JPH0412031A - 希土類元素ドープガラス製造方法 - Google Patents
希土類元素ドープガラス製造方法Info
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- JPH0412031A JPH0412031A JP11506790A JP11506790A JPH0412031A JP H0412031 A JPH0412031 A JP H0412031A JP 11506790 A JP11506790 A JP 11506790A JP 11506790 A JP11506790 A JP 11506790A JP H0412031 A JPH0412031 A JP H0412031A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
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- C03B37/01433—Reactant delivery systems for delivering and depositing additional reactants as liquids or solutions, e.g. for solution doping of the porous glass preform
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は光フアイバ母材の製造方法に係り、特に光フア
イバレーザや、温度、放射線等の七ンザへの応用が期待
される希土類元素ドープファイバの母材となる希土類元
素ドープガラスの製造方法に関するものである。
イバレーザや、温度、放射線等の七ンザへの応用が期待
される希土類元素ドープファイバの母材となる希土類元
素ドープガラスの製造方法に関するものである。
［従来の技術］
光通信用光ファイバは、低損失且つ大容量な情報伝送媒
体として実用化きれている。一般に光ファイバは、高屈
折率のコア部と低屈折率のクラッド部とから成っており
、その製造方法の一つとしてＶＡＤ法が知られている。
体として実用化きれている。一般に光ファイバは、高屈
折率のコア部と低屈折率のクラッド部とから成っており
、その製造方法の一つとしてＶＡＤ法が知られている。
ＶＡＤ法は、酸水素火炎中にＳ ｉ Ｃｌ ４等のガラ
ス原料ガスを搬送して火炎加水分解反応させて５ｉ０２
のガラス微粒子を生成し、この微粒子を堆積成長させて
ロッド状の多孔質ガラス母材を製造する。このとき、ガ
ラスの屈折率を変えるために、ガラス原料ガス中にＧ
ｅ ＣＩ ４等のガスを混入させてガラス微粒子を生成
し、コアとなる多孔質ガラス母材を製造している。
ス原料ガスを搬送して火炎加水分解反応させて５ｉ０２
のガラス微粒子を生成し、この微粒子を堆積成長させて
ロッド状の多孔質ガラス母材を製造する。このとき、ガ
ラスの屈折率を変えるために、ガラス原料ガス中にＧ
ｅ ＣＩ ４等のガスを混入させてガラス微粒子を生成
し、コアとなる多孔質ガラス母材を製造している。
ところで、光フアイバレーザや、温度、放射線等のセン
サへの応用が期待される希土類元素ドフ゛ファイバは、
コアの部分にＥｒ、Ｎｄ等の希土類元素をドープさせな
ければならない、しかしながら、ドープ原料となるこれ
ら希土類元素の塩化物（Ｅ、ｒＣ１３、ＮｄＣ１３等）
は常温では容易に気化しない。希土類元素の塩化物を気
化させ、原料ガスとするためには約１０００℃の高温を
必要とする。そこで、希土類元素ドープガラスを製造す
るために種々の製造方法＜ＶＡＤ法の他に、Ｍ ＣＶ
Ｄ法、ロッドインチューブ法等がある。）において工夫
が成されている。
サへの応用が期待される希土類元素ドフ゛ファイバは、
コアの部分にＥｒ、Ｎｄ等の希土類元素をドープさせな
ければならない、しかしながら、ドープ原料となるこれ
ら希土類元素の塩化物（Ｅ、ｒＣ１３、ＮｄＣ１３等）
は常温では容易に気化しない。希土類元素の塩化物を気
化させ、原料ガスとするためには約１０００℃の高温を
必要とする。そこで、希土類元素ドープガラスを製造す
