JPH04121698A - 放射線画像変換パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネル
に関し、さらに詳しくは水分の侵入を防ぐと共にその影
響を誹除した性能耐久性のよい放射線画像変換パネルに
関する。

〔従来の技術〕

病気診断用などに用いられるＸ線画像を潜在させた、蛍
光体層から直接画像を取出すＸ線画像変換方法は、米国
特許３，８５９．５２７号及び特開昭５５−１２１４４
号に示されているように、輝尽性蛍光体を可視光線又は
赤外線で輝尽励起する放射線画像変換方法であり、輝尽
性蛍光体層（以後輝尽層と略称）を有する放射線画像変
換パネル（以後変換パネルと略称）を使用し、この変換
パネルの輝尽層に被写体を透過した放射線を当てて被写
体各部の放射線透過度に対応する放射線エネルギーを蓄
積させて潜像を形成し、しかる後にこの輝尽層を輝尽励
起光で走査することによって各部の蓄積された放射線エ
ネルギーを放射させてこれを光に変換し、この光の強弱
による光信号により画像を得るものである。

この最終的な画像はハードコピーとして再生してもよい
し、ＣＲＴ上に再生してもよい。

この放射線画像変換方法Ｉ：８いて使用される変換パネ
ルは、放射線画像情報を蓄積した後輝尽励起光の走査に
よって蓄積エネルギーを間尺、放出するので、走査径再
度放射線画像の蓄積を行うことができ、繰返し使用が可
能である。

そこで、前記変換パネルは、得られる放射線画像の画質
を劣化させることなく長期間あるいは多数回繰返しの使
用に耐える性能を有することが望ましい。そのためには
、前記変換パネルの輝尽層が外部からの物理的あるいは
化学的刺激から十分に保護される必要がある。

従来の変換パネルにおいては、上記の問題の解決を図る
ため、変換パネルの支持体上の輝尽層面を被覆する保護
層を設け、変換パネル周縁を密閉し、輝尽層を保護する
方法がとられてきた。

この保護層は、例えば特開昭５９−４２５００号に開示
されているように、保護層用塗布液を輝尽層上に直接塗
布して形成するか、あるいは予め別途形成した保護層を
輝尽層上に接着して形成されている。

また、変換パネル周縁の密閉には、例えば有機高分子溶
液中に変換パネルの周縁部のみを浸漬するか、あるいは
周縁部に有機高分子溶液を塗布して高分子膜を形成して
ンールする方法、周縁部をンール剤により封止し、シー
ル剤を固定部材により外側から固定する方法（特開昭６
１−２３７０９９号）、周縁部が保護層の延長部分によ
り被覆された状態で／−ルする方法（特開昭６１−２３
７１００号）等が用いられている。

更に防湿性を上げるために、従来の保護層より厚めの防
湿効果の大きい保護層体を用い、支持体と保護層体の間
に輝尽層を囲んでスペーサを接着、挟在させること　（
特開平１１３１４９９号）が提案され、更に進んで前記
スペーサの外側に防湿材を兼ねる充填材を充填して防湿
効果を高める方法（特開平２−７７７００号）が提示さ
れている。

更に変換パネルの密閉内部に吸湿剤を封入し防湿機能を
破って侵入する湿度を除去する方法（特開平１−３１６
６９６号）、或はスペーサ自体を吸湿性の材質とする方
法（特開平１−３２１４００号）が提案されている。

〔解決しようとする課題〕

しかしながら、このような従来技術の変換パネルは、通
常の雰囲気中で使用する場合には外部がらの水分の侵入
を防止することはできるものの、苛酷な眞度、湿度条件
下で使用する場合や水分に弱い蛍光体を用いる場合には
依然として外部がらの水分の侵入による蛍光体の劣化が
問題となり、吸湿性スペーサは吸湿機能に飽和を来し易
く頻繁な乾燥処理を必要とする。

一方、スペーサ外周縁に防湿材、或は密閉パネル内に吸
湿剤を配する構成は、一般に画像撮影、変換に無効無用
の面積を要し、胸部立位或はマンモ撮影において、不都
合を生ずる。

