抗器において
、前記単位抵抗選択手段に直列固定抵抗器が接続されて
いることを含み構成し、前記第1.第2の電子可変抵抗
器において、少なくとも、前記一以上の単位抵抗選択手
段が同一容器に格納されていることを含み構成し、前記
第3の電子可変抵抗器において、前記一以上の単位抵抗
選択手段及び前記直列抵抗器が同一容器に格納されてい
ることを含み構成し、タイマ信号発生装置は、タイマ信
号を発生する信号発生手段と、前記タイマ信号のパルス
幅を調整する直列固定抵抗器、可変抵抗器及び容量素子
とを具備し、前記可変抵抗器又は直列固定抵抗器が接続
された可変抵抗器が前記第1〜第3の電子可変抵抗器か
ら成ることを含み構成する。
決するための手段(第1.第2図)作用 実施例 (i)第1の実施例の説明(第3図〜第5図)(ii
)第2の実施例の説明(第6図)(it)第3の実施例
の説明(第7.第8図)発明の効果 〔概 要〕 電子可変抵抗器及びタイマ信号発生装置、特に制御信号
に基づいて複数の抵抗素子を選択する可変抵抗器の改善
及びその応用装置に関し、該可変抵抗器のスイッチング
素子を工夫して、その縮小化を図ること、及び負荷機器
のプロセスのばらつきが生じた場合であっても、該応用
装置の可変抵抗器をマニュアル調整処理に依存すること
な(、制御信号に基づいて自動選択すること目的とし、 第1の電子可変抵抗器は、固定抵抗素子及びスイッチン
グ素子が並列に接続された単位抵抗選択手段と、前記ス
イッチング素子に制御信号を出力する信号出力手段とを
具備し、前記スイッチング素子がバイポーラトランジス
タ又は電界効果トランジスタから成ることを含み構成し
、 前記電子可変抵抗器において、前記単位抵抗選択手段が
一以上設けられ、かつ、該単位抵抗選択手段が直列接峰
されていることを含み構成し、第2の電子可変抵抗器は
、前記電子可変抵抗器において、前記単位抵抗選択手段
が一以上設けられ、かつ、該単位抵抗選択手段が並列接
続されていることを含み構成し、 第3の電子可変抵抗器は、前記電子可変抵抗器において
、前記単位抵抗選択手段に直列固定抵抗器が接続されて
いることを含み構成し、前記第1.第2の電子可変抵抗
器において、少なくとも、前記一以上の単位抵抗選択手
段が同一容器に格納されていることを含み構成し、前記
第3の電子可変抵抗器において、前記一以上の単位抵抗
選択手段及び前記直列抵抗器が同一容器に格納されてい
ることを含み構成し、タイマ信号発生装置は、タイマ信
号を発生する信号発生手段と、前記タイマ信号のパルス
幅を調整する直列固定抵抗器、可変抵抗器及び容量素子
とを具備し、前記可変抵抗器又は直列固定抵抗器が接続
された可変抵抗器が前記第1〜第3の電子可変抵抗器か
ら成ることを含み構成する。
本発明は、電子可変抵抗器及びタイマ信号発生装置に関
するものであり、更に詳しく言えば、制御信号に基づい
て複数の抵抗素子を選択する可変抵抗器の改善及びその
応用装置に関するものである。
するものであり、更に詳しく言えば、制御信号に基づい
て複数の抵抗素子を選択する可変抵抗器の改善及びその
応用装置に関するものである。
近年、各種制mst器の電子部品等の回路定数を調整す
る可変抵抗器(ボリューム)が多く使用されている0例
えば、サーマルプリンタに内蔵される印字/駆動制御装
置では印字タイミング信号のパルス幅を設定する時定数
調整に可変抵抗器が使用されている。
る可変抵抗器(ボリューム)が多く使用されている0例
えば、サーマルプリンタに内蔵される印字/駆動制御装
置では印字タイミング信号のパルス幅を設定する時定数
調整に可変抵抗器が使用されている。
これによれば、該駆動装置により制御される負荷機器の
プロセスのばらつきにより、機能モジュール基板に搭載
された印字/駆動制御装置の試験調整がなされた後であ
っても、その再調整を必要とする場合がある。このため
、該調整処理に多くの時間を要する。
プロセスのばらつきにより、機能モジュール基板に搭載
された印字/駆動制御装置の試験調整がなされた後であ
っても、その再調整を必要とする場合がある。このため
、該調整処理に多くの時間を要する。
そこで、負荷機器のプロセスのばらつきが生じた場合で
あっても、マニュアル調整処理に依存することなく、制
御信号に基づいて自動選択することができる電子可変抵
抗器が望まれている。
あっても、マニュアル調整処理に依存することなく、制
御信号に基づいて自動選択することができる電子可変抵
抗器が望まれている。
第9.10図は、従来例に係る説明である。
第9図は、従来例に係るタイマ信号発生装置の構成図で
ある。
ある。
図において、例えば、サーマルプリンタに内蔵される印
字/駆動制御装置のタイマ信号発生装置は、起動信号S
Sに基づいて印字タイミング信号となる所定パルス幅φ
のタイマ信号Tを発生するタイマTCIと、そのパルス
幅φを設定する直列抵抗器(以下シリーズ抵抗器という
)R3,可変抵抗器VR及び静電容量Cから成る。
字/駆動制御装置のタイマ信号発生装置は、起動信号S
Sに基づいて印字タイミング信号となる所定パルス幅φ
のタイマ信号Tを発生するタイマTCIと、そのパルス
幅φを設定する直列抵抗器(以下シリーズ抵抗器という
)R3,可変抵抗器VR及び静電容量Cから成る。
当該発生装置における可変抵抗器VRの機能は、タイマ
信号Tのパルス幅φ、すなわち、その時定数τを調整す
るものである0例えば、定数に、シリーズ抵抗器R5の
抵抗値をR1,静電容量Cの容量値C1及び可変抵抗器
VRの可変抵抗値0〜R2とすると時定数τは、kXc
IX (R1+0〜R2) (ms)である、ここで
、Aは可変抵抗器VRによる可変範囲あり、可変抵抗4
1!0−R2に基づくものである。
信号Tのパルス幅φ、すなわち、その時定数τを調整す
るものである0例えば、定数に、シリーズ抵抗器R5の
抵抗値をR1,静電容量Cの容量値C1及び可変抵抗器
VRの可変抵抗値0〜R2とすると時定数τは、kXc
IX (R1+0〜R2) (ms)である、ここで
、Aは可変抵抗器VRによる可変範囲あり、可変抵抗4
