JPH04127644U - 半導体ウエハの洗浄・乾燥装置 - Google Patents
半導体ウエハの洗浄・乾燥装置Info
- Publication number
- JPH04127644U JPH04127644U JP3373291U JP3373291U JPH04127644U JP H04127644 U JPH04127644 U JP H04127644U JP 3373291 U JP3373291 U JP 3373291U JP 3373291 U JP3373291 U JP 3373291U JP H04127644 U JPH04127644 U JP H04127644U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cleaning
- organic solvent
- wafer
- drying equipment
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000001035 drying Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 32
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000004821 distillation Methods 0.000 claims description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 abstract description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000013020 steam cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体ウエハの表面に付着した汚れを洗浄し、
乾燥する装置を改善して、ウエハの処理量に関係なく、
常に清浄な洗浄液で効率的に洗浄できる装置を提供す
る。 【構成】図1に示すように、有機溶剤3を蒸気化して、
これを冷却槽4で液化して、ノズル5を介してウエハ1
4に向けて噴霧状に吹き付けて、表面の汚れを除去す
る。 【効果】本考案により、汚染された面のみを集中的に洗
浄し、短時間内に効率よく洗浄できるので洗浄効率は上
がり、作業効率の向上をはかることができる。
乾燥する装置を改善して、ウエハの処理量に関係なく、
常に清浄な洗浄液で効率的に洗浄できる装置を提供す
る。 【構成】図1に示すように、有機溶剤3を蒸気化して、
これを冷却槽4で液化して、ノズル5を介してウエハ1
4に向けて噴霧状に吹き付けて、表面の汚れを除去す
る。 【効果】本考案により、汚染された面のみを集中的に洗
浄し、短時間内に効率よく洗浄できるので洗浄効率は上
がり、作業効率の向上をはかることができる。
Description
【0001】
本考案は、半導体ウエハの洗浄・乾燥装置に係り、特に洗浄手段を改善し、洗
浄効率をよくした洗浄・乾燥装置に関する。
【0002】
従来から半導体ウエハ表面の油脂分を、有機溶剤を用いて洗浄する場合、2つ
の方法がある。その1つは、ウエハを常温の有機溶剤中に浸漬して超音波振動を
施す方法である。他の1つは、有機溶剤を蒸気化させ、その中にウエハを投入す
る方法である。この場合、投入されたウエハの表面に凝縮した有機溶剤によって
油脂分が除去される。
【0003】
前記のように、浸漬洗浄の場合には(1)洗浄液が次第に汚れて、頻繁に液を
交換しないと、汚れがウエハ表面に残留するよになる。(2)ウエハの片面のみ
を洗浄したい場合でも、全面を浸漬するために、裏面を汚染してしまうことが多
かった。
【0004】
また、蒸気洗浄の場合には、ウエハ表面に凝縮した液によって汚れを洗い流す
仕組みであるが、ウエハの温度が有機溶剤の沸点まで上昇してしまうと、それ以
上は洗浄が進まなくなってしまう。すなわち、汚染物質がウエハ表面上に残留す
ることになる。これを避けるためには、蒸気洗浄処理を何回か繰返し実施しなけ
ればならない。この方法は、大量生産方式には不向きである。
【0005】
本発明の目的は、ウエハ表面の洗浄に際して、ウエハ処理数の如何に関係なく
常に清浄な洗浄液で洗浄することができる新規な半導体ウエハの洗浄・乾燥装置
を提供することにある。
【0006】
上記課題を解決するための本考案にかかる半導体ウエハの洗浄・乾燥装置の構
成は、半導体ウエハを有機溶剤を用いて洗浄し、乾燥する装置において、有機溶
剤の蒸留槽と、これを液化させる冷却槽と、ノズルから有機溶剤を噴霧して洗浄
する洗浄槽と乾燥設備とを具備するようにしたことである。
【0007】
本考案の要旨は、洗浄液を蒸気化させた後、一度冷却して液化させ、これをノ
ズルを介してウエハ上に噴霧状にして吹き付けることにある。
【0008】
この処置により、洗浄したい部分に狙いをつけて重点的に洗浄することができ
る。かつ、清浄な面を汚染させることはなく行うことができる。
【0009】
以下本考案の実施例を図1を用いて説明する。
【0010】
図1は本考案の半導体ウエハの洗浄・乾燥装置の断面略示図である。
【0011】
図1において、1は蒸留槽、2、8はヒ−タ、3、9は有機溶剤、4は冷却槽
5はノズル、6は洗浄・乾燥槽、7は障壁、10は受け皿、11は排出管、12
は凝縮液受け樋、13は冷却コイル、14はウエハである。
【0012】
つぎに、操作について説明する。
