JPH04101106A - 光ファイバ加工形デバイス - Google Patents
光ファイバ加工形デバイスInfo
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- JPH04101106A JPH04101106A JP2218844A JP21884490A JPH04101106A JP H04101106 A JPH04101106 A JP H04101106A JP 2218844 A JP2218844 A JP 2218844A JP 21884490 A JP21884490 A JP 21884490A JP H04101106 A JPH04101106 A JP H04101106A
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- optical fibers
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- Pending
Links
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- 238000003754 machining Methods 0.000 title 1
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Landscapes
- Mechanical Coupling Of Light Guides (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光伝送システムの構成に使用する光ファイバ加
工形デバイスに関する。
工形デバイスに関する。
従来、2本以上の光ファイバの間に光学膜を挟み込んで
構成される光ファイバ加工形デバイスは、第3図に示す
ように、ガラス板15に蒸着膜11を通常の真空蒸着法
により誘電体光学膜を形成したものを、光ファイバ素線
12.12’の間に挟み込む方式によって構成されてい
た。
構成される光ファイバ加工形デバイスは、第3図に示す
ように、ガラス板15に蒸着膜11を通常の真空蒸着法
により誘電体光学膜を形成したものを、光ファイバ素線
12.12’の間に挟み込む方式によって構成されてい
た。
上述した従来の光ファイバ加工形デバイスは、ガラス板
に誘電体光学膜を形成した光フィルタを使用するため、
光ファイバ間に大きな幅のギャップが必要となり、光フ
ィルタの挿入損失が大きいという欠点があった。
に誘電体光学膜を形成した光フィルタを使用するため、
光ファイバ間に大きな幅のギャップが必要となり、光フ
ィルタの挿入損失が大きいという欠点があった。
また、ガラス板の蒸着膜付着応力に対する強度不足が原
因で、誘電体光学膜としてイオンプレーティング法もし
くはイオンアシスト法により形成した蒸着膜が適用でき
ないため、周囲環境の湿度変化により光フィルタの波長
特性か変化しやすいという欠点もある。
因で、誘電体光学膜としてイオンプレーティング法もし
くはイオンアシスト法により形成した蒸着膜が適用でき
ないため、周囲環境の湿度変化により光フィルタの波長
特性か変化しやすいという欠点もある。
本発明は少なくとも2本の光ファイバの間に光学膜を挟
み込んで構成される光ファイバ加工形デバイスにおいて
、中央の切断部で切断されて対向した少なくとも2本の
光ファイバ素線と、該光ファイバ素線を整列および保持
固定する整列ガイドを有する基板と、イオンプレーティ
ング法もしくはイオンアシスト法により製造され且つ前
記切断部のすき間に挿入され接着固定された蒸着膜とを
備えている。
み込んで構成される光ファイバ加工形デバイスにおいて
、中央の切断部で切断されて対向した少なくとも2本の
光ファイバ素線と、該光ファイバ素線を整列および保持
固定する整列ガイドを有する基板と、イオンプレーティ
ング法もしくはイオンアシスト法により製造され且つ前
記切断部のすき間に挿入され接着固定された蒸着膜とを
備えている。
また本発明の光ファイバ加工形デバイスは、前記整列ガ
イドがV字溝となっている。
イドがV字溝となっている。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図及び第2図は本発明の一実施例を示す縦断面図及
び平面図である。
び平面図である。
本実施例は中央の切断部で切断されて対向した2本の光
ファイバ素線2,2′と、この光ファイバ素線2.2′
を整列および保持固定するV溝状の整列ガイドを有する
V溝基板3と、イオンプレーティング法もしくはイオン
アシスト法により製造され且つ光ファイバ素線2.2′
の切断部のすき間に挿入され接着剤4にて接着固定され
た蒸着膜1とを有してなる。
ファイバ素線2,2′と、この光ファイバ素線2.2′
を整列および保持固定するV溝状の整列ガイドを有する
V溝基板3と、イオンプレーティング法もしくはイオン
アシスト法により製造され且つ光ファイバ素線2.2′
の切断部のすき間に挿入され接着剤4にて接着固定され
た蒸着膜1とを有してなる。
蒸着膜1はイオンプレーティング法もしくはビオアシス
ト法により二酸化ケイ素と二酸化チタンを交互に3層以
上連続蒸着して製造される。例えばクロムを蒸着したガ
ラス基板の上に上記の蒸着を行ない、蒸着完了後所定寸
法に切断し、クロムをエツチングにより除去する方法等
により製造できる。30層から50層の蒸着膜で厚みは
10μmから15μm程度である。
ト法により二酸化ケイ素と二酸化チタンを交互に3層以
上連続蒸着して製造される。例えばクロムを蒸着したガ
ラス基板の上に上記の蒸着を行ない、蒸着完了後所定寸
法に切断し、クロムをエツチングにより除去する方法等
により製造できる。30層から50層の蒸着膜で厚みは
10μmから15μm程度である。
V溝基板3はガラスもしくはセラミックにより製造され
る。ただし溝の形状としては凹形や半円形でも適用可能
である。接着剤4は光の吸収の少ない2液性工ポキシ接
着剤や[JV硬化接着剤等が使用できる。
る。ただし溝の形状としては凹形や半円形でも適用可能
である。接着剤4は光の吸収の少ない2液性工ポキシ接
着剤や[JV硬化接着剤等が使用できる。
次に光ファイバ素線2.2′のv714基板3への固定
方法と光ファイバ素線の切断方法について一例を示す。
方法と光ファイバ素線の切断方法について一例を示す。
まず1本の光ファイバ素線をV溝基板3の上に整列し、
上から接着剤を塗布したガラスの平板をかぶせて硬化固
定される。上記■溝基板3とガラスの平板↓こ補助的に
メカニカルな固定を施しても良い。次にガラスの平板の
中央部付近にダイシングソーもしくは内周歯切断機によ
り光ファイバ素線2.2′を切断する方向に切り溝を入