しかしながら一方において前記した厚い保護層体を用い
る方法は輝尽層と保護層の間に真空層等の低屈折率層を
設け、鮮鋭度の高い変換パネルを提供するには好適な技
術であり、その構成の改良によって優れた変換パネルの
提供が可能になると思われる。

Ｃ発明の目的〕 本発明は前記技術的問題に照し、本発明の目的は、 （１）画像撮影、変換に対する有効面積の大きな変換パ
ネルを提供することにあり、また（２）湿度の害を排除
したフェーディングの少い変換パネルを提供することに
ある。

（発明の構成） 前記本発明の目的は、支持体、保護層体及びその間に設
けるスペーサで輝尽性蛍光体層を密閉した放射線画像変
換パネルにおいて、前記スペーサが前記密閉内部へのみ
開かれた開孔を設けた空洞を有し、かつ前記空洞中に前
記輝尽性蛍光体より高い吸湿性の物質を内蔵することを
特徴とする放射線画像変換パネルによって達成される。

本発明による変換パネルの構成としては、支持体と保護
層体が輝尽層を挟んで存在しており、輝尽層の周縁を取
り囲んでスペーサが設けられている。輝尽層は支持体も
しくは保護層体に接着されていてもよいが、輝尽層と保
護層体が接していないのが好ましく、間に低屈折率層が
存在しているのがさらＪこ好ましい。

第１図は本発明に係る空洞を有するスペーサを設けた変
換パネルの一例を模式的に表したものであり、ｌは輝尽
層、２は保護層体、３は支持体、４は低屈折率層、５は
スペーサ、６は空洞、７は開孔、８は吸湿剤である。

本発明において使用される吸湿剤（輝尽性蛍光体より高
い吸湿性の物質）とは使用温度（−１０℃から５０℃）
ｌ二おける水に対する平衡吸湿定数が輝尽性蛍光体より
大きい物質、あるいは非可逆的な化学反応によって水と
反応する物質と定義され、前者としてはシリカゲル、Ｃ
ａＣｌ２、ＬｉＣ１、ゼオライト、五酸化燐等の無機物
質、ポリビニルアルコール、エチレン−ビニリアルコー
ル共重合体、ポリアクリルアミド等の吸湿性の高い有機
高分子化合物等が挙げられ、これらをそのまま用いても
、または成型して用いてもよく、さらには、これらの吸
湿剤を樹脂粒或はシート中に含有させた形態として用い
てもよい。

また後者としては、ウレタン樹脂（末端にＯＲ基をもつ
合成樹脂とジインシアネートの反応）、エポキシ樹脂（
エポキシ樹脂とポリアミンあるいはポリアミドアミンと
の反応）等が挙げられる。

吸湿剤は、２５℃、８０％ＲＨ中での平衡吸湿量が、外
部から１日当たりに透湿する水分の量の少なくとも２０
００倍、好ましくは、１００００倍以上になる量を用い
る。

本発明において用いられる保護層体としては、透光性が
よく、ンート状に成形できるものが使用される。保護層
体は輝尽励起光及び輝尽発光を効率よく透過するために
、広い波長範囲で高い光透過率を示すことが望ましく、
光透過率は８０％以上が好ましい。例えば、石英、硼珪
酸ガラス、化学的強化ガラス等の板ガラスや、ＰＥＴ、
延伸ボリグロピレン、ポリ塩化ビニル等の有機高分子化
合物が挙げられる。硼珪酸ガラスは３３０ｎ■〜２．６
μｍの波長範囲で８０％以上の光透過率を示し、石英ガ
ラスではさらに短波長においても高い光透過率を示す。

また、保護層体の厚さは、５０μ鳳〜５■諷であり、良
好な防湿性を得るためには、１００μ−〜３＋＊ｍが好
ましい。

その透湿度はカップ法による３０ｇ／謳２・２４ｈｒ以
下であることが好ましい。これより透湿度が大きい場合
には、外部から侵入する水分により輝尽性蛍光体が劣化
するために好ましくない。

