JPS622580A - レ−ザダイオ−ド駆動回路 - Google Patents
レ−ザダイオ−ド駆動回路Info
- Publication number
- JPS622580A JPS622580A JP14130885A JP14130885A JPS622580A JP S622580 A JPS622580 A JP S622580A JP 14130885 A JP14130885 A JP 14130885A JP 14130885 A JP14130885 A JP 14130885A JP S622580 A JPS622580 A JP S622580A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- laser diode
- fet
- clamp
- diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔目次〕
概要
産業上の利用分野
従来の技術（第６図）
発明が解決しようとする問題点
問題点を解決するための手段（第１図）作用
実施例
（１）実施例の構成（第２図）
（２）実施例の動作（第３図）
（３）第２実施例（第４図、第５図）
発明の効果
〔概要〕
レーザダイオードを電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）−
で駆動するとともに、ＦＦ、Ｔのゲートバイアスとして
クランプ回路を設け、個々のＦＥＴにより異なるピンチ
オフ電圧に対しクランプ電圧を調整することによりピン
チオフ電圧のバラツキに対処するものである。
で駆動するとともに、ＦＦ、Ｔのゲートバイアスとして
クランプ回路を設け、個々のＦＥＴにより異なるピンチ
オフ電圧に対しクランプ電圧を調整することによりピン
チオフ電圧のバラツキに対処するものである。
本発明はレーザダイオード駆動回路に係り、特に高速で
大出力の光出力パワーを得る場合に、高速駆動回路とし
てＦＥＴを使用することが考えられるが、個々のＦＥＴ
によりピンチオフ電圧の異なるという問題点を簡単な手
段により解決しようとするものである。
大出力の光出力パワーを得る場合に、高速駆動回路とし
てＦＥＴを使用することが考えられるが、個々のＦＥＴ
によりピンチオフ電圧の異なるという問題点を簡単な手
段により解決しようとするものである。
レーザダイオードをパルス電圧で駆動制御する場合、従
来では最終段をバイポーラ形のトランジスタで構成した
カレント・スイッチを使用していた０例えばこのバイポ
ーラ形のトランジスタにＲ２パルスを印加してＰＣＭ信
号を得ていた。ところでバイポーラ形のトランジスタは
、低速度であれば大電流をオン・オフ制御することが可
能であるが、例えば４００Ｍビット／秒のような高速に
なり、しかもレーザダイオードの光パワーを高出力にす
るとき、電流を大きくしなければならないので、このよ
うなバイポーラ形のトランジスタを使用することはでき
ない、このために高速動作が可能でしかも高出力が可能
なＦＥＴの使用が必要となる。
来では最終段をバイポーラ形のトランジスタで構成した
カレント・スイッチを使用していた０例えばこのバイポ
ーラ形のトランジスタにＲ２パルスを印加してＰＣＭ信
号を得ていた。ところでバイポーラ形のトランジスタは
、低速度であれば大電流をオン・オフ制御することが可
能であるが、例えば４００Ｍビット／秒のような高速に
なり、しかもレーザダイオードの光パワーを高出力にす
るとき、電流を大きくしなければならないので、このよ
うなバイポーラ形のトランジスタを使用することはでき
ない、このために高速動作が可能でしかも高出力が可能
なＦＥＴの使用が必要となる。
レーザダイオードを高速、大電流で駆動するとき、例え
ばＧａＡｓ−ＦＥＴの使用が考えられる。
ばＧａＡｓ−ＦＥＴの使用が考えられる。
そしてこの場合の回路としては、第６図（１１）に示す
如く、レーザダイオードｌに２個のＦＥＴ２及びＦＥＴ
３を接続し、ＦＥＴ２のゲートにツェナーダイオード４
を接続する。ＦＥＴ３は、レーザダイオードｌの発光の
閾値ＩＩｌをバイアス電流として流すものであり、ＦＥ
Ｔ３のゲートにはバイアス電圧ｖｃ富が印加される。レ
ーザダイオードは微小電流を流してもそれがある大きさ
になるまで発光せず、ある値を越えたとき発光するが、