るために種々の製造方法＜ＶＡＤ法の他に、Ｍ ＣＶ
Ｄ法、ロッドインチューブ法等がある。）において工夫
が成されている。
ＶＡＤ法を応用した希土類元素ドープガラスの製造方法
としては、拡散法並びに含浸法がある。
としては、拡散法並びに含浸法がある。
拡散法は、希土類元素の拡散を利用したものであり、Ｖ
ＡＤ法により作成した多孔質ガラス母材を電気炉内でガ
ラス化する際に、炉内雰囲気を希土類元素雰囲気にする
ことにより希土類元素のドープを行う。
ＡＤ法により作成した多孔質ガラス母材を電気炉内でガ
ラス化する際に、炉内雰囲気を希土類元素雰囲気にする
ことにより希土類元素のドープを行う。
含浸法は、希土類元素がアルコールに溶は易い性質を利
用するものである。この方法は先ず、ＶＡＤ法で作成し
た多孔質ガラス母材を希土類元素塩化化合物を含むアル
コール溶液に浸漬させる。
用するものである。この方法は先ず、ＶＡＤ法で作成し
た多孔質ガラス母材を希土類元素塩化化合物を含むアル
コール溶液に浸漬させる。
次に、この溶液のアルコール分を室温にて蒸発させて多
孔質ガラス分材中に希土類塩化物を沈着させたのち、通
常のＨｅ雰囲気内で焼結させて透明ガラス化を行う。
孔質ガラス分材中に希土類塩化物を沈着させたのち、通
常のＨｅ雰囲気内で焼結させて透明ガラス化を行う。
［発明が解決しようとする課Ｖｉ］
しかしながら、拡散法は、固体の希土類元素塩化物を電
気炉の高温部（約１０００℃以上）に置いて気化させ、
炉内を希土類元素ガス雰囲気にすることにより簡単にド
ープが行えるが、その反面、希土類元素ガスの発生量を
コントロールすることが難しいので、炉内のガス濃度制
御ができず希土類元素のドープ量の制御が困誼となる。
気炉の高温部（約１０００℃以上）に置いて気化させ、
炉内を希土類元素ガス雰囲気にすることにより簡単にド
ープが行えるが、その反面、希土類元素ガスの発生量を
コントロールすることが難しいので、炉内のガス濃度制
御ができず希土類元素のドープ量の制御が困誼となる。
さらに、拡散法は高濃度ドープができず、また母材の長
手方向の均一性も悪いという欠点がある。
手方向の均一性も悪いという欠点がある。
他方、含浸法は、希土類元素塩化物を溶かしたアルコー
ル溶液の濃度を変えることによりドープ量を容易に制御
でき、また、アルコール溶液の希土類元素塩化物濃度を
濃くすることにより高濃度ドーグも比較的容易である。
ル溶液の濃度を変えることによりドープ量を容易に制御
でき、また、アルコール溶液の希土類元素塩化物濃度を
濃くすることにより高濃度ドーグも比較的容易である。
しかし、含浸法には多孔質ガラス母材をアルコール溶液
に浸す際に母材が壊れやすいという欠点かある。また、
多孔質ガラス母材の半径方向にがさ密度分布が存在し、
希土類元素塩化物の濃度分布が表面近傍に丙ったものと
なる。そのため、表面近傍はと希土類元素塩化物濃度が
高くなり、径方向に均一なドープができないばかりか、
ガラス化の際に発泡を生じたりするという欠点があった
。
に浸す際に母材が壊れやすいという欠点かある。また、
多孔質ガラス母材の半径方向にがさ密度分布が存在し、
希土類元素塩化物の濃度分布が表面近傍に丙ったものと
なる。そのため、表面近傍はと希土類元素塩化物濃度が
高くなり、径方向に均一なドープができないばかりか、
ガラス化の際に発泡を生じたりするという欠点があった
。
本発明の目的は、上記課題を解消し、希土類元素のドー
プ量制御並びに高濃度ドープが容易にでき、しかもドー
プ量分布の均一性が大幅に向上し得る希土類元素ドープ
ガラスの製造方法を提供することにある。
プ量制御並びに高濃度ドープが容易にでき、しかもドー
プ量分布の均一性が大幅に向上し得る希土類元素ドープ
ガラスの製造方法を提供することにある。
［課題を解決するための手Ｐｉ］
上記目的を達成するため、本発明の希土類元素ドープガ
ラスの製造方法にあっては、１、ＳｉＯ２を主成分とす
る多孔質ガラス母材を高温雰囲気で熱処理してそのかさ
密度を０．７ ｇ ／’ｃｘ’ 〜１．８ ｇ 、／ａ
ｌ１３にしたのち、希土類元素塩化化合物を含むアルコ
ール溶液に浸漬し、これを乾燥させたのち焼結させて透
