JPH04127504A - 永久磁石磁気回路 - Google Patents
永久磁石磁気回路Info
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- JPH04127504A JPH04127504A JP2249040A JP24904090A JPH04127504A JP H04127504 A JPH04127504 A JP H04127504A JP 2249040 A JP2249040 A JP 2249040A JP 24904090 A JP24904090 A JP 24904090A JP H04127504 A JPH04127504 A JP H04127504A
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- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract 1
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- BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] Chemical compound N1=C2C=CC=CC2=[N+]([O-])C1(CC1)CCC21N=C1C=CC=CC1=[N+]2[O-] BGPVFRJUHWVFKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F7/00—Magnets
- H01F7/02—Permanent magnets [PM]
- H01F7/0205—Magnetic circuits with PM in general
- H01F7/021—Construction of PM
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F7/00—Magnets
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、一方向磁場（所要領域において磁力線が直線
的となっている磁場）を必要とする半導体製造装置やそ
の他の装置に使用するための永久磁石磁気回路であって
、特に取り付け、配置に制約のある場合に有効な永久磁
石磁気回路に関する。
的となっている磁場）を必要とする半導体製造装置やそ
の他の装置に使用するための永久磁石磁気回路であって
、特に取り付け、配置に制約のある場合に有効な永久磁
石磁気回路に関する。
（発明の概要）
本発明は、一方向磁場を必要とする半導体製造装置等に
使用するための永久磁石磁気回路であって、一方向磁場
を発生すべき領域を囲むことなく不要な直交磁場成分の
少ない一方向磁場を発生可能にしたものである。
使用するための永久磁石磁気回路であって、一方向磁場
を発生すべき領域を囲むことなく不要な直交磁場成分の
少ない一方向磁場を発生可能にしたものである。
（従来の技術及び発明が解決しようとする課題）第１１
図は永久磁石磁気回路の第１従来例であり、一対の永久
磁石ＩＡ、ＩＢのＮ極とｓｉとを対向させてコ字状ヨー
ク２の内側に接合一体止したものである。この場合、不
要な直交磁場成分の少ない一方向磁場を容易に得ること
ができる。
図は永久磁石磁気回路の第１従来例であり、一対の永久
磁石ＩＡ、ＩＢのＮ極とｓｉとを対向させてコ字状ヨー
ク２の内側に接合一体止したものである。この場合、不
要な直交磁場成分の少ない一方向磁場を容易に得ること
ができる。
しかしながら、第１１図の第１従来例の場合、一方向磁
場発生領域Ｅ１の三面を磁気回路が取り囲む形となるた
