JPH04105224A - 光ヘッド装置 - Google Patents
光ヘッド装置Info
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- JPH04105224A JPH04105224A JP2224592A JP22459290A JPH04105224A JP H04105224 A JPH04105224 A JP H04105224A JP 2224592 A JP2224592 A JP 2224592A JP 22459290 A JP22459290 A JP 22459290A JP H04105224 A JPH04105224 A JP H04105224A
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- Japan
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- light
- source device
- photodetector
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 4
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光ディスクの記録、再生に用いる光ヘッド装
置に関する。
置に関する。
（従来の技術）
光ヘッド装置の構成として種々のタイプがあるが、本発
明の関連の深い光ヘッド装置として小型・軽量化のため
に受光素子付き光源器を用いた光ヘッドの例について述
べる。
明の関連の深い光ヘッド装置として小型・軽量化のため
に受光素子付き光源器を用いた光ヘッドの例について述
べる。
第３図は受光素子付き光源器の構造を示したものである
が、端面出射型の半導体レーザ１０のチップと光検出素
子１２のチップがパッケージｌｌ内にハイブリッドで固
定されている。第４図はその光源器１３を用いて構成し
た光ヘッド装置の構成図である。
が、端面出射型の半導体レーザ１０のチップと光検出素
子１２のチップがパッケージｌｌ内にハイブリッドで固
定されている。第４図はその光源器１３を用いて構成し
た光ヘッド装置の構成図である。
この光ヘッド装置では光ディスク６からの戻り光を光源
器内の光検出素子に導く光学素子としてホログラム素子
４を用いている。この受光素子付き光源器より出射光２
はホログラム素子４を透過した後、結像レンズ５により
光ディスク上に集光される。光ディスクからの戻り光は
、逆の光路を通りホログラム素子４により回折され、受
光素子付き光源器上の光検出素子に導かれる。この回折
光３よりフォーカス及びトラック誤差信号と情報信号が
検出される。
器内の光検出素子に導く光学素子としてホログラム素子
４を用いている。この受光素子付き光源器より出射光２
はホログラム素子４を透過した後、結像レンズ５により
光ディスク上に集光される。光ディスクからの戻り光は
、逆の光路を通りホログラム素子４により回折され、受
光素子付き光源器上の光検出素子に導かれる。この回折
光３よりフォーカス及びトラック誤差信号と情報信号が
検出される。
（発明が解決しようとする課題）
上述した従来の光ヘッド装置に用いる受光素子付き光源
器では、半導体レーザチップと光検出器のチップをハイ
ブリッドでマウント上に固定し、組み立てているので精
度良くチップ間の間隔を設定しにくく、光ヘッドの組み
立てが困難であった。
器では、半導体レーザチップと光検出器のチップをハイ
ブリッドでマウント上に固定し、組み立てているので精
度良くチップ間の間隔を設定しにくく、光ヘッドの組み
立てが困難であった。
本発明の目的は光ヘッド装置の組み立てを簡易化するた
めに、高精度でチップ間の間隔を設定できる受光素子付
き光源を用いた光ヘッド装置を提供することにある。
めに、高精度でチップ間の間隔を設定できる受光素子付
き光源を用いた光ヘッド装置を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
本発明は、面型の発光光源と前記面型の発光光源の基板
上にモノリシックに形成した光検出素子を有する受光素
子付き光源器と前記受光素子付き光源器からの放射光を
光ディスク面上に集光させるための結像レンズ系と前記
光ディスクからの戻り光を前記受光素子付き光源器内の
前記光検出素子に導く光学素子よりなることを特徴とす
る光ヘッド装置である。
上にモノリシックに形成した光検出素子を有する受光素
子付き光源器と前記受光素子付き光源器からの放射光を
光ディスク面上に集光させるための結像レンズ系と前記
光ディスクからの戻り光を前記受光素子付き光源器内の
前記光検出素子に導く光学素子よりなることを特徴とす
る光ヘッド装置である。
（作用）
本発明の作用・原理は以下の通りである。従来の光ヘッ
ド装置に用いられている受光素子付き光源器では、端面
８射の半導体レーザを用いていたため、光検出器とモノ