明ガラス化する。上記熱処理の際の高温雰囲気温度は１
０００″Ｃ〜１３００℃とし、その範囲て゛熱処理温度
を調節して希土類元素ドープ４度を制御する。
ラスの製造方法にあっては、１、ＳｉＯ２を主成分とす
る多孔質ガラス母材を高温雰囲気で熱処理してそのかさ
密度を０．７ ｇ ／’ｃｘ’ 〜１．８ ｇ 、／ａ
ｌ１３にしたのち、希土類元素塩化化合物を含むアルコ
ール溶液に浸漬し、これを乾燥させたのち焼結させて透
明ガラス化する。上記熱処理の際の高温雰囲気温度は１
０００″Ｃ〜１３００℃とし、その範囲て゛熱処理温度
を調節して希土類元素ドープ４度を制御する。
二作用］
多孔質ガラス母材のかさ密度を０．７ｇ、／口３〜１．
８ｇ／σ３の範囲に限定する理由は、実験によって得ら
れた以下の事実（１）、（２＞にある。
８ｇ／σ３の範囲に限定する理由は、実験によって得ら
れた以下の事実（１）、（２＞にある。
（１）かさ密度が０．７ｚ／ａｎ’以下の場合、Ｓ ｉ
Ｏ２を主成分とする多孔質ガラス母材は希土類元素含
有アルコール溶液に浸漬すると破壊されてしまう。
Ｏ２を主成分とする多孔質ガラス母材は希土類元素含
有アルコール溶液に浸漬すると破壊されてしまう。
（２）かさ密度が１．８ｇ／ｃｏ’以上の場合、母材中
に希土類元素含有アルコール溶液が含浸されず、希土類
元素のドープができない。
に希土類元素含有アルコール溶液が含浸されず、希土類
元素のドープができない。
第２図は、多孔質ガラス母材の電気炉での熱処理温度と
かさ密度との関係（電気炉のヒータに対する母材の移動
速度は１．５ｍ／分）示すものである。これによると、
炉内温度が１０００℃でかさ密度は０．７ ｚ７ ＞’
、炉内温度が１３００℃でかさ密度はｉ、ａ、、／■
３になることが判る。
かさ密度との関係（電気炉のヒータに対する母材の移動
速度は１．５ｍ／分）示すものである。これによると、
炉内温度が１０００℃でかさ密度は０．７ ｚ７ ＞’
、炉内温度が１３００℃でかさ密度はｉ、ａ、、／■
３になることが判る。
従って、母材を１０００ ’Ｃ〜１３００℃の高温雰囲
気で熱処理してそのかさ密度を０．７ｇ、／ロ３〜１．
８ｇ７／ａＩ＋３にしたのち、希土類元素塩化化合物を
含むアルコール溶液に浸漬することにより、アルコール
溶液による母材の破壊が防止できると共に母材への希土
類元素のドープが成し得る。アルコール溶液に浸漬する
際に予め母材を熱処理して高密度化させるので、母材の
半径方向の密度分布が均一化し、ドープ量分布の均一性
が大幅に向上することになる。このことは、本発明の希
土類元素ドブガラスの製造方法によりＶＡＤ法を応用し
た含浸法における欠点が解消し得ることを意味する。
気で熱処理してそのかさ密度を０．７ｇ、／ロ３〜１．
８ｇ７／ａＩ＋３にしたのち、希土類元素塩化化合物を
含むアルコール溶液に浸漬することにより、アルコール
溶液による母材の破壊が防止できると共に母材への希土
類元素のドープが成し得る。アルコール溶液に浸漬する
際に予め母材を熱処理して高密度化させるので、母材の
半径方向の密度分布が均一化し、ドープ量分布の均一性
が大幅に向上することになる。このことは、本発明の希
土類元素ドブガラスの製造方法によりＶＡＤ法を応用し
た含浸法における欠点が解消し得ることを意味する。
また第３図は、多孔質ガラス母材のかさ密度と透明ガラ
ス化後の希土類元素（Ｅｒ＋３）４度との関係を示すも
のである。これによると、透明ガラス化後の希土類元素
濃度が、希土類元素塩化物を溶かしたアルコール溶液の
濃度を変えることにより制御し得るばかりでなく、多孔
質ガラス母材の熱処理温度を調節することで制即し得る
ことが判る。
ス化後の希土類元素（Ｅｒ＋３）４度との関係を示すも
のである。これによると、透明ガラス化後の希土類元素
濃度が、希土類元素塩化物を溶かしたアルコール溶液の
濃度を変えることにより制御し得るばかりでなく、多孔
質ガラス母材の熱処理温度を調節することで制即し得る
ことが判る。
要するに本発明によれば、希土類元素のドープ量制御並
びに高濃度ドープが容易にでき、しかもドープ量分布の
均一性を大幅に向上させることができる。
びに高濃度ドープが容易にでき、しかもドープ量分布の
