JPS5993873A - 基板とマスクの間隙設定方法と装置 - Google Patents
基板とマスクの間隙設定方法と装置Info
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- JPS5993873A JPS5993873A JP20193282A JP20193282A JPS5993873A JP S5993873 A JPS5993873 A JP S5993873A JP 20193282 A JP20193282 A JP 20193282A JP 20193282 A JP20193282 A JP 20193282A JP S5993873 A JPS5993873 A JP S5993873A
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、遮蔽マスクを用いて基板に薄膜パターンを形
成するに際し、上記遮蔽マスクと基板とを平行に位置決
めした後、所定間隙を設定する基板とマスクの間隙設定
方法と装置に関する０ 〔従来技術〕 第１図に示す如く、基板４に薄膜パターンを形成するに
は、真空容器１内に基板４を水平保持し、その下方側に
相対向して遮蔽マスク３ａを並設し、蒸発物２を蒸発せ
しめる方法が従来より一般に行イっれている。この場合
、基板４と遮蔽マスク３ａの間隙を正しく、かつ平行に
保持しないとパターンの大きさがばらつき、一様のもの
が得られない。しかし、従来技術では、もっばら、基板
４および遮蔽マスク３ａを保持する部分の機械的精度に
依存していたため、厳密の間隙設定が不充分になると共
に、蒸着条件を変更したりした際に容易に対応し得ない
欠点があっノこ。
成するに際し、上記遮蔽マスクと基板とを平行に位置決
めした後、所定間隙を設定する基板とマスクの間隙設定
方法と装置に関する０ 〔従来技術〕 第１図に示す如く、基板４に薄膜パターンを形成するに
は、真空容器１内に基板４を水平保持し、その下方側に
相対向して遮蔽マスク３ａを並設し、蒸発物２を蒸発せ
しめる方法が従来より一般に行イっれている。この場合
、基板４と遮蔽マスク３ａの間隙を正しく、かつ平行に
保持しないとパターンの大きさがばらつき、一様のもの
が得られない。しかし、従来技術では、もっばら、基板
４および遮蔽マスク３ａを保持する部分の機械的精度に
依存していたため、厳密の間隙設定が不充分になると共
に、蒸着条件を変更したりした際に容易に対応し得ない
欠点があっノこ。
すなわち、従来一般に採用されている真空蒸着装置は、
真空容器１と、真空容器マ内に水平突起して形成された
マスク構造体支持板７と、マスク構造体支持板７上に載
置された基板保持板６と、基板保持板６に水平保持され
る基板４と、基板４の下方側辺相対向し、マスク構造体
支持板７に取着するマスク構造体６に水平保持されるパ
ターン用の遮蔽マスク３ａと、基板４の上方側にあって
、これを加熱する加熱手段５と、遮蔽マスク３ａの下方
側に設けられた蒸発物２と、真空容器１内に連通ずる排
気ポンプ８等とより構成される。
真空容器１と、真空容器マ内に水平突起して形成された
マスク構造体支持板７と、マスク構造体支持板７上に載
置された基板保持板６と、基板保持板６に水平保持され
る基板４と、基板４の下方側辺相対向し、マスク構造体
支持板７に取着するマスク構造体６に水平保持されるパ
ターン用の遮蔽マスク３ａと、基板４の上方側にあって
、これを加熱する加熱手段５と、遮蔽マスク３ａの下方
側に設けられた蒸発物２と、真空容器１内に連通ずる排
気ポンプ８等とより構成される。
上記の真空蒸着装置を用いて基板４に薄膜パターンを形
成する場合、遮蔽マスク３ａと基板４との間隙は厳密に
所定値に平行保持させなければならない。間隙保持が不
充分の場合には、形成したパターンの大きさが非常にば
らつき 一様のものを得ることができない。更ζこ、蒸
着条件、例えば真空度、蒸発物２の蒸発速度等を変更し
たり、あるいは、蒸発材料を換えた場合には、これ等に
最適な上記間隙を設定することが必要のため、基板４と
遮蔽マスク３ａｒＶＪは可変のものであることが必要で
ある。
成する場合、遮蔽マスク３ａと基板４との間隙は厳密に
所定値に平行保持させなければならない。間隙保持が不
充分の場合には、形成したパターンの大きさが非常にば
らつき 一様のものを得ることができない。更ζこ、蒸