1!0−R2に基づくものである。
これにより、該タイマ信号Tの立ち下がり、すなわち、
パルス幅φを調整することができる。
パルス幅φを調整することができる。
ところで、従来例のタイマ信号発生装置によれば、可変
抵抗器VR,シリーズ抵抗器RS及び静電容量Cにより
、その時定数τが手動(マニュアル)調整されている。
抵抗器VR,シリーズ抵抗器RS及び静電容量Cにより
、その時定数τが手動(マニュアル)調整されている。
これによれば、予め、タイマ信号Tのパルス幅φを設定
するシリーズ抵抗器R3,可変抵抗器■R及び静電容量
Cの回路定数等は、サーマルヘッドやモータ等の負荷機
器を除く機能モジュール基板が完成した際に、基板試験
装置等に基づいてマニュアル(手動)調整により設定処
理されている。
するシリーズ抵抗器R3,可変抵抗器■R及び静電容量
Cの回路定数等は、サーマルヘッドやモータ等の負荷機
器を除く機能モジュール基板が完成した際に、基板試験
装置等に基づいてマニュアル(手動)調整により設定処
理されている。
しかし、機能モジュール基板に接続される負荷機器のプ
ロセスバラツキ、例えば、サーマルヘッドの発熱対放熱
(ヘッド出力)特性やモータ速度特性の相違により、そ
れが個々に微妙にずれている。
ロセスバラツキ、例えば、サーマルヘッドの発熱対放熱
(ヘッド出力)特性やモータ速度特性の相違により、そ
れが個々に微妙にずれている。
このため、可変抵抗器VRをマニュアル再調整をしなく
てはならない。
てはならない。
このことで、マニュアル調整処理に多くの時間を要する
。そこで、第1O図に示すようなモータ制御等に用いら
れる可変抵抗器1例えば、リレー制御装置から出力され
るリレー制御信号に基づい複数の抵抗素子R1〜Rnを
自動選択する電子可変抵抗器の導入が考えられる。
。そこで、第1O図に示すようなモータ制御等に用いら
れる可変抵抗器1例えば、リレー制御装置から出力され
るリレー制御信号に基づい複数の抵抗素子R1〜Rnを
自動選択する電子可変抵抗器の導入が考えられる。
しかし、スイッチング素子となるリレー装置等が重くな
ったり、その設置面積が多くのモジュール基板内に専有
することから回路規模の縮小化(it子機器のコンパク
ト化)の妨げとなるという問題がある。
ったり、その設置面積が多くのモジュール基板内に専有
することから回路規模の縮小化(it子機器のコンパク
ト化)の妨げとなるという問題がある。
本発明は、かかる従来例の問題点に鑑み創作されたもの
であり、可変抵抗器のスイッチング素子を工夫して、そ
の縮小化を図ること、及び負荷機器のプロセスのばらつ
きが生じた場合であっても、該応用装置の可変抵抗器を
マニュアル調整処理に依存することなく、制御信号に基
づいて自動選択することが可能となる電子可変抵抗器及
びタイマ信号発生装置の提供を目的とする。
であり、可変抵抗器のスイッチング素子を工夫して、そ
の縮小化を図ること、及び負荷機器のプロセスのばらつ
きが生じた場合であっても、該応用装置の可変抵抗器を
マニュアル調整処理に依存することなく、制御信号に基
づいて自動選択することが可能となる電子可変抵抗器及
びタイマ信号発生装置の提供を目的とする。
(RBを解決するための手段)
第1図は、本発明に係る電子可変抵抗器の原理図であり
、第2図は本発明に係るタイマ信号発生装置の原理図を
それぞれ示している。
、第2図は本発明に係るタイマ信号発生装置の原理図を
それぞれ示している。
その第1の電子可変抵抗器は、第1図(a)に示すよう
に固定抵抗素子R1及びスイッチング素子Tiが並列に
接続された単位抵抗選択手段11と、外部設定データD
inに基づいて前記スイッチング素子T1に制御信号S
Wiを出力する信号出力手段12とを具備し、前記スイ
ッチング素子TiがバイポーラトランジスタQ又は電界
効果トランジスタFETから成ることを特徴とし、前記
電子可変抵抗器において、前記単位抵抗選択手段11が
一以上設けられ、かつ、該単位抵抗選択手段11が直列
接続されていることを特徴とする。
に固定抵抗素子R1及びスイッチング素子Tiが並列に
接続された単位抵抗選択手段11と、外部設定データD
inに基づいて前記スイッチング素子T1に制御信号S
Wiを出力する信号出力手段12とを具備し、前記スイ
ッチング素子TiがバイポーラトランジスタQ又は電界
効果トランジスタFETから成ることを特徴とし、前記
電子可変抵抗器において、前記単位抵抗選択手段11が
一以上設けられ、かつ、該単位抵抗選択手段11が直列
接続されていることを特徴とする。
また1、第2の電子可変抵抗器は、同図(b)に示すよ
うに前記電子可変抵抗器において、前記単位抵抗選択手
段11が一以上設けられ、かつ、該単位抵抗選択手段1
1が並列接続されていることを特徴とする。
うに前記電子可変抵抗器において、前記単位抵抗選択手
段11が一以上設けられ、かつ、該単位抵抗選択手段1
1が並列接続されていることを特徴とする。
さらに、第3の電子可変抵抗器は、同図(C)。
(d)に示すように前記電子可変抵抗器において、前記
単位抵抗選択手段11に直列固定抵抗器R3が接続され
ていることを特徴とする。
単位抵抗選択手段11に直列固定抵抗器R3が接続され
ていることを特徴とする。
なお、第1.第2の電子可変抵抗器において、同図(c
)、 (d)に示すように、少なくとも、前記一以上
の単位抵抗選択手段11が同一容器13に格納されてい
ることを特徴とし、 同様に前記第3の電子可変抵抗器において、前記一以上
の単位抵抗選択手段11及び前記直列固定抵抗器R3が
同一容器13に格納されていることを特徴とする。
)、 (d)に示すように、少なくとも、前記一以上
の単位抵抗選択手段11が同一容器13に格納されてい
ることを特徴とし、 同様に前記第3の電子可変抵抗器において、前記一以上
の単位抵抗選択手段11及び前記直列固定抵抗器R3が
同一容器13に格納されていることを特徴とする。
また、タイマ信号発生装置は、第2図に示すようにタイ
マ信号Tを発生する信号発生手段14と、前記タイマ信
号Tのパルス輻φiを調整する直列固定抵抗器RS、可