均一性を大幅に向上させることができる。
［実施例］
次に、本発明による希土類元素ドープガラスの製造方法
の一実施例を第１図（ａ）〜（ｄ）に従って説明する。
の一実施例を第１図（ａ）〜（ｄ）に従って説明する。
まず、第１図（ａ）に示すようにＶＡＤ法によって多孔
質ガラス母材を製造する。バーナ１にガラス原料として
５ｔＣ１，（＝０．６ ｇ／分）、燃料ガスとして０□
（＝６ ｊ ／分）及びＨ２（−２，４ｊｙ分）１反
応制御ガスとしてＡｒ（＝０．７２１７分）を供給し、
火炎加水分解反応により得られたガラス微粒子を回転し
ながら引き上げられる石英ターゲツト棒２に連続的に堆
積させることにより、直径４５１Ｍ＋ｎ、長さ２００１
ＩＩＩｎの多孔質ガラス母材３を得た。本母材３のかさ
密度は０．２５ｇ／ ａｏ ’であった。
質ガラス母材を製造する。バーナ１にガラス原料として
５ｔＣ１，（＝０．６ ｇ／分）、燃料ガスとして０□
（＝６ ｊ ／分）及びＨ２（−２，４ｊｙ分）１反
応制御ガスとしてＡｒ（＝０．７２１７分）を供給し、
火炎加水分解反応により得られたガラス微粒子を回転し
ながら引き上げられる石英ターゲツト棒２に連続的に堆
積させることにより、直径４５１Ｍ＋ｎ、長さ２００１
ＩＩＩｎの多孔質ガラス母材３を得た。本母材３のかさ
密度は０．２５ｇ／ ａｏ ’であった。
次に、多孔質ガラス母材３の高かさ密度１ヒを行う、こ
の工程に用いられる電気炉は、第１図＜ｂ＞に示すよう
に胴体４と、胴体４内に設けられた環状の電気ヒータ５
と、電気ヒータ５を貫通させるようにして胴体４に取り
付けられ母材３か挿入される石英炉心管６とから成る。
の工程に用いられる電気炉は、第１図＜ｂ＞に示すよう
に胴体４と、胴体４内に設けられた環状の電気ヒータ５
と、電気ヒータ５を貫通させるようにして胴体４に取り
付けられ母材３か挿入される石英炉心管６とから成る。
炉内温度を１０００℃に設定し、石英炉心管６内にＨｅ
（＝１０Ｊ ／・′分）ＣＩ□ （１００ｃｃ／分）
を投入しつつ、石英炉心管６内に上方より挿入した多孔
質ガラス母材３を２ｍｏ／分の速度で移動させた１本高
かさ密度化処理により、多孔質ガラス母材３は直径が４
５ ｒＲｍから３０ｍ＋に、長さが２００陣から１３０
陣に縮み、かさ密度が０．８５ｇ／ａｎ’になった。
（＝１０Ｊ ／・′分）ＣＩ□ （１００ｃｃ／分）
を投入しつつ、石英炉心管６内に上方より挿入した多孔
質ガラス母材３を２ｍｏ／分の速度で移動させた１本高
かさ密度化処理により、多孔質ガラス母材３は直径が４
５ ｒＲｍから３０ｍ＋に、長さが２００陣から１３０
陣に縮み、かさ密度が０．８５ｇ／ａｎ’になった。
次に、第１図（ｃ）に示す液浸工程を行う、ガラス容器
７にはＥ ｒ ＣＩ ｓを溶かしたアルコール溶液８が
入っており、その中に多孔質ガラス母材３を２時間浸漬
したのち取り出し、室温大気中で十分に乾煉させた。
７にはＥ ｒ ＣＩ ｓを溶かしたアルコール溶液８が
入っており、その中に多孔質ガラス母材３を２時間浸漬
したのち取り出し、室温大気中で十分に乾煉させた。
次に、多孔質ガラス母材３を０２＜＝ＩＪ／分）Ｈｅ（
＝１０ｊ／分）、ＣＩ□ ＜ｉｏｏ ｃｃ／分）の混合
雰囲気内で焼結処理する。第１図（ｄ）に本工程で用い
る焼結炉とその温度分布の探子を示す。焼結炉は、第１
図（ｂ）に示す電気炉と構造的に同様のものである６本
工程では、炉内温度は１６２０℃に設定し、多孔質ガラ
ス母材３を石英炉心管９の最上部にセットし１．５１１
ｍ／分の速度で下方に移動させる。この時、多孔質ガラ
ス母材３に取り込まれたＥ ｒ Ｃ１ｓは炉内低温領域
で酸化されＥ ｒ Ｏｓとなる。また、ＣＩ ｘの作用
で母材３中のＯＨ基も除去される６ＥｒＯｉは多孔質ガ
ラス母材３を構成するガラス微粒子と炉内最高温度付近
で結合し、最終的には、Ｅｒ＋３がドープされた透明ガ
ラス母材か形成される。得られた透明ガラス母材に取り
込まれたＥｒ＋３の濃度を化学的分析法により測定した
ところ３３００ｐ ｐ ｍという高い値が得られた。
＝１０ｊ／分）、ＣＩ□ ＜ｉｏｏ ｃｃ／分）の混合
雰囲気内で焼結処理する。第１図（ｄ）に本工程で用い