着条件、例えば真空度、蒸発物２の蒸発速度等を変更し
たり、あるいは、蒸発材料を換えた場合には、これ等に
最適な上記間隙を設定することが必要のため、基板４と
遮蔽マスク３ａｒＶＪは可変のものであることが必要で
ある。
しかしながら、図に明らかの如く、基板４と遮蔽マスク
６ａとの間隙は、基板保持板６およびマスク構造体保持
板７等の機械的位置関係により一定値に固定されると共
に、基板４およびマスク構造体６の基板保持板６および
マスク構造体保持板７への載置の仕方、基板４等の加工
上のばらつき等により数ミクロンないし数十ミクロンの
ばらつきが生ずる。従って、上記間隙を可変に設定し得
ないと共に、基板４と遮蔽マスク３ａとを所定値に、か
つ平行に厳密保持することができない欠点を有していた
。このため、上記の如く、基板４に形成されたパターン
の大きさがばらつき、従って、必要とされる特性が得ら
れず、製品の歩留りが低下する欠点が有り、更に、蒸着
条件等の変更に即応できないため、作業効率を向上し得
ない欠点が有った。
６ａとの間隙は、基板保持板６およびマスク構造体保持
板７等の機械的位置関係により一定値に固定されると共
に、基板４およびマスク構造体６の基板保持板６および
マスク構造体保持板７への載置の仕方、基板４等の加工
上のばらつき等により数ミクロンないし数十ミクロンの
ばらつきが生ずる。従って、上記間隙を可変に設定し得
ないと共に、基板４と遮蔽マスク３ａとを所定値に、か
つ平行に厳密保持することができない欠点を有していた
。このため、上記の如く、基板４に形成されたパターン
の大きさがばらつき、従って、必要とされる特性が得ら
れず、製品の歩留りが低下する欠点が有り、更に、蒸着
条件等の変更に即応できないため、作業効率を向上し得
ない欠点が有った。
本発明は、上記の欠点等を解決するもので、その目的は
、基板とマスクとの間隙を正確に設定すると共に、蒸着
条件、蒸発材料等の変更に即応でき、製品の歩留向上と
作業効率を向上し得る基板とマスクの間隙設定方法と装
置を提供することにある。
、基板とマスクとの間隙を正確に設定すると共に、蒸着
条件、蒸発材料等の変更に即応でき、製品の歩留向上と
作業効率を向上し得る基板とマスクの間隙設定方法と装
置を提供することにある。
本発明は、上記の目的を達成するために、基板のマスク
側の周辺部に、適宜の層間隔を距で、少くとも３ケ所以
上の導電性薄膜を設けると共に、該導電性薄膜と対応す
る上記マスク側に、上記基板とマスクとの間隔を遠近さ
せる駆動手段を係合せしめ、上記マスクを移動して上記
導電性薄膜と接触させ、検知手段によりこれを検知して
、上記基板とマスクとを平行に位置決めした後、上記検
知手段および駆動手段に係合する制御装置により、上記
マスクを上記基板から離間する向きに平行移動し、上記
基板とマスクとの間隙を所定値に設定保持するようにし
た基板とマスクの間隙設定方法と装置を特徴としたもの
である。
側の周辺部に、適宜の層間隔を距で、少くとも３ケ所以
上の導電性薄膜を設けると共に、該導電性薄膜と対応す
る上記マスク側に、上記基板とマスクとの間隔を遠近さ
せる駆動手段を係合せしめ、上記マスクを移動して上記
導電性薄膜と接触させ、検知手段によりこれを検知して
、上記基板とマスクとを平行に位置決めした後、上記検
知手段および駆動手段に係合する制御装置により、上記
マスクを上記基板から離間する向きに平行移動し、上記
基板とマスクとの間隙を所定値に設定保持するようにし
た基板とマスクの間隙設定方法と装置を特徴としたもの
である。
以下、本発明の一実施例を図に基づき説明する。
まず、実施例を第２図、第６図、第７図および第８図に
より説明する。
より説明する。
第２図および第６図に示す如く、基板４の下方（遮蔽マ
スク３ａ側）の周辺部の円周を６等分する位置には、そ
れぞれ導電性薄膜４ａ、 ４ｂ、 ４ｃが一般の真空蒸
着法等により数十ないし数百Ｘの均一厚みに取着される
。
スク３ａ側）の周辺部の円周を６等分する位置には、そ
れぞれ導電性薄膜４ａ、 ４ｂ、 ４ｃが一般の真空蒸
着法等により数十ないし数百Ｘの均一厚みに取着される
。
第７図に示す如く、導電性薄膜４ａ等を取着した基板４
は、導電性薄膜４ａ等に係止する導電材料からなる基板
保持爪９ａ、 ９ｂ、 ９ｃにより、絶縁リング１０を
介在して真空容器１に水平保持される。基板４の下方側
