JPH04116830A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH04116830A JPH04116830A JP23771490A JP23771490A JPH04116830A JP H04116830 A JPH04116830 A JP H04116830A JP 23771490 A JP23771490 A JP 23771490A JP 23771490 A JP23771490 A JP 23771490A JP H04116830 A JPH04116830 A JP H04116830A
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- bumps
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- metal bumps
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、電気特性を改善した半導体装置に関するも
のである。
のである。
第８図は従来の半導体装置の断面図である。図に於て、
（１）は半導体基板でこの一面に電気回路素子（図示せ
ず）が形成さｎその上に各々の電気回路素子を結ぐ導電
体配ｆ＃ （りが施こさｎているｅＣ８ｍ）（４ａ）は
金属バンプ、（６）は絶縁層である。導電体配線（２）
の一端に、外部回路と該半導体装置とを電気的に接続す
るための金属バンプ（８ｍ） 、 （４ｍ）が複数個構
成さｎている。さらに金属バンプ（８暑）、 （４ｍ）
を除く導電体配線（２）を施した半導体基板（１）の表
面を絶縁層（６）で覆ってあり、電気回路素子を保護し
ている。
（１）は半導体基板でこの一面に電気回路素子（図示せ
ず）が形成さｎその上に各々の電気回路素子を結ぐ導電
体配ｆ＃ （りが施こさｎているｅＣ８ｍ）（４ａ）は
金属バンプ、（６）は絶縁層である。導電体配線（２）
の一端に、外部回路と該半導体装置とを電気的に接続す
るための金属バンプ（８ｍ） 、 （４ｍ）が複数個構
成さｎている。さらに金属バンプ（８暑）、 （４ｍ）
を除く導電体配線（２）を施した半導体基板（１）の表
面を絶縁層（６）で覆ってあり、電気回路素子を保護し
ている。
金属バンプ（８ａ） 、 （４ｍ）は、多数構成さ薯１
ており、その内の何個かはグランド用（第８図では、仮
りに金属バンプ（８鳳）をグランド用としている）であ
り、他の何個かは電源用（第８図では仮りに金属バンプ
（４ａ）を電源用としている）であり、又、他の金属バ
ンプ（図示せず）は、そｎぞｎ別々の信号を扱う。そし
て、通常すべての金属バンプに、外部回路より配線が接
続される。
ており、その内の何個かはグランド用（第８図では、仮
りに金属バンプ（８鳳）をグランド用としている）であ
り、他の何個かは電源用（第８図では仮りに金属バンプ
（４ａ）を電源用としている）であり、又、他の金属バ
ンプ（図示せず）は、そｎぞｎ別々の信号を扱う。そし
て、通常すべての金属バンプに、外部回路より配線が接
続される。
従来の半導体装置は以上のように構成されているので、
例えば複数個有るグランド用金属バルブを例に説明する
と、これら金属バルブへ外部より接続される複数の配線
は、長さがそれぞれ異るため、配線インピーダンスがそ
れぞれ異り、複数音る金属バンプへ到達する信号に時間
差、もしくは強度差が生じ、特に半導体装置が高周波で
動作する場合、動作に不整合が発生する。さらに、絶縁
層は通常無機材料で構成されるため、ピンホールとか微
細な亀裂を皆無にすることは困帷であり、そのために信
頼性も低い等の問題点があった。
例えば複数個有るグランド用金属バルブを例に説明する
と、これら金属バルブへ外部より接続される複数の配線
は、長さがそれぞれ異るため、配線インピーダンスがそ
れぞれ異り、複数音る金属バンプへ到達する信号に時間
差、もしくは強度差が生じ、特に半導体装置が高周波で
動作する場合、動作に不整合が発生する。さらに、絶縁
層は通常無機材料で構成されるため、ピンホールとか微
細な亀裂を皆無にすることは困帷であり、そのために信
頼性も低い等の問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解決するためになされ
たもので、外部より接続されろ複数の配線による信号の
時間差著しくは強度差をなくシ、信頼性を改善した半導
