JPH01241030A - 光出力モニタ装置 - Google Patents
光出力モニタ装置Info
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- JPH01241030A JPH01241030A JP63066850A JP6685088A JPH01241030A JP H01241030 A JPH01241030 A JP H01241030A JP 63066850 A JP63066850 A JP 63066850A JP 6685088 A JP6685088 A JP 6685088A JP H01241030 A JPH01241030 A JP H01241030A
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- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 9
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- 208000032366 Oversensing Diseases 0.000 abstract 2
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
皮果上■且里豆立
本発明は、被照射物に照射される照射光の光出力に対応
した光出力を有するモニタ光を受光素子に集光させて照
射光の光出力を検出する光出力モニタ装置に関するもの
である。
した光出力を有するモニタ光を受光素子に集光させて照
射光の光出力を検出する光出力モニタ装置に関するもの
である。
l米傅及街
近年、光デイスク装置の高性能化、多機能化に伴って、
マルチビーム半導体レーザの需要が増大している。該マ
ルチビーム半導体レーザでは個々のビーム出力を独立に
制御することを要するが、そのためにはそれぞれの光出
力を独立にモニタする必要がある。・ところが、従来の
マルチビーム半導体レーザの光出力モニタ装置では、第
4図に示すように、半導体レーザ31から発せられるモ
ニタ光33の発光点32の間隔が通常100μmと狭い
ため、隣接するモニタ光33との間でクロストークが生
じる。このため、それぞれのモニタ光33に対応する照
射光38の光量を受光素子37で正確に量ることができ
ないという課題を有していた。そこで、第5図に示すよ
うに、両端部のモニタ光33の光軸を略直角に曲げるセ
パレータ34を用いるようなものが提案されている。こ
のような構造であれば、隣接するモニタ光33との間で
クロストークが生じるのを防止することができるので、
それぞれの照射光38の光量を受光素子37で正確に量
ることができる。
マルチビーム半導体レーザの需要が増大している。該マ
ルチビーム半導体レーザでは個々のビーム出力を独立に
制御することを要するが、そのためにはそれぞれの光出
力を独立にモニタする必要がある。・ところが、従来の
マルチビーム半導体レーザの光出力モニタ装置では、第
4図に示すように、半導体レーザ31から発せられるモ
ニタ光33の発光点32の間隔が通常100μmと狭い
ため、隣接するモニタ光33との間でクロストークが生
じる。このため、それぞれのモニタ光33に対応する照
射光38の光量を受光素子37で正確に量ることができ
ないという課題を有していた。そこで、第5図に示すよ
うに、両端部のモニタ光33の光軸を略直角に曲げるセ
パレータ34を用いるようなものが提案されている。こ
のような構造であれば、隣接するモニタ光33との間で
クロストークが生じるのを防止することができるので、
それぞれの照射光38の光量を受光素子37で正確に量
ることができる。
ところで、上記の如くモノシリツク型マルチビーム半導
体レーザを用いた場合には、ビーム数が増えるに従って
熱的相互作用による素子性能の劣化を生じることが一般
に知られている。特に、第6図(a)に示すようなジャ
ンクションアップ方式でレーザチップ31を組み立てた
