JPH04114464A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH04114464A JPH04114464A JP23493090A JP23493090A JPH04114464A JP H04114464 A JPH04114464 A JP H04114464A JP 23493090 A JP23493090 A JP 23493090A JP 23493090 A JP23493090 A JP 23493090A JP H04114464 A JPH04114464 A JP H04114464A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は 抵抗値のばらつきが小さい抵抗膜を備えた半
導体装置に関するものであム 従来の技術 通紙 半導体集積回路装置の抵抗膜として絶縁膜上に形
成された抵抗素子が使用されるようになって来ていも
これは その構造上の特質から、拡散抵抗素子における
ような大きな寄生容量をもたず、また電圧依存性も拡散
抵抗素子に比べて無視できる程度であることによも と
ころ力＼ 半導体集積回路装置に内蔵されるフィルタに
ついてみると、その精度についての厳しくなってきてお
り、抵抗素子に関しても高い精度が要求されるようにな
ってきていも 以下、従来の抵抗素子について第３図を用いて説明すも 第３図（ａ）はこの抵抗素子の平面は 同図（ｂ）はそ
のＢ−Ｂ線に沿った断面図であム 図において、３１は第１の絶縁膜で、シリコン酸化物ま
たはシリコン窒化物などからなり、半導体基板（図示せ
ず）上に形成されていム ３２は薄膜状の抵抗膜で、多
結晶シリコン、非晶質シリコンまたはニクロムなどから
なり、第１の絶縁膜３１上に形成されてい６．３３は第
２の絶縁膜で、シリコン酸化物またはシリコン窒化物な
どからなリ、抵抗膜３２上および第１の絶縁膜３１上に
形成されていム３４、３５は第１、第２のコンタクト開
口部で、第２の絶縁膜３３α 抵抗膜３２の端部上にそ
れぞれ形成されてい＆３．６．３７は第１、第２の電極
で、アルミニウムなどからなり、第２の絶縁膜３３上に
それぞれ形成され 第１、第２のコンタクト開口部を通
して抵抗膜３２の端部に接していも このような抵抗素子において、抵抗膜３２の寸法を幅Ｗ
（ｃｍ）、電極間距離Ｌ（ｃｍ）とし、シート抵抗値を
Ｒ９（Ω／口）とし、また コンタクト開口部３４．３
５における電極３６．３７と抵抗膜３２との接触抵抗値
をＲＣ（Ω）とすると、抵抗膜３２の抵抗値Ｒ（Ω）は
次式で表されムＲ＝２・Ｒｃ ＋Ｒ＝ （Ｌ／Ｗ） ＋
２・ΔＲここで、ΔＲはコンタクト開口部３４．３５が
抵抗膜３２の端縁よりも内側に形成されることから、そ
の形成位置のばらつきによって生じる接触部分での誤差
であａ これからＬ 抵抗素子の抵抗値はシート抵抗値Ｒ５、接
触抵抗値Ｒ，、抵抗膜３２の寸法Ｗ、 Ｌ、および抵
抗値誤差△Ｒで決まム 発明が解決しようとする課題 しかしなが収 上述から明らかなように コンタクト開
口部３４、３５が抵抗膜３２の端縁よりも内側に形成さ
れることによる抵抗値誤差△Ｒの存在は コンタクト開
口部３４、３５の形状や、抵抗膜３２とコンタクト開口
部３４、３５との位置関係でばらつくたぬ 設計値どお
りの抵抗素子を得ることが困難であａ また 電極３６．３７は抵抗膜３２とはその上面部分で
接触するたぬ 抵抗膜３２中での電流分布がその厚さ方
向や幅方向で不均一となり、電流密度の変化によって抵
抗値が異なるという不都合があった 課題を解決するための手段 本発明の半導体装置＆よ 半導体基板上に形成された絶
縁膜上に形成された抵抗膜と、この抵抗膜の少なくとも
両端部側面部分に接続された第１、第２の電極とを備え
たものであａ 作用 本発明の半導体装置において、第１、第２の電極が抵抗
膜とその両端部側面部分で接続されているので、電流が