め、磁気回路の取り付け、配置に制約がある場合には採
用出来ない。例えば、第１１図において一方向磁場発生
装置ＥＩの下側の境界線Ｆ１よりも磁気回路が突出して
はいけない条件下では第１従来例は採用出来ない。この
ような制約は、例えば真空容器外部の磁気回路で真空容
器内部に一方向磁場発生装置Ｅ、を設けたい場合にも生
じる。
場発生領域Ｅ１の三面を磁気回路が取り囲む形となるた
め、磁気回路の取り付け、配置に制約がある場合には採
用出来ない。例えば、第１１図において一方向磁場発生
装置ＥＩの下側の境界線Ｆ１よりも磁気回路が突出して
はいけない条件下では第１従来例は採用出来ない。この
ような制約は、例えば真空容器外部の磁気回路で真空容
器内部に一方向磁場発生装置Ｅ、を設けたい場合にも生
じる。
一方、第１２図及び第１３図は第２従来例であって最も
基本的な磁気回路であり、平板状永久磁石５の一方の端
面にＮｆｉ、他方の端面にＳ極を配置したものである。
基本的な磁気回路であり、平板状永久磁石５の一方の端
面にＮｆｉ、他方の端面にＳ極を配置したものである。
この場合、第１３図の如く近似的な一方向磁場発生装置
Ｅ２を平板状永久磁石５の側面の上方（又は下方）に得
ることができ、近似的な一方向磁場発生装置Ｅ２の境界
線Ｆ、の下方のみに磁気回路を配！てきる。
Ｅ２を平板状永久磁石５の側面の上方（又は下方）に得
ることができ、近似的な一方向磁場発生装置Ｅ２の境界
線Ｆ、の下方のみに磁気回路を配！てきる。
第１２図及び第１３図の第２従来例の場合の磁力線分布
は第１４図に示される。但し、平板状永久磁石５の横方
向寸法Ｌｘ＝ ２５０ｍｍ、奥行き寸法ＬＹ＝３００１
、厚み寸法Ｌｚ＝２４ｉｍとし、フェライト永久磁石を
使用した場合である。
は第１４図に示される。但し、平板状永久磁石５の横方
向寸法Ｌｘ＝ ２５０ｍｍ、奥行き寸法ＬＹ＝３００１
、厚み寸法Ｌｚ＝２４ｉｍとし、フェライト永久磁石を
使用した場合である。
また、平板状永久磁石５の中心から水平方向の距離をＸ
とし、平板状永久磁石５の側面からの垂直方向の距離Ｈ
を４０＋＋ｉ（一定）としたとき、距離Ｘ（０乃至Ｗ／
２ ＝ ８０ｍｍ＞と磁束密度の水平成分Ｂｘ及び垂
直成分（直交成分）Ｂｚとの関係を第６図の点線で示す
。
とし、平板状永久磁石５の側面からの垂直方向の距離Ｈ
を４０＋＋ｉ（一定）としたとき、距離Ｘ（０乃至Ｗ／
２ ＝ ８０ｍｍ＞と磁束密度の水平成分Ｂｘ及び垂
直成分（直交成分）Ｂｚとの関係を第６図の点線で示す
。
第６図の点線及び第１４図から、第１２図及び第１３図
の第２従来例では平板状永久磁石５の中心からの距離Ｘ
が大きくなるのに伴い不要な垂直成分Ｂｚが急増するの
で、直交成分を持たない理想的な一方向磁場には程遠い
特性であることがわかる。
の第２従来例では平板状永久磁石５の中心からの距離Ｘ
が大きくなるのに伴い不要な垂直成分Ｂｚが急増するの
で、直交成分を持たない理想的な一方向磁場には程遠い
特性であることがわかる。
本発明は、上記の点に鑑み、一方向磁場（磁力線が直線
的な磁場）発生領域を取り囲むことなく簡単な構造で垂
直成分を持たない良好な一方向磁場を発生可能な永久磁
石磁気回路を提供することを目的とする。
的な磁場）発生領域を取り囲むことなく簡単な構造で垂
直成分を持たない良好な一方向磁場を発生可能な永久磁
石磁気回路を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成するために、永久磁石磁気回路の第１の
発明は、磁石ブロックの相対向する面に相互に逆極性の
主磁極を配置し、前記相対向する面間の前記磁石ブロッ
クに凹部を形成すると共に前記主磁極の裏面に相当する
前記凹部の面に当該主磁極とは逆極性の副磁極を位置せ