変抵抗器VR及び容量素子Cとを具備し、前記可変抵抗
器VR又は直列固定抵抗器R3が接続された可変抵抗器
が前記第1〜第3の電子可変抵抗器から成ることを特徴
とし、上記目的を達成する。
マ信号Tを発生する信号発生手段14と、前記タイマ信
号Tのパルス輻φiを調整する直列固定抵抗器RS、可
変抵抗器VR及び容量素子Cとを具備し、前記可変抵抗
器VR又は直列固定抵抗器R3が接続された可変抵抗器
が前記第1〜第3の電子可変抵抗器から成ることを特徴
とし、上記目的を達成する。
本発明の第1の電子可変抵抗器によれば、第1図(a)
に示すように、スイッチング素子Tiを含む単位抵抗選
択手段11と、信号出力手段12とが具備され、該スイ
ッチング素子TiがバイポーラトランジスタQ又は電界
効果トランジスタFETから成っている。
に示すように、スイッチング素子Tiを含む単位抵抗選
択手段11と、信号出力手段12とが具備され、該スイ
ッチング素子TiがバイポーラトランジスタQ又は電界
効果トランジスタFETから成っている。
例えば、単位抵抗選択手段11が一以上設けられ、かつ
、該単位抵抗選択手段11が直列接続されている場合で
あって、スイッチング素子T;がバイポーラトランジス
タQにより構成された場合、該トランジスタのコレクタ
・エミッタ間に並列接続された固定抵抗素子Riの選択
/非選択動作をすることができる。すなわち、バイポー
ラトランジスタQのベースに、外部設定データDinに
基づいて信号出力手段12により制御信号5Wi=’H
」レベルが入力されると、該バイポーラトランジスタQ
がrONJ L、固定抵抗素子R4の両端が電気的にシ
ョート(短絡)される、これにより、該抵抗素子Riの
両端の等価抵抗は、制御信号5Wi−rl、Jレベル時
の合成抵抗値から降下した抵抗値となる。
、該単位抵抗選択手段11が直列接続されている場合で
あって、スイッチング素子T;がバイポーラトランジス
タQにより構成された場合、該トランジスタのコレクタ
・エミッタ間に並列接続された固定抵抗素子Riの選択
/非選択動作をすることができる。すなわち、バイポー
ラトランジスタQのベースに、外部設定データDinに
基づいて信号出力手段12により制御信号5Wi=’H
」レベルが入力されると、該バイポーラトランジスタQ
がrONJ L、固定抵抗素子R4の両端が電気的にシ
ョート(短絡)される、これにより、該抵抗素子Riの
両端の等価抵抗は、制御信号5Wi−rl、Jレベル時
の合成抵抗値から降下した抵抗値となる。
このことで、直列接続されているn個の固定抵抗素子R
1〜Rnの選択/非選択処理をすることが可能となる。
1〜Rnの選択/非選択処理をすることが可能となる。
なお、電界効果トランジスタFETのソース・ドレイン
間に並列接続された固定抵抗素子Riの選択/非選択処
理をすることもできる。
間に並列接続された固定抵抗素子Riの選択/非選択処
理をすることもできる。
また、第2の電子可変抵抗器によれば、同図(b)に示
すように、単位抵抗選択手段11が一以上設けられ、か
つ、該単位抵抗選択手段11が並列接続されている。
すように、単位抵抗選択手段11が一以上設けられ、か
つ、該単位抵抗選択手段11が並列接続されている。
このため、第1の電子可変抵抗器と同様に固定抵抗素子
R1の両端が電気的にシシート(短絡)されることによ
り、該抵抗素子R1の両端の等価抵抗が制御信号5ki
−rL」レベル時の合成抵抗値から降下した抵抗値とな
る。
R1の両端が電気的にシシート(短絡)されることによ
り、該抵抗素子R1の両端の等価抵抗が制御信号5ki
−rL」レベル時の合成抵抗値から降下した抵抗値とな
る。
このことで、並列接続されているn個の固定抵抗素子R
1〜Rnの並列合成抵抗値を第1の電子可変抵抗器に比
べて微小に制御することができる。
1〜Rnの並列合成抵抗値を第1の電子可変抵抗器に比
べて微小に制御することができる。
さらに、第3の電子可変抵抗器によれば、同図(c)、
(d)に示すように単位抵抗選択手段1】に直列固定抵
抗器R3が接続されている。
(d)に示すように単位抵抗選択手段1】に直列固定抵
抗器R3が接続されている。
このため、直列固定抵抗器R3を基底値にした特殊可変
抵抗器を構成することができ、タイマ信号発生装置等の
可変抵抗器に応用することができる。
抵抗器を構成することができ、タイマ信号発生装置等の
可変抵抗器に応用することができる。
なお、同図(C)、(d)に示すように、各電子可変抵
抗器によれば、少なくとも、一以上の単位抵抗選択手段
11が同一容器13に格納されている。
抗器によれば、少なくとも、一以上の単位抵抗選択手段
11が同一容器13に格納されている。
例えば、該スイッチング素子Tiとなるnpn型+
pnp型バイポーラトランジスタQ又はn型。
pnp型バイポーラトランジスタQ又はn型。
P型電界効果トランジスタFETとポリシリコン型の固
定抵抗素子Riとを同一マスクにより製造することによ
り、負荷機器の許容電流にもよるが電子可変抵抗器の縮
小化が図られる。
定抵抗素子Riとを同一マスクにより製造することによ
り、負荷機器の許容電流にもよるが電子可変抵抗器の縮
小化が図られる。
このため、従来例のようなスイッチング素子となるリレ
ー装置等が不要になり、その設置面積も一般のIC装置
程度に縮小されることから電子機器のコンパクト化を図
ることが可能となる。
ー装置等が不要になり、その設置面積も一般のIC装置
程度に縮小されることから電子機器のコンパクト化を図
ることが可能となる。
これにより、当該電子可変抵抗器を小型精密機器の定数
自動設定回路に利用することが可能となる。
自動設定回路に利用することが可能となる。
また、本発明のタイマ信号発生装置によれば、第2図に
示すように、信号発生手段14.直列固定抵抗器R3,
可変抵抗器VR及び容量素子Cとが具備され、該可変抵
抗器VR又は直列固定抵抗器R3が接続された可変抵抗
器VRが第1〜第3の電子可変抵抗器から成っている。
示すように、信号発生手段14.直列固定抵抗器R3,