には、マスク構造体載置台２１に載置された遮蔽マスク
３ａが相対向して設けられている。又、導電性薄膜９ａ
等と対応するマスク構造体載置台２１の位置には、同一
構造の移動手段６８が設けられている。
は、導電性薄膜４ａ等に係止する導電材料からなる基板
保持爪９ａ、 ９ｂ、 ９ｃにより、絶縁リング１０を
介在して真空容器１に水平保持される。基板４の下方側
には、マスク構造体載置台２１に載置された遮蔽マスク
３ａが相対向して設けられている。又、導電性薄膜９ａ
等と対応するマスク構造体載置台２１の位置には、同一
構造の移動手段６８が設けられている。
移動手段３８は、マスク構造体載置台２１の外方側の導
電性薄膜９ａ等と対応する位置ζこ設けられり同一回転
０− ラ２０ａ 、 ２０ｂ 、 ２Ｃ１ｃと、コ
ノ回転ローラ２０ａ等に傾斜面を当接させる同一の斜面
プ０ツク２６ａ 、 ２６ｂ 、 ２６ｃ 、と、コノ
斜面ブロック２６ａ等を傾斜方向に移動させる同一の制
御モータ３＋ａ 、 ３３ｂ 、 ３３ｃ等とから構成
される。
電性薄膜９ａ等と対応する位置ζこ設けられり同一回転
０− ラ２０ａ 、 ２０ｂ 、 ２Ｃ１ｃと、コ
ノ回転ローラ２０ａ等に傾斜面を当接させる同一の斜面
プ０ツク２６ａ 、 ２６ｂ 、 ２６ｃ 、と、コノ
斜面ブロック２６ａ等を傾斜方向に移動させる同一の制
御モータ３＋ａ 、 ３３ｂ 、 ３３ｃ等とから構成
される。
検知手段６９は、マスク構造体載置台２１に接続する電
流導入端子Ｂ２５と、基板保持爪９ａ、９ｂ。
流導入端子Ｂ２５と、基板保持爪９ａ、９ｂ。
９Ｃに接続する電流導入端子Ａ１５ａ１１５ｂ、 １５
ｃと、これ等に接続する接触検知器３５ａ １３５ｂ
Ｘ３５Ｃ（第８図に示す）等とから構成される。
ｃと、これ等に接続する接触検知器３５ａ １３５ｂ
Ｘ３５Ｃ（第８図に示す）等とから構成される。
制御装置３６（第８図に示す）は、検出手段６９の接触
検知器３５ａ等と、駆動手段３８の制御モータ３３ａ等
とに接続し、検出手段３９の検知信号によって制御モー
タ５３ａ等を動作する。又、制御装置６６には間隙設定
器６７が設けられ、設定すべき間隙値を指示し、制御モ
ータ３３ａ等を制御するようになっている。
検知器３５ａ等と、駆動手段３８の制御モータ３３ａ等
とに接続し、検出手段３９の検知信号によって制御モー
タ５３ａ等を動作する。又、制御装置６６には間隙設定
器６７が設けられ、設定すべき間隙値を指示し、制御モ
ータ３３ａ等を制御するようになっている。
以上の構成により、まづ、駆動手段６８により遮蔽マス
ク３ａを移動させ、遮蔽マスク３ａと導電性薄膜４３等
との接触を検知手段３９により検知し、この検知信号に
より、制御モータ３３ａ等を停止させて、基板４と遮蔽
マスク３ａを平行に位置決めした後、制御装置６６によ
り制御モータ３３ａ等を同時に作動し、設定値だけ遮蔽
マスク６ａを平行移動することにより、所定の間隙を設
定することができる。
ク３ａを移動させ、遮蔽マスク３ａと導電性薄膜４３等
との接触を検知手段３９により検知し、この検知信号に
より、制御モータ３３ａ等を停止させて、基板４と遮蔽
マスク３ａを平行に位置決めした後、制御装置６６によ
り制御モータ３３ａ等を同時に作動し、設定値だけ遮蔽
マスク６ａを平行移動することにより、所定の間隙を設
定することができる。
次に、本実施例を更に詳しく説明する。
第２図および第６図に示す如く、基板４の周辺部には、
研削加工等により段差が形成され、上記周辺部には、上
記段差に沿うと共に基板４の下面に沿って取着する導電
性薄膜４ａ、 ４ｂ、 ４ｃが円周を３等分する位置に
設けられている。導均−厚の極薄膜であり、基板４に一
般の真空蒸着法、メッキ法などの薄膜形成手法により形
成される。
研削加工等により段差が形成され、上記周辺部には、上
記段差に沿うと共に基板４の下面に沿って取着する導電
性薄膜４ａ、 ４ｂ、 ４ｃが円周を３等分する位置に
設けられている。導均−厚の極薄膜であり、基板４に一
般の真空蒸着法、メッキ法などの薄膜形成手法により形
成される。
第４図および第５図に示す如く、マスク構造体６は、多
数のパターン穴を貫通形成するモリブデンＭＯ又はステ
ンレス鋼５ｖＳ３０４等の金属からなる遮蔽マスク６ａ
と、この周縁部を支承する中空リング６ｂと、中空リン
グ３ｂと共に遮蔽マスクろａを挟持するプレート３ｄと
、プレート３ｄを中空リング３ｂに固定するボルト６ｃ