本発明において使用される支持体としては各種の高分子
材料、ガラス、セラミックス、金属等が挙げられる。

高分子材料としては例えばセルロースアセテートフィル
ム、ポリエステルフィルム、ホリエチレンテレフタレー
ト、ポリアミド、ポリイミド、トリアセテート、ポリカ
ーボネート等のフィルムが挙げられる。金属としては、
アルミニウム、鉄、銅、クロム等の金属シート又は金属
板或は該金属酸化物の被覆層を有する金属シート又は金
属板が挙げられる。ガラスとしては化学的強化ガラスや
結晶化ガラスなどが挙げられる。またセラミックスとし
てはアルミナやジルコニアの焼結板などが挙げられる。

また、これら支持体の層厚は用いる支持体の材質等によ
って異なるが、一般的には８０μ−〜５−一であり、取
り扱いが容易であるという点及び良好な防湿性を得ると
いう点から、好ましくは２００μ醜〜３１である。また
透湿度はカップ法による３０ｇ／鳳１・２４ｈｒ以下で
あることが好ましい。

これら支持体の表面は滑面であってもよいし、輝尽性蛍
光体層との接着性を向上させる目的でマット面としても
よい。また、支持体の表面は凹凸面としてもよいし、個
々に独立した微小タイル状板を密に配置した表面構造と
してもよい。

さらに、これら支持体上には、輝尽層との接着性を向上
させる目的で輝尽層が設けられる面に下引層を設けても
よいし、必要に応じて光反射層、光吸収層等を設けても
よい。

第２図にスペーサに設ける空洞の形態を例示した。同図
（ａ）−１〜４はスペーサを変換パネルの密閉内部から
開孔を望む正面図であり、同図（ｂ）＝１〜３はスペー
サ長さ方向に直角な面で切った断面図である。

同図（ａ）−１はスペーサ空洞Ｉこ支柱或は支壁を全く
有しないタイプ、（ａ）−２は適当間隔を置いて支壁を
設けたものである。また（ａ）−３は有孔板、（ａ）−
４では縦格子を空洞開口面に宛い変換パネルの振動、倒
立等によって吸湿剤の密閉内部への散逸を防止したタイ
プである。これらの孔あるいは縦格子の大きさは吸湿剤
は通過できないが、水分は通過できる大きさであること
が必要である同図（ｂ）−１は前記（ａ）１．２に対応
する断面図、（ｂ１２は（ａ）−３，４に対応するもの
であり更に（ｂ）−３に示すようにスペーサの外部に露
皇する面には金属箔等の防湿性の高い部材を貼付けても
よい。

本発明に係るスペーサは第２図（ａ）及び（ｂ）の組合
せのいづれの形態も選ぶことができる。

本発明に係るスペーサの材質としては、輝尽層を外部雰
囲気から遮断した状態で保持することができるものであ
れば特に制限されず、ガラス、セラミックス、金属、樹
脂等を用いることができ、保護層体あるいは支持体と同
じ材質のものが好ましい。

また、スペーサは、その透湿度が３０ｇ／ｍ”２４ｈｒ
以下であることが好ましい。これより透湿度が大きい場
合には、外部から侵入する水分により輝尽性蛍光体が劣
化するために好ましくない。

次にスペーサの各部のサイズについて図（ｂ）２を例に
とり説明する。

スペーサ全高ａは、輝尽層の厚さ以上５ｍｍ以下である
ことが好ましい。

スペーサ全ｉ］ｂはスペーサと支持体及び保護層体との
密着部分の防湿性（スペーサと保護層あるいは支持体と
の密着部分の透湿度）に関連して決定されるものであり
１〜３０ａｍが好ましい。

スペーサ内厚Ｃ及びｅは保護層体あるいは支持体を保持
するのに十分な機械的強度が得られ、しかも十分な吸湿
剤の収納空間ｆが得られる範囲に選ばれ、１００μ−〜
ｌａｗが好ましい。

