JPH04113662A - リードフレーム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は、半導体装置を製造する際に半導体素子の電極
と接続するリードフレームの構造に関し、特に、電極間
隔の狭い半導体素子を実装するり−トフレームの構造に
関する。

［従来の技術］ 近年、半導体装置は高機能化を計るために、多ビン化が
進んできている。しかし、同時に微細配線技術の進歩に
より半導体素子のサイズは高機能。

多ビン化に比例せずに大きくはなっていない。すなわち
、半導体素子の電極ピッチは狭ピッチ化の一途をたどっ
ている。

従来のリードフレームは、鉄系合金あるいは銅を使用し
た板厚１２５μｍ〜１５０μｍの金属板をフォトエツチ
ングあるいは型抜きを行ってパターン形成しており、板
厚は、半導体素子の電極と接続するインナーリードから
外部基板と接続するアウターリードまで均一の厚みであ
った。

また、半導体素子の電極とリードフレームのインナーリ
ードは金あるいはアルミニウムのワイヤーボンディング
により接続されていた。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、前述した従来のフォトエツチングや型抜きの技
術では、インナーリードの間隔が２５０μｍ程度までし
か細密化が出来ないため、電極間隔が１３０μｍ程度、
電極数が２００端子程度の半導体素子まてしかリードフ
レームに実装する事が出来なかった。前記半導体素子よ
りも電極間隔が狭いか端子数が多い半導体素子をリード
フレームに実装しようとすると、半導体素子の電極とリ
ードフレームのインナーリートとを結ぶワイヤーの長さ
が長くなり、半導体素子のシリコン基板とのショートや
樹脂封止の際のワイヤー同士のショートが起こって歩留
まりの低下につながった。特に、ワイヤーの長さが２．
５ｍｍを越える場合には前記理由により効率の良い生産
は不可能であった。

また、２５０μｍよりもインナーリード間隔の狭いリー
ドフレームを製作しようとしても、インナーリードが細
くなって曲がりが発生したり、フォトエツチング法の場
合はエツチングが不可能であったり、型抜き法の場合は
型の製作が不可能であるといった課題があった。

そこで本発明の目的とするところは、インナーリードの
間隔を従来よりも狭くする事が可能なり一トフレームを
提供し、インナーリートのボンディング部を半導体素子
に近付ける事によって、ボンディングワイヤーを短くし
て、前述した課題を克服し、歩留り向上、品質の向上を
計ることにある。

［課題を解決するための手段］ 本発明のり−Ｆフレームは、半導体素子を実装するため
に、金属の板をフォトエツチングによりバターニングし
てインナーリード、アウターリート、等を形成してなる
リードフレームにおいて、インナーリード部の一部ある
いは全部の板厚をエツチングにより他の部位よりも薄く
したことを特徴とする。

［実施例］ 以下実施例により、本発明の詳細を示す。

第１図（ａ）は本発明のリードフレームの平面図、　（
ｂ）は（ａ）図のＡ−Ａ−における断面図である。イン
ナーリード１は先端から２ｍｍ程度がエツチングにより
他の部位よりも薄くなっている。本実施例の場合、１５
０μｍ厚の鉄系合金の板材を使用して、インナーリード
の先端は１００μｍ程度の厚みにしである。２はアウタ
ーリート、３は樹脂封止の際に樹脂を止めるダム・バー
　４はツーリング・ホールである。

第２図に本発明のリードフレームを製造する工程の実施
例を説明する。

まず、　（ａ）で１５０μｍ厚の前記板材の両面にフォ
トレジスト８を塗布し、仮乾燥をする。

次に、　（ｂ）で表面にはインナーリードとアウターリ
ード、ダイパッド、ダム・バーを含んだ第１図（ａ）に
示すパターンを、裏面には第１図（ａ）に示すパターン
と波線部５の内側が現像時に抜は落ちるようにしたパタ
ーンとを重ねたパターンを露光し、現像して乾燥する。

次に、　（Ｃ）で両面から同時に約５０μｍづつエツチ
ングする。本工程でエツチングされた裏面側の部分は、
後にインナーリードの先端付近とダイパッドが形成され
る部分で他の部位よりも薄くなる。

（ｄ）で裏面に保護レジス）１２を塗布し、　（ｅ）で
更に表面より残りの５０μｍをエツチングして、エツチ
ング工程を終了する。

最後に（ｆ）で両面のフォトレジストを剥離して、完成
する。

以上のようにして完成したリードフレームは、第３図に
示すように半導体素子１３をダイパッド５に接合してリ
ードフレームのインナーリード１と半導体素子の電極と
を金ワイヤ−１４で接続され、後に樹脂封止されて半導
体装置として完成する。

ここて、インナーリードの先端付近だけでなく、リード
フレーム全体を薄くしても本発明の目的は達せられるが
、樹脂封止された後にフォーミング。

切断されて外部配線基板接続されるアウターリードが曲
がり易くなるため、アウターリードの接合時に歩留まり
の低下を招くという２次的な欠点を生み出すことになる
。

［発明の効果コ 以上述べたように本発明によれば、リードフレームのイ
ンナーリートの先端付近の微細なバターニングが必要と
される部分のみ厚みを薄くてきるため、エツチングによ
りバターニングする際に従来に比べてインナーリードの
幅は狭くてき、インナーリート間の距離も小さくてきる
。したがって、インナーリートを半導体素子のより近く
まで延在させることが可能になり、ワイヤーボンデイン
クが容易に出来るようになるため半導体装置の製造工程
中の歩留まりが向上し、品質も安定するようになる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は、本発明におけるリードフレームの一実
施例を示す平面図。 第１図（ｂ）は、第１図（ａ）のＡ−Ａ’における断面
図。 第２図（ａ）〜（ｆ）は、本発明の一実施例を示すリー
ドフレームの製造工程を示した断面図。 第３図は、本発明のり一トフレームに半導体素子を実装
した断面図。 １、インナーリート ２、アウターリート １０、裏面エツチング部 以上 出願人　セイコーエプソン株式会社 代理人　弁理士　銘木　喜三部（他１名）（ａ） 第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体素子を実装するために、金属の板をフォトエッチ
   ングによりパターニングしてインナーリード、アウター
   リード、等を形成してなるリードフレームにおいて、イ
   ンナーリード部の一部あるいは全部の板厚をエッチング
   により他の部位よりも薄くしたことを特徴とするリード
   フレーム。