【0013】
まず、蒸留槽1内に有機溶剤(イソプロピルアルコール)3を注入し、ヒ−タ
2によって加熱する。得られた有機溶剤3の蒸気を、冷却槽4に通して液化させ
る。液化した溶剤は洗浄槽に導き、ノズル5からウエハ14にむかって蒸気圧に
より噴射する。
【0014】
ウエハ14はノズル5から噴霧された有機溶剤3の蒸気によって完全に洗浄さ
れる。有機溶剤3の温度は、冷却槽4の冷却水量を調整することにより任意に変
えることができる。したがって、ウエハ14の数量、汚れ状況に応じて噴射温度
、圧力等を設定し、最適な洗浄を行うことができる。
【0015】
洗浄されたウエハ14は乾燥槽に移されて(図1で→)蒸気乾燥される。
すなわち、ウエハ14は、受け皿10に入れ、ヒータ8で加熱した有機溶剤9の
蒸気によって蒸気乾燥する。受け皿10に溜ったドレン水は、排水管11によっ
て外部へ排出する。
【0016】
半導体ウエハ用の洗浄剤としては、通常イソプロピルアルコールを用いるがこ
れにかぎるわけではない。
【0017】
本考案により、半導体ウエハの汚染した面をねらって重点的に洗浄することが
でき、繰返し作業の必要はないので、洗浄効率がよく、作業効率も著しく向上す
る。
【図1】本考案の実施例の半導体ウエハの洗浄・乾燥装
置の断面略示図である。
置の断面略示図である。
1 蒸留槽
2、8 ヒータ
3、9 有機溶剤
4 冷却槽
5 ノズル
6 洗浄・乾燥装置
7 障壁
10 受け皿
11 排出管
12 凝縮液受け樋
14 ウエハ
Claims (1)
- 【請求項1】半導体ウエハを有機溶剤を用いて洗浄し、
乾燥する装置において、有機溶剤の蒸留槽と、これを液
化させる冷却槽と、ノズルから有機溶剤を噴霧して洗浄
する洗浄槽と乾燥設備とを具備したことを特徴とする半
導体ウエハの洗浄・乾燥装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3373291U JPH04127644U (ja) | 1991-05-14 | 1991-05-14 | 半導体ウエハの洗浄・乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3373291U JPH04127644U (ja) | 1991-05-14 | 1991-05-14 | 半導体ウエハの洗浄・乾燥装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04127644U true JPH04127644U (ja) | 1992-11-20 |
Family
ID=31916308
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3373291U Pending JPH04127644U (ja) | 1991-05-14 | 1991-05-14 | 半導体ウエハの洗浄・乾燥装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04127644U (ja) |
-
1991
- 1991-05-14 JP JP3373291U patent/JPH04127644U/ja active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4008729A (en) | Solvent article cleaner | |
JPH04127644U (ja) | 半導体ウエハの洗浄・乾燥装置 | |
JP3584126B2 (ja) | 洗浄装置及び洗浄方法 | |
US2016376A (en) | Cleaning process | |
JP2784159B2 (ja) | 被洗浄物の洗浄方法及びその装置 | |
JPS60257140A (ja) | 高圧ジエツト洗浄方法とその装置 | |
JPS5820677B2 (ja) | オセンブツピンノセイジヨウカホウ オヨビ ソノセイジヨウカヨウノソウチ | |
JPH0718478A (ja) | 電気接点等小物部品の洗浄方法及び減圧乾燥装置 | |
CN220879734U (zh) | 一种双溶剂冷凝漂洗清洗机 | |
JP3445496B2 (ja) | 部品洗浄装置 | |
JP3759439B2 (ja) | 部品洗浄乾燥装置 | |
JP2610441B2 (ja) | ワークの乾燥方法 | |
JPH04110083A (ja) | アルコールを用いた洗浄方法および装置 | |
JP3023299U (ja) | 被洗浄物の洗浄及び乾燥装置 | |
JPH07153072A (ja) | ディスク基板の洗浄装置 | |
JP3009006B2 (ja) | 半導体基板の乾燥装置 | |
JPH07222961A (ja) | 洗浄方法及び洗浄装置 | |
JP2913564B2 (ja) | 蒸気洗浄乾燥装置 | |
JPH07273078A (ja) | ウエハの洗浄方法及び洗浄装置 | |
JP2001033168A (ja) | 表面処理方法、並びにそれに用いる装置 | |
JPS62245639A (ja) | ベ−パ乾燥装置 | |
KR100218310B1 (ko) | 반도체 웨이퍼 습식세정장치 | |
JPS61220777A (ja) | 洗浄装置 | |
JPH09134901A (ja) | 蒸気乾燥を用いた洗浄方法および洗浄機 | |
JP2808576B2 (ja) | 有機溶剤を用いる洗浄方法 |