吸湿剤の散逸防止板の厚さｄは、ｌＯμ−〜１ｏａＩｌ
が好ましい。またこのような形状のスペーサは、成型あ
るいはｉ械加工によって作製可能であり、成型した吸湿
剤に薄い金属板を巻きつけて作製することもできるが、
後者の方が作製が容易であり、より好ましい。

スペーサは、支持体と保護層体に密着していることが変
換パネルに防湿性を付与する点及び低屈折率層の層厚を
一定に保持する点から必要であり、スペーサと支持体及
び保護層体との密着部分の透湿度は、３０ｇ／ｍ”・２
４ｂｒ以下であることが好ましい。

ここでスペーサを支持体及び保護層体に密着させるには
、例えば接着剤等を用いるが、この接着剤としては防湿
性を有するものが好ましい。具体的には、エポキシ系樹
脂、フェノール系樹脂、シアノアクリレート系樹脂、酢
酸ビニル系樹脂、塩化ビニル系樹脂、ウレタン系樹脂、
アクリル系樹脂、エチレン酢酸ビニル系樹脂、オンフィ
ン系樹脂、クロロプレン系ゴム、ニトリル系ゴム等の有
機高分子系接着剤や、シリコーン系接着剤、アルミナ、
シリカ等を主成分とする無機系接着剤等が挙げられる。

これらのなかでも半導体や電子部品の封止に用いられる
エポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂は耐湿性が優れてい
るので好ましく、特にエポキシ系接着剤は透湿度が低く
好適である。

なお、スペーサと支持体又はスペーサと保護層体との密
着部分の接着性を向上させる目的で、スペーサ、支持体
及び保護層体の他の層との接触面に下引き層を設けたり
、粗面化処理を施すこともできる。

本発明の変換パネルにおいては、輝尽層と保護層体の間
に低屈折率層を有していると保護層体による鮮鋭性の低
下が抑制されるので好ましい。

この低屈折率層はスペーサにより外部雰囲気から遮断さ
れた状態で存在するものであり、このように低屈折率層
を設けることにより保護層体の厚さを実質的により厚く
することができ、逆に低屈折率層を設ける１ごは外気圧
に耐えうる厚みの保護層体を要することと相俟って、変
換パネルの防湿性及び耐久性をいっそう向上させること
ができる。

そのような低屈折率層としては、空気、窒素、アルゴン
等の不活性な気体からなる層及び真空層などの屈折率が
実質的に１である層にすることができる。低屈折率の作
用効果を得るには、保護層体に、例えばＣａＦ３（屈折
率１．２３−１．２６）、Ｎａ、＾ＩＦ、（屈折率１．
３５）、ＭｇＦｘ　（Ｍ折率１．３８）、Ｓｉｎｇ　（
Ｊ）ｊ！　折率１゜４Ｇ）等の物質からなる反射防止層
を設けると輝尽励起光及び輝尽発光を効率よく透過する
とともに、鮮鋭性の低下を小さくする効果もあり好まし
い。

本発明に係る変換パネルの低屈折率層としては、気体層
又は真空層であることが、鮮鋭性の低下を防止する効果
が高いことから好ましい。

低屈折率層の厚さは、０，０５μｆｆｉ〜３ｍｍまでが
実用的である。

低屈折率層に、鮮鋭性の低下を小さくするという効果を
十分！ご付与するためには低屈折率層が輝尽層と密着状
態にあることが必要であり、従って、低屈折率層が気体
層及び真空層の場合にはそのままで密着状態が具現する
が、単に低屈折率層を上記のＣａＦ、、Ｎａ１Ａ］Ｆｉ
ｓ　ＭｇＦ＊、Ｓｉｎ、などの反射防止膜を使用した場
合などには、輝尽層と低屈折率層を例えば接着剤などに
より密着させる。この場合には接着剤の屈折率は輝尽層
の屈折率に近似したものであることが好ましい。