場合には、発光点32とサブマウント36との距離が大
きいため、サブマウント36に熱が拡散し難く、素子性
能の劣化が著しい。そこで、素子性能の劣化を防止すべ
く、第6図(b)に示すように、レーザチップをジャン
クションダウン方式で組立てることが望まれる。
体レーザを用いた場合には、ビーム数が増えるに従って
熱的相互作用による素子性能の劣化を生じることが一般
に知られている。特に、第6図(a)に示すようなジャ
ンクションアップ方式でレーザチップ31を組み立てた
場合には、発光点32とサブマウント36との距離が大
きいため、サブマウント36に熱が拡散し難く、素子性
能の劣化が著しい。そこで、素子性能の劣化を防止すべ
く、第6図(b)に示すように、レーザチップをジャン
クションダウン方式で組立てることが望まれる。
日 (”° しよ゛と る量
しかしながら、前記従来の構造では、セパレータ34の
加工時に端部にぼり等が生じるためサブマウント36近
傍の反射面を完全な鏡面とすることが困難であり、加え
て、セパレータ34の反射面を完全にサブマウント36
と直角に取り付けるのが困難である。このため、レーザ
チップ31のモニタ光33の光軸35がサブマウント3
6の表面すれすれに位置するようなジャンクションダウ
ン方式でレーザチップを組立てた場合には、モニタ光3
3がサブマウント36に入射してその一部がサブマウン
ト36に吸収される。この結果、モニタ光33の光量を
正確に量ることができず、レーザ出力の測定が困難とな
るという課題を有していた。
加工時に端部にぼり等が生じるためサブマウント36近
傍の反射面を完全な鏡面とすることが困難であり、加え
て、セパレータ34の反射面を完全にサブマウント36
と直角に取り付けるのが困難である。このため、レーザ
チップ31のモニタ光33の光軸35がサブマウント3
6の表面すれすれに位置するようなジャンクションダウ
ン方式でレーザチップを組立てた場合には、モニタ光3
3がサブマウント36に入射してその一部がサブマウン
ト36に吸収される。この結果、モニタ光33の光量を
正確に量ることができず、レーザ出力の測定が困難とな
るという課題を有していた。
本発明は上記従来の課題を考慮してなされたものであっ
て、クロストークが生じるのを防止しつつ、ジャンクシ
ョンダウン方式で組み立てられたレーザチップに対応し
うる光出力モニタ装置の提供を目的とするものである。
て、クロストークが生じるのを防止しつつ、ジャンクシ
ョンダウン方式で組み立てられたレーザチップに対応し
うる光出力モニタ装置の提供を目的とするものである。
f 2 るための
本発明は上記目的を達成するために、基板上に設けられ
、被照射物に照射される複数の照射光及びこの照射光の
光出力にそれぞれ対応した光出力を有するモニタ光を発
する半導体レーザと、上記基板外に設けられ、上記複数
のモニタ光を個別的に検出する複数の受光素子とを備え
た光出力モニタ装置であって、 反射型グレーティングレンズの中心を原点、モニタ光の
光軸方向をy軸、これと垂直な方向をX軸、基板表面を
xy表面、基板に垂直な方向を2軸、モニタ光発光点の
座標を(0,)’t 、 z、 )、受光素子表面の
集光すべき点の座標を(xz、yz+2z)とした場合
に、下記(1)式を満たす形状の反射型グレーティング
レンズを基板上に形成したことを特徴とする。
、被照射物に照射される複数の照射光及びこの照射光の
光出力にそれぞれ対応した光出力を有するモニタ光を発
する半導体レーザと、上記基板外に設けられ、上記複数
のモニタ光を個別的に検出する複数の受光素子とを備え
た光出力モニタ装置であって、 反射型グレーティングレンズの中心を原点、モニタ光の
光軸方向をy軸、これと垂直な方向をX軸、基板表面を
xy表面、基板に垂直な方向を2軸、モニタ光発光点の
座標を(0,)’t 、 z、 )、受光素子表面の
集光すべき点の座標を(xz、yz+2z)とした場合
に、下記(1)式を満たす形状の反射型グレーティング
レンズを基板上に形成したことを特徴とする。
+(X−Xz ) ” 十〇−yz ) 1−4−P!