抵抗膜をその厚み方向や幅方向で均一に流れも それに
よって、抵抗膜の抵抗値は電流密度のばらつきに依存す
ることがなくなり、そのため一定となも さらに 抵抗
膜の主面上にコンタクト開口部が形成した場合における
ようなコンタクト開口部の寸法誤差などに起因する抵抗
値誤差が除去されも 実施例 以下、本発明の方法の実施例について、図面を用いて説
明すも 第１図（ａ）は本発明の第１の実施例の要部平面は 同
図（ｂ）はそのＡ−Ａ線に沿った断面図であ第１図にお
いて、 ｌは第１の絶縁膜で、シリコン酸化物またはシ
リコン窒化物などからなり、半導体基板（図示せず）上
に形成されていム ２は幅Ｗ（ｃｍ、）、長さＬ（ａｍ
）の抵抗膜で、多結晶シリコン、非晶質シリコンまたは
ニクロムなどからなり、第１の絶縁膜１上に形成されて
いム３は第２の絶縁膜で、シリコン酸化物またはシリコ
ン窒化物などからなり、抵抗膜２を覆うよう第１の絶縁
膜ｌ上に形成されていａ４、５はコンタクト開口部で、
抵抗膜２の端部側面部分６．７がそれぞれ露出するよう
、第２の絶縁膜３に設けられていム ８、９は電極で、
アルミニウムなどの金属または多結晶シリコンなどの導
電膜で、第２の絶縁膜３上に形成され コンタクト開口
部４．５において抵抗膜２の端部側面部分６．７にそれ
ぞれ接して、抵抗膜２に接続されていもこの実施例にお
いては 抵抗膜２がその端部側面部分６．７で電極８．
９と接しているたぬ 電流は抵抗膜２においてその厚み
方向や幅方向で均一となり、抵抗値は電流密度に依存す
ることなく一定となａ また 第３図に示したように抵
抗膜の主面上にコンタクト開口部が形成されたときのよ
うな コンタクト開口部の寸法誤差などに起因する抵抗
値誤差を生じるおそれもなし〜 したがつて、その抵抗
値は Ｒ＝２・Ｒｅ ＋ Ｒ３（Ｌ ／ Ｗ）なる関係式で
表されも ここで、Ｒ５は抵抗膜２のシート抵抗値（Ω
／口）、Ｒｒ はコンタクト開口部４．５における抵抗
膜２の端部側面部分６．７と電極８．９との接触抵抗値
（Ω）であａ第２図は本発明の第２の実施例の断面図で
あ４この実施例が第１図に示した第］の実施例と異なる
ところは 電極８．９力＼ それぞれＴｉＷなどのバリ
アメタルからなる導電膜１０上に アルミニウムなどの
金属または多結晶シリコンなどの導電膜１１が積層され
て形成されていることであム すなわぢ アルミニウム
などの金属または多結晶シリコンなどの導電膜１１がバ
リアメタルからなる導電膜１０を介して抵抗膜２の端部
側面部分６．７に接するという電極構造をしていること
であム 導電膜１０を構成するバリアメタルは コンタクト開口
部４．５において抵抗膜２の構成材料と安定した合金層
を形成すも このとき、バリアメタルからなる導電膜ｌ
ｏｔ上 導電膜１１を構成するアルミニウムなどの金属
または多結晶シリコンなどと、抵抗膜２を構成する多結
晶シリコン、非晶質シリコンまたはニクロムなどとの反
応を阻止する働きをするので、反応のばらつきに起因す
る抵抗値のばらつきがなくなり、また接触状態がきわめ
て安定するので、抵抗値変化を生じるおそれがなくなム なム 導電膜１０はＴｆＷをはじめとする合金膜に限ら
れるものでなく、ＴｉとＴｉＮとの積層膜であってもよ
いのはいうまでもないことであムこのＴｉとＴｉＮとを
積層して構成した膜においてＬｔ、ＴｉＮがバリヤ作用
をし、Ｔｉが抵抗材料と−様な合金反応をするので、抵
抗膜２との接触状態を安定したものとすることができも
また 絶縁膜１を備えた半導体基板に代えて、セラミッ
クスやガラス 合成樹脂などからなる絶縁基板を抵抗膜
２の支持基板として使用してもよいことは言うまでもな
いことであム 発明の効果 本発明によれば 第１、第２の電極が抵抗膜とその両端
部側面部分で接続されているので、抵抗膜を流れる電流
分布による影響が軽減され さらに 抵抗膜の主面上に