る焼結炉とその温度分布の探子を示す。焼結炉は、第１
図（ｂ）に示す電気炉と構造的に同様のものである６本
工程では、炉内温度は１６２０℃に設定し、多孔質ガラ
ス母材３を石英炉心管９の最上部にセットし１．５１１
ｍ／分の速度で下方に移動させる。この時、多孔質ガラ
ス母材３に取り込まれたＥ ｒ Ｃ１ｓは炉内低温領域
で酸化されＥ ｒ Ｏｓとなる。また、ＣＩ ｘの作用
で母材３中のＯＨ基も除去される６ＥｒＯｉは多孔質ガ
ラス母材３を構成するガラス微粒子と炉内最高温度付近
で結合し、最終的には、Ｅｒ＋３がドープされた透明ガ
ラス母材か形成される。得られた透明ガラス母材に取り
込まれたＥｒ＋３の濃度を化学的分析法により測定した
ところ３３００ｐ ｐ ｍという高い値が得られた。
このように、多孔質ガラス母材３を１０００℃〜１３０
０℃の高温雰囲気て熱処理してそのがさ密度を０．７
ｇ ／ｃｍ’ 〜１．８ ｇ ７ ａｎ’にしたのち、
希土類元素塩化化合物を含むアルコール溶液に浸漬する
ことにより、アルコール溶液による母材の破壊が防止で
きると共に母材への希土類元素の高濃度ドブが成し得る
。アルコール溶液に浸漬する際に予め母材を熱処理して
高密度化させるので、母材の半径方向の密度分布か均一
化し、ドープ量分布の均一性が大幅に向上する。
０℃の高温雰囲気て熱処理してそのがさ密度を０．７
ｇ ／ｃｍ’ 〜１．８ ｇ ７ ａｎ’にしたのち、
希土類元素塩化化合物を含むアルコール溶液に浸漬する
ことにより、アルコール溶液による母材の破壊が防止で
きると共に母材への希土類元素の高濃度ドブが成し得る
。アルコール溶液に浸漬する際に予め母材を熱処理して
高密度化させるので、母材の半径方向の密度分布か均一
化し、ドープ量分布の均一性が大幅に向上する。
また、第２図、第３図から判るように、多孔質ガラス母
材３の熱処理温度を調節することにより、透明ガラス化
後のＥｒ＋３濃度が制御できる。
材３の熱処理温度を調節することにより、透明ガラス化
後のＥｒ＋３濃度が制御できる。
本実施例に示すように、多孔質ガラス母材３の製造工程
が、従来のＶＡＤ法による多孔質ガラス母材合成工程（
第１図（ａ））に加えて母材の高かさ密度化工程（第１
図（ｂ））を有することにより、ＶＡＤ法を応用した含
浸法による希土類元素ドープガラスの製造が容易に、且
つ再現性良くできる。
が、従来のＶＡＤ法による多孔質ガラス母材合成工程（
第１図（ａ））に加えて母材の高かさ密度化工程（第１
図（ｂ））を有することにより、ＶＡＤ法を応用した含
浸法による希土類元素ドープガラスの製造が容易に、且
つ再現性良くできる。
口発明の効果コ
以上要するに、本発明による希土類元素ドブガラスの製
造によれば、希土類元素のドープ量制御並びに高濃度ド
ープが容易にでき、しかもドープ量分布の均一性を大幅
に向上させることかできる。
造によれば、希土類元素のドープ量制御並びに高濃度ド
ープが容易にでき、しかもドープ量分布の均一性を大幅
に向上させることかできる。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の一実施例を示す工程図
、第２図は多孔質ガラス母材の電気炉を用いた高かさ密
度化工程における炉内温度と母材のかさ密度との関係を
示すグラフ、第３図は多孔質ガラス母材のかさ密度と透
明ガラス化後の希土類元素（Ｅｒ＋３）濃度との関係を
示すグラフである。 図中、３は多孔質ガラス母材、８は希土類元素塩化化合
物を含むアルコール溶液である。 特許出願人 日立電線株式会社 代理人弁理士 絹 谷 信 雄 （ｂ） ガ内柔、ｆ１７５品ノ３ｔ’ｃノ 第２図 ４材カ・；ｚ刀【ｒ≠ｉノ 第３図
、第２図は多孔質ガラス母材の電気炉を用いた高かさ密
度化工程における炉内温度と母材のかさ密度との関係を
示すグラフ、第３図は多孔質ガラス母材のかさ密度と透
明ガラス化後の希土類元素（Ｅｒ＋３）濃度との関係を
示すグラフである。 図中、３は多孔質ガラス母材、８は希土類元素塩化化合
物を含むアルコール溶液である。 特許出願人 日立電線株式会社 代理人弁理士 絹 谷 信 雄 （ｂ） ガ内柔、ｆ１７５品ノ３ｔ’ｃノ 第２図 ４材カ・；ｚ刀【ｒ≠ｉノ 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＳｉＯ＿２を主成分とする多孔質ガラス母材を高温