z=mA+2. q5四]” + z z”・(i)但
し、λはレーザ光の波長、mはO2±1.±2、・・・
となる整数。
z=mA+2. q5四]” + z z”・(i)但
し、λはレーザ光の波長、mはO2±1.±2、・・・
となる整数。
生−U
上記構成であれば、半導体レーザが設けられた基板上に
モニタ光を反射させる反射型グレーティングレンズが形
成されているので、発光点と基板との距離が短いジャン
クションダウン方式に対応することが可能となる。した
がって、基板に熱が十分に拡散するので、素子性能の劣
化を防止することができる。
モニタ光を反射させる反射型グレーティングレンズが形
成されているので、発光点と基板との距離が短いジャン
クションダウン方式に対応することが可能となる。した
がって、基板に熱が十分に拡散するので、素子性能の劣
化を防止することができる。
また、隣接するモニタ光が反射型グレーティングレンズ
に入射した場合であってもこのモニタ光は位相条件をみ
たさないので、該反射型グレーティングレンズに対応す
る受光素子に集光されることがない。したがって、隣接
するモニタ光との間でクロストークが生じるのを防止す
ることができる。
に入射した場合であってもこのモニタ光は位相条件をみ
たさないので、該反射型グレーティングレンズに対応す
る受光素子に集光されることがない。したがって、隣接
するモニタ光との間でクロストークが生じるのを防止す
ることができる。
実−」に桝
(第1実施例)
本発明の第1実施例を、第1図及び第2図に基づいて、
以下に説明する。
以下に説明する。
シリコンからなるサブマウント1の一方の端部にはジャ
ンクションダウン方式で組み立てられたレーザチップ2
が固定されている。このレーザチップ2は図示しないコ
ンパクトディスク等の被照射物を照射する照射光5と、
この照射光5とは反対の面から発せられ照射光5の光出
力に対応した光出力を有するモニタ光6とをそれぞれ3
本づつ照射している。上記サブマウント1におけるモニ
タ光6照射側の表面部には、断面三角形状の反射型グレ
ーティングレンズ3が3つ並設されている。
ンクションダウン方式で組み立てられたレーザチップ2
が固定されている。このレーザチップ2は図示しないコ
ンパクトディスク等の被照射物を照射する照射光5と、
この照射光5とは反対の面から発せられ照射光5の光出
力に対応した光出力を有するモニタ光6とをそれぞれ3
本づつ照射している。上記サブマウント1におけるモニ
タ光6照射側の表面部には、断面三角形状の反射型グレ
ーティングレンズ3が3つ並設されている。
これら反射型グレーティングレンズ3は夫々に対応する
モニタ光6を反射させて後述の受光素子4に個別的にモ
ニタ光6を集光させる機能を有しており、その形状は位
相整合条件より求められる。
モニタ光6を反射させて後述の受光素子4に個別的にモ
ニタ光6を集光させる機能を有しており、その形状は位
相整合条件より求められる。
具体的には、下記(1)式を満たす必要がある。
=m A +2. + x、”+ y 、”+ z 、
”−−・(1)注l二反射型グレーティングレンズの中
心を原点とする。
”−−・(1)注l二反射型グレーティングレンズの中
心を原点とする。
注2:サブマウント1表面をxy平面とし、モニタ光の
光軸方向をy軸、これと垂直な方向をX軸、上記サブマ
ウント1に垂直な方向を2軸とする。
光軸方向をy軸、これと垂直な方向をX軸、上記サブマ
ウント1に垂直な方向を2軸とする。
注3;対応するモニタ光発光点の座標を(0゜yt+
z+)とする。
z+)とする。
注4:対応する受光素子表面の集光すべき点の座標を(
Xi + Yt + Zz )とする。
Xi + Yt + Zz )とする。
注5:λはレーザ光の波長
注6二mは0.±1.±2.・・・となる整数である。
また、上記反射型グレーティングレンズ3はイオンビー
ム加工法や電子ビームレジストの露光特性を利用する方
法によりブレーズ化されている。前記受光素子4は図示
しないレーザステムに固定されており、上記反射型グレ
ーティングレンズ3で反射された各モニタ光6の集光位
置に配置されている。
ム加工法や電子ビームレジストの露光特性を利用する方
法によりブレーズ化されている。前記受光素子4は図示
しないレーザステムに固定されており、上記反射型グレ
ーティングレンズ3で反射された各モニタ光6の集光位
置に配置されている。
上記の構成において、本発明の光出力モニタ装置を作動
させる場合には以下のようにして行われる。
させる場合には以下のようにして行われる。
レーザチップ2からは被照射物を照射する照射光5と、
この照射光5の光出力に対応した光出力を有するモニタ
光6とが発せられる。このモニタ光6の一部はそれぞれ
のレーザビーム発光点8に対応して形成された反射型グ
レーティングレンズ3で反射されてそれぞれのモニタ光
6に対応する受光素子4に集光される。