およびそのロケーションピン３ｅとから形成される。
数のパターン穴を貫通形成するモリブデンＭＯ又はステ
ンレス鋼５ｖＳ３０４等の金属からなる遮蔽マスク６ａ
と、この周縁部を支承する中空リング６ｂと、中空リン
グ３ｂと共に遮蔽マスクろａを挟持するプレート３ｄと
、プレート３ｄを中空リング３ｂに固定するボルト６ｃ
およびそのロケーションピン３ｅとから形成される。
次に、第７図に示す如く、真空容器１の内側には絶縁リ
ング支持部１ａが水平に突出形成され、該絶縁リング支
持部１ａには、セラミック等の絶縁材料からなるリング
状の絶縁リング１ｏの外周側が載置される。絶縁リング
１ｏの内周側には、その６等分位置に導電材料からなる
基板保持爪９ａ、 ９ｂ、 ９ｃの一端側がビス１１に
より固定される。又基板保持爪９３等の他端側は、基板
４の周辺部に取着する導電性薄膜４ａ等の上記段差部に
係合し基板４を水平に載置する。
ング支持部１ａが水平に突出形成され、該絶縁リング支
持部１ａには、セラミック等の絶縁材料からなるリング
状の絶縁リング１ｏの外周側が載置される。絶縁リング
１ｏの内周側には、その６等分位置に導電材料からなる
基板保持爪９ａ、 ９ｂ、 ９ｃの一端側がビス１１に
より固定される。又基板保持爪９３等の他端側は、基板
４の周辺部に取着する導電性薄膜４ａ等の上記段差部に
係合し基板４を水平に載置する。
マスク構造体３は、後に説明する移動手段３８に支持さ
れたマスク構造体載置台２１の上面側に支持され、遮蔽
マスク３ａを基板４の下方側に、これに相対向せしめて
水平に位置決めする。
れたマスク構造体載置台２１の上面側に支持され、遮蔽
マスク３ａを基板４の下方側に、これに相対向せしめて
水平に位置決めする。
移動手段６８の同一の形状の斜面ブロック２６ａ１２６
ｂ 、 ２６ｃは、基板４の導電性薄膜４ａ１４ｂ１４
ｃと対応する位置に設けられ、その上面側に傾斜面を形
成すると共に、下面側は真空容器１の底内面にニードル
２７により転勤支持される。なお、斜面ブロック２６２
等は上記ニードル２７により傾斜面方向に転勤可能であ
るが、図示しない手段により、転勤方向に直交する向き
の回動が拘束される。
ｂ 、 ２６ｃは、基板４の導電性薄膜４ａ１４ｂ１４
ｃと対応する位置に設けられ、その上面側に傾斜面を形
成すると共に、下面側は真空容器１の底内面にニードル
２７により転勤支持される。なお、斜面ブロック２６２
等は上記ニードル２７により傾斜面方向に転勤可能であ
るが、図示しない手段により、転勤方向に直交する向き
の回動が拘束される。
従って斜面ブロック２６ａは、これに螺合する後記のロ
ッド２９の回転により、転勤方向にのみ移動する。
ッド２９の回転により、転勤方向にのみ移動する。
斜面ブロック２６ａ等の上記傾斜面には、マスク構造体
載置台２１の外方側に枢着された同一形状回転ローラ２
０ａ 、 ２０ｂ 、 ２０ｃが係合し、マスク構造体
載置台２１を水平に保持する。又、斜面ブロック２６ａ
等の転勤方向の一端側には、真空容器１の壁面を貫通し
て外方側に延出する上記ロッド２ンの一端側が螺合して
いる。なお、ロッド２９と、真空容器１の上記壁面間に
はＯリングＢ ２８が挿設され、気密保持をしている。
載置台２１の外方側に枢着された同一形状回転ローラ２
０ａ 、 ２０ｂ 、 ２０ｃが係合し、マスク構造体
載置台２１を水平に保持する。又、斜面ブロック２６ａ
等の転勤方向の一端側には、真空容器１の壁面を貫通し
て外方側に延出する上記ロッド２ンの一端側が螺合して
いる。なお、ロッド２９と、真空容器１の上記壁面間に
はＯリングＢ ２８が挿設され、気密保持をしている。
ロッド２９の延出端側は、真空容器１の固定側に取付け
られたプレート６０に枢支されると共に、歯車Ａ６１の
軸に連結する。又、歯車穴６１は同一の制御モータ３３
ａ 、 ３３ｂ 、 ３３ｃの歯車Ｂ３２と噛合する。
られたプレート６０に枢支されると共に、歯車Ａ６１の
軸に連結する。又、歯車穴６１は同一の制御モータ３３
ａ 、 ３３ｂ 、 ３３ｃの歯車Ｂ３２と噛合する。
なお、制御モータ５３ａ等も真空容器１の固定側に取付
けられた支持ブラケット５４に支承される。
けられた支持ブラケット５４に支承される。
又、回転ロー２２０ａ等の上方側には、上下方向にのみ
移動可能な同一の板バネ２０ｄ、 ２０ｅ、 ２Ｏｆが
設けられ、この板バネ２０ｄ等の一端側は、回転ロー２
