JPH04107822A - プラズマエッチング装置 - Google Patents
プラズマエッチング装置Info
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- JPH04107822A JPH04107822A JP22618690A JP22618690A JPH04107822A JP H04107822 A JPH04107822 A JP H04107822A JP 22618690 A JP22618690 A JP 22618690A JP 22618690 A JP22618690 A JP 22618690A JP H04107822 A JPH04107822 A JP H04107822A
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- Japan
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- wafer
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- plasma etching
- hole
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- Pending
Links
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- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 11
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置製造工程に使用されるウェーハの
表面を微細加工するプラズマエツチング装置に関し、特
にフェースダウン方式を採用しているプラズマエツチン
グ装置に関するものである。
表面を微細加工するプラズマエツチング装置に関し、特
にフェースダウン方式を採用しているプラズマエツチン
グ装置に関するものである。
従来、この種のプラズマエツチング装置は、平行平板電
極にウェーハよりも少し小さな孔を開け、この孔に合わ
せてウェーハ表面を下向きに設置するフェースダウン方
式が採用されることが一般的であった。
極にウェーハよりも少し小さな孔を開け、この孔に合わ
せてウェーハ表面を下向きに設置するフェースダウン方
式が採用されることが一般的であった。
第２図は、従来のフェースダウン方式を採用しているプ
ラズマエラ２チング装置の一例を説明するための電極構
造を示す断面図である。このプラズマエツチング装置は
、同図に示すように、支持平板２にウェーハ１よりも−
回り小さな孔３を開け、この孔３の口縁にウェーハ１を
下に向けて保持し、ヒーター（図示省略）で加熱し、電
極板６と支持平板２との間に高周波電圧を印加し、材料
ガスを導入してプラズマ化し、ウェーハ１表面のエツチ
ング微細加工を行なっていた。
ラズマエラ２チング装置の一例を説明するための電極構
造を示す断面図である。このプラズマエツチング装置は
、同図に示すように、支持平板２にウェーハ１よりも−
回り小さな孔３を開け、この孔３の口縁にウェーハ１を
下に向けて保持し、ヒーター（図示省略）で加熱し、電
極板６と支持平板２との間に高周波電圧を印加し、材料
ガスを導入してプラズマ化し、ウェーハ１表面のエツチ
ング微細加工を行なっていた。
上述した従来のプラズマエツチング装置は、材料ガスの
励起を、高周波電圧によるプラズマ化によって達成して
いるが、電極間のインピーダンスの大小によってプラズ
マ密度が変化することが一般的に知られている。一方、
ウェーハと下部電極との閘のインピーダンスは、上部電
極とウェーハとの間のコンタクトをウェーハ表面周辺で
行っているため、ウェーハ表面状態によって変化し、結
果としてプラズマ密度も変化するなめ、エツチング速度
が安定しない。例えば、ウェーハ表面に酸化膜が有る場
合と、金属、ポリシリコンが有る場合とでは、コンタク
ト部の抵抗値が大きく異なるため、両者のエツチング速
度が大きく異なる。
励起を、高周波電圧によるプラズマ化によって達成して
いるが、電極間のインピーダンスの大小によってプラズ
マ密度が変化することが一般的に知られている。一方、
ウェーハと下部電極との閘のインピーダンスは、上部電
極とウェーハとの間のコンタクトをウェーハ表面周辺で
行っているため、ウェーハ表面状態によって変化し、結
果としてプラズマ密度も変化するなめ、エツチング速度
が安定しない。例えば、ウェーハ表面に酸化膜が有る場
合と、金属、ポリシリコンが有る場合とでは、コンタク
ト部の抵抗値が大きく異なるため、両者のエツチング速
度が大きく異なる。
これらのことから、従来のプラズマエツチング装置にお
いては、ウェーハの表面状態に応じて成膜条件を変えて
やらなければならず、品種の多い製造ラインなどでは、
作業ミス等による歩留まり低下を引き起こすといった大
きな欠点を有していた。
いては、ウェーハの表面状態に応じて成膜条件を変えて
やらなければならず、品種の多い製造ラインなどでは、
作業ミス等による歩留まり低下を引き起こすといった大
きな欠点を有していた。
本発明の目的は、前記問題点を解消するプラズマエツチ
ング装置を提供することにある。
ング装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のプラズマエツチング装置は、ウェーハの一主面
を露呈する孔を有するとともに前記ウェーハを載置する
第１の電極平板と、前記ウェーハの露呈される側に平行
に配置される第２のｔ衡平板とを有するプラズマエツチ
ング装置において、前記第１の平板電極の孔周縁部に後
端部を回転軸を介して取り付けられているとともにその
先端部が前記ウェーハの周縁部を嵌入する７字型状の保
持部材を備え構成される。
を露呈する孔を有するとともに前記ウェーハを載置する
第１の電極平板と、前記ウェーハの露呈される側に平行
に配置される第２のｔ衡平板とを有するプラズマエツチ
ング装置において、前記第１の平板電極の孔周縁部に後
端部を回転軸を介して取り付けられているとともにその
先端部が前記ウェーハの周縁部を嵌入する７字型状の保
持部材を備え構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示すプラズマエツチング装
置における電極構造を示す断面図である。このプラズマ
エツチング装置は、同図に示すように、ウェーハ１の周
縁部を一端側に嵌入する７字状の導電性の保持部材５を
設けたことである。そしてこの保持部材５の他端を回転
軸４を介して支持平板２の孔３の周縁部に回転自在に取
り付けたことである。それ以外は従来と同様である。
置における電極構造を示す断面図である。このプラズマ
エツチング装置は、同図に示すように、ウェーハ１の周