可変抵抗器VR及び容量素子Cとが具備され、該可変抵
抗器VR又は直列固定抵抗器R3が接続された可変抵抗
器VRが第1〜第3の電子可変抵抗器から成っている。
このため、信号発生手段14により、タイマ信号Tが発
生されると、該タイマ信号Tのパルス幅φiが電子可変
抵抗器により調整される。
生されると、該タイマ信号Tのパルス幅φiが電子可変
抵抗器により調整される。
すなわち、電子可変抵抗器の直列接続されているn個の
固定抵抗素子R1−Rn、直列固定抵抗器(シリーズ抵
抗器)R5及び容量素子Cにより、パルス幅φiを決定
する時定数τ=kXCX (RS+R1〜Rn)の自動
設定調整をすることが可能となる。
固定抵抗素子R1−Rn、直列固定抵抗器(シリーズ抵
抗器)R5及び容量素子Cにより、パルス幅φiを決定
する時定数τ=kXCX (RS+R1〜Rn)の自動
設定調整をすることが可能となる。
これにより、負荷機器のプロセスバラツキ等により、そ
の特性が個々に微妙にずれている場合であっても、従来
例のようにマニュアル再調整をすることなく、外部設定
データに基づいて自動設定処理をすることが可能となる
。
の特性が個々に微妙にずれている場合であっても、従来
例のようにマニュアル再調整をすることなく、外部設定
データに基づいて自動設定処理をすることが可能となる
。
次に図を参照しながら本発明の実施例について説明をす
る。
る。
第3〜8図は、本発明の実施例に係る電子可変抵抗器及
びタイマ信号発生装置を説明する図である。
びタイマ信号発生装置を説明する図である。
(i)第1の実施例の説明
第3図は、本発明の第1の実施例に係る電子可変抵抗器
の構成図を用いた例を示している。
の構成図を用いた例を示している。
図において、21は単位抵抗選択手段11の一実施例と
なる単位抵抗選択回路であり、固定抵抗素子Ri (
i=1.2・・・n)及びスイッチング素子Tiの一例
となるバイポーラトランジスタQi(+=1.2・・・
n)から成る。
なる単位抵抗選択回路であり、固定抵抗素子Ri (
i=1.2・・・n)及びスイッチング素子Tiの一例
となるバイポーラトランジスタQi(+=1.2・・・
n)から成る。
また、本発明の実施例では単位抵抗選択回路21が0個
設けられ、かつ、該単位抵抗選択回路21が直列接続さ
れているものである。
設けられ、かつ、該単位抵抗選択回路21が直列接続さ
れているものである。
一つのバイポーラトランジスタQは、コレクタCが固定
抵抗素子Riの一端に接続され、エミッタEがその他の
一端に接続されている。なお、ベースBが信号識別回路
22に接続されている。これにより、並列接続された固
定抵抗素子Riの選択/非選択動作をさせることができ
る。
抵抗素子Riの一端に接続され、エミッタEがその他の
一端に接続されている。なお、ベースBが信号識別回路
22に接続されている。これにより、並列接続された固
定抵抗素子Riの選択/非選択動作をさせることができ
る。
また、バイポーラトランジスタQには、npn型、pn
p型トランジスタが用いられ、固定抵抗素子R4には、
ポリシリコン抵抗や負荷機器の許容電流に応じてカーボ
ン抵抗素子及びセラミック抵抗素子が用いられる。
p型トランジスタが用いられ、固定抵抗素子R4には、
ポリシリコン抵抗や負荷機器の許容電流に応じてカーボ
ン抵抗素子及びセラミック抵抗素子が用いられる。
22は信号出力手段12の一実施例となる信号識別回路
であり、外部設定データDinl〜Dinnに基づいて
バイポーラトランジスタQに制御信号511iを出力す
るものである。
であり、外部設定データDinl〜Dinnに基づいて
バイポーラトランジスタQに制御信号511iを出力す
るものである。
例えば、信号識別回路22はn個の比較器B1〜Bnか
ら成り、バイポーラトランジスタQのベースBに、外部
設定データDinに基づいて制御信号5Wi= rH」
、’LJレベルを出力するものである。
ら成り、バイポーラトランジスタQのベースBに、外部
設定データDinに基づいて制御信号5Wi= rH」
、’LJレベルを出力するものである。
23は同一容器の一実施例となるパッケージであり、n
個の単位抵抗選択回路21と信号識別回路22を同時に
格納するものである。パッケージ23は、例えば、モー
ルド樹脂により一体整形されて成るものである。
個の単位抵抗選択回路21と信号識別回路22を同時に
格納するものである。パッケージ23は、例えば、モー
ルド樹脂により一体整形されて成るものである。
なお、a、bは外部接続端子であり、可変抵抗出力端子
となるものである。P1〜pnはデータ入力端子であり
、信号識別回路22に外部設定データDinl〜Din
nを供給する端子である。従って、当該電子可変抵抗器
は、可変抵抗出力端子a。
となるものである。P1〜pnはデータ入力端子であり
、信号識別回路22に外部設定データDinl〜Din
nを供給する端子である。従って、当該電子可変抵抗器
は、可変抵抗出力端子a。
bとデータ入力端子p1〜pnとが外部に露出するのみ
である。
である。
このようにして、本発明の第1の実施例に係る電子可変
抵抗器によれば、第3図に示すように、単位抵抗選択回
路21及び信号識別回路22が具備され、該スイッチン
グ素子TtがバイポーラトランジスタQ1〜Qnから成
っている。
抵抗器によれば、第3図に示すように、単位抵抗選択回
路21及び信号識別回路22が具備され、該スイッチン
グ素子TtがバイポーラトランジスタQ1〜Qnから成
っている。
例えば、単位抵抗選択回路21が2個設けられ、かつ、
該回路21が直列接続されている場合、バイボーラトラ
ンジスタのベースBに、外部設定データDinに基づい
て信号認識回路22により制御信号514i=rH」レ
ベルが入力されると、該バイポーラトランジスタが「O
N」する、これにより、固定抵抗素子R4の両端が電気
的にショート(短絡)される、このことで、該抵抗素子
Riの両端の等価抵抗1例えば、固定抵抗素子Riの抵
抗値を「とすると、制御信号5Wi−’L」レベル時の