この値が閾値１０である。ＦＥＴ３によりこの閾値Ｋ。
如く、レーザダイオードｌに２個のＦＥＴ２及びＦＥＴ
３を接続し、ＦＥＴ２のゲートにツェナーダイオード４
を接続する。ＦＥＴ３は、レーザダイオードｌの発光の
閾値ＩＩｌをバイアス電流として流すものであり、ＦＥ
Ｔ３のゲートにはバイアス電圧ｖｃ富が印加される。レ
ーザダイオードは微小電流を流してもそれがある大きさ
になるまで発光せず、ある値を越えたとき発光するが、
この値が閾値１０である。ＦＥＴ３によりこの閾値Ｋ。
を流しておき、ＦＥＴ２により、第６図中）の入力Ｉ、
を付与することによりこの人力Ｉ、に応じた発光パワー
Ｐｏｕｔを出力することができる。
を付与することによりこの人力Ｉ、に応じた発光パワー
Ｐｏｕｔを出力することができる。
ところがＦＥＴは同一の型格であってもそのピンチオフ
電圧が異なるので、このような回路では、入力電圧Ｖｉ
ｎの印加される入力側のＦＥＴ２のゲートにツェナーダ
イオードＺＤを接続し、これに抵抗Ｒ６を経由してバイ
アス電流■ｚ＋を流すことにより、その電圧降下を調整
し、これによりピンチオフ電圧の不完全さを調整し、同
一人力に対し同一出力が得られるように調整する。すな
わち、第６図（８）に示す如く、ツェナーダイオードＺ
Ｄに逆バイアス電流１２１を流しておく、この電流があ
る大きさ以上になればその電圧降下ｖ２はいわゆるツェ
ナー電圧ｖ２゜となるが、これにならない間はその電流
を変えることにより電圧降下値が変化する。例えば逆バ
イアス電流を■２１１〜１２１１に調整することにより
第６図ｔｃ＋に示す如く、その電圧降下をｖ２１．〜Ｖ
２，８に変化できる。従って、入力電圧Ｖｉｎを印加し
ても、ＦＥＴ２の入力電圧はｖｉｎとなり、第６図（ｄ
ｌに示す如く、Ｖｉｎの最小のときｖｉｎがピンチオフ
電圧になるように調整することができる。
電圧が異なるので、このような回路では、入力電圧Ｖｉ
ｎの印加される入力側のＦＥＴ２のゲートにツェナーダ
イオードＺＤを接続し、これに抵抗Ｒ６を経由してバイ
アス電流■ｚ＋を流すことにより、その電圧降下を調整
し、これによりピンチオフ電圧の不完全さを調整し、同
一人力に対し同一出力が得られるように調整する。すな
わち、第６図（８）に示す如く、ツェナーダイオードＺ
Ｄに逆バイアス電流１２１を流しておく、この電流があ
る大きさ以上になればその電圧降下ｖ２はいわゆるツェ
ナー電圧ｖ２゜となるが、これにならない間はその電流
を変えることにより電圧降下値が変化する。例えば逆バ
イアス電流を■２１１〜１２１１に調整することにより
第６図ｔｃ＋に示す如く、その電圧降下をｖ２１．〜Ｖ
２，８に変化できる。従って、入力電圧Ｖｉｎを印加し
ても、ＦＥＴ２の入力電圧はｖｉｎとなり、第６図（ｄ
ｌに示す如く、Ｖｉｎの最小のときｖｉｎがピンチオフ
電圧になるように調整することができる。
ところでＦＥＴの特性上のバラツキはかなり大きいが、
同一のツェナーダイオードで調整できる範囲はあまり広
くない。従ってバラツキ量の大きなものがあれば、それ
に対応できるツェナーダイオードにこれを取替えて使用
しなければならない。
同一のツェナーダイオードで調整できる範囲はあまり広
くない。従ってバラツキ量の大きなものがあれば、それ
に対応できるツェナーダイオードにこれを取替えて使用
しなければならない。
そのため同一のツェナーダイオードだけではＦＥＴのバ
ラツキを調整しきれないため、製造性が悪いという問題
点が存在する。
ラツキを調整しきれないため、製造性が悪いという問題
点が存在する。
本発明の目的は、このような問題点を改善するため、バ
ラツキの大きなＦＥＴに一対しても充分対処できる調整
手段を備えたレーザダイオード駆動回路を提供すること
である。
ラツキの大きなＦＥＴに一対しても充分対処できる調整
手段を備えたレーザダイオード駆動回路を提供すること
である。
前記目的を達成するため、本発明では、第１図に示す如
く、レーザダイオード１を駆動するＦＥＴ２にクランプ
回路４を接続する。
く、レーザダイオード１を駆動するＦＥＴ２にクランプ
回路４を接続する。
第１図のクランプ回路４におけるクランプ電圧を変える
ことによりＦＥＴ２のゲート電圧を調整することができ
るので、ＦＥＴ２にバラツキがあっても、クランプ電圧
はかなり広い範囲で調整することができるため、ピンチ