しめた構成としている。
発明は、磁石ブロックの相対向する面に相互に逆極性の
主磁極を配置し、前記相対向する面間の前記磁石ブロッ
クに凹部を形成すると共に前記主磁極の裏面に相当する
前記凹部の面に当該主磁極とは逆極性の副磁極を位置せ
しめた構成としている。
また、第２の発明は、任意の極性の磁極を有する主面と
、この主面の反対側主面に前記主面と逆の極性の磁極を
備え、前記一方の主面から他方の主面に向かって、磁力
線を生じせしめる磁石ブロックと、前記両主面間に磁界
のベクトルの方向を制御せしめる補償用磁極とを備えた
構成である。
、この主面の反対側主面に前記主面と逆の極性の磁極を
備え、前記一方の主面から他方の主面に向かって、磁力
線を生じせしめる磁石ブロックと、前記両主面間に磁界
のベクトルの方向を制御せしめる補償用磁極とを備えた
構成である。
さらに、第３の発明は、任意の極性の磁極を有する主面
と、この主面の反対側主面に前記主面と逆の極性の磁極
を備え、前記一方の主面から他方の主面に向かって、ル
ープ状の磁力線を生じせしめ、前記ループ状の磁力線の
中央部を直線的となるように制御せしめる補償用磁極を
有する構成である。
と、この主面の反対側主面に前記主面と逆の極性の磁極
を備え、前記一方の主面から他方の主面に向かって、ル
ープ状の磁力線を生じせしめ、前記ループ状の磁力線の
中央部を直線的となるように制御せしめる補償用磁極を
有する構成である。
（作用）
本発明の永久磁石磁気回路においては、主磁極間の磁場
に含まれる垂直成分（所望の一方向の磁場成分に垂直な
磁場成分）を、主磁極と副磁１（補償用磁極）間の磁場
に含まれる逆向きの垂直成分で相殺することができ、広
範囲にわたって不要な垂直成分の無い一方向磁場を発生
することができる。また、一方向磁場発生領域は磁石ブ
ロックの側方に離間させて設けることができ、一方向磁
場発生領域を磁気回路が取り囲まないという条件を満足
することができ、半導体製造装置の一方向磁場発生装置
等として好適に使用することができる。
に含まれる垂直成分（所望の一方向の磁場成分に垂直な
磁場成分）を、主磁極と副磁１（補償用磁極）間の磁場
に含まれる逆向きの垂直成分で相殺することができ、広
範囲にわたって不要な垂直成分の無い一方向磁場を発生
することができる。また、一方向磁場発生領域は磁石ブ
ロックの側方に離間させて設けることができ、一方向磁
場発生領域を磁気回路が取り囲まないという条件を満足
することができ、半導体製造装置の一方向磁場発生装置
等として好適に使用することができる。
（実施例）
以下、本発明に係る永久磁石磁気回路の実施例を図面に
従って説明する。
従って説明する。
第１図及び第２図は本発明の第１実施例を示す。
これらの図において、２０はフェライト、希土類等の永
久磁石材料からなる直方体状の磁石ブロックであり、そ
の相対向する両端面（第１及び第２の主面）には主磁極
２ＬＡ、２１Ｂが着磁形成されている。ここでは、主磁
極２１ＡをＮ極、主磁極２１ＢをＳ極とした。また、磁
石ブロック２０の両端面間の一側面（前記両端面に垂直
乃至略垂直）には、左右対称に階段状に窪んだ凹部２２
が形成されており、前記主磁極２１Ａの背後で対向する
位置にある面には副磁極としての補償用磁極２３Ａｔ、
２３Ａ２．２３Ａｚがそれぞれ着磁形成されている。同
様に、主磁極２１Ｂの背後で対向する位置にある面にも
補償用磁極２３Ｂ、、２３Ｂ２．２３８３がそれぞれ着
磁形成されている。ここで、磁石ブロック２０が−様な
材質であれば、主磁極と補償用磁極の表面磁束密度は同
じであるが、磁束総量は主磁極の方がはるかに多い。な
お、補償用磁極２３Ａ、、２３Ａ２，２３Ａ３はＳ極、
補償用磁１２３Ｂ１．２３Ｂ、、２３ＢｆｆはＮ極であ
