JPH0410075B2 - - Google Patents
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- JPH0410075B2 JPH0410075B2 JP61201346A JP20134686A JPH0410075B2 JP H0410075 B2 JPH0410075 B2 JP H0410075B2 JP 61201346 A JP61201346 A JP 61201346A JP 20134686 A JP20134686 A JP 20134686A JP H0410075 B2 JPH0410075 B2 JP H0410075B2
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
「技術分野」
本発明は、一対の電極間に発光層を設け、該発
光層に電圧を印加して発光表示をおこなうエレク
トロルミネツセンス表示装置の製造方法に関す
る。
光層に電圧を印加して発光表示をおこなうエレク
トロルミネツセンス表示装置の製造方法に関す
る。
「従来の技術」
従来のエレクトロルミネツセンス表示装置は、
例えば第１２図に示すように、ガラス基板１上
に、透明電極２と、絶縁層と、発光層４と、絶縁
層５と、対向電極６とを順次積層し、さらにガラ
ス製カバー基板８で覆つて形成されている。この
エレクトロルミネツセンス表示装置は、透明電極
２と対向電極６との間に交流電場を加えると、発
光層４内に活性イオンが励起され、発光現像を起
こすものであり、光学機器や情報機器の表示や各
種の照明、装飾、看板等、多分野において広く用
途がある。
例えば第１２図に示すように、ガラス基板１上
に、透明電極２と、絶縁層と、発光層４と、絶縁
層５と、対向電極６とを順次積層し、さらにガラ
ス製カバー基板８で覆つて形成されている。この
エレクトロルミネツセンス表示装置は、透明電極
２と対向電極６との間に交流電場を加えると、発
光層４内に活性イオンが励起され、発光現像を起
こすものであり、光学機器や情報機器の表示や各
種の照明、装飾、看板等、多分野において広く用
途がある。
又、他の従来例として第１３図に示すように、
透明電極２に絶縁層３と発光層４と、絶縁層５
と、対向電極６とを順次積層し、合成樹脂製カバ
ー基板１０，１１で全体を覆つた構造のエレクト
ロルミネツセンス表示装置があり、全体の厚さが
薄く、フレキシブルでデザインの多様化ができ
る。
透明電極２に絶縁層３と発光層４と、絶縁層５
と、対向電極６とを順次積層し、合成樹脂製カバ
ー基板１０，１１で全体を覆つた構造のエレクト
ロルミネツセンス表示装置があり、全体の厚さが
薄く、フレキシブルでデザインの多様化ができ
る。
これらのエレクトロルミネツセンス表示装置に
おいて、透明電極２はIn2O3−SnO2系の薄膜や、
Au、Cu等の薄膜、絶縁層３，５はSiO2、SiC、
Si3N4等の金属酸化物、金属炭素化物、金属窒化
物等、発光層４はZuS、ZnSとCdSとの混合物等
にCu、Al、Mn、In、SmF3等をドーピングした
組成物からなり、スパツタリング等の気相メツキ
法によつて形成される。
おいて、透明電極２はIn2O3−SnO2系の薄膜や、
Au、Cu等の薄膜、絶縁層３，５はSiO2、SiC、
Si3N4等の金属酸化物、金属炭素化物、金属窒化
物等、発光層４はZuS、ZnSとCdSとの混合物等
にCu、Al、Mn、In、SmF3等をドーピングした
組成物からなり、スパツタリング等の気相メツキ
法によつて形成される。
また、対向電極６はAu、Cu、Al等の金属箔か
らなり、合成樹脂フイルム１０，１１はポリエチ
レン、ポリエチレンテレフタレート、チフロン、
エポキシ樹脂等からなつている。
らなり、合成樹脂フイルム１０，１１はポリエチ
レン、ポリエチレンテレフタレート、チフロン、
エポキシ樹脂等からなつている。
「発明が解決しようとする問題点」
しかしながら、エレクトロルミネツセンス表示
装置は、発光層の母体としてZnSや、ZnSとCdS
との混合物等を用いているため、外部の湿気を取
り込んで変質したり、あるいは酸素と結びついて
酸化が進行し易く、長期の使用に際して、発光輝
度の著しい低下や、輝度のムラが発生して表示品
位が劣化したり信頼性に欠けるという問題点があ
つた。
装置は、発光層の母体としてZnSや、ZnSとCdS
との混合物等を用いているため、外部の湿気を取
り込んで変質したり、あるいは酸素と結びついて
酸化が進行し易く、長期の使用に際して、発光輝
度の著しい低下や、輝度のムラが発生して表示品
位が劣化したり信頼性に欠けるという問題点があ
つた。
前記従来の構造ではエレクトロルミネツセンス
装置内に湿気、空気が存在したり、外界の湿気、
空気が外装保護パツケージの封止部や合成樹脂フ
イルムを介してエレクトロルミネツセンス装置の
内部に容易に浸入するため、前記問題点が障壁と
なつて実用化を妨げていた。
装置内に湿気、空気が存在したり、外界の湿気、
空気が外装保護パツケージの封止部や合成樹脂フ
イルムを介してエレクトロルミネツセンス装置の
