JPH04127644U - 半導体ウエハの洗浄・乾燥装置 - Google Patents

半導体ウエハの洗浄・乾燥装置

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JPH04127644U
JPH04127644U JP3373291U JP3373291U JPH04127644U JP H04127644 U JPH04127644 U JP H04127644U JP 3373291 U JP3373291 U JP 3373291U JP 3373291 U JP3373291 U JP 3373291U JP H04127644 U JPH04127644 U JP H04127644U
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JP
Japan
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cleaning
organic solvent
wafer
drying equipment
semiconductor wafer
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Pending
Application number
JP3373291U
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English (en)
Inventor
誠 小澤
正哉 大西
慎史 小又
Original Assignee
日立電線株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】半導体ウエハの表面に付着した汚れを洗浄し、
乾燥する装置を改善して、ウエハの処理量に関係なく、
常に清浄な洗浄液で効率的に洗浄できる装置を提供す
る。 【構成】図1に示すように、有機溶剤3を蒸気化して、
これを冷却槽4で液化して、ノズル5を介してウエハ1
4に向けて噴霧状に吹き付けて、表面の汚れを除去す
る。 【効果】本考案により、汚染された面のみを集中的に洗
浄し、短時間内に効率よく洗浄できるので洗浄効率は上
がり、作業効率の向上をはかることができる。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、半導体ウエハの洗浄・乾燥装置に係り、特に洗浄手段を改善し、洗 浄効率をよくした洗浄・乾燥装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来から半導体ウエハ表面の油脂分を、有機溶剤を用いて洗浄する場合、2つ の方法がある。その1つは、ウエハを常温の有機溶剤中に浸漬して超音波振動を 施す方法である。他の1つは、有機溶剤を蒸気化させ、その中にウエハを投入す る方法である。この場合、投入されたウエハの表面に凝縮した有機溶剤によって 油脂分が除去される。
【0003】
【考案が解決しようとする課題】
前記のように、浸漬洗浄の場合には(1)洗浄液が次第に汚れて、頻繁に液を 交換しないと、汚れがウエハ表面に残留するよになる。(2)ウエハの片面のみ を洗浄したい場合でも、全面を浸漬するために、裏面を汚染してしまうことが多 かった。
【0004】 また、蒸気洗浄の場合には、ウエハ表面に凝縮した液によって汚れを洗い流す 仕組みであるが、ウエハの温度が有機溶剤の沸点まで上昇してしまうと、それ以 上は洗浄が進まなくなってしまう。すなわち、汚染物質がウエハ表面上に残留す ることになる。これを避けるためには、蒸気洗浄処理を何回か繰返し実施しなけ ればならない。この方法は、大量生産方式には不向きである。
【0005】 本発明の目的は、ウエハ表面の洗浄に際して、ウエハ処理数の如何に関係なく 常に清浄な洗浄液で洗浄することができる新規な半導体ウエハの洗浄・乾燥装置 を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本考案にかかる半導体ウエハの洗浄・乾燥装置の構 成は、半導体ウエハを有機溶剤を用いて洗浄し、乾燥する装置において、有機溶 剤の蒸留槽と、これを液化させる冷却槽と、ノズルから有機溶剤を噴霧して洗浄 する洗浄槽と乾燥設備とを具備するようにしたことである。
【0007】
【作用】
本考案の要旨は、洗浄液を蒸気化させた後、一度冷却して液化させ、これをノ ズルを介してウエハ上に噴霧状にして吹き付けることにある。
【0008】 この処置により、洗浄したい部分に狙いをつけて重点的に洗浄することができ る。かつ、清浄な面を汚染させることはなく行うことができる。
【0009】
【実施例】
以下本考案の実施例を図1を用いて説明する。
【0010】 図1は本考案の半導体ウエハの洗浄・乾燥装置の断面略示図である。
【0011】 図1において、1は蒸留槽、2、8はヒ−タ、3、9は有機溶剤、4は冷却槽 5はノズル、6は洗浄・乾燥槽、7は障壁、10は受け皿、11は排出管、12 は凝縮液受け樋、13は冷却コイル、14はウエハである。
【0012】 つぎに、操作について説明する。
【0013】 まず、蒸留槽1内に有機溶剤(イソプロピルアルコール)3を注入し、ヒ−タ 2によって加熱する。得られた有機溶剤3の蒸気を、冷却槽4に通して液化させ る。液化した溶剤は洗浄槽に導き、ノズル5からウエハ14にむかって蒸気圧に より噴射する。
【0014】 ウエハ14はノズル5から噴霧された有機溶剤3の蒸気によって完全に洗浄さ れる。有機溶剤3の温度は、冷却槽4の冷却水量を調整することにより任意に変 えることができる。したがって、ウエハ14の数量、汚れ状況に応じて噴射温度 、圧力等を設定し、最適な洗浄を行うことができる。
【0015】 洗浄されたウエハ14は乾燥槽に移されて(図1で→)蒸気乾燥される。 すなわち、ウエハ14は、受け皿10に入れ、ヒータ8で加熱した有機溶剤9の 蒸気によって蒸気乾燥する。受け皿10に溜ったドレン水は、排水管11によっ て外部へ排出する。
【0016】 半導体ウエハ用の洗浄剤としては、通常イソプロピルアルコールを用いるがこ れにかぎるわけではない。
【0017】
【考案の効果】
本考案により、半導体ウエハの汚染した面をねらって重点的に洗浄することが でき、繰返し作業の必要はないので、洗浄効率がよく、作業効率も著しく向上す る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の実施例の半導体ウエハの洗浄・乾燥装
置の断面略示図である。
【符号の説明】
1 蒸留槽 2、8 ヒータ 3、9 有機溶剤 4 冷却槽 5 ノズル 6 洗浄・乾燥装置 7 障壁 10 受け皿 11 排出管 12 凝縮液受け樋 14 ウエハ

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】半導体ウエハを有機溶剤を用いて洗浄し、
    乾燥する装置において、有機溶剤の蒸留槽と、これを液
    化させる冷却槽と、ノズルから有機溶剤を噴霧して洗浄
    する洗浄槽と乾燥設備とを具備したことを特徴とする半
    導体ウエハの洗浄・乾燥装置。
JP3373291U 1991-05-14 1991-05-14 半導体ウエハの洗浄・乾燥装置 Pending JPH04127644U (ja)

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JP3373291U JPH04127644U (ja) 1991-05-14 1991-05-14 半導体ウエハの洗浄・乾燥装置

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JPH04127644U true JPH04127644U (ja) 1992-11-20

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ID=31916308

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