り、補償用磁極の意義は後述のように磁力線を直線的と
なる如く補償する作用にある。
久磁石材料からなる直方体状の磁石ブロックであり、そ
の相対向する両端面（第１及び第２の主面）には主磁極
２ＬＡ、２１Ｂが着磁形成されている。ここでは、主磁
極２１ＡをＮ極、主磁極２１ＢをＳ極とした。また、磁
石ブロック２０の両端面間の一側面（前記両端面に垂直
乃至略垂直）には、左右対称に階段状に窪んだ凹部２２
が形成されており、前記主磁極２１Ａの背後で対向する
位置にある面には副磁極としての補償用磁極２３Ａｔ、
２３Ａ２．２３Ａｚがそれぞれ着磁形成されている。同
様に、主磁極２１Ｂの背後で対向する位置にある面にも
補償用磁極２３Ｂ、、２３Ｂ２．２３８３がそれぞれ着
磁形成されている。ここで、磁石ブロック２０が−様な
材質であれば、主磁極と補償用磁極の表面磁束密度は同
じであるが、磁束総量は主磁極の方がはるかに多い。な
お、補償用磁極２３Ａ、、２３Ａ２，２３Ａ３はＳ極、
補償用磁１２３Ｂ１．２３Ｂ、、２３ＢｆｆはＮ極であ
り、補償用磁極の意義は後述のように磁力線を直線的と
なる如く補償する作用にある。
上記第１図及び第２図の第１実施例の場合の磁力線分布
は第３図及びこの要部を拡大した第４図に示される。但
し、磁石ブロック２０の横方向寸法ＬＸ−２５０ｕａ、
奥行き寸法Ｌｙ＝ ３００ｍｍ、厚み寸法Ｌｚ＝６０ｍ
ｍとし、凹部２２の階段状部分の横幅は各々２０ＩＩＴ
ａ、段差は各々１０ＩＩ１１とし、フェライト永久磁石
を使用した場合である。
は第３図及びこの要部を拡大した第４図に示される。但
し、磁石ブロック２０の横方向寸法ＬＸ−２５０ｕａ、
奥行き寸法Ｌｙ＝ ３００ｍｍ、厚み寸法Ｌｚ＝６０ｍ
ｍとし、凹部２２の階段状部分の横幅は各々２０ＩＩＴ
ａ、段差は各々１０ＩＩ１１とし、フェライト永久磁石
を使用した場合である。
また、磁石ブロック２０の中心から水平方向の距離をＸ
とし、磁石ブロック側面からの垂直方向の距離Ｈを４Ｃ
）＋ｍ（一定）としたとき、距離Ｘ（０乃至Ｗ／ ２
＝ ８０ ｍｍ＞と磁束密度の水平成分Ｂｘ及び垂直成
分（直交成分）Ｂｚとの関係を第６図の実線で示す。
とし、磁石ブロック側面からの垂直方向の距離Ｈを４Ｃ
）＋ｍ（一定）としたとき、距離Ｘ（０乃至Ｗ／ ２
＝ ８０ ｍｍ＞と磁束密度の水平成分Ｂｘ及び垂直成
分（直交成分）Ｂｚとの関係を第６図の実線で示す。
第３図、第４図及び第６図実線から、第１図及び第２図
の第１実施例では広範囲の距離Ｘについて不要な垂直成
分Ｂｚが実質的に零となることが判る。この理由は、第
５図のように、一方向磁場を発生すべき領域内の点Ｐで
の主磁極のＮｌｉから３％に向かう磁界ベクトル■１と
、主磁ｉ（Ｎ又は３％）と各補償用磁極〈Ｓ又はＮ極）
との間の磁界ベクトルＶ２との合成磁界ベクトルＶＯが
実質的に水平となるように設定できるからである。
の第１実施例では広範囲の距離Ｘについて不要な垂直成
分Ｂｚが実質的に零となることが判る。この理由は、第
５図のように、一方向磁場を発生すべき領域内の点Ｐで
の主磁極のＮｌｉから３％に向かう磁界ベクトル■１と
、主磁ｉ（Ｎ又は３％）と各補償用磁極〈Ｓ又はＮ極）
との間の磁界ベクトルＶ２との合成磁界ベクトルＶＯが
実質的に水平となるように設定できるからである。
この結果、第１図及び第２図の第１実施例では広範囲に
わたり不要な直交成分を殆ど持たない理想に近い一方向
磁場を実現できる。また、一方向磁場発生領域の一面側
に磁気回路を配置すればよく、一方向磁場発生領域を磁
気回路か囲む必要がない。
わたり不要な直交成分を殆ど持たない理想に近い一方向
磁場を実現できる。また、一方向磁場発生領域の一面側
に磁気回路を配置すればよく、一方向磁場発生領域を磁
気回路か囲む必要がない。