体装置を得ることを目的とする。
たもので、外部より接続されろ複数の配線による信号の
時間差著しくは強度差をなくシ、信頼性を改善した半導
体装置を得ることを目的とする。
この発明による半導体装置は、複数ある電源用の金属バ
ンプ間、および複数あるグランド用の金属バンプ間を半
導体装置内で金属膜によってそれぞれ電気的に接続する
。
ンプ間、および複数あるグランド用の金属バンプ間を半
導体装置内で金属膜によってそれぞれ電気的に接続する
。
この発明による半導体装置は、複数ある電源用の金属バ
ンプ間、および複数あるグランド用の金属バンプ間を金
属膜によって接続したこと番こよって、半導体装置の電
気的特性および信頼性を改善する。
ンプ間、および複数あるグランド用の金属バンプ間を金
属膜によって接続したこと番こよって、半導体装置の電
気的特性および信頼性を改善する。
以下、この発明の一実施例を図中について説明する。第
１図は半導体装置の一部破砕斜視図、第ＲＥは第１図に
示すＡ−Ａにおける断面図である。
１図は半導体装置の一部破砕斜視図、第ＲＥは第１図に
示すＡ−Ａにおける断面図である。
図中に於て（１） 、 （２） 、 （８ａ）、 （
４ｍ）、 （１１）は第Ｓ図の従来例に示したものと同
等であるので説明を省略する。（８ｂ）、 （４ｂ）は
金属膜、（５）は第２の絶縁層、（７）は金属バンプで
ある。導電体配線（２）の端には、外部接続用電極とし
ての金属バンプ（１ｍ） 、 （４ａ） （７）が構成
されている。ここでは、仮りに金属／＜ンブ（８ａ）を
グランド用、金属バンプ（４ａ）を電源用金属バンプ（
７）をそれ以外の信号用とする。さらに金属バンプ（８
ｍ） 、 （４ａ）、 （７）を除く、半導体基板（１
）の表面は絶縁層（６）で覆われている。絶縁層（６）
の上に、金属膜（４ｂ）を構成し、電源用の金属バンプ
（４ａ）間を接続すると共に、他の金属バンプ（Ｊｉｍ
）、 （７）には接触せずに絶縁層（６）の表面をでき
るだけ広（覆う。
４ｍ）、 （１１）は第Ｓ図の従来例に示したものと同
等であるので説明を省略する。（８ｂ）、 （４ｂ）は
金属膜、（５）は第２の絶縁層、（７）は金属バンプで
ある。導電体配線（２）の端には、外部接続用電極とし
ての金属バンプ（１ｍ） 、 （４ａ） （７）が構成
されている。ここでは、仮りに金属／＜ンブ（８ａ）を
グランド用、金属バンプ（４ａ）を電源用金属バンプ（
７）をそれ以外の信号用とする。さらに金属バンプ（８
ｍ） 、 （４ａ）、 （７）を除く、半導体基板（１
）の表面は絶縁層（６）で覆われている。絶縁層（６）
の上に、金属膜（４ｂ）を構成し、電源用の金属バンプ
（４ａ）間を接続すると共に、他の金属バンプ（Ｊｉｍ
）、 （７）には接触せずに絶縁層（６）の表面をでき
るだけ広（覆う。
金属膜（４ａ）の上に、第２の絶縁層（６）を金属バン
プ（８ｓ＋）、 （４ｓ＋）、 （７）を除き形成し、
＊ラニソ０）上ニ、金属１１ｉｌ（８ｂ）を形成し、グ
ランド用の金属バンプ（８ａ）間を接続すると共に、他
の金属バンプ（４ｍ） （７）には接触せずに、第２の
絶縁層（６）の表面をできるだけ広く覆う。
プ（８ｓ＋）、 （４ｓ＋）、 （７）を除き形成し、
＊ラニソ０）上ニ、金属１１ｉｌ（８ｂ）を形成し、グ
ランド用の金属バンプ（８ａ）間を接続すると共に、他
の金属バンプ（４ｍ） （７）には接触せずに、第２の
絶縁層（６）の表面をできるだけ広く覆う。
次に動作について説明する。
複数音る電源用の金属バンプ（４ａ）間及び複数音るグ
ランド用の金属バンプ（８ｍ）間がそれぞれ電気的に、
半導体装置内で連結されており、外部より金属バンプ（
４ｍ）、（畠ａ）に来る電気信号線のインピーダンスの
差が、半導体装置内部で改善される。
ランド用の金属バンプ（８ｍ）間がそれぞれ電気的に、
半導体装置内で連結されており、外部より金属バンプ（
４ｍ）、（畠ａ）に来る電気信号線のインピーダンスの
差が、半導体装置内部で改善される。
特に、電源用の金属バンプ（４ａ）間或いはグランド用
のバンプ（８ａ）間を半導体基板（１）内部で結線した
のは両方共電流量が他の信号線に比し大キく、配線のイ
ンピーダンスの差を受は易いためである。
のバンプ（８ａ）間を半導体基板（１）内部で結線した
のは両方共電流量が他の信号線に比し大キく、配線のイ
ンピーダンスの差を受は易いためである。
もちろん他の信号用の金属バンプ（７）間でも同様の事
ができる。