雰囲気で熱処理してそのかさ密度を０．７ｇ／ｃｍ＾３
〜１．８ｇ／ｃｍ＾３にしたのち、希土類元素塩化化合
物を含むアルコール溶液に浸漬し、これを乾燥させたの
ち焼結させて透明ガラス化することを特徴とする希土類
元素ドープガラスの製造方法。 ２、上記熱処理の際の高温雰囲気温度を１０００℃〜１
３００℃としたことを特徴とする請求項１記載の希土類
元素ドープガラスの製造方法。 ３、希土類元素ドープ濃度を制御すべく、上記熱処理の
際の高温雰囲気温度を調節することを特徴とする請求項
１並びに請求項２記載の希土類元素ドープガラスの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11506790A JPH0412031A (ja) | 1990-05-02 | 1990-05-02 | 希土類元素ドープガラス製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11506790A JPH0412031A (ja) | 1990-05-02 | 1990-05-02 | 希土類元素ドープガラス製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0412031A true JPH0412031A (ja) | 1992-01-16 |
Family
ID=14653361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11506790A Pending JPH0412031A (ja) | 1990-05-02 | 1990-05-02 | 希土類元素ドープガラス製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0412031A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7962239B2 (en) | 2006-07-07 | 2011-06-14 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Sewing machine and sewing machine operating program recorded on computer-readable recording medium |
| US8330865B2 (en) | 2010-02-12 | 2012-12-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electronic apparatus, image display system and image display method |
-
1990
- 1990-05-02 JP JP11506790A patent/JPH0412031A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7962239B2 (en) | 2006-07-07 | 2011-06-14 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Sewing machine and sewing machine operating program recorded on computer-readable recording medium |
| US8330865B2 (en) | 2010-02-12 | 2012-12-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electronic apparatus, image display system and image display method |
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