コンタクト開口部を形成した場合におけるような コン
タクト開口部の寸法誤差などに起因する抵抗値誤差が除
去されるので、抵抗値精度のよい抵抗膜を備えた半導体
装置を実現することができも
導体装置に関するものであム 従来の技術 通紙 半導体集積回路装置の抵抗膜として絶縁膜上に形
成された抵抗素子が使用されるようになって来ていも
これは その構造上の特質から、拡散抵抗素子における
ような大きな寄生容量をもたず、また電圧依存性も拡散
抵抗素子に比べて無視できる程度であることによも と
ころ力＼ 半導体集積回路装置に内蔵されるフィルタに
ついてみると、その精度についての厳しくなってきてお
り、抵抗素子に関しても高い精度が要求されるようにな
ってきていも 以下、従来の抵抗素子について第３図を用いて説明すも 第３図（ａ）はこの抵抗素子の平面は 同図（ｂ）はそ
のＢ−Ｂ線に沿った断面図であム 図において、３１は第１の絶縁膜で、シリコン酸化物ま
たはシリコン窒化物などからなり、半導体基板（図示せ
ず）上に形成されていム ３２は薄膜状の抵抗膜で、多
結晶シリコン、非晶質シリコンまたはニクロムなどから
なり、第１の絶縁膜３１上に形成されてい６．３３は第
２の絶縁膜で、シリコン酸化物またはシリコン窒化物な
どからなリ、抵抗膜３２上および第１の絶縁膜３１上に
形成されていム３４、３５は第１、第２のコンタクト開
口部で、第２の絶縁膜３３α 抵抗膜３２の端部上にそ
れぞれ形成されてい＆３．６．３７は第１、第２の電極
で、アルミニウムなどからなり、第２の絶縁膜３３上に
それぞれ形成され 第１、第２のコンタクト開口部を通
して抵抗膜３２の端部に接していも このような抵抗素子において、抵抗膜３２の寸法を幅Ｗ
（ｃｍ）、電極間距離Ｌ（ｃｍ）とし、シート抵抗値を
Ｒ９（Ω／口）とし、また コンタクト開口部３４．３
５における電極３６．３７と抵抗膜３２との接触抵抗値
をＲＣ（Ω）とすると、抵抗膜３２の抵抗値Ｒ（Ω）は
次式で表されムＲ＝２・Ｒｃ ＋Ｒ＝ （Ｌ／Ｗ） ＋
２・ΔＲここで、ΔＲはコンタクト開口部３４．３５が
抵抗膜３２の端縁よりも内側に形成されることから、そ
の形成位置のばらつきによって生じる接触部分での誤差
であａ これからＬ 抵抗素子の抵抗値はシート抵抗値Ｒ５、接
触抵抗値Ｒ，、抵抗膜３２の寸法Ｗ、 Ｌ、および抵
抗値誤差△Ｒで決まム 発明が解決しようとする課題 しかしなが収 上述から明らかなように コンタクト開
口部３４、３５が抵抗膜３２の端縁よりも内側に形成さ
れることによる抵抗値誤差△Ｒの存在は コンタクト開
口部３４、３５の形状や、抵抗膜３２とコンタクト開口
部３４、３５との位置関係でばらつくたぬ 設計値どお
りの抵抗素子を得ることが困難であａ また 電極３６．３７は抵抗膜３２とはその上面部分で
接触するたぬ 抵抗膜３２中での電流分布がその厚さ方
向や幅方向で不均一となり、電流密度の変化によって抵
抗値が異なるという不都合があった 課題を解決するための手段 本発明の半導体装置＆よ 半導体基板上に形成された絶
縁膜上に形成された抵抗膜と、この抵抗膜の少なくとも
両端部側面部分に接続された第１、第２の電極とを備え
たものであａ 作用 本発明の半導体装置において、第１、第２の電極が抵抗
膜とその両端部側面部分で接続されているので、電流が
抵抗膜をその厚み方向や幅方向で均一に流れも それに
よって、抵抗膜の抵抗値は電流密度のばらつきに依存す
ることがなくなり、そのため一定となも さらに 抵抗
膜の主面上にコンタクト開口部が形成した場合における
ようなコンタクト開口部の寸法誤差などに起因する抵抗
値誤差が除去されも 実施例 以下、本発明の方法の実施例について、図面を用いて説
明すも 第１図（ａ）は本発明の第１の実施例の要部平面は 同
図（ｂ）はそのＡ−Ａ線に沿った断面図であ第１図にお
いて、 ｌは第１の絶縁膜で、シリコン酸化物またはシ
リコン窒化物などからなり、半導体基板（図示せず）上