オフ電圧を基準とした正確に動作させることができるレ
ーザダイオード駆動回路を得る。
ことによりＦＥＴ２のゲート電圧を調整することができ
るので、ＦＥＴ２にバラツキがあっても、クランプ電圧
はかなり広い範囲で調整することができるため、ピンチ
オフ電圧を基準とした正確に動作させることができるレ
ーザダイオード駆動回路を得る。
〔実施例〕
本発明の一実施例を第２図及び第３図にもとづき説明す
る。
る。
第２図は本発明の一実施例構成図、第３図はその動作説
明図である。
明図である。
（１１実施例の構成
第２図において、１はレーザダイオード、２．３はそれ
ぞれＦＥＴ、４はクランプ回路である。
ぞれＦＥＴ、４はクランプ回路である。
そしてＦＥＴ２．３は、他図と同様に、スイッチング及
びバイアス用の動作を行う。
びバイアス用の動作を行う。
クランプ回路４は、クランプダイオードＤとコンデンサ
ＣＩ、Ｃｚを有し、ダイオードＤにクランプ電圧ｖＩが
印加される。クランプダイオードＤは、第３図１ｃＩに
示す如く順方向に電流■を流すときその電圧降下Ｖｏは
電流がある大きさ以上では一定の値となるものである。
ＣＩ、Ｃｚを有し、ダイオードＤにクランプ電圧ｖＩが
印加される。クランプダイオードＤは、第３図１ｃＩに
示す如く順方向に電流■を流すときその電圧降下Ｖｏは
電流がある大きさ以上では一定の値となるものである。
（２）実施例の動作
まず本発明の特徴的なりランプ回路４の動作について、
第３図（ｂｌ、（Ｃ１により詳述する。クランプダイオ
ードＤは、第３図（Ｃ）に示す如く、ある一定の電流■
。以上の直流を流したとき、その電圧降下は、電流が■
、より大きくなっても一定の値Ｖ。である、従って、第
２図に示す如く、クランプダイオードＤにクランプ電圧
Ｖ、を印加すると、ＦＥＴＩのゲート電圧はこのクラン
プ電圧■１からクランプダイオードＤにおける電圧降下
ＶＤを引いたものとなる。それ故、第３図中）に示す如
く、ピンチオフ電圧がＶＰＩのＦＥＴに対してはクラン
プ電圧Ｖ□を印加し、ピンチオフ電圧がＶＰｔのＦＥＴ
に対してはクランプ電圧ｖ、８を印加すればよい、これ
らのクランプ電圧は、周知の電圧可変手段（例えば可変
抵抗を使用したもの）で適宜印加することができるので
、とンチオフ電圧にバラツキがあっても容易に調整する
ことができる。
第３図（ｂｌ、（Ｃ１により詳述する。クランプダイオ
ードＤは、第３図（Ｃ）に示す如く、ある一定の電流■
。以上の直流を流したとき、その電圧降下は、電流が■
、より大きくなっても一定の値Ｖ。である、従って、第
２図に示す如く、クランプダイオードＤにクランプ電圧
Ｖ、を印加すると、ＦＥＴＩのゲート電圧はこのクラン
プ電圧■１からクランプダイオードＤにおける電圧降下
ＶＤを引いたものとなる。それ故、第３図中）に示す如
く、ピンチオフ電圧がＶＰＩのＦＥＴに対してはクラン
プ電圧Ｖ□を印加し、ピンチオフ電圧がＶＰｔのＦＥＴ
に対してはクランプ電圧ｖ、８を印加すればよい、これ
らのクランプ電圧は、周知の電圧可変手段（例えば可変
抵抗を使用したもの）で適宜印加することができるので
、とンチオフ電圧にバラツキがあっても容易に調整する
ことができる。
従って、入力端子Ｖａｎが印加されると、ＦＥＴ２は、
第３図（ｔｌに示す如く、ソースドレイン電流■７が流
れ、これによりレーザダイオードｌが発光することにな
る。
第３図（ｔｌに示す如く、ソースドレイン電流■７が流
れ、これによりレーザダイオードｌが発光することにな
る。
（３）第２実施例
本発明の第２実施例を第４図及び第５図により説、明す
る。
る。
第２実施例は、第２図に示す実施例を自動パワー調整制
御（ＡＰＣ）する場合の回路である。
御（ＡＰＣ）する場合の回路である。
レーザダイオードは、温度が変化するとその出力特性も
変化する０例えば、第５図に示す如く、温度がＴ ＋
−Ｔ ｔ （Ｔ ＋ ＜ Ｔ ｔ ）に変化するとその
電流（１）−光パワー（Ｐ）特性も第５図のＴ８、Ｔ２
に示す如く、閾値も！、→■８と変わるのみならずその
Ｐ−１特性曲線の傾斜も変化する。
変化する０例えば、第５図に示す如く、温度がＴ ＋
−Ｔ ｔ （Ｔ ＋ ＜ Ｔ ｔ ）に変化するとその
電流（１）−光パワー（Ｐ）特性も第５図のＴ８、Ｔ２
に示す如く、閾値も！、→■８と変わるのみならずその