ができる。
さらに、金属膜＜ｓｂ＞或いは（仙）は絶縁層（６）の
ピンホールとが亀裂を保護し、半導体装置の信頼性をも
向上させる。
ピンホールとが亀裂を保護し、半導体装置の信頼性をも
向上させる。
なお、上記実施例は、電源用の金属バンプ（４ｍ）間と
共にグランド用の金属バンプ（ｌ１ｍ）間をそれぞれ連
結した場合を示したが、そのどちらか一方のみを連結し
てもよい。その場合は、第！の絶縁層（５）及び金属ｆ
ｉ！（８ｂ）と（４ｂ）のいずれかが不要となる。
共にグランド用の金属バンプ（ｌ１ｍ）間をそれぞれ連
結した場合を示したが、そのどちらか一方のみを連結し
てもよい。その場合は、第！の絶縁層（５）及び金属ｆ
ｉ！（８ｂ）と（４ｂ）のいずれかが不要となる。
以上のようにこの発明によれば電気特性のよい信頼性の
高い半導体装置を、得ることができる効果がある。
高い半導体装置を、得ることができる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置の一部破
砕斜視図、第２図は第１図に示すＡ−Ａにおける断面図
、第８図は従来の半導体装置の断面図である。 図において、（１）は半導体基板、（２）は導電体配線
、（８ａ ） ＃ （４ｔｈ ） −（７）は金属バン
プ、（Ｉｂ） 、 （４ｂ）は金属膜、（ｆｌ）は第２
の絶縁層、（６）は絶縁層である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
砕斜視図、第２図は第１図に示すＡ−Ａにおける断面図
、第８図は従来の半導体装置の断面図である。 図において、（１）は半導体基板、（２）は導電体配線
、（８ａ ） ＃ （４ｔｈ ） −（７）は金属バン
プ、（Ｉｂ） 、 （４ｂ）は金属膜、（ｆｌ）は第２
の絶縁層、（６）は絶縁層である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 半導体基板の一面に電気回路素子を形成し、その上に
電気回路素子間を結ぐ導電体配線を施し、上記導電体配
線上に複数の金属バンプを設け電気信号取り出し用の電
極とし、金属バンプを除く部分を絶縁層で覆った半導体
装置に於て、同一信号を取り出す複数の金属バンプのグ
ループのすべて、あるいは一部を共通の金属膜で連結し
た事を特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23771490A JPH04116830A (ja) | 1990-09-06 | 1990-09-06 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23771490A JPH04116830A (ja) | 1990-09-06 | 1990-09-06 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04116830A true JPH04116830A (ja) | 1992-04-17 |
Family
ID=17019413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23771490A Pending JPH04116830A (ja) | 1990-09-06 | 1990-09-06 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04116830A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007306027A (ja) * | 2007-07-23 | 2007-11-22 | Ibiden Co Ltd | 半導体チップ |
-
1990
- 1990-09-06 JP JP23771490A patent/JPH04116830A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007306027A (ja) * | 2007-07-23 | 2007-11-22 | Ibiden Co Ltd | 半導体チップ |
| JP4679553B2 (ja) * | 2007-07-23 | 2011-04-27 | イビデン株式会社 | 半導体チップ |
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