合成抵抗値2rから降下した抵抗値rとなる。但し、こ
の際の該トランジスタQの「ON」時の等価抵抗が限り
無く小さく、また、そのrOFFJ時の等価抵抗が限り
無く大きいものと仮定する。
該回路21が直列接続されている場合、バイボーラトラ
ンジスタのベースBに、外部設定データDinに基づい
て信号認識回路22により制御信号514i=rH」レ
ベルが入力されると、該バイポーラトランジスタが「O
N」する、これにより、固定抵抗素子R4の両端が電気
的にショート(短絡)される、このことで、該抵抗素子
Riの両端の等価抵抗1例えば、固定抵抗素子Riの抵
抗値を「とすると、制御信号5Wi−’L」レベル時の
合成抵抗値2rから降下した抵抗値rとなる。但し、こ
の際の該トランジスタQの「ON」時の等価抵抗が限り
無く小さく、また、そのrOFFJ時の等価抵抗が限り
無く大きいものと仮定する。
このことで、直列接続されている2個の固定抵抗素子R
1,R2の選択/非選択処理をすることができる。
1,R2の選択/非選択処理をすることができる。
また、一以上の単位抵抗選択回路21や信号識別回路2
2が同一パッケージ23に格納されている。
2が同一パッケージ23に格納されている。
このため、従来例のようなスイッチング素子となるリレ
ー装置等が不要になり、その設置面積も一般のIC装置
程度に縮小されることから電子機器のコンパクト化を図
ることが可能となる。
ー装置等が不要になり、その設置面積も一般のIC装置
程度に縮小されることから電子機器のコンパクト化を図
ることが可能となる。
これにより、当該電子可変抵抗器を小型精f!7!機器
等の定数自動設定回路に利用することが可能となる。
等の定数自動設定回路に利用することが可能となる。
第4図は、本発明の第1の実施例に係るタイマ信号発生
装置の構成図である。
装置の構成図である。
図において、例えば、サーマルプリンタに内蔵される印
字/駆動制御装置のタイマ信号発生装置は、タイマIC
24,シリーズ抵抗器R81TL子可変抵抗器VR及び
静電容flCから成る。
字/駆動制御装置のタイマ信号発生装置は、タイマIC
24,シリーズ抵抗器R81TL子可変抵抗器VR及び
静電容flCから成る。
タイマIC24は起動信号SSに基づいて印字タイミン
グ信号となる所定パルス幅φのタイマ信号Tを発生する
ものである。
グ信号となる所定パルス幅φのタイマ信号Tを発生する
ものである。
シリーズ抵抗器Rs、1子可変抵抗器VR及び静電容量
Cは、パルス幅φを自動調整するものである。ここで、
電子可変抵抗器VRIが本発明の第1の実施例に係る電
子可変抵抗器から成り、その固定抵抗素子R1が2個の
場合を示している。
Cは、パルス幅φを自動調整するものである。ここで、
電子可変抵抗器VRIが本発明の第1の実施例に係る電
子可変抵抗器から成り、その固定抵抗素子R1が2個の
場合を示している。
また、A1は電子可変抵抗器VRIによる可変範囲あり
、その可変抵抗(tl!O,R1,R2に基づくもので
ある。
、その可変抵抗(tl!O,R1,R2に基づくもので
ある。
第5図(a)〜(C)は、本発明の第1の実施例に係る
タイマ信号発生装置の動作タイムチャートを示している
。
タイマ信号発生装置の動作タイムチャートを示している
。
同図(a)〜(C)において、タイマ信号Tのパルス幅
φi (i=1. 2. 3)は、シリーズ抵抗器R5
,ii子可変抵抗1iVR及び静電容量Cによる時定数
τを調整することにより得られる。
φi (i=1. 2. 3)は、シリーズ抵抗器R5
,ii子可変抵抗1iVR及び静電容量Cによる時定数
τを調整することにより得られる。
例えば、定数をに、シリーズ抵抗器R3の抵抗値をR1
,静電容量Cの容量値C1及び電子可変抵抗器VRの可
変抵抗値をO,R1,R2とすると時定数r i、t、
kXclX fR1+ (0、R1゜R2)] (m
s)により得られる。
,静電容量Cの容量値C1及び電子可変抵抗器VRの可
変抵抗値をO,R1,R2とすると時定数r i、t、
kXclX fR1+ (0、R1゜R2)] (m
s)により得られる。
すなわち、同図(a)において、バイポーラトランジス
タQl、Q2に入力される制御信号S−1゜5−2が共
にrLJレベルになると、時定数τがkXCIX(R1
+(0,R1,R2))(mA)になる。
タQl、Q2に入力される制御信号S−1゜5−2が共
にrLJレベルになると、時定数τがkXCIX(R1
+(0,R1,R2))(mA)になる。
これにより、起動信号SSがrLJレベルに立ち下がる
ことにより、パルス幅φ3のタイマ信号Tを発生するこ
とができる。
ことにより、パルス幅φ3のタイマ信号Tを発生するこ
とができる。
また、同図(b)において、該トランジスタQ1、Q2
に入力される制御信号SWI、 Sn2がそれぞれr
H,、rL」レベルにされると、時定数τがkXcIX
(R1+R2)(ms)になる。
に入力される制御信号SWI、 Sn2がそれぞれr
H,、rL」レベルにされると、時定数τがkXcIX
(R1+R2)(ms)になる。
これにより、起動信号SSが「L」レベルに立ち下がる
ことにより、パルス幅φ2のタイマ信号Tを発生するこ
とができる。
ことにより、パルス幅φ2のタイマ信号Tを発生するこ
とができる。
さらに、同図(C)において、該トランジスタQl、Q
2に入力される制御信号SWI、 Sn2が共に「H
」レベルにされると、時定数τがkXcIXRI(ms
)になる。
2に入力される制御信号SWI、 Sn2が共に「H
」レベルにされると、時定数τがkXcIXRI(ms
)になる。
これにより、起動信号SSが「L」レベルに立ち下がる
ことにより、パルス幅φ1のタイマ信号Tを発生するこ
とができる。
ことにより、パルス幅φ1のタイマ信号Tを発生するこ
とができる。
なお、各パルス幅φ1〜φ3の大小関係は、φ3〉φ2
〉φ1となる。
〉φ1となる。
このようにして、本発明の第1の実施例に係るタイマ信
号発生装置によれば、第4図に示すように、タイマIC