２０ａ等に尚接すると共に、他端側は真空容器１の内周
側に固定される。
移動可能な同一の板バネ２０ｄ、 ２０ｅ、 ２Ｏｆが
設けられ、この板バネ２０ｄ等の一端側は、回転ロー２
２０ａ等に尚接すると共に、他端側は真空容器１の内周
側に固定される。
次に、検知手段６９を説明する。
基板保持爪９ａ、 ９ｂ、 ９ｃには、各々電気ターミ
ナルＡ Ｉ２ａ Ｊ１２ｂ、１２ｃが取付けられ、電気
ターミナルＡ１２ａ等にはリード線Ａ １３ａ 、
１３ｂ １１３ｃが接続されている。一方、真空容器１
の壁面には、これを貫通する電流導入端子Ａ１５ａ。
ナルＡ Ｉ２ａ Ｊ１２ｂ、１２ｃが取付けられ、電気
ターミナルＡ１２ａ等にはリード線Ａ １３ａ 、
１３ｂ １１３ｃが接続されている。一方、真空容器１
の壁面には、これを貫通する電流導入端子Ａ１５ａ。
１５ｂ１１５Ｃが基板保持爪９ａ、９ｂ、９ｃに対応し
て設けられている。電流導入端子Ａ１５３等は、真空容
器１の壁面にＯリングＡＩ４を介し気密保持されるフラ
ンジＡ１８と、このフランジ１８の内周側にエポキシ系
接着剤等で気密保持されて固着する。例えばセラミック
等の絶縁材料から構成される絶縁ブツシュ１７と、絶縁
ブツシュ１７の内周側に、同じくエポキシ系接着剤で気
密保持されると共に、その両端側を真空容器１の内外に
突出させて設けられ、銅の如き導電材料から形成される
ターミナル棒Ａ１６とから構成される。
て設けられている。電流導入端子Ａ１５３等は、真空容
器１の壁面にＯリングＡＩ４を介し気密保持されるフラ
ンジＡ１８と、このフランジ１８の内周側にエポキシ系
接着剤等で気密保持されて固着する。例えばセラミック
等の絶縁材料から構成される絶縁ブツシュ１７と、絶縁
ブツシュ１７の内周側に、同じくエポキシ系接着剤で気
密保持されると共に、その両端側を真空容器１の内外に
突出させて設けられ、銅の如き導電材料から形成される
ターミナル棒Ａ１６とから構成される。
そして、ターミナル棒Ａ１６の一端側にはリード線Ａ
１３３等が接続している。一方、マスク構造体載置台２
１に取付けられた電気ターミナルＢ２２にはリード線Ｂ
２３が接続し、リード線Ｂ２３は真空容器１の壁面に、
これを貫通して挿設された電流導入端子Ｂ２５のターミ
ナル棒Ｂ２４の一端側と接続している。なお、電流導入
端子Ｂ２５は、電流導入端子Ａ１６と同様の構成を有す
る。ターミナル棒Ａ１６とターミナル棒Ｂ２４の他端側
は第８図に示す接触検知器３５ａ 、 ３５ｂ １３５
ＣＩｃ接続している。
１３３等が接続している。一方、マスク構造体載置台２
１に取付けられた電気ターミナルＢ２２にはリード線Ｂ
２３が接続し、リード線Ｂ２３は真空容器１の壁面に、
これを貫通して挿設された電流導入端子Ｂ２５のターミ
ナル棒Ｂ２４の一端側と接続している。なお、電流導入
端子Ｂ２５は、電流導入端子Ａ１６と同様の構成を有す
る。ターミナル棒Ａ１６とターミナル棒Ｂ２４の他端側
は第８図に示す接触検知器３５ａ 、 ３５ｂ １３５
ＣＩｃ接続している。
制御装置３６は、上記した如く、接触検知器３５ａ３５
ｂ 、 ５５ｃのそれぞれと接続すると共に、駆動手段
の制御モータ３３ａ 、 ５３ｂ 、 ３３ｃと接続
し、接触検知器３５ａ等の検出信号を入力し、制御モ。
ｂ 、 ５５ｃのそれぞれと接続すると共に、駆動手段
の制御モータ３３ａ 、 ５３ｂ 、 ３３ｃと接続
し、接触検知器３５ａ等の検出信号を入力し、制御モ。
−タ３３ａ等を動作する。又、制御装置３６には例えば
デジタルスイッチの如き間隙設定器３７が設けられ、制
御モータ５５ａを制御して、基板４と遮蔽マスク６ａの
間隙を設定制御する。
デジタルスイッチの如き間隙設定器３７が設けられ、制
御モータ５５ａを制御して、基板４と遮蔽マスク６ａの
間隙を設定制御する。
次に、本実施例の作用を第８図の制御ブロックダイヤグ
ラムを用いて説明する。
ラムを用いて説明する。
まず、第７図において、基板４等を取付けた絶縁リング
１０を絶縁リング支持部１ａから取外し、マスク構造体
載置台２１の所定位置に、マスク構造体を載置せしめ、
次に、絶縁リング１０を絶縁リング支持部１ａ上に載置
する。この状態では一１基板４に取着した導電性薄膜４
ａ等と、遮蔽マスク３ａとは間隙を保って位置決めされ
る。
１０を絶縁リング支持部１ａから取外し、マスク構造体
載置台２１の所定位置に、マスク構造体を載置せしめ、