Ｐ−１特性曲線の傾斜も変化する。
従って、例えば温度変化等により所定の出力が得られな
い場合には、閾値つまりバイアス電流と、ＦＥＴのゲー
トに対する入力電圧の大きさを変えることが必要となる
０例えば、第５図に示す如く、動作特性がＴ１→Ｔｔの
如く変化する場合には、闇値を■１→Ｉｔに制御し、ま
た入力電圧もＩＰｒ−ＩＰｚに調整することにより、同
一の出力Ｐ。を得ることができる。
い場合には、閾値つまりバイアス電流と、ＦＥＴのゲー
トに対する入力電圧の大きさを変えることが必要となる
０例えば、第５図に示す如く、動作特性がＴ１→Ｔｔの
如く変化する場合には、闇値を■１→Ｉｔに制御し、ま
た入力電圧もＩＰｒ−ＩＰｚに調整することにより、同
一の出力Ｐ。を得ることができる。
このようなことを行うために、第４図に示す如く、レー
ザダイオード部１ｏにはレーザダイオード１１の他に受
光素子としてアバランシェ・フォトダイオード（ＡＰＤ
）１２を設け、このＡＰＤ１２によりレーザダイオード
１１の発光強度に応じた電流を出力させる。
ザダイオード部１ｏにはレーザダイオード１１の他に受
光素子としてアバランシェ・フォトダイオード（ＡＰＤ
）１２を設け、このＡＰＤ１２によりレーザダイオード
１１の発光強度に応じた電流を出力させる。
またクランプ回路Ｉ５の入力側に振幅可変回路１Ｂを設
け、入力信号（ＤＡＴＡ）の振幅をこれにより調整する
。
け、入力信号（ＤＡＴＡ）の振幅をこれにより調整する
。
そして比較回路として動作するオペ・アンプ１９と、入
力信号の大きさに応じた直流出力を発生するローパス・
フィルタ１６と、レーザダイオード１１の出力光の大き
さに応じた直流出力を発生するローパス・フィルタ１７
を設け、これらの出力をオペ・アンプ１９で比較する。
力信号の大きさに応じた直流出力を発生するローパス・
フィルタ１６と、レーザダイオード１１の出力光の大き
さに応じた直流出力を発生するローパス・フィルタ１７
を設け、これらの出力をオペ・アンプ１９で比較する。
次に第４図の動作について説明する。このときクランプ
回路１５は、勿論、ＦＥＴ１３の特性により、入力電圧
が０のときゲート電圧がピンチオフ電圧になるようにク
ランプ電圧Ｖ、により調整されている。
回路１５は、勿論、ＦＥＴ１３の特性により、入力電圧
が０のときゲート電圧がピンチオフ電圧になるようにク
ランプ電圧Ｖ、により調整されている。
いま入力信号が印加されると、この入力信号の強度に応
じた直流電圧がローパス・フィルタ１６に出力される。
じた直流電圧がローパス・フィルタ１６に出力される。
またこの入力信号は、振幅可変回路１８、クランプ回路
１５を経由してＦＥＴ１３に印加され、これによりＦＥ
Ｔ１３ににの入力信号に応じた電流が流れ、レーザダイ
オード１１が発光する。このレーザダイオード１１の発
光は、ＡＰＤ１２に受光されてＡＰＤ１２よりレーザダ
イオード１１の発光強度に応じた出力が発生し、これが
ローパス・フィルタ１７に出力され、ローパス・フィル
タ１７からレーザダイオード１１の発光パワーに応じた
直流出力が発生する。
１５を経由してＦＥＴ１３に印加され、これによりＦＥ
Ｔ１３ににの入力信号に応じた電流が流れ、レーザダイ
オード１１が発光する。このレーザダイオード１１の発
光は、ＡＰＤ１２に受光されてＡＰＤ１２よりレーザダ
イオード１１の発光強度に応じた出力が発生し、これが
ローパス・フィルタ１７に出力され、ローパス・フィル
タ１７からレーザダイオード１１の発光パワーに応じた
直流出力が発生する。
このときローパス・フィルタ１７の出力が小すければオ
ペ・アンプ１９は高出力を生じ、これによりオペ・アン
プ２０の出力をさらに大きくしてＦＥＴ１４に流れる閾
値電流を大きくする。また前記オペ・アンプ１９の出力
はオペ・アンプ２１にも印加され、これによりオペ・ア
ンプ２１は振幅可変回路１８の増幅率を大きく制御し、
ＦＥＴ１３に対する入力信号の大きさを強くし、レーザ
ダイオード１１の出力を強くする。
ペ・アンプ１９は高出力を生じ、これによりオペ・アン
プ２０の出力をさらに大きくしてＦＥＴ１４に流れる閾
値電流を大きくする。また前記オペ・アンプ１９の出力
はオペ・アンプ２１にも印加され、これによりオペ・ア
ンプ２１は振幅可変回路１８の増幅率を大きく制御し、
ＦＥＴ１３に対する入力信号の大きさを強くし、レーザ