リシックに同一基板上に形成することができない。そこ
で、本発明の光ヘッド装置の受光素子付き光源器の光源
としては面型発光の半導体レーザを用いる。この面型発
光の半導体レーザは種々のタイプの構造のものがあるが
、−例として第５図に示すように基板面に対して垂直に
光が出射するように基板面上にレーザ光出射面を形成し
たものを用いた。光検出器も通常のフォトマスクを用い
たフォトリソグラフィープロセスで半導体レーザ同一の
基板面上にモノリシックに形成したものを用いた。その
ため、半導体レーザと光検出器の位置精度はフォトマス
クによるため、ミクロンのオーダの高い精度で容易に位
置を設定することが可能である。
ド装置に用いられている受光素子付き光源器では、端面
８射の半導体レーザを用いていたため、光検出器とモノ
リシックに同一基板上に形成することができない。そこ
で、本発明の光ヘッド装置の受光素子付き光源器の光源
としては面型発光の半導体レーザを用いる。この面型発
光の半導体レーザは種々のタイプの構造のものがあるが
、−例として第５図に示すように基板面に対して垂直に
光が出射するように基板面上にレーザ光出射面を形成し
たものを用いた。光検出器も通常のフォトマスクを用い
たフォトリソグラフィープロセスで半導体レーザ同一の
基板面上にモノリシックに形成したものを用いた。その
ため、半導体レーザと光検出器の位置精度はフォトマス
クによるため、ミクロンのオーダの高い精度で容易に位
置を設定することが可能である。
（実施例）
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の光ヘッド装置の第１の実施例の構成を
示している。この光ヘッド装置のフォーカス及びトラッ
ク誤差信号と情報信号は先に記述した従来例と同じく光
源器内の受光素子に導かれる回折光より検出を行う。第
２図は、本発明の光ヘッド装置に用いる受光素子付き光
源器の断面の拡大図を示している。面型発光レーザ８は
基板上にフォトマスクのフォトリソグラフィープロセス
で形成している。光検出素子９も同一基板上にフォトリ
ソグラフィープロセスでモノリシックに形成している。
示している。この光ヘッド装置のフォーカス及びトラッ
ク誤差信号と情報信号は先に記述した従来例と同じく光
源器内の受光素子に導かれる回折光より検出を行う。第
２図は、本発明の光ヘッド装置に用いる受光素子付き光
源器の断面の拡大図を示している。面型発光レーザ８は
基板上にフォトマスクのフォトリソグラフィープロセス
で形成している。光検出素子９も同一基板上にフォトリ
ソグラフィープロセスでモノリシックに形成している。
面型発光レーザの一例を第５図に示す。図において、１
６はＧａＡｓ基板、１７はｎ−Ｇａｏ７Ａｌ。、３Ａｓ
層、１８はＰ−Ｇａｏ、６Ａｌ。、４Ａｓ層、１９はｎ
−Ｇａｏ６Ａｌｏ４Ａｓ層、２０はＰ−Ｇａｏ、６Ａ１
ｏ４Ａｓ 層 、２１ は５１０２ 層 、２２
はＰ−Ｇａｏ ７Ａ１ｏ、３Ａｓ層、２３はｐ−Ｇ
ａｏ９Ａｌ。、１Ａｓ層、２４は活性層、２５は誘電体
多層膜、１４．１５はＡｕ／Ｇｅ電極である。第６図は
、本発明の光ヘッド装置の第２の実施例を示しており、
光ディスクからの戻り光を光検出素子へ導く光学素子と
してプリズム２６を用いている。
６はＧａＡｓ基板、１７はｎ−Ｇａｏ７Ａｌ。、３Ａｓ
層、１８はＰ−Ｇａｏ、６Ａｌ。、４Ａｓ層、１９はｎ
−Ｇａｏ６Ａｌｏ４Ａｓ層、２０はＰ−Ｇａｏ、６Ａ１
ｏ４Ａｓ 層 、２１ は５１０２ 層 、２２
はＰ−Ｇａｏ ７Ａ１ｏ、３Ａｓ層、２３はｐ−Ｇ
ａｏ９Ａｌ。、１Ａｓ層、２４は活性層、２５は誘電体
多層膜、１４．１５はＡｕ／Ｇｅ電極である。第６図は
、本発明の光ヘッド装置の第２の実施例を示しており、
光ディスクからの戻り光を光検出素子へ導く光学素子と
してプリズム２６を用いている。
（発明の効果）
本発明の光ヘッド装置に用いる受光素子付き光源器では
、フォトリソグラフィープロセスで半導体レーザと光検
出器をモノリシックに再現性よく形成するため生産性に
優れている。また、光ヘッド装置の組み立て時の精度の
向上及び、工数の簡易化を図ることが可能である。さら
に、半導体レーザから光を−様な角度で出射できるので
レンズ等で蹴られる部分が少なく光利用率の向上を図る
ことができ、また非点収差を生じにくい。
、フォトリソグラフィープロセスで半導体レーザと光検
出器をモノリシックに再現性よく形成するため生産性に
優れている。また、光ヘッド装置の組み立て時の精度の
向上及び、工数の簡易化を図ることが可能である。さら
に、半導体レーザから光を−様な角度で出射できるので
レンズ等で蹴られる部分が少なく光利用率の向上を図る
ことができ、また非点収差を生じにくい。
第１図は本発明の光ヘッド装置の第１の実施例を示す図
である。第２図は本発明の光ヘッド装置に用いている受
光素子付き光源器を説明すための図である。第３図は、
従来の受光素子付き光源器の断面図である。第４図は従
来の光ヘッド装置の構成図である。第５図は面型発光の