次に、絶縁リング１０を絶縁リング支持部１ａ上に載置
する。この状態では一１基板４に取着した導電性薄膜４
ａ等と、遮蔽マスク３ａとは間隙を保って位置決めされ
る。
次に、まず、マスク構造体載置台２１の下面に設けられ
た移動手段６８の制御モータ３３ａ等の内の１個、例え
ば制御モータ３３ａを回転する。制御モータ６３ａの回
転により、歯車Ｂ３２、歯車Ａ３１を介し、ロッド２９
が回転し、これに螺合する斜面ブロック２６ａが転動す
る。従って、斜面ブロック２６ａの傾斜面により、回転
ローラ２０ａ力耳持ち上げられ、マスク構造体載置台２
１を上昇させる。
た移動手段６８の制御モータ３３ａ等の内の１個、例え
ば制御モータ３３ａを回転する。制御モータ６３ａの回
転により、歯車Ｂ３２、歯車Ａ３１を介し、ロッド２９
が回転し、これに螺合する斜面ブロック２６ａが転動す
る。従って、斜面ブロック２６ａの傾斜面により、回転
ローラ２０ａ力耳持ち上げられ、マスク構造体載置台２
１を上昇させる。
一方、電流導入端子Ａ１５ａおよび電流導入端子Ｂ２５
に接触検知器３５ａより数ミリアンペア程度の微弱電流
を流しておく。マスク構造体載置台２１が上昇し、遮蔽
マスク３ａと導電性薄膜４ａとが接触すると、その瞬間
に基板保持爪９ａから導電性薄膜４ａを通して遮蔽マス
ク６ａとの電気回路が閉じ、接触検知器３５ａは、遮蔽
マスク６ａと基板４とが接触した検出信号を制御装置３
６に送り、制御装置３６は制御モータ３３ａをただちに
停止さぜる。次に、制御モータ３？ｉｂを回転し、斜面
ブロック２６ｂを転勤せしめ、導電性薄膜４ｂと遮蔽・
マスクの接触により上記と同様に検出信号を制・御装置
３６に送り、制御モータｓｓｂを停止する。
に接触検知器３５ａより数ミリアンペア程度の微弱電流
を流しておく。マスク構造体載置台２１が上昇し、遮蔽
マスク３ａと導電性薄膜４ａとが接触すると、その瞬間
に基板保持爪９ａから導電性薄膜４ａを通して遮蔽マス
ク６ａとの電気回路が閉じ、接触検知器３５ａは、遮蔽
マスク６ａと基板４とが接触した検出信号を制御装置３
６に送り、制御装置３６は制御モータ３３ａをただちに
停止さぜる。次に、制御モータ３？ｉｂを回転し、斜面
ブロック２６ｂを転勤せしめ、導電性薄膜４ｂと遮蔽・
マスクの接触により上記と同様に検出信号を制・御装置
３６に送り、制御モータｓｓｂを停止する。
同様のことを制御モータ５５ｃについても行う。
以上の操作により、基板４と遮蔽マスク６ａとは導電性
薄膜４３等の数十Ｘないし数百Ｘの均一の、かつ極薄の
間隙を距でて平行に保持される。
薄膜４３等の数十Ｘないし数百Ｘの均一の、かつ極薄の
間隙を距でて平行に保持される。
次に、間隙設定器６７により予め定めた間隙設定値に相
当する移動命令信号が制御装置３６から各制御モータ３
５ａ 、 ３３ｂ 、 ３３ｃに入力される。
当する移動命令信号が制御装置３６から各制御モータ３
５ａ 、 ３３ｂ 、 ３３ｃに入力される。
これにより、各制御モータ３３ａ等が同時に回転し、上
記間隙設定値に相当する分だけ遮蔽マスク３ａを下方側
に水平移動させる。
記間隙設定値に相当する分だけ遮蔽マスク３ａを下方側
に水平移動させる。
以上により、基板４と遮蔽マスク３ａとの間隙を正確に
保持することができる。
保持することができる。
又、蒸着条件、蒸発材料等が変更しても、制御装置３６
の間隙設定器６７の設定値を変更することにより、容易
に対応することができ作業効率を向上することができる
。
の間隙設定器６７の設定値を変更することにより、容易
に対応することができ作業効率を向上することができる
。
以上の説明によって明らかな如く、本発明によれば、基
板とマスクとの間隙を正確に設定し得ると共に、蒸着条
件、蒸発材料等の変更に即応でき、製品の歩留と作業効
率を向上し得る効果が上げられる。
板とマスクとの間隙を正確に設定し得ると共に、蒸着条
件、蒸発材料等の変更に即応でき、製品の歩留と作業効
率を向上し得る効果が上げられる。
第１図は従来一般に用いられる遮蔽マスクを用いた真空
蒸着装置の機能原理図、第２図は本発明一実施例の基板
の平面図、第３図はその八−Ａ線矢視の断面図、第４図
は本発明一実施例のマスク構成体の平面図、第５図はそ
のＢ−Ｂ線矢視の断面図、第６図は本発明一実施例の第
７図のＣ−Ｃ線矢視の平面図、第７図は第６図のＤ −
１）線矢視の断面図、第８図は本発明実施例の装置を用
いて基板とマスクとの間隙を設定するための制御ブロッ