この照射光5の光出力に対応した光出力を有するモニタ
光6とが発せられる。このモニタ光6の一部はそれぞれ
のレーザビーム発光点8に対応して形成された反射型グ
レーティングレンズ3で反射されてそれぞれのモニタ光
6に対応する受光素子4に集光される。
ところで、反射型グレーティングレンズ3は上記(1)
式を満たすように形成されているので、隣接するモニタ
光6が反射型グレーティングレンズ3に入射した場合で
あってもこのモニタ光6は位相条件を満たさず、該反射
型グレーティングレンズ3に対応する受光素子4に集光
されることがない。この結果、それぞれの受光素子4に
は対応するモニタ光6のみが集光さることになる。
式を満たすように形成されているので、隣接するモニタ
光6が反射型グレーティングレンズ3に入射した場合で
あってもこのモニタ光6は位相条件を満たさず、該反射
型グレーティングレンズ3に対応する受光素子4に集光
されることがない。この結果、それぞれの受光素子4に
は対応するモニタ光6のみが集光さることになる。
尚、上記実施例ではサブマウント1を何ら処理すること
なく刻設して反射型グレーティングレンズ3を作製して
いるが、サブマウントlの表面を熱酸化させてSiO□
を形成し、このS i Ozを刻設して反射型グレーテ
ィングレンズ3を作製することも可能である。
なく刻設して反射型グレーティングレンズ3を作製して
いるが、サブマウントlの表面を熱酸化させてSiO□
を形成し、このS i Ozを刻設して反射型グレーテ
ィングレンズ3を作製することも可能である。
また、反射型グレーティングレンズ3は三角状にしてブ
レーズ化しているが、このような構造に限定するもので
はなく、短形状にしても実施例と同様の効果を奏するこ
とは勿論である。
レーズ化しているが、このような構造に限定するもので
はなく、短形状にしても実施例と同様の効果を奏するこ
とは勿論である。
(第2実施例)
本発明の第2実施例を、第3図に基づいて以下に説明す
る。
る。
他の材料からなる薄膜層をサブマウント1上に形成し、
この薄膜層を刻設して反射型グレーティングレンズ3を
形成した以外は上記第1実施例と同様の構造である。尚
、上記薄膜層に用いる材料としては、サブマウント1上
に薄膜化でき、且つ微細加工可能なものならいかなるも
のであってもよい。例えば、SiO□、コーニング70
59ガラス、Al103等の誘電体や、フォトレジスト
を用いればよい。この場合、誘電体やフォトレジストの
表面に金属を蒸着すれば、回折効果を一層向上させるこ
とが可能である。
この薄膜層を刻設して反射型グレーティングレンズ3を
形成した以外は上記第1実施例と同様の構造である。尚
、上記薄膜層に用いる材料としては、サブマウント1上
に薄膜化でき、且つ微細加工可能なものならいかなるも
のであってもよい。例えば、SiO□、コーニング70
59ガラス、Al103等の誘電体や、フォトレジスト
を用いればよい。この場合、誘電体やフォトレジストの
表面に金属を蒸着すれば、回折効果を一層向上させるこ
とが可能である。
尚、前記第1実施例及び第2実施例では、レーザチップ
2からは3つのモニタ光6が発せられているが、このよ
うな構造に限定されるものではなく、レーザチップ2か
ら2つのモニタ光6或いは4つ以上のモニタ光6が発せ
られている場合でも上記両実施例と同様の効果を奏する
。
2からは3つのモニタ光6が発せられているが、このよ
うな構造に限定されるものではなく、レーザチップ2か
ら2つのモニタ光6或いは4つ以上のモニタ光6が発せ
られている場合でも上記両実施例と同様の効果を奏する
。
光1互塾来
以上のように本発明によれば、ジャンクションダウン方
式に対応することが可能となるので、基板に熱が拡散し
易くなり素子性能の劣化を防止することができる。これ
により、発光装置の信顛性を格段に向上させることがで
きる。
式に対応することが可能となるので、基板に熱が拡散し
易くなり素子性能の劣化を防止することができる。これ
により、発光装置の信顛性を格段に向上させることがで
きる。
また、隣接するモニタ光との間でクロストークが生じる
のを防止することができるので、光出力モニタ装置の検
出精度を飛躍的に向上させることができる等の効果を奏
する。
のを防止することができるので、光出力モニタ装置の検
出精度を飛躍的に向上させることができる等の効果を奏
する。
第1図は第1実施例の光出力モニタ装置におけるモニタ
光の伝播経路を示す平面図、第2図は第1実施例の光出
力モニタ装置の側面図、第3図は第2実施例の光出力モ
ニタ装置におけるモニタ光の伝播経路を示す平面図、第
4図及び第5図は従来の光出力モニタ装置を示す概略説
明図、第6図は半導体レーザの組み立て方法を示す側面
図である。 1・・・サブマウント、2・・・レーザチップ、3・・
・反射型グレーティングレンズ、6・・・モニタ光。
光の伝播経路を示す平面図、第2図は第1実施例の光出