半導体レーザの構造を説明するための図である。第６図
は本発明の光ヘッド装置の第２の実施例を示す図である
。 図において、１，１３・・・受光素子付き光源器、２・
・・出射光、３・・・回折光、４・・・ホログラム素子
、５・・・結像レンズ、６・・・光ディスク、７，１１
・・・パッケージ、８・・・凹型発光レーザ、９，１２
・・・光検出素子、２５・・・誘電体多層膜、１４、１
５−Ａｕ／Ｇｅ電極、１６・ＧａＡｓ基板、 １７・ｎ
−Ｇａｏ７Ａｌｏ３Ａｓ層、１８・Ｐ−Ｇａｏ６Ａｌｏ
４Ａｓ層、 １９・ｎ−Ｇａｏ、５ＡＩｏ、４ＡＳ層、
２Ｏ−Ｐ−Ｇａ、６Ａｌｏ４Ａｓ層、２１・・・５ｉｏ
２層、２２・Ｐ−Ｇａｏ７Ａｌｏ３Ａｓ層、２３・ｐ−
Ｇａ、９Ａｌｏ１Ａｓ層、２４．、。 活性層、１０・・・半導体レーザ、２６０１．プリズム
。
である。第２図は本発明の光ヘッド装置に用いている受
光素子付き光源器を説明すための図である。第３図は、
従来の受光素子付き光源器の断面図である。第４図は従
来の光ヘッド装置の構成図である。第５図は面型発光の
半導体レーザの構造を説明するための図である。第６図
は本発明の光ヘッド装置の第２の実施例を示す図である
。 図において、１，１３・・・受光素子付き光源器、２・
・・出射光、３・・・回折光、４・・・ホログラム素子
、５・・・結像レンズ、６・・・光ディスク、７，１１
・・・パッケージ、８・・・凹型発光レーザ、９，１２
・・・光検出素子、２５・・・誘電体多層膜、１４、１
５−Ａｕ／Ｇｅ電極、１６・ＧａＡｓ基板、 １７・ｎ
−Ｇａｏ７Ａｌｏ３Ａｓ層、１８・Ｐ−Ｇａｏ６Ａｌｏ
４Ａｓ層、 １９・ｎ−Ｇａｏ、５ＡＩｏ、４ＡＳ層、
２Ｏ−Ｐ−Ｇａ、６Ａｌｏ４Ａｓ層、２１・・・５ｉｏ
２層、２２・Ｐ−Ｇａｏ７Ａｌｏ３Ａｓ層、２３・ｐ−
Ｇａ、９Ａｌｏ１Ａｓ層、２４．、。 活性層、１０・・・半導体レーザ、２６０１．プリズム
。
Claims (1)
- 面型の発光光源と前記面型の発光光源の基板上にモノ
リシックに形成した光検出素子を有する受光素子付き光
源器と前記受光素子付き光源器からの放射光を光ディス
ク面上に集光させるための結像レンズ系と前記光ディス
クからの戻り光を前記受光素子付き光源器内の前記光検
出素子に導く光学素子よりなることを特徴とする光ヘッ
ド装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2224592A JPH04105224A (ja) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | 光ヘッド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2224592A JPH04105224A (ja) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | 光ヘッド装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04105224A true JPH04105224A (ja) | 1992-04-07 |
Family
ID=16816146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2224592A Pending JPH04105224A (ja) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | 光ヘッド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04105224A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6611487B2 (en) | 1993-02-17 | 2003-08-26 | Hitachi, Ltd. | Flying type optical head integrally formed with light source and photodetector and optical disk apparatus with the same |
-
1990
- 1990-08-27 JP JP2224592A patent/JPH04105224A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6611487B2 (en) | 1993-02-17 | 2003-08-26 | Hitachi, Ltd. | Flying type optical head integrally formed with light source and photodetector and optical disk apparatus with the same |
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