クダイヤグラムである。 １・・真空容器、１ａ・・・絶縁リング支持部、２・蒸
発物、 ６・・マスク構造体、３ａ・遮蔽
マスク、３ｂ・・・中空リング、６Ｃボルト、
６ｄ・・・プレート、３ｅ ロケーションピン、
４・・基板、４ａ、 ４１）、４ｃ・導電性
薄膜、 ９ａ１９１）、９ｃ ＝基板保持爪、 １０・・・絶縁リング、１１・・・ビス、１２ａ、 １
２ｂ、 １２ｃ −電気ターミナルＡ。 １３ａ、１３ｂ、１３ｃｍ−リード線Ａ１１４０リング
Ａ１ １５ａ、 １５ｂ、１５ｃｍ４［流導入端子Ａ１１６・
・・ターミナル棒Ａ１１７・・・絶縁ブツシュ、１８・
・・フランジ、 ２０ａ、 ２０ｂ、 ’２０ｃｍ＝回転ローラ、２０ｄ
、 ２０ｅ、 ２Ｏｆ 板バネ、２１・・マスク構造
体載置台、 ２２・・・電気ターミナルＢ１２３・・・リード線Ｂ１
２４・・・ターミナル棒Ｂ１２５・・・電流導入端子Ｂ
１２６ａ、 ２６ｂ、 ２６ｃｍ・・斜面ブロック、２
７・・ニードル、 ２８０リングＢ１２９・・
・ロッド、 ３０・プレート、３１ 歯
車Ａ１３２・・歯車Ｂ、 ３３ａ、 ３３ｂ、 ３３ｃ −・・制御モータ、３４
・・支持プラケット、 ３５ａ、 ５５ｂ１３５ｃ −・−接触検知器、６６・
・・制御装置、６７・・・間隙設定器、６８・・移動手
段、３９・・検知手段。 躬 １１２１ 第３図 ％４ 図 第 Ｓ 図
蒸着装置の機能原理図、第２図は本発明一実施例の基板
の平面図、第３図はその八−Ａ線矢視の断面図、第４図
は本発明一実施例のマスク構成体の平面図、第５図はそ
のＢ−Ｂ線矢視の断面図、第６図は本発明一実施例の第
７図のＣ−Ｃ線矢視の平面図、第７図は第６図のＤ −
１）線矢視の断面図、第８図は本発明実施例の装置を用
いて基板とマスクとの間隙を設定するための制御ブロッ
クダイヤグラムである。 １・・真空容器、１ａ・・・絶縁リング支持部、２・蒸
発物、 ６・・マスク構造体、３ａ・遮蔽
マスク、３ｂ・・・中空リング、６Ｃボルト、
６ｄ・・・プレート、３ｅ ロケーションピン、
４・・基板、４ａ、 ４１）、４ｃ・導電性
薄膜、 ９ａ１９１）、９ｃ ＝基板保持爪、 １０・・・絶縁リング、１１・・・ビス、１２ａ、 １
２ｂ、 １２ｃ −電気ターミナルＡ。 １３ａ、１３ｂ、１３ｃｍ−リード線Ａ１１４０リング
Ａ１ １５ａ、 １５ｂ、１５ｃｍ４［流導入端子Ａ１１６・
・・ターミナル棒Ａ１１７・・・絶縁ブツシュ、１８・
・・フランジ、 ２０ａ、 ２０ｂ、 ’２０ｃｍ＝回転ローラ、２０ｄ
、 ２０ｅ、 ２Ｏｆ 板バネ、２１・・マスク構造
体載置台、 ２２・・・電気ターミナルＢ１２３・・・リード線Ｂ１
２４・・・ターミナル棒Ｂ１２５・・・電流導入端子Ｂ
１２６ａ、 ２６ｂ、 ２６ｃｍ・・斜面ブロック、２
７・・ニードル、 ２８０リングＢ１２９・・
・ロッド、 ３０・プレート、３１ 歯
車Ａ１３２・・歯車Ｂ、 ３３ａ、 ３３ｂ、 ３３ｃ −・・制御モータ、３４
・・支持プラケット、 ３５ａ、 ５５ｂ１３５ｃ −・−接触検知器、６６・
・・制御装置、６７・・・間隙設定器、６８・・移動手
段、３９・・検知手段。 躬 １１２１ 第３図 ％４ 図 第 Ｓ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 基板に薄膜パターンを形成すべく、該基板に相対
向して設けられたマスクと上記基板との間隙を所定値に
保持せしめる基板とマスク該導電性薄膜に上記マスクを
当接せしめ、該マスクを上記基板に平行に位置決めした
後、上記マスクを上記基板から離間する向きに平行移動
して上記基板との間隙を上記所定値に保持するようにし
たことを特徴とする基板とマスクの間隙設定方法。 ２ 基板に薄膜パターンを形成すべく、該基板に相対向
して設けられたマスクと上記基板との間隙を所定値に保
−持せしめる基板とマスクの間隙設定装置において、上
記基板のマスク側の周辺部に、適宜の層間隔を距で、少
くとも３ケ所以上設けられた同一厚みの導電性薄膜と、
該導電性薄膜に対応する上記マスク側に係合し、上記基
板とマスクとの間隔を接近せしめる駆動手段と、上記導
電性薄膜と上記マスクとの接触を検知する検知手段と、
該検知手段の信号を入力し、上記駆動手段を動作すると
共に、該駆動手段の動作を制御する制御装置とを備えた
ことを特徴とする基板とマスクの間隙設定装置。 ３、上記駆動手段が、上記導電性薄膜のそれぞれに対応