本発明において使用される輝尽性蛍光体は、最初の光も
しくは高エネルギー放射線が照射された後に、先約、熱
的、機械的、化学的又は電気的等の刺激（輝尽励起）に
より、最初の光もしくは高エネルギー放射線の照射量に
対応した輝尽発光を示す蛍・光体であるが、実用的な面
から好ましくは５００ｒ＋ｍ以上の励起光によって輝尽
発光を示す蛍光体である。そのような輝尽性蛍光体とし
ては、例えは特開昭４８−８０４８７号に記載されてい
るＢａＳＯ４：ＡＸ、特開昭４８−８０４８９号に記載
されている５ｒＳＯｔ　：＾ｘ１特開昭５３−３９２７
７号のＬｉｚＢｔＯ＋　：Ｃｕ、３ｇ等、特開昭５４４
７８８３号のＬｉ１Ｏ・（Ｂ、Ｏ，）ｘ　：Ｃｕ及びＬ
ｉ３Ｏ’　（ＢｙＯｚ）ｘ二Ｃｕ、　Ａｇ等、米国特許
３，８５９，５２７号のＳｒＳ：Ｃｅ、Ｓａ＋、ＳｒＳ
：Ｅｕ、　５ｆｆｌ、Ｌａ、０２Ｓ：Ｅｕ、　Ｓｓ及び
　（Ｚｎ、　Ｃｄ）　　Ｓ　：Ｍｎで示される蛍光体が
挙げられる。

また、特開昭５５−１２１４２号に記載されているＺｎ
Ｓ　：Ｃｕ、　Ｐｂ蛍光体、一般式ＢａＯ・ｘＡ（１，
０，：Ｅｕで示されるアルミン酸バリウム蛍光体、及び
一般式Ｍ■０・ｘＳｉＪ：Ａで示されるアルカリ土類金
属珪酸塩系蛍光体が挙げられる。また、特開昭５５−１
２１４３号に記載されている一般式 ％式％： で示されるアルカリ土類弗化ハロゲン化物蛍光体、特開
昭５５−１２１４４号に記載されている一般式％式％： で示される蛍光体、特開昭５５−１２１４５号に記載さ
れている一般式 ％式％： で示される蛍光体、特開昭５５−８４３８９号に記載さ
れている一般式 ％式％ で示される蛍光体、特開昭５５−１６００７８号に記載
されている一般式 ％式％： で示される希土類元素付活２価金属フルオルハライド蛍
光体、一般式ＺｎＳ：Ａ、　ＣｄＳ：Ａ、　（Ｚｎ、　
Ｃｄ）Ｓ：Ａ、ＳＥＡ、ＺｎＳ：Ａ、Ｘ及びＣｄＳ：Ａ
、Ｘで示される蛍光体、特開昭５９−３８２７８号に記
載されている下記いずれかの一般式 ％式％ ：） で示される蛍光体、特開昭５９−１５５４８７号に記載
されている下記いずれかの一般式 ％式％： で示される蛍光体、特開昭６１−７２０８７号に記載さ
れている下記一般式 ％式％ ： で示されるアルカリハライド蛍光体等が挙げられる。特
にアルカリハライド蛍光体は、蒸着・スパッタリング等
の方法で輝尽層を形成しやすく好ましい。

また、アルカリ土類フルオルハライド蛍光体、アルカリ
ハライド蛍光体は特に水分による劣化が著しく、本発明
による効果が大きい。

しかし、本発明において用いられる輝尽性蛍光体は、前
述の蛍光体に限られるものではなく、放射線を照射した
後輝尽励起光を照射した場合に輝尽発光を示す蛍光体で
あればいかなる蛍光体であってもよい。

本発明の方法においては、前記輝尽性蛍光体の層は、支
持体や保護層上に塗布法や気相成長法等を用いて形成せ
しめる。

そのような輝尽層は、前記の輝尽性蛍光体の少なくとも
一種類を含む一つ若しくは二つ以上の輝尽層から戊る輝
尽層群であってもよい。また、それぞれの輝尽層に含ま
れる輝尽性蛍光体は同一であってもよいが異なっていて
もよい。

