JPH04123601U - 積層高周波回路基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高周波信号が電源ラインパターンからマイク
ロストリップラインパターンに漏れ込むことで生じる異
常発振を防止し、かつ周波数特性を改善した積層高周波
回路基板を得る。 【構成】 積層された複数枚の誘電体基板１Ａ，１Ｂ，
１Ｃのうち、一の誘電体基板１Ａの表面に形成した高周
波デバイス用電源ラインパターン２Ａ，２Ｂ，２Ｃを、
他の誘電体基板に形成したスルーホール５及び導通パタ
ーン６を介して相互に接続し、かつこの導通パターン６
には高周波デバイスが使用する高周波信号の略４分１波
長の長さに設定されたオープンスタブパターン８を接続
し、マイクロストリップラインパターン３への高周波信
号の漏れ込みを防止する。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は複数枚の誘電体基板を積層して高周波回路を構成した積層高周波回路 基板に関し、特に高周波回路と電源回路とのアイソレーションをとった回路基板 に関する。

【０００２】

【従来の技術】

従来、この種の積層高周波回路基板として、複数枚のガラスエポキシ基板を貼 り合わせ、或いはセラミックの同時焼成法により、ストリップラインパターンや 電源ラインパターンを積層状態に形成したものが提案されている。図３にその一 例を示す。この例では第１の誘電体基板１Ａ、第２の誘電体基板１Ｂ、及び第３ の誘電体基板１Ｃとで３層に構成されている。そして第１の誘電体基板１Ａ上に は高周波デバイス用電源ラインパターン２Ａ〜２Ｃ及びマイクロストリップライ ンパターン３が形成され、その裏面には地導体４が形成されている。そして前記 電源ラインパターン２Ａ〜２Ｃの相互接続は、第１の誘電体基板１Ａ及び第２の 誘電体基板１Ｂを貫通するスルーホール５と、第２の誘電体基板１Ｂと第３の誘 電体基板１Ｃとの間に形成された導通パターン６により行われている。又、第３ の誘電体基板１Ｃの裏面にはケースグランド７が設けられている。

【０００３】

【考案が解決しようとする課題】

しかしながら、このような積層高周波回路基板では、例えば電源ラインパター ン２Ｃより他方の電源ラインパターン２Ａ，２Ｂ及びマイクロストリップライン パターン３に直流電流を供給する際、電源ラインパターン２Ａ，２Ｂに接続され ている高周波デバイスの発生する高周波成分がスルーホール５及び導通パターン ６を介してマイクロストリップラインパターン３に漏れ込み易く、マイクロスト リップラインパターン３と電源ラインパターン２Ａ，２Ｂとのアイソレーション をとることが困難なものとなっていた。そして、このために、電源ラインパター ン２Ａ，２Ｂを介してマイクロストリップラインパターン３につながる高周波回 路に高周波成分が漏れ込み、異常発振の原因になったり、周波数特性の劣化の原 因になるという問題があった。 本考案の目的は電源ラインパターンとマイクロストリップラインパターンとの アイソレーションをとって、異常発振を防止し、かつ周波数特性を改善した積層 高周波回路基板を提供することにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】

本考案の積層高周波回路基板は、一の誘電体基板の表面に形成した高周波デバ イス用電源ラインパターンを相互接続するための導通パターンに、高周波デバイ スが使用する高周波信号の略４分１波長の長さに設定されたオープンスタブパタ ーンを接続している。 例えば、第１乃至第３の誘電体基板を積層し、第１の誘電体基板の表面に電源 ラインパターン及びマイクロストリップラインパターンを有し、かつその裏面に 地導体を有し、第１及び第２の誘電体基板を貫通するスルーホールと第２及び第 ３の誘電体基板の間に設けた導通パターンで前記電源ラインパターンを接続し、 この導通パターンの一部にオープンスタブパターンを形成し、更に第３の誘電体 基板の裏面に前記地導体に接続されたケースグランドを有する。

【０００５】

【作用】

本考案によれば、電源ラインパターンに漏れ込んだ高周波信号をオープンスタ ブパターンにより遮断し、この高周波信号がマイクロストリップラインパターン に影響することを防止する。