第７図及び第８図は本発明の第２実施例を示す。
これらの図において、磁石ブロック２０の両端面間の一
側面には、階段状に窪んだ凹部の代わりに、左右対称に
テーパー状（円弧状斜面乃至直線状斜面）に窪んだ四部
３０が形成されており、主磁極２１Ａ、２１Ｂの背後と
なる面には補償用磁極２３Ａ、２３Ｂがそれぞれ着磁形
成されている。但し、主磁極２１ＡがＮ極、主磁極２１
ＢがＳ極であるとき、補償用磁極２３ＡはＳ極、補償用
磁極２３ＢはＮ極である。なお、磁石ブロック２０の横
方向寸法Ｌｘ−２５Ｏｎ＋ｎ、奥行き寸法Ｌｙ＝ ３０
０１１ＩＩＩ、厚み寸法Ｌｚ＝６０＋−とし、四部３０
の底部の幅は１３０Ｉ、底部の厚みは３０ｍｍとした。
側面には、階段状に窪んだ凹部の代わりに、左右対称に
テーパー状（円弧状斜面乃至直線状斜面）に窪んだ四部
３０が形成されており、主磁極２１Ａ、２１Ｂの背後と
なる面には補償用磁極２３Ａ、２３Ｂがそれぞれ着磁形
成されている。但し、主磁極２１ＡがＮ極、主磁極２１
ＢがＳ極であるとき、補償用磁極２３ＡはＳ極、補償用
磁極２３ＢはＮ極である。なお、磁石ブロック２０の横
方向寸法Ｌｘ−２５Ｏｎ＋ｎ、奥行き寸法Ｌｙ＝ ３０
０１１ＩＩＩ、厚み寸法Ｌｚ＝６０＋−とし、四部３０
の底部の幅は１３０Ｉ、底部の厚みは３０ｍｍとした。
この第７図及び第８図の第２実施例の場合にも、第５図
の如く一方向磁場を発生すべき領域内での主磁極のＮ極
からＳ極に向かう磁界ベクトル■１と、主磁極（Ｎ又は
Ｓ極）と各補償用磁極（Ｓ又はＮ極）との間の磁界ベク
トル■２との合成磁界ベクトルＶＯが実質的に水平とな
るように設定できる 第９図及び第１０図は本発明の第３実施例を示す。この
実施例では、円形板状磁石ブロック４０を用い、その磁
石ブロック４０の相対向する面（角度θ１．θ２の範囲
）に主磁極４１Ａ、４］、Ｂが着磁形成されている。こ
こでは、主磁極４１ＡをＮ極、主磁極４１ＢをＳ極とし
た。また、前記相対向する面に垂直乃至略垂直な一側面
に左右対称に階段状に窪んだ凹部４２が形成されており
、前記主磁極４１Ｂの背後で対向する位置にある面には
逆極性の補償用磁極４３Ｂ、、４３Ｂ２．４３Ｂ。
の如く一方向磁場を発生すべき領域内での主磁極のＮ極
からＳ極に向かう磁界ベクトル■１と、主磁極（Ｎ又は
Ｓ極）と各補償用磁極（Ｓ又はＮ極）との間の磁界ベク
トル■２との合成磁界ベクトルＶＯが実質的に水平とな
るように設定できる 第９図及び第１０図は本発明の第３実施例を示す。この
実施例では、円形板状磁石ブロック４０を用い、その磁
石ブロック４０の相対向する面（角度θ１．θ２の範囲
）に主磁極４１Ａ、４］、Ｂが着磁形成されている。こ
こでは、主磁極４１ＡをＮ極、主磁極４１ＢをＳ極とし
た。また、前記相対向する面に垂直乃至略垂直な一側面
に左右対称に階段状に窪んだ凹部４２が形成されており
、前記主磁極４１Ｂの背後で対向する位置にある面には
逆極性の補償用磁極４３Ｂ、、４３Ｂ２．４３Ｂ。
が第１０図の如くそれぞれ着磁形成されている。
同様に、主磁極４１Ａの背後で対向する位置にある面に
も逆極性の補償用磁極がそれぞれ着磁形成されている。
も逆極性の補償用磁極がそれぞれ着磁形成されている。
上記第３実施例の作用効果は前述の第１実施例と同様で
ある。
ある。
なお、各実施例における磁石ブロックは、複数個の永久
磁石の組み合わせであっても一体品であっても良い。
磁石の組み合わせであっても一体品であっても良い。
（発明の効果）
以上説明したように、本発明の永久磁石磁気回路によれ
ば、一方向磁場を発生すべき領域を囲むことなく不要な
直交磁場成分の少ない一方向磁場を発生可能であり、磁
気回路の配置、取り付けに制約のある半導体製造装置や
その他の装置に好適に使用できる。