変換パネルの輝尽層の層厚は、目的とする変換パネルの
放射線に対する感度、輝尽性蛍光体の種類等によって異
なるが、結着剤を含有しない場合１０μａ＋　−］００
０μｍの範囲、好ましくは２０μｍ−８００μｍの範囲
から選ばれ、結着剤を含有する場合で２０μ閣〜１００
０μｍの範囲、好ましくは５０μｍ〜５００μ腸の範囲
から選ばれる。

前記のように構成部材、要件を調えた変換パネルの組立
工程における加熱乾燥は４０〜１００℃で０．１〜３時
間行い、減圧下で行うと除湿効果が高く好ましい。

加熱乾燥後直ちに、保護層体によって輝尽層を密閉する
。乾燥後密閉内部の空気を乾燥ガス、例えば含水量５０
ｐｐＩｍ以下、好ましくは２０ｐｐｍ以下のＮ。

ガスと置換すると、変換パネルの設定性能を保持するこ
とができてより好ましい。

本発明により製造される変換パネルは、第３図に概略的
に示される放射線画像変換方法に用いられる。

すなわち、放射線発生装置４）からの放射線は、被写体
４２を通して変換パネル４３に入射する。

この入射しｌ；放射線はパネル４３の輝尽層に吸収され
、そのエネルギーか蓄積され、放射線透過像の蓄積像が
形成される。

次にこの蓄積像を輝尽励起光源４４からの輝尽励起光で
励起して輝尽発光の強弱は蓄積された放射線エネルギー
量に比例するので、この光信号を例えは光電子増倍管等
の光電変換装置４５で光！変換し、画像再生装置４６に
よって画像として再生し画像表示装置４７によって表示
することにより、被写体の放射線透過像を観察すること
ができる。

本発明の方法により変換パネルを製造すれば、加熱乾燥
により水分を除去した輝尽層を乾燥状態のままに保つこ
とができるので、変換パネルの設定性能を保証すること
ができる。

〔実施例〕

次に本発明を実施例によって説明する。

実施例１ １ｍｗ厚の結晶化ガラス支持体（４］０＋ｅｍＸ　５１
０ｍｍ）を、エレクトロンビーム法（ＥＢ法ンによる蒸
着装置中に設置した。次いで、水冷しｊ；坩堝にアルカ
リハライド蛍光体（ＲｂＢｒ；０．０００６Ｔｌ）を入
れ、プレスして坩堝の形状に成形した。

統いて、蒸着装置内を排気し、５　Ｘ　１０−’Ｔｏｒ
ｒの真空度とした。次に、支持体を８０−１００℃に保
持しながら、ＥＢガンに電力を供給して輝尽性蛍光体を
蒸発させた。

目的とする輝尽層を得るために膜厚モニタにより蒸着速
度が１０’Ａ／ｓｉｎとなるようにコントロールしｌ：
。また、電子ビームは坩堝の輝尽性蛍光体表面をラスタ
ー状にスキャンさせた。

輝尽層を３８０ｍ５Ｘ　４８０ｍｍの領域に層厚３００
μｍこ蒸着した。

次に、０．１ｍ−厚のアルミニウム板を、厚さ１．８鵬
■でＮｉ９．８ｍｍのシリカゲル含有ポリエチレンシー
トに巻きつけ、第２図（ａ）　−１２（ｂ）−１の組合
せたスペーサ形状とし第４図に示したように配置した。

スペーサと支持体はエポキシ樹脂系接着剤（ＡＶ−１３
８，チバガイギー社製）にて密着した。

このものをｌ　Ｘ　１０−”ｍｍ１１ｇの減圧下、８０
℃で２時間加熱乾燥した。後、含水量２０ｐｐｍの乾燥
Ｎ□ガスで置換し、次いで、厚さ１ａｒａの化学強化ガ
ラスの保護層体をスペーサ上に載置し、スペーサと保護
層体が接する部分を上記のエポキシ樹脂系接着剤にて密
着し、第１図形態の変換パネルを製造した。

諸要件は表−１にまとめて掲げた。

かくして得られた放射線画像変換パネルについて、変換
パネルを、６０℃、１００％Ｒ１１の条件下で１００日
間放置して強制劣化させ、感度残存率を評価した。結果
を表−１に掲げた。