24,シリーズ抵抗器R3,電子可変抵抗器VRI及び
容量素子Cとが具備され、該可変抵抗器VRIが先に説
明した電子可変抵抗器から成っている。
号発生装置によれば、第4図に示すように、タイマIC
24,シリーズ抵抗器R3,電子可変抵抗器VRI及び
容量素子Cとが具備され、該可変抵抗器VRIが先に説
明した電子可変抵抗器から成っている。
このため、タイマIC24により、タイマ信号Tが発生
されると、該タイマ信号Tのパルス輻φ1〜φ3が第1
の電子可変抵抗器VRIにより調整することができる。
されると、該タイマ信号Tのパルス輻φ1〜φ3が第1
の電子可変抵抗器VRIにより調整することができる。
これにより、負荷機器のプロセスバラツキ等により、そ
の特性が個々に微妙にずれている場合であっても、従来
例のようにマニュアル再調整をすることなく、外部設定
データDinl、Din2に基づいて自動設定処理をす
ることが可能となる。
の特性が個々に微妙にずれている場合であっても、従来
例のようにマニュアル再調整をすることなく、外部設定
データDinl、Din2に基づいて自動設定処理をす
ることが可能となる。
(ii)第2の実施例の説明
第6図は、本発明の第2の実施例に係る電子可変抵抗器
の構成図である。
の構成図である。
図において、第1の実施例と異なるのは、第2の実施例
では、単位抵抗選択回路21のスイッチング素子Tiが
バイポーラトランジスタQ1〜Qnに代わり、電界効果
トランジスタT1〜Tnから成るものである。また、単
位抵抗選択回路21が第1の実施例と異なり並列接続さ
れる電子可変抵抗器の例を示している。
では、単位抵抗選択回路21のスイッチング素子Tiが
バイポーラトランジスタQ1〜Qnに代わり、電界効果
トランジスタT1〜Tnから成るものである。また、単
位抵抗選択回路21が第1の実施例と異なり並列接続さ
れる電子可変抵抗器の例を示している。
図において、一つの電界効果トランジスタTi(i=1
〜n)は、ソースSが固定抵抗素子Riの一端に接続さ
れ、ドレインDがその他の一端に接続されている。なお
、ゲートGが信号識別回路22に接続されている。これ
により、並列接続された固定抵抗素子Riの選択/非選
択動作をさせることができる。
〜n)は、ソースSが固定抵抗素子Riの一端に接続さ
れ、ドレインDがその他の一端に接続されている。なお
、ゲートGが信号識別回路22に接続されている。これ
により、並列接続された固定抵抗素子Riの選択/非選
択動作をさせることができる。
また、電界効果トランジスタTiには、n型。
p型MO3)ランジスタ等が用いられる。その他の回路
素子については、先の電子可変抵抗器と同様であるため
説明を省略する。
素子については、先の電子可変抵抗器と同様であるため
説明を省略する。
このようにして、本発明の第2の実施例に係る電子可変
抵抗器によれば、第6図に示すように、単位抵抗選択回
路21及び信号識別回路22が具備され、該スイッチン
グ素子Tiがn型、p型MOSトランジスタから成って
いる。
抵抗器によれば、第6図に示すように、単位抵抗選択回
路21及び信号識別回路22が具備され、該スイッチン
グ素子Tiがn型、p型MOSトランジスタから成って
いる。
例えば、MOSトランジスタT1〜TnのゲートGに、
外部設定データDinに基づいて信号認識回路22によ
り制御信号5Wi=’H,ルベルが入力されると、該ト
ランジスタT1〜TnがrON。
外部設定データDinに基づいて信号認識回路22によ
り制御信号5Wi=’H,ルベルが入力されると、該ト
ランジスタT1〜TnがrON。
する、これにより、固定抵抗素子R1〜Rnの各抵抗両
端が電気的にショート(短絡)される、このことで、第
1の実施例と同様にn個の固定抵抗素子R1〜Rnの選
択/非選択処理をすることができる。
端が電気的にショート(短絡)される、このことで、第
1の実施例と同様にn個の固定抵抗素子R1〜Rnの選
択/非選択処理をすることができる。
このため、並列接続されているn個の固定抵抗素子R1
〜Rnの並列合成抵抗値を第1の実施例に比べて微小に
制御することができる。
〜Rnの並列合成抵抗値を第1の実施例に比べて微小に
制御することができる。
これにより、第1の実施例と同様に、当該電子可変抵抗
器を小型精密機器等の定数自動設定回路に利用すること
が可能となる。
器を小型精密機器等の定数自動設定回路に利用すること
が可能となる。
(iii )第3の実施例の説明
第7図(a)、 (b)は、本発明の第3の実施例に
係る電子可変抵抗器の構成図である。
係る電子可変抵抗器の構成図である。
同図(a)、 (b)において、第1.第2の実施例
と異なるのは、第3の実施例では、単位抵抗選択回路2
1に直列固定抵抗器RSが接続され、それが同一のパッ
ケージ23に格納されているものである。
と異なるのは、第3の実施例では、単位抵抗選択回路2
1に直列固定抵抗器RSが接続され、それが同一のパッ
ケージ23に格納されているものである。
すなわち、外部接続端子a、bの間の第1.第2の実施
例に係る電子可変抵抗器に直列に固定抵抗器(シリーズ
抵抗器)が設けられるものである。
例に係る電子可変抵抗器に直列に固定抵抗器(シリーズ
抵抗器)が設けられるものである。
これは、外付はアナログ素子を極力削減するものである
。
。
その他の機能については、第1.第2の実施例と同様で
あるため説明を省略する。
あるため説明を省略する。
このようにして、本発明の第3の実施例に係る電子可変
抵抗器によれば、単位抵抗選択回路11に直列固定抵抗
器R3が接続されている。
抵抗器によれば、単位抵抗選択回路11に直列固定抵抗
器R3が接続されている。
このため、直列固定抵抗器R3を基底値にした特殊可変
抵抗器を構成することができ、タイマ信号発生装置等の
可変抵抗器に応用することができる。
抵抗器を構成することができ、タイマ信号発生装置等の
可変抵抗器に応用することができる。
第8図は、第3の実施例に係るタイマ信号発生装置の構
成図である。
成図である。