に形成されていム ２は幅Ｗ（ｃｍ、）、長さＬ（ａｍ
）の抵抗膜で、多結晶シリコン、非晶質シリコンまたは
ニクロムなどからなり、第１の絶縁膜１上に形成されて
いム３は第２の絶縁膜で、シリコン酸化物またはシリコ
ン窒化物などからなり、抵抗膜２を覆うよう第１の絶縁
膜ｌ上に形成されていａ４、５はコンタクト開口部で、
抵抗膜２の端部側面部分６．７がそれぞれ露出するよう
、第２の絶縁膜３に設けられていム ８、９は電極で、
アルミニウムなどの金属または多結晶シリコンなどの導
電膜で、第２の絶縁膜３上に形成され コンタクト開口
部４．５において抵抗膜２の端部側面部分６．７にそれ
ぞれ接して、抵抗膜２に接続されていもこの実施例にお
いては 抵抗膜２がその端部側面部分６．７で電極８．
９と接しているたぬ 電流は抵抗膜２においてその厚み
方向や幅方向で均一となり、抵抗値は電流密度に依存す
ることなく一定となａ また 第３図に示したように抵
抗膜の主面上にコンタクト開口部が形成されたときのよ
うな コンタクト開口部の寸法誤差などに起因する抵抗
値誤差を生じるおそれもなし〜 したがつて、その抵抗
値は Ｒ＝２・Ｒｅ ＋ Ｒ３（Ｌ ／ Ｗ）なる関係式で
表されも ここで、Ｒ５は抵抗膜２のシート抵抗値（Ω
／口）、Ｒｒ はコンタクト開口部４．５における抵抗
膜２の端部側面部分６．７と電極８．９との接触抵抗値
（Ω）であａ第２図は本発明の第２の実施例の断面図で
あ４この実施例が第１図に示した第］の実施例と異なる
ところは 電極８．９力＼ それぞれＴｉＷなどのバリ
アメタルからなる導電膜１０上に アルミニウムなどの
金属または多結晶シリコンなどの導電膜１１が積層され
て形成されていることであム すなわぢ アルミニウム
などの金属または多結晶シリコンなどの導電膜１１がバ
リアメタルからなる導電膜１０を介して抵抗膜２の端部
側面部分６．７に接するという電極構造をしていること
であム 導電膜１０を構成するバリアメタルは コンタクト開口
部４．５において抵抗膜２の構成材料と安定した合金層
を形成すも このとき、バリアメタルからなる導電膜ｌ
ｏｔ上 導電膜１１を構成するアルミニウムなどの金属
または多結晶シリコンなどと、抵抗膜２を構成する多結
晶シリコン、非晶質シリコンまたはニクロムなどとの反
応を阻止する働きをするので、反応のばらつきに起因す
る抵抗値のばらつきがなくなり、また接触状態がきわめ
て安定するので、抵抗値変化を生じるおそれがなくなム なム 導電膜１０はＴｆＷをはじめとする合金膜に限ら
れるものでなく、ＴｉとＴｉＮとの積層膜であってもよ
いのはいうまでもないことであムこのＴｉとＴｉＮとを
積層して構成した膜においてＬｔ、ＴｉＮがバリヤ作用
をし、Ｔｉが抵抗材料と−様な合金反応をするので、抵
抗膜２との接触状態を安定したものとすることができも
また 絶縁膜１を備えた半導体基板に代えて、セラミッ
クスやガラス 合成樹脂などからなる絶縁基板を抵抗膜
２の支持基板として使用してもよいことは言うまでもな
いことであム 発明の効果 本発明によれば 第１、第２の電極が抵抗膜とその両端
部側面部分で接続されているので、抵抗膜を流れる電流
分布による影響が軽減され さらに 抵抗膜の主面上に
コンタクト開口部を形成した場合におけるような コン
タクト開口部の寸法誤差などに起因する抵抗値誤差が除
去されるので、抵抗値精度のよい抵抗膜を備えた半導体
装置を実現することができも
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例の要部平面は 同
図（ｂ）はそのＡ−Ａ線に沿った断面阻第２図は本発明
の第２の実施例の断面医 第３図（ａ、）は従来の抵抗
素子の平面医 同図（ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿った断面
