JPH04111774U - レーザダイオード自動パワー制御回路 - Google Patents
レーザダイオード自動パワー制御回路Info
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- JPH04111774U JPH04111774U JP3175591U JP3175591U JPH04111774U JP H04111774 U JPH04111774 U JP H04111774U JP 3175591 U JP3175591 U JP 3175591U JP 3175591 U JP3175591 U JP 3175591U JP H04111774 U JPH04111774 U JP H04111774U
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 レーザダイオード電流を効率よく制御し,制
御効率を向上し,低消費電力化を図る。 【構成】 レーザダイオード1の光出力を一定とするた
めにレーザダイオードの後方光出力をモニタフォトダイ
オード2でモニタし、これが一定となるよう負帰還制御
回路3で制御するパワー自動制御回路において、レーザ
ダイオード1の電流制御にパワーMOS−FET3を用
いる手段と、レーザダイオード制御電源5を別に設けそ
の電圧を低減する手段を備えている。
御効率を向上し,低消費電力化を図る。 【構成】 レーザダイオード1の光出力を一定とするた
めにレーザダイオードの後方光出力をモニタフォトダイ
オード2でモニタし、これが一定となるよう負帰還制御
回路3で制御するパワー自動制御回路において、レーザ
ダイオード1の電流制御にパワーMOS−FET3を用
いる手段と、レーザダイオード制御電源5を別に設けそ
の電圧を低減する手段を備えている。
Description
【0001】
本考案は長距離光ファイバ通信に係り、特に光ファイバ増幅器のレーザダイオ
ード自動パワー制御回路に関するものである。
【0002】
近年、光ファイバ通信の基幹伝送は長距離化、大容量化を指向して発展してき
た。そして、最近ではドープファイバの光増副作用を用いた光ファイバ増幅器で
、さらに長距離伝送を行うことが検討されている。この光ファイバ増幅器では、
大出力で安定した励起光源が必要とされている。
従来のレーザダイオード自動パワー制御回路の一例を図2に示し説明する。
この図2は励起光源の一般的な回路構成図である。
図2において、11はレーザダイオード、12はモニタフォトダイオード、1
3は負帰還制御回路、14はトランジスタで、このトランジスタ14のベースは
負帰還制御回路13に接続され、コレクタはレーザダイオード11に接続され、
エミッタはエミッタ抵抗15を介して電源6に接続されている。また、この電源
6は負帰還制御回路13に接続されている。
【0003】
そして、レーザダイオード11の後方出力光をモニタフォトダイオード12で
電流変換し、これが一定となるよう負帰還制御回路13がトランジスタ14のベ
ース電圧を制御し、このトランジスタ14と抵抗15でレーザダイオード11の
電流を制御している。この結果、レーザダイオード11の前方光が一定となり励
起光源として作用している。
【0004】
前述した励起光源は一般的に大出力光を得るためレーザダイオード電流もこれ
に比例して大電流が必要とされている。したがって実用化の観点から低消費電力
化が要求されている。
そして、従来のレーザダイオード自動パワー制御回路の構成では、通常レーザ
ダイオードの順方向電圧が2V程度であり、それを制御するトランジスタのコレ
クタ−エミッタ間出圧(VCE)も制御の安定度を考慮した場合2V程度必要とさ
れる。さらに電流値を決定するエミッタ抵抗にも1〜2V程度の電位差が必要と
なる。以上を考慮すればレーザダイオード電流制御効率は35%程度となってお
り実用化の際放熱等の問題を考えねばならないという課題があった。
【0005】
本考案によるレーザダイオード自動パワー制御回路は、レーザダイオードの光
出力を一定とするためにレーザダイオードの後方光出力をモニタしこれが一定と
なるよう負帰還制御する自動パワー制御回路において、レーザダイオードの電流
制御にパワーMOS−FETを用いる手段と、レーザダイオード制御電源を別に
設けその電圧を低減する手段を備えるものである。
【0006】
本考案においては、レーザダイオードの後方出力光をモニタフォトダイオード
で電流変換し、これが一定となるよう負帰還制御回路でゲート電圧を制御し、パ
ワーMOS−FETでレーザダイオードの電流を制御する。
【0007】
図1は本考案によるレーザダイオード自動パワー制御回路の一実施例を示した
回路構成図である。
この図1において、1はレーザダイオード、2はモニタフォトダイオード、3
は負帰還制御回路で、これらはレーザダイオード1の光出力を一定とするために
レーザダイオード1の後方光出力をモニタしこれが一定となるよう負帰還制御す
る自動パワー制御回路を構成している。
4はレーザダイオード1にドレイン・ソースが直列接続されたパワーMOS−
FETで、このパワーMOS−FET4はレーザダイオードの電流制御にパワー
MOS−FETを用いる手段を構成している。5はこのパワーMOS−FET4
に接続されたレーザダイオード制御電源で、このレーザダイオード制御電源5は
レーザダイオード制御電源を別に設けその電圧を低減する手段を構成している。