れる。■溝基板3は完全に切断せず、光ファイバ素線2
.2′が切り終わったところで切断機を停止する。切り
溝の幅は約20μmとし、光ファイバ素線2.2′と直
交する方向に対し若干傾斜を持たせて切り溝を入れる。
上から接着剤を塗布したガラスの平板をかぶせて硬化固
定される。上記■溝基板3とガラスの平板↓こ補助的に
メカニカルな固定を施しても良い。次にガラスの平板の
中央部付近にダイシングソーもしくは内周歯切断機によ
り光ファイバ素線2.2′を切断する方向に切り溝を入
れる。■溝基板3は完全に切断せず、光ファイバ素線2
.2′が切り終わったところで切断機を停止する。切り
溝の幅は約20μmとし、光ファイバ素線2.2′と直
交する方向に対し若干傾斜を持たせて切り溝を入れる。
以上説明したように本発明は、蒸着膜のみを2本(もし
くはそれ以上)の光ファイバ素線の間に接着固定できる
ので、光ファイバ素線間のすき間を20μm以下とする
ことが可能となり、蒸着膜の挿入損失が極めて小さくな
るという効果がある。また蒸着膜としてイオンプレーテ
ィング法もしくはイオンアシスト法により形成した誘電
体光学膜が使用できるので、耐湿性および光フィルタの
波長変動特性において極めてすぐれた光ファイバ加工形
デバイスを実現せしめる効果を有する。
くはそれ以上)の光ファイバ素線の間に接着固定できる
ので、光ファイバ素線間のすき間を20μm以下とする
ことが可能となり、蒸着膜の挿入損失が極めて小さくな
るという効果がある。また蒸着膜としてイオンプレーテ
ィング法もしくはイオンアシスト法により形成した誘電
体光学膜が使用できるので、耐湿性および光フィルタの
波長変動特性において極めてすぐれた光ファイバ加工形
デバイスを実現せしめる効果を有する。
第1図及び第2図は本発明による光ファイバ加工形デバ
イスの一実施例を示す縦断面図及び平面図、第3図は従
来の光ファイバ加工形デバイスの一例を示す縦断面図で
ある。 1.11・・・蒸着膜、2.2′、12.12’・・・
光ファイバ素線、3.13・・・■溝基板、4.14・
・・接着剤、15・・ガラス板。
イスの一実施例を示す縦断面図及び平面図、第3図は従
来の光ファイバ加工形デバイスの一例を示す縦断面図で
ある。 1.11・・・蒸着膜、2.2′、12.12’・・・
光ファイバ素線、3.13・・・■溝基板、4.14・
・・接着剤、15・・ガラス板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、少なくとも2本の光ファイバの間に光学膜を挟み込
んで構成される光ファイバ加工形デバイスにおいて、中
央の切断部で切断されて対向した少なくとも2本の光フ
ァイバ素線と、該光ファイバ素線を整列および保持固定
する整列ガイドを有する基板と、イオンプレーティング
法もしくはイオンアシスト法により製造され且つ前記切
断部のすき間に挿入され接着固定された蒸着膜とを備え
ることを特徴とする光ファイバ加工形デバイス。 2、前記整列ガイドがV字溝となっていることを特徴と
する請求項1記載の光ファイバ加工形デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2218844A JPH04101106A (ja) | 1990-08-20 | 1990-08-20 | 光ファイバ加工形デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2218844A JPH04101106A (ja) | 1990-08-20 | 1990-08-20 | 光ファイバ加工形デバイス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04101106A true JPH04101106A (ja) | 1992-04-02 |
Family
ID=16726230
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2218844A Pending JPH04101106A (ja) | 1990-08-20 | 1990-08-20 | 光ファイバ加工形デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04101106A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997006458A1 (fr) * | 1995-08-03 | 1997-02-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif optique et procede pour le fabriquer |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5860704A (ja) * | 1981-09-15 | 1983-04-11 | シ−メンス・アクチエンゲゼルシヤフト | 光減衰ユニツトとその製造方法 |
JPS63289510A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 多心光部品 |
-
1990
- 1990-08-20 JP JP2218844A patent/JPH04101106A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5860704A (ja) * | 1981-09-15 | 1983-04-11 | シ−メンス・アクチエンゲゼルシヤフト | 光減衰ユニツトとその製造方法 |
JPS63289510A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-28 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 多心光部品 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997006458A1 (fr) * | 1995-08-03 | 1997-02-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif optique et procede pour le fabriquer |
US6406196B1 (en) | 1995-08-03 | 2002-06-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical device and method for producing the same |
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