図であａ ■・・・・第１の絶縁膜 ２・・・・抵抗［３・・・・
第２の絶縁膜 ４、５・・・・コンタクト開口部 ６．
７・・・・抵抗膜２の端部側面部分、８．９・・・・電
極１０、１］・・・・導電風 代理人の氏名 弁理士 小鍜治明 ほか２名３ 聞２／
）ｔと１ｄｋＩＩｌｌ、ｒ、デ 値極第２図 １０、 ／／専電躾
図（ｂ）はそのＡ−Ａ線に沿った断面阻第２図は本発明
の第２の実施例の断面医 第３図（ａ、）は従来の抵抗
素子の平面医 同図（ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿った断面
図であａ ■・・・・第１の絶縁膜 ２・・・・抵抗［３・・・・
第２の絶縁膜 ４、５・・・・コンタクト開口部 ６．
７・・・・抵抗膜２の端部側面部分、８．９・・・・電
極１０、１］・・・・導電風 代理人の氏名 弁理士 小鍜治明 ほか２名３ 聞２／
）ｔと１ｄｋＩＩｌｌ、ｒ、デ 値極第２図 １０、 ／／専電躾
Claims (3)
- （１）半導体基板と、前記半導体基板上に形成された絶
縁膜と、前記絶縁膜上に形成された抵抗膜と、前記抵抗
膜の少なくとも両端部側面部分に接続された第１、第２
の電極とを備えた半導体装置。 - （２）第１、第２の電極がそれぞれ異なる複数種の導電
膜を積層して構成された請求項１記載の半導体装置。 - （３）第１、第２の電極において、抵抗膜に接する導電
膜がバリヤメタルからなる請求項２記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23493090A JPH04114464A (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23493090A JPH04114464A (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04114464A true JPH04114464A (ja) | 1992-04-15 |
Family
ID=16978507
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23493090A Pending JPH04114464A (ja) | 1990-09-04 | 1990-09-04 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04114464A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61144856A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-02 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS6273756A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-04 | Nec Corp | 半導体装置 |
-
1990
- 1990-09-04 JP JP23493090A patent/JPH04114464A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61144856A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-02 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS6273756A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-04 | Nec Corp | 半導体装置 |
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