縁部を一端側に嵌入する７字状の導電性の保持部材５を
設けたことである。そしてこの保持部材５の他端を回転
軸４を介して支持平板２の孔３の周縁部に回転自在に取
り付けたことである。それ以外は従来と同様である。
このプラズマエツチング装置を使用して、ウェーハをエ
ツチングする際は、まず、支持平板２に取り付けられて
いる保持部材５を、点線で示すように、保持部材５の嵌
入側の一辺が支持平板２と垂直になるように立てる。次
に、保持部材５の嵌入側の他の辺にウェーハ１を乗せる
０次に、保持部材５を回転軸４を中心にして回転させる
。このことにより、ウェーハ１の両側にある保持部材５
の嵌入側の底部でウェーハ１の周縁部を互いに押し合い
、保持部材５のもつ弾性力でウェーハ１を保持する。次
に、平板電極間に高周波電圧を印加し、プラズマエツチ
ングを行なう。
ツチングする際は、まず、支持平板２に取り付けられて
いる保持部材５を、点線で示すように、保持部材５の嵌
入側の一辺が支持平板２と垂直になるように立てる。次
に、保持部材５の嵌入側の他の辺にウェーハ１を乗せる
０次に、保持部材５を回転軸４を中心にして回転させる
。このことにより、ウェーハ１の両側にある保持部材５
の嵌入側の底部でウェーハ１の周縁部を互いに押し合い
、保持部材５のもつ弾性力でウェーハ１を保持する。次
に、平板電極間に高周波電圧を印加し、プラズマエツチ
ングを行なう。
なお、この保持部材５は、導電性があって、ばね性のあ
る材料で製作される。また、ウェーハは脆性材料である
ので、図面には示さないが、ばね圧を小さくするために
、保持部材の回転軸穴と嵌入側の底部との間に、湾曲さ
せた板ばね構造としても良い。さらに、回転軸を支持平
板の板厚内でなく、対電極板と反対側方向に突出部を設
け、その突出部に回転軸を設けても良い。
る材料で製作される。また、ウェーハは脆性材料である
ので、図面には示さないが、ばね圧を小さくするために
、保持部材の回転軸穴と嵌入側の底部との間に、湾曲さ
せた板ばね構造としても良い。さらに、回転軸を支持平
板の板厚内でなく、対電極板と反対側方向に突出部を設
け、その突出部に回転軸を設けても良い。
二のように、ウェーハを一定の圧力で保持することによ
り、一定の電気接触抵抗が得られ、加工が均一に出来る
ようになった。
り、一定の電気接触抵抗が得られ、加工が均一に出来る
ようになった。
以上説明したように本発明は、ウェーハの一主面を露呈
させて、載置するｔ極板に、ウェーハの周縁部を嵌入す
るとともによって、前記電極板とのウェーハとの接触抵
抗を一定にすることが出来るので、加工条件を変えるこ
となく、安定した加工が出来るプラズマエツチング装置
が得られるという効果がある。
させて、載置するｔ極板に、ウェーハの周縁部を嵌入す
るとともによって、前記電極板とのウェーハとの接触抵
抗を一定にすることが出来るので、加工条件を変えるこ
となく、安定した加工が出来るプラズマエツチング装置
が得られるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示すプラズマエツチング装
置におけるｔｉ構造を示す断面図、第２図は従来のプラ
ズマエツチング装置における電極構造の一例を示す断面
図である。 １・・・ウェーハ ２・・・支持平板、 ３・・・孔、 ４・・・回 転軸、 ５・・・保持部材。
置におけるｔｉ構造を示す断面図、第２図は従来のプラ
ズマエツチング装置における電極構造の一例を示す断面
図である。 １・・・ウェーハ ２・・・支持平板、 ３・・・孔、 ４・・・回 転軸、 ５・・・保持部材。
Claims (1)
- ウェーハの一主面を露呈する孔を有するとともに前記
ウェーハを載置する第１の電極平板と、前記ウェーハの
露呈される側に平行に配置される第２の電極平板とを有
するプラズマエッチング装置において、前記第１の平板
電極の孔周縁部に後端部を回転軸を介して取り付けられ
ているとともにその先端部が前記ウェーハの周縁部を嵌
入するＶ字型状の保持部材を備えていることを特徴とす
るプラズマエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22618690A JPH04107822A (ja) | 1990-08-28 | 1990-08-28 | プラズマエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22618690A JPH04107822A (ja) | 1990-08-28 | 1990-08-28 | プラズマエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04107822A true JPH04107822A (ja) | 1992-04-09 |
Family
ID=16841239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22618690A Pending JPH04107822A (ja) | 1990-08-28 | 1990-08-28 | プラズマエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04107822A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5534110A (en) * | 1993-07-30 | 1996-07-09 | Lam Research Corporation | Shadow clamp |
| KR100648401B1 (ko) * | 2004-10-13 | 2006-11-24 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 플라즈마 처리장치 |
-
1990
- 1990-08-28 JP JP22618690A patent/JPH04107822A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5534110A (en) * | 1993-07-30 | 1996-07-09 | Lam Research Corporation | Shadow clamp |
| US5656122A (en) * | 1993-07-30 | 1997-08-12 | Lam Research Corporation | Shadow clamp |
| KR100648401B1 (ko) * | 2004-10-13 | 2006-11-24 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | 플라즈마 처리장치 |
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