図において、第1の実施例と異なるのは、第3の実施例
では、直列固定抵抗器R3が内蔵された第2の電子可変
抵抗器VR2がタイマIC24に接続されているもので
ある。
では、直列固定抵抗器R3が内蔵された第2の電子可変
抵抗器VR2がタイマIC24に接続されているもので
ある。
ここで、第2の電子可変抵抗器VR2が本発明の第3の
実施例に係る電子可変抵抗器から成り、その固定抵抗素
子Riが2個の場合を示している。
実施例に係る電子可変抵抗器から成り、その固定抵抗素
子Riが2個の場合を示している。
また、A2は電子可変抵抗器VR2による可変範囲あり
、その可変抵抗値R= (RS、R1,R2)に基づく
ものである。すなわち、バイポーラトランジスタQl、
Q2に入力される制御信号SWI。
、その可変抵抗値R= (RS、R1,R2)に基づく
ものである。すなわち、バイポーラトランジスタQl、
Q2に入力される制御信号SWI。
SW2に基づいて時定数τがkXcIXR(ms)にな
る。
る。
これにより、起動信号SSがr L Jレベルに立ち下
がることにより、第1の実施例と同様に所定パルス幅φ
のタイマ信号Tを発生することができる。
がることにより、第1の実施例と同様に所定パルス幅φ
のタイマ信号Tを発生することができる。
その他の機能については、第1の実施例と同様であるた
め説明を省略する。
め説明を省略する。
このようにして、本発明の第3の実施例に係るタイマ信
号発生装置によれば、直列固定抵抗器R5が内蔵された
電子可変抵抗器が用いられてし)る。
号発生装置によれば、直列固定抵抗器R5が内蔵された
電子可変抵抗器が用いられてし)る。
このため、タイマIC24により、タイマ信号Tが発生
されると、該タイマ信号Tのパルス幅φが第1の実施例
と同様に第2の電子可変抵抗器■R2により調整するこ
とができる。
されると、該タイマ信号Tのパルス幅φが第1の実施例
と同様に第2の電子可変抵抗器■R2により調整するこ
とができる。
これにより、負荷機器のプロセスバラツキ等により、そ
の特性が個々に微妙にずれている場合であっても、従来
例のようにマニュアル再調整をすることなく、外部設定
データDinl、Din2に基づいて自動設定処理をす
ることが可能となる。
の特性が個々に微妙にずれている場合であっても、従来
例のようにマニュアル再調整をすることなく、外部設定
データDinl、Din2に基づいて自動設定処理をす
ることが可能となる。
これに加えて、直列固定抵抗器R3がパフケージ23に
内蔵されることから、より一層の電子機器の縮小化を図
ることが可能となる。
内蔵されることから、より一層の電子機器の縮小化を図
ることが可能となる。
以上説明したように、本発明の各電子可変紙bt器によ
れば、バイポーラトランジスタ又は電界効果トランジス
タから成るスイッチング素子と固定抵抗素子を含むn個
の単位抵抗選択手段と、信号出力手段とが具備されてい
る。
れば、バイポーラトランジスタ又は電界効果トランジス
タから成るスイッチング素子と固定抵抗素子を含むn個
の単位抵抗選択手段と、信号出力手段とが具備されてい
る。
このため、外部制御データに基づいて該トランジスタに
並列接続された固定抵抗素子の選択/非選択動作をする
ことが可能となる。このことで、直/並列接続されたn
個の単位抵抗選択手段の選択/非選択処理をすることに
より、n個の固定抵抗素子の合成抵抗値を自動調整出力
することが可能となる。
並列接続された固定抵抗素子の選択/非選択動作をする
ことが可能となる。このことで、直/並列接続されたn
個の単位抵抗選択手段の選択/非選択処理をすることに
より、n個の固定抵抗素子の合成抵抗値を自動調整出力
することが可能となる。
さらに、本発明によれば各電子可変抵抗器によれば、単
位抵抗選択手段に直列固定抵抗器が接続され、同一パッ
ケージに格納されている。
位抵抗選択手段に直列固定抵抗器が接続され、同一パッ
ケージに格納されている。
このため、直列固定抵抗器を基底値にした特殊可変抵抗
器を構成することができる。なお、負荷機器の許容電流
にもよるが電子可変抵抗器の縮小化が図られる。
器を構成することができる。なお、負荷機器の許容電流
にもよるが電子可変抵抗器の縮小化が図られる。
また、本発明のタイマ信号発生装置によれば、信号発生
手段、直列固定抵抗器、可変抵抗器及び容量素子とが具
備され、該可変抵抗器が本発明に係る電子可変抵抗器か
ら成っている。
手段、直列固定抵抗器、可変抵抗器及び容量素子とが具
備され、該可変抵抗器が本発明に係る電子可変抵抗器か
ら成っている。
このため、信号発生手段により発生されるタイマ信号の
パルス幅を電子可変抵抗器により自動調整することが可
能となる。このことで、従来例のようなマニュアル調整
処理に依存することがなくなる。
パルス幅を電子可変抵抗器により自動調整することが可
能となる。このことで、従来例のようなマニュアル調整
処理に依存することがなくなる。
これにより、電子機器の組立・調整処理の作業効率の向
上に寄与するところが大きい。
上に寄与するところが大きい。
第1図は、本発明に係る電子可変抵抗器の原理図、
第2図は、本発明に係るタイマ信号発生装置の原理図、
第3図は、本発明の第1の実施例に係る電子可変抵抗器
の構成図、 第4図は、本発明の第1の実施例に係るタイマ信号発生
装置の構成図、 第5図は、本発明の第1の実施例に係る動作タイムチャ
ート、 第6図は、本発明の第2の実施例に係る電子可変抵抗器
の構成図、 第7図は、本発明の第3の実施例に係る電子可変抵抗器
の構成図、 第8図は、本発明の第3の実施例に係るタイマ信号発生
装置の構成図、 第9図は、従来例に係るタイマ信号発生装置の構成図、 第10図は、従来例に係る問題点を説明する電子可変抵
抗器の構成図である。 (符号の説明) 11・・・単位抵抗選択手段、 12・・・信号出力手段、 13・・・同一容器、 14・・・信号発生手段、 R1−R4,Rn・・・固定抵抗素子、R3・・・直列