し、各々独立に設けられたものであると共に上記検知手
段が、それぞれの駆動手段に対応して独立に設けられた
ものであることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載
の基板とマスクの間隙設定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20193282A JPS5993873A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 基板とマスクの間隙設定方法と装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20193282A JPS5993873A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 基板とマスクの間隙設定方法と装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5993873A true JPS5993873A (ja) | 1984-05-30 |
Family
ID=16449175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20193282A Pending JPS5993873A (ja) | 1982-11-19 | 1982-11-19 | 基板とマスクの間隙設定方法と装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5993873A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002322554A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-11-08 | Sony Corp | 成膜装置および成膜方法 |
| WO2003004719A1 (de) * | 2001-07-04 | 2003-01-16 | Aixtron Ag | Masken- und substrathalteranordnung |
| EP1548147A1 (en) * | 2003-12-26 | 2005-06-29 | Seiko Epson Corporation | Thin film formation method |
| US20080000420A1 (en) * | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Lg Philips Lcd Co., Ltd. | Shadow mask and deposition device having the same |
-
1982
- 1982-11-19 JP JP20193282A patent/JPS5993873A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002322554A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-11-08 | Sony Corp | 成膜装置および成膜方法 |
| JP4706121B2 (ja) * | 2001-04-23 | 2011-06-22 | ソニー株式会社 | 成膜装置および成膜方法 |
| WO2003004719A1 (de) * | 2001-07-04 | 2003-01-16 | Aixtron Ag | Masken- und substrathalteranordnung |
| EP1548147A1 (en) * | 2003-12-26 | 2005-06-29 | Seiko Epson Corporation | Thin film formation method |
| US20080000420A1 (en) * | 2006-06-30 | 2008-01-03 | Lg Philips Lcd Co., Ltd. | Shadow mask and deposition device having the same |
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