6は制御回路電源で、この制御回路電源6の出力は負帰還制御回路3に供給され
るように構成されている。
【0008】
つぎにこの図1に示す実施例の動作を説明する。
まず、レーザダイオード1の後方出力光をモニタフォトダイオード2で電流変
換し、これが一定となるよう負帰還制御回路3でパワーMOS−FET4のゲー
ト電圧を制御し、このパワーMOS−FET4でレーザダイオード1の電流を制
御する。
つぎに、電源をレーザダイオード電源であるレーザダイオード制御電源5と負
帰還制御回路電源である制御回路電源6とに分ける構成とし、パワーMOS−F
ET4はその特性上ゲート電圧の制御のみでドレイン電流(ID) が制御できる
ため従来例のようにトランジスタで制御する場合に比してエミッタ抵抗が不要と
なる。また、飽和ドレイン電流(IDSS) を制御最大電流より大きくなるよう選
べばドレイン−ソース間電圧はIV以下で制御できる。
【0009】
以上説明したように本考案のレーザダイオード自動パワー制御回路は、レーザ
ダイオード制御電源と負帰還制御回路電源を分けるように構成し、レーザダイオ
ード制御電源の電圧を−3V程度に選ぶことにより、レーザダイオードの順方向
電圧が2V程度であることから制御効率が60%以上に向上し、消費電力の低減
が可能となり放熱等の制約条件が緩和される効果がある。
【図1】本考案によるレーザダイオード自動パワー制御
回路の一実施例を示した回路構成図である。
回路の一実施例を示した回路構成図である。
【図2】従来のレーザダイオード自動パワー制御回路の
一例を示した回路構成図である。
一例を示した回路構成図である。
1 レーザダイオード
2 モニタフォトダイオード
3 負帰還制御回路
4 パワーMOS−FET
5 レーザダイオード制御電源
6 制御回路電源
Claims (1)
- 【請求項1】 レーザダイオードの光出力を一定とする
ためにレーザダイオードの後方光出力をモニタしこれが
一定となるよう負帰還制御する自動パワー制御回路にお
いて、レーザダイオードの電流制御にパワーMOS−F
ETを用いる手段と、レーザダイオード制御電源を別に
設けその電圧を低減する手段を備えることを特徴とする
レーザダイオード自動パワー制御回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1991031755U JP2577297Y2 (ja) | 1991-03-14 | 1991-03-14 | レーザダイオード自動パワー制御回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1991031755U JP2577297Y2 (ja) | 1991-03-14 | 1991-03-14 | レーザダイオード自動パワー制御回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04111774U true JPH04111774U (ja) | 1992-09-29 |
JP2577297Y2 JP2577297Y2 (ja) | 1998-07-23 |
Family
ID=31914933
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1991031755U Expired - Lifetime JP2577297Y2 (ja) | 1991-03-14 | 1991-03-14 | レーザダイオード自動パワー制御回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2577297Y2 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS622580A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-08 | Fujitsu Ltd | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
JPS62168670U (ja) * | 1986-04-15 | 1987-10-26 | ||
JPH01246887A (ja) * | 1988-03-29 | 1989-10-02 | Canon Inc | 半導体レーザ装置 |
-
1991
- 1991-03-14 JP JP1991031755U patent/JP2577297Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS622580A (ja) * | 1985-06-27 | 1987-01-08 | Fujitsu Ltd | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
JPS62168670U (ja) * | 1986-04-15 | 1987-10-26 | ||
JPH01246887A (ja) * | 1988-03-29 | 1989-10-02 | Canon Inc | 半導体レーザ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2577297Y2 (ja) | 1998-07-23 |
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