力モニタ装置の側面図、第3図は第2実施例の光出力モ
ニタ装置におけるモニタ光の伝播経路を示す平面図、第
4図及び第5図は従来の光出力モニタ装置を示す概略説
明図、第6図は半導体レーザの組み立て方法を示す側面
図である。 1・・・サブマウント、2・・・レーザチップ、3・・
・反射型グレーティングレンズ、6・・・モニタ光。
Claims (1)
- (1)基板上に設けられ、被照射物に照射される複数の
照射光及びこの照射光の光出力にそれぞれ対応した光出
力を有するモニタ光を発する半導体レーザと、上記基板
外に設けられ、上記複数のモニタ光を個別的に検出する
複数の受光素子とを備えた光出力モニタ装置であって、 反射型グレーティングレンズの中心を原点、モニタ光の
光軸方向をy軸、これと垂直な方向をx軸、基板表面を
xy表面、基板に垂直な方向をz軸、モニタ光発光点の
座標を(0、y_1、z_1)、受光素子表面の集光す
べき点の座標を(x_2、y_2、z_2)とした場合
に、下記(1)式を満たす形状の反射型グレーティング
レンズを基板上に形成したことを特徴とする光出力モニ
タ装置。 ▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼…(1) 但し、λはレーザ光の波長、mは0、±1、±2、…と
なる整数。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63066850A JP2783806B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 光出力モニタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63066850A JP2783806B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 光出力モニタ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01241030A true JPH01241030A (ja) | 1989-09-26 |
JP2783806B2 JP2783806B2 (ja) | 1998-08-06 |
Family
ID=13327735
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63066850A Expired - Fee Related JP2783806B2 (ja) | 1988-03-18 | 1988-03-18 | 光出力モニタ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2783806B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0605929A1 (en) * | 1993-01-04 | 1994-07-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Device for optically scanning a surface |
WO2020145383A1 (ja) | 2019-01-11 | 2020-07-16 | 株式会社日本触媒 | 吸水剤、及び吸水剤の製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01208886A (ja) * | 1988-02-16 | 1989-08-22 | Nec Corp | 半導体レーザ装置 |
-
1988
- 1988-03-18 JP JP63066850A patent/JP2783806B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01208886A (ja) * | 1988-02-16 | 1989-08-22 | Nec Corp | 半導体レーザ装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0605929A1 (en) * | 1993-01-04 | 1994-07-13 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Device for optically scanning a surface |
WO2020145383A1 (ja) | 2019-01-11 | 2020-07-16 | 株式会社日本触媒 | 吸水剤、及び吸水剤の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2783806B2 (ja) | 1998-08-06 |
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