実施例２〜９ 変換パネルの支持体、保護層体の種類、スペーサ及び空
洞に充填する吸湿剤を表−１に示したものにした以外は
、実施例１と同様にして変換パネルを製造した。

比較例（１） スペーサＪ：　Ｍ　５図ｊこ示すような空洞を設けてい
ない従って吸湿剤を内蔵しない厚さ２１１ｍの結晶化ガ
ラスを用い、表−１の要件とした以外は実施例１と同様
にして変換パネルを得た。

比較例（２） スペーサにスペーサ自身を吸湿性としたシリカゲル含有
ポリエステルを用い、要件を表−１の通りにした以外は
、実施例１と同様にして変換パネルを得た。

比較例（３） 支持体に４３０ｍ１Ｉ！ＩＸ　５３０ｍｍの結晶化ガラ
スを用い、変換パネルの構造としては第６図に示すよう
な密閉内部に吸湿剤を別個に封入するタイプとし、要件
を表−１の通りとした以外は実施例１と同様にＭ　：巻
付け　　　　　　　　　　　Ｓ；成型Ａニアルミニウム
　　　　　　　　ａニジリカゲル含有ポリエチレンＧ弓
化学強化ガラス　　　　　　　ｂ；塩化カルシウム含有
ポリエチレンＧ１；［［ＩＩ＆ガラス　　　　　　　　
Ｃ；エチレン−ビニルアルコール共重合体Ｇバ結晶化ガ
ラス　　　　　　　　ｄ；シリカゲルＢ；ンリカゲル含
有ポリエステル 評価は試料の繰返し実験数ｎ−１００としその平均した
結果を表−１に示した。

感度残存率二Ｐ Ｗ電圧８０ＫＶｐのＸ線を１０１Ｒ照射し、所定時間後
に半導体レーザ光（７ｇ０ｎ■、２０＋ｍＷ）で輝尽励
起し、輝尽層から放射される輝尽発光を光検出器（光電
子増倍管）で光電変換し、得られた電気信号の大きさを
変換パネルの感度Ｓとした。

Ｘ線照射から５秒後における、変換パネルの感度Ｓ、、
５分後の変換パネルの感度Ｓ及び強制劣化試験後の前記
に対応する変換パネルの感度をＳ′。

及びＳ′として感度残存率； を示した。

第１表より、実施例１〜９の本発明の方法により製造し
た変換パイ・ルは、水分によるＸ線照射５分の７エーデ
イング特性の劣化が小さく、かつ小型である要請を満足
させている。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば；（１）画像撮影
、変換に対する有効面積の大きな変換パネル （２）湿度の害を排除したフェーディングの少い変換パ
ネル を提供することが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第４図は、本発明の放射線画像変換パネルの
スペーサの設置態様の一部断面図であり、第２図は例示
スペーサのみの断面図及び正面図である。第３図は放射
線画像変換パネルを用いる放射線画像変換方法の説明図
である。 第５図及び第６図は従来公知のスペーサ及び吸湿７１使
用態様を示す一部断面図である。 ｌ・・・輝尽層 ２・・・保護層体 ３・・・支持体 ４・・・低屈折率層 ５・・・スペーサ ６・・・空洞 ７・・・開孔 ８・・・吸湿剤 ９・・接着層 ４１・・・放射線発生装置 ４２・・・被写体 ４３・・・放射線画像変換ノ（ネル ４４・・・輝尽励起光源 ４５・・・光電変換装置 ４６・・・放射線画像再生装置 ４７・・・放射線画像表示装置 ４８・・・フィルタ

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 支持体、保護層体及びその間に設けるスペーサで輝尽性
   蛍光体層を密閉した放射線画像変換パネルにおいて、前
   記スペーサが前記密閉内部へのみ開かれた開孔を設けた
   空洞を有し、かつ前記空洞中に前記輝尽性蛍光体より高
   い吸湿性の物質を内蔵することを特徴とする放射線画像
   変換パネル。