抵抗器、 VR・・・可変抵抗器、 C・・・容量素子(静電容量)、 Q・・・バイポーラトランジスタ、 FET・・・電界効果トランジスタ、 T・・・タイマ信号、 Din・・・外部設定データ、 SWI〜SWi、 514n−・制御信号、φl〜φi
・・・パルス幅、 Tl−Ti、Tn・・・スイッチング素子、SS・・・
起動信号。
の構成図、 第4図は、本発明の第1の実施例に係るタイマ信号発生
装置の構成図、 第5図は、本発明の第1の実施例に係る動作タイムチャ
ート、 第6図は、本発明の第2の実施例に係る電子可変抵抗器
の構成図、 第7図は、本発明の第3の実施例に係る電子可変抵抗器
の構成図、 第8図は、本発明の第3の実施例に係るタイマ信号発生
装置の構成図、 第9図は、従来例に係るタイマ信号発生装置の構成図、 第10図は、従来例に係る問題点を説明する電子可変抵
抗器の構成図である。 (符号の説明) 11・・・単位抵抗選択手段、 12・・・信号出力手段、 13・・・同一容器、 14・・・信号発生手段、 R1−R4,Rn・・・固定抵抗素子、R3・・・直列
抵抗器、 VR・・・可変抵抗器、 C・・・容量素子(静電容量)、 Q・・・バイポーラトランジスタ、 FET・・・電界効果トランジスタ、 T・・・タイマ信号、 Din・・・外部設定データ、 SWI〜SWi、 514n−・制御信号、φl〜φi
・・・パルス幅、 Tl−Ti、Tn・・・スイッチング素子、SS・・・
起動信号。
Claims (7)
- (1)固定抵抗素子(Ri)及びスイッチング素子(T
i)が並列に接続された単位抵抗選択手段(11)と、
外部設定データ(Din)に基づいて前記スイッチング
素子(Ti)に制御信号(Swi)を出力する信号出力
手段(12)とを具備し、前記スイッチング素子(Ti
)がバイポーラトランジスタ(Q)又は電界効果トラン
ジスタ(FET)から成ることを特徴とする電子可変抵
抗器。 - (2)請求項1記載の電子可変抵抗器において、前記単
位抵抗選択手段(11)が一以上設けられ、かつ、該単
位抵抗選択手段(11)が直列接続されていることを特
徴とする電子可変抵抗器。 - (3)請求項1記載の電子可変抵抗器において、前記単
位抵抗選択手段(11)が一以上設けられ、かつ、該単
位抵抗選択手段(11)が並列接続されていることを特
徴とする電子可変抵抗器。 - (4)請求項2又は3記載の電子可変抵抗器において、
前記単位抵抗選択手段(11)に直列固定抵抗器(RS
)が接続されていることを特徴とする電子可変抵抗器。 - (5)請求項2又は3記載の電子可変抵抗器において、
少なくとも、前記一以上の単位抵抗選択手段(11)が
同一容器(13)に格納されていることを特徴とする電
子可変抵抗器。 - (6)請求項2又は3記載の電子可変抵抗器において、
前記一以上の単位抵抗選択手段(11)及び前記直列固
定抵抗器(RS)が同一容器(13)に格納されている
ことを特徴とする電子可変抵抗器。 - (7)タイマ信号(T)を発生する信号発生手段(14
)と、前記タイマ信号(T)のパルス幅(φi)を調整
する直列固定抵抗器(RS),可変抵抗器(VR)及び
容量素子(C)とを具備し、前記可変抵抗器(VR)又
は直列固定抵抗器(RS)が接続された可変抵抗器(V
R)が請求項1記載の電子可変抵抗器から成ることを特
徴とするタイマ信号発生装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25111790A JPH04130603A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 電子可変抵抗器及びタイマ信号発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25111790A JPH04130603A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 電子可変抵抗器及びタイマ信号発生装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04130603A true JPH04130603A (ja) | 1992-05-01 |
Family
ID=17217912
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25111790A Pending JPH04130603A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | 電子可変抵抗器及びタイマ信号発生装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04130603A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07154231A (ja) * | 1993-11-25 | 1995-06-16 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
JP2010238285A (ja) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Fujitsu Frontech Ltd | カードリーダおよび磁気ヘッド |
US9334164B2 (en) | 2009-12-25 | 2016-05-10 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Hydrogen generator and fuel cell system |
WO2020045429A1 (ja) * | 2018-08-30 | 2020-03-05 | 株式会社村田製作所 | 方向性結合器 |
-
1990
- 1990-09-20 JP JP25111790A patent/JPH04130603A/ja active Pending
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