ダイオード１１の出力を強くする。
逆にローパス・フィルタ１７の出力がローパス・フィル
タ１６より大きければ、オペ・アンプ１９の出力は小さ
くなり、今度は逆の制御が生じレーザダイオード１１の
出力パワーは小さくなる。
タ１６より大きければ、オペ・アンプ１９の出力は小さ
くなり、今度は逆の制御が生じレーザダイオード１１の
出力パワーは小さくなる。
このようにしてレーザダイオード１１の出力パワーを自
動調整することができる。
動調整することができる。
本発明によればＦＥＴの特性に大きなバラツキがあって
もクランプ電圧を変えることによりそのゲート電圧ｖ、
ｓをピンチオフ電圧に設定することが可能になるので、
その製造性を高めることができる。
もクランプ電圧を変えることによりそのゲート電圧ｖ、
ｓをピンチオフ電圧に設定することが可能になるので、
その製造性を高めることができる。
しかも振幅可変回路や比較手段を使用することにより、
そのレーザダイオードの出力パワーを自動制御すること
ができる。
そのレーザダイオードの出力パワーを自動制御すること
ができる。
第１図は本発明の原理図、
第２図は本発明の一実施例、
第３図は本発明の動作説明図、
第４図は実施例の自動パワー制御方式、第５図は温度変
化時の動作説明図、 第６図は従来例を示す。 ｌ・・・−レーザダイオード ２．３・・・・−ＦＥＴ ４・−・クランプ回
路１０・・・・・レーザダイオード部 １１・・・−レーザダイオード １２・−・−・アバランシェ・フォト・ダイオード１３
．１４・−・・・ＦＥＴ １５・−クランプ回路１
６．１７−・・−ローパス・フィルタ１８−一一一一振
幅可変回路
化時の動作説明図、 第６図は従来例を示す。 ｌ・・・−レーザダイオード ２．３・・・・−ＦＥＴ ４・−・クランプ回
路１０・・・・・レーザダイオード部 １１・・・−レーザダイオード １２・−・−・アバランシェ・フォト・ダイオード１３
．１４・−・・・ＦＥＴ １５・−クランプ回路１
６．１７−・・−ローパス・フィルタ１８−一一一一振
幅可変回路
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 レーザダイオードを電界効果トランジスタでスイッチン
グ駆動するレーザダイオード駆動回路において、 前記電界効果トランジスタの制御信号入力側にクランプ
回路（４）を設けたことを特徴とするレーザダイオード
駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14130885A JPS622580A (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14130885A JPS622580A (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS622580A true JPS622580A (ja) | 1987-01-08 |
| JPH0149026B2 JPH0149026B2 (ja) | 1989-10-23 |
Family
ID=15288870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14130885A Granted JPS622580A (ja) | 1985-06-27 | 1985-06-27 | レ−ザダイオ−ド駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS622580A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63200118A (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-18 | Nec Corp | 光制御回路 |
| JPH01243487A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-28 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ駆動回路 |
| JPH04111774U (ja) * | 1991-03-14 | 1992-09-29 | 日本電気株式会社 | レーザダイオード自動パワー制御回路 |