【０００６】

【実施例】

次に、本考案について図面を参照して説明する。図１は本考案の一実施例の斜 視図、図２はその縦断面図である。尚、図３に示した従来例と同一若しくは同等 の部品については同一の符号を用いている。即ち、この実施例でも第１乃至第３ の誘電体基板１Ａ，１Ｂ，１Ｃを積層し、第１の誘電体基板１Ａの表面に電源ラ インパターン２Ａ，２Ｂ，２Ｃとマイクロストリップラインパターン３を形成し 、その裏面に地導体４を形成する。又、第１及び第２の誘電体基板１Ａ，１Ｂを 貫通するスルーホール５及び第１及び第２の誘電体基板１Ａ，１Ｂの間に形成さ れた導通パターン６により電源ラインパターン２Ａ，２Ｂ，２Ｃ及びマイクロス トリップラインパターン３を接続している。更に、第３の誘電体基板６Ｃの裏面 にはケースグランド７を形成しており、ここではこのケースグランド７を前記地 導体に接続して接地を行っている。

【０００７】 又、前記スルーホール５に接続された導通パターン６の一部には、この高周波 回路で使用する高周波信号の周波数の４分１波長のオープンスタブパターン８が ストリップライン構造として一体に形成されている。

【０００８】 この構成において、電源ラインパターン２Ｃより電源ラインパターン２Ａ，２ Ｂ及びマイクロストリップラインパターン３に直流電流を供給しているものとす る。この際、電源ラインパターン２Ａ，２Ｂには高周波デバイスが接続され、マ イクロストリップラインパターン３には高周波信号が流れているものとする。

【０００９】 このような状態においては、高周波デバイスが接続された電源ラインパターン ２Ａ，２Ｂには、高周波デバイスが発生した高周波信号が漏れ込む。そして、こ の高周波信号はスルーホール５を通して導通パターン６にも漏れ込んでマイクロ ストリップラインパターン３に影響を与えようとするが、この構成においては、 高周波信号の周波数の４分１波長のオープンスタブパターン８が形成されている ため、高周波信号はこのオープンスタブパターン８で遮断され、導通パターン６ には漏れ込まず、したがってマイクロストリップラインパターン３が高周波デバ イスの発生する高周波の影響を受けることは殆どなく、マイクロストリップライ ンパターン３と電源ラインパターン２Ａ，２Ｂ，２Ｃのアイソレーションをとる ことができる。

【００１０】

【考案の効果】

以上説明したように本考案は、一の誘電体基板の表面に形成した高周波デバイ ス用電源ラインパターンを相互接続するための導通パターンに、高周波デバイス が使用する高周波信号の略４分１波長の長さに設定されたオープンスタブパター ンを接続しているので、電源ラインパターンに漏れ込んだ高周波デバイスからの 高周波信号が導通パターンに漏れ込んでマイクロストリップラインパターンに影 響することを防止し、マイクロストリップラインパターンと電源ラインパターン のアイソレーションをとって異常発振の防止や周波数特性の改善を実現すること ができる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の積層高周波回路基板の一実施例の斜視
図である。

【図２】図１の回路基板の縦断面図である。

【図３】従来の積層高周波回路基板の斜視図である。

【図４】図３の回路基板の縦断面図である。

【符号の説明】

１Ａ，１Ｂ，１Ｃ 誘電体基板 ２Ａ，２Ｂ，２Ｃ 電源ラインパターン ３ マイクロストリップラインパターン ４ 地導体 ５ スルーホール ６ 導通パターン ７ ケースグランド ８ オープンスタブパターン

Claims (2)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数枚の誘電体基板を積層し、一の誘電
   体基板の表面に高周波デバイス用電源ラインパターン及
   びマイクロストリップラインパターンを有し、前記電源
   ラインパターンを前記一の誘電体基板乃至他の誘電体基
   板を貫通するスルーホール及び他の誘電体基板間に形成
   した導通パターンを介して相互に接続してなる積層高周
   波回路基板において、前記導通パターンの一部に、前記
   高周波デバイスが使用する高周波信号の略４分１波長の
   長さに設定されたオープンスタブパターンを有すること
   を特徴とする積層高周波回路基板。
2. 【請求項２】 第１乃至第３の誘電体基板を積層し、第
   １の誘電体基板の表面に電源ラインパターン及びマイク
   ロストリップラインパターンを有し、かつその裏面に地
   導体を有し、第１及び第２の誘電体基板を貫通するスル
   ーホールと第２及び第３の誘電体基板の間に設けた導通
   パターンで前記電源ラインパターンを接続し、この導通
   パターンの一部にオープンスタブパターンを形成し、更
   に第３の誘電体基板の裏面に前記地導体に接続されたケ
   ースグランドを有する請求項１の積層高周波回路基板。