ば、一方向磁場を発生すべき領域を囲むことなく不要な
直交磁場成分の少ない一方向磁場を発生可能であり、磁
気回路の配置、取り付けに制約のある半導体製造装置や
その他の装置に好適に使用できる。
第１図は本発明に係る永久磁石磁気回路の第１実施例を
示す斜視図、第２図は同正断面図、第３図は第１実施例
における磁力線の様子を示す説明図、第４図の第３図の
要部を拡大した説明図、第５図は第１実施例における主
磁極間の磁界ベクトルと主磁極と補償用磁極間の磁界ベ
クトルとの関係を示す説明図、第６図は本発明の第１実
施例及び第２従来例の場合における磁石ブロック中心か
らの距離と水平方向及び垂直方向の磁束密度との関係を
示すグラフ、第７図は本発明の第２実施例を示す斜視図
、第８図は同正断面図、第９図は本発明の第３実施例を
示す平面図、第１０図は同部分断面図、第１１図は第１
従来例の正断面図、第１２図は第２従来例の斜視図、第
１３図は同正面図、第１４図は第２従来例の場合の磁力
線の様子を示す説明図である。 ２０．４０・・・磁石ブロック、２１Ａ、２１Ｂ。 ４１Ａ、４１Ｂ・・・主磁極、２２．３０・・・凹部、
２３Ａ、２３ＡＩ、２３Ａ２．２３Ａ３・・・補償用磁
極、２３Ｂ、２３Ｂ、、２３Ｂ２．２３Ｂ３．４３Ｂ、
。 ４３ Ｂ２．４３ Ｂｓ・・・補償用磁極。 第３図 第４図 北さ−さ
示す斜視図、第２図は同正断面図、第３図は第１実施例
における磁力線の様子を示す説明図、第４図の第３図の
要部を拡大した説明図、第５図は第１実施例における主
磁極間の磁界ベクトルと主磁極と補償用磁極間の磁界ベ
クトルとの関係を示す説明図、第６図は本発明の第１実
施例及び第２従来例の場合における磁石ブロック中心か
らの距離と水平方向及び垂直方向の磁束密度との関係を
示すグラフ、第７図は本発明の第２実施例を示す斜視図
、第８図は同正断面図、第９図は本発明の第３実施例を
示す平面図、第１０図は同部分断面図、第１１図は第１
従来例の正断面図、第１２図は第２従来例の斜視図、第
１３図は同正面図、第１４図は第２従来例の場合の磁力
線の様子を示す説明図である。 ２０．４０・・・磁石ブロック、２１Ａ、２１Ｂ。 ４１Ａ、４１Ｂ・・・主磁極、２２．３０・・・凹部、
２３Ａ、２３ＡＩ、２３Ａ２．２３Ａ３・・・補償用磁
極、２３Ｂ、２３Ｂ、、２３Ｂ２．２３Ｂ３．４３Ｂ、
。 ４３ Ｂ２．４３ Ｂｓ・・・補償用磁極。 第３図 第４図 北さ−さ
Claims (4)
- （１）磁石ブロックの相対向する面に相互に逆極性の主
磁極を配置し、前記相対向する面間の前記磁石ブロック
に凹部を形成すると共に前記主磁極の裏面に相当する前
記凹部の面に当該主磁極とは逆極性の副磁極を位置せし
めたことを特徴とする永久磁石磁気回路。 - （２）前記凹部が階段状もしくはテーパー状に窪んだも
のである請求項１記載の永久磁石磁気回路。 - （３）任意の極性の磁極を有する主面と、この主面の反
対側主面に前記主面と逆の極性の磁極を備え、前記一方
の主面から他方の主面に向かつて、磁力線を生じせしめ
る磁石ブロックと、前記両主面間に磁界のベクトルの方
向を制御せしめる補償用磁極とを備えたことを特徴とす
る永久磁石磁気回路。 - （４）任意の極性の磁極を有する主面と、この主面の反
対側主面に前記主面と逆の極性の磁極を備え、前記一方
の主面から他方の主面に向かつて、ループ状の磁力線を
生じせしめ、前記ループ状の磁力線の中央部を直線的と
なるように制御せしめる補償用磁極を有することを特徴
とする永久磁石磁気回路。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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