| EP3993185A4 (en) * | 2019-08-09 | 2023-08-23 | OMRON Corporation | DRIVER CIRCUIT |
-
1985
- 1985-06-27 JP JP14130885A patent/JPS622580A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63200118A (ja) * | 1987-02-17 | 1988-08-18 | Nec Corp | 光制御回路 |
| JPH01243487A (ja) * | 1988-03-25 | 1989-09-28 | Hitachi Ltd | 半導体レーザ駆動回路 |
| JPH04111774U (ja) * | 1991-03-14 | 1992-09-29 | 日本電気株式会社 | レーザダイオード自動パワー制御回路 |
| EP3993185A4 (en) * | 2019-08-09 | 2023-08-23 | OMRON Corporation | DRIVER CIRCUIT |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0149026B2 (ja) | 1989-10-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| AU596297B2 (en) | Pulse amplifier suitable for use in a semiconductor laser driving device | |
| US5319265A (en) | Comparator with hysteresis | |
| US4412331A (en) | Feedback circuit for controlling the peak optical output power of an injection laser | |
| US5285148A (en) | Current-regulating circuit having parallel control paths | |
| JPH04372212A (ja) | 増幅回路およびオーディオ信号増幅回路 | |
| CN112436719B (zh) | 一种pwm恒流双反馈激光器驱动电路 | |
| US6713991B1 (en) | Bipolar shunt regulator | |
| KR20050077789A (ko) | 레이저 다이오드의 구동 회로 | |
| US5034700A (en) | Integratable amplifier circuit | |
| JPS622580A (ja) | レ−ザダイオ−ド駆動回路 | |
| NL8403819A (nl) | Schakelinrichting voor het onderdrukken van een signaal. | |
| US4345215A (en) | Audio frequency power amplifier circuit | |
| JPH0661555A (ja) | レーザダイオード駆動回路 | |
| JP2669726B2 (ja) | 電圧電流変換器 | |
| JPH0580843B2 (ja) | ||
| JP2002290168A (ja) | 光受信器 | |
| CN112769036B (zh) | 电压负反馈激光器驱动电路及控制方法 | |
| JPH084168B2 (ja) | 光半導体素子駆動回路 | |
| JPH1098896A (ja) | コイル負荷駆動回路 | |
| JP2944337B2 (ja) | レベル変換回路 | |
| JPS61198934A (ja) | 光送信器 | |
| JPH0213709A (ja) | 燃焼制御装置 | |
| JP2002165435A (ja) | 電圧駆動型半導体素子のゲート駆動回路 | |
| JPH05211364A (ja) | レーザダイオードの光出力制御回路 | |
| SU915233A1 (ru) | Импульсный усилитель 1 |