内部に容易に浸入するため、前記問題点が障壁と
なつて実用化を妨げていた。
「問題点を解決するための手段」
本発明のエレクトロルミネツセンス表示装置
は、透明電極と、絶縁層と、該絶縁層上に形成さ
れた発光層と、該発光層上に形成された絶縁層
と、対向電極とを薄膜状に備えたエレクトロルミ
ネツセンス表示装置の製造方法において、少なく
とも前記薄膜形成面に樹脂を塗布または印刷し、
その上に基板を重ね、真空脱気しながら前記樹脂
を加熱し、次いで樹脂を硬化させることにより封
止してなることを特徴とする。
は、透明電極と、絶縁層と、該絶縁層上に形成さ
れた発光層と、該発光層上に形成された絶縁層
と、対向電極とを薄膜状に備えたエレクトロルミ
ネツセンス表示装置の製造方法において、少なく
とも前記薄膜形成面に樹脂を塗布または印刷し、
その上に基板を重ね、真空脱気しながら前記樹脂
を加熱し、次いで樹脂を硬化させることにより封
止してなることを特徴とする。
「作用」
本発明によれば、少なくとも薄膜形成面に樹脂
を塗布または印刷し、その上に基板を重ね、真空
脱気しながら前記樹脂を加熱し、次いで樹脂を硬
化させるので、樹脂とそれに接触する部材との間
には気泡が入り込まず、また、製造の際に気泡が
あつても真空脱気により完全にこれを追い出すこ
とができるため、樹脂とそれに接触する部材との
界面の密着性が良好になり、湿気や酸素の発光層
への浸入を阻止・抑制することができる。
を塗布または印刷し、その上に基板を重ね、真空
脱気しながら前記樹脂を加熱し、次いで樹脂を硬
化させるので、樹脂とそれに接触する部材との間
には気泡が入り込まず、また、製造の際に気泡が
あつても真空脱気により完全にこれを追い出すこ
とができるため、樹脂とそれに接触する部材との
界面の密着性が良好になり、湿気や酸素の発光層
への浸入を阻止・抑制することができる。
「実施例」
実施例 １
第１図は、本発明の第１実施例であるエレクト
ロルミネツセンス表示装置の断面図である。
ロルミネツセンス表示装置の断面図である。
本例はガラス基板１上に透明電極２、絶縁層
３、発光層４、絶縁層５、対向電極６を積層し、
さらに樹脂７を設置しガラス製カバー基板８で被
包して気密に封止したものである。透明電極２は
In2O3SnO2等、絶縁層３，５はY2O3、TiO2、
Al2O3、Si3N4、SiO2等がスツパタリングあるい
は電子ビーム蒸着法等により形成されている。発
光層４はZnS：Mn焼結ペレツトを電子ビーム蒸
着することにより得られる。蒸着用のZnS：Mn
焼結ペツトには活性物質となるMnが目的に応じ
た濃度に設定されたペレツトが使用される。対向
電極６は、Al等が蒸着形成されている。樹脂７
は、耐吸湿性、耐吸水性、耐熱性に優れたポリエ
チレン（低密度、高密度）、ポリプロピレン、ア
タチツクポリプロピレン、ウレタン、塩化ビニリ
デン、ポリビニルアルコール系樹脂、フツ化ビニ
リデン、フツ化ビニリデン−６フツ化プロピレン
共重合体、エチレン酢酸ビニル共重合体、エチレ
ンエチルアクリレート共重合樹脂、ポリカーボネ
ート、不飽和ポリエステル等、およびこれらを主
剤とした高分子素材が用いられ、前記高分子素材
を加熱溶解して塗布・印刷し、その後硬化する等
の方法により形成されている。樹脂７は樹脂中に
気泡や空洞が生じない方が好ましく、例えば、対
向電極６上に前記高分子素材を設け、さらにその
上にガラス製カバー基板８を重ね、真空容器内に
て脱気しながら高分子素材を加熱溶解せしめると
同時に、ガラス製カバー基板８を押圧して密着
し、高分子素材の硬化によりガラス製カバー基板
８とガラス基板１とを相互に接着する方法によつ
て形成するとよい。これにより、エレクトロルミ
ネツセンスの内部、さらには絶縁層３，５や発光
層４に外界の湿気や空気等が浸入することを阻止
し、輝度寿命、表示品位、耐久性に優れたエレク
トロルミネツセンス表示装置が得られる。
３、発光層４、絶縁層５、対向電極６を積層し、
さらに樹脂７を設置しガラス製カバー基板８で被
包して気密に封止したものである。透明電極２は
In2O3SnO2等、絶縁層３，５はY2O3、TiO2、
Al2O3、Si3N4、SiO2等がスツパタリングあるい
は電子ビーム蒸着法等により形成されている。発
光層４はZnS：Mn焼結ペレツトを電子ビーム蒸
着することにより得られる。蒸着用のZnS：Mn
焼結ペツトには活性物質となるMnが目的に応じ
た濃度に設定されたペレツトが使用される。対向
電極６は、Al等が蒸着形成されている。樹脂７
は、耐吸湿性、耐吸水性、耐熱性に優れたポリエ
チレン（低密度、高密度）、ポリプロピレン、ア
タチツクポリプロピレン、ウレタン、塩化ビニリ
デン、ポリビニルアルコール系樹脂、フツ化ビニ
リデン、フツ化ビニリデン−６フツ化プロピレン
共重合体、エチレン酢酸ビニル共重合体、エチレ
ンエチルアクリレート共重合樹脂、ポリカーボネ
ート、不飽和ポリエステル等、およびこれらを主
剤とした高分子素材が用いられ、前記高分子素材
を加熱溶解して塗布・印刷し、その後硬化する等
の方法により形成されている。樹脂７は樹脂中に
気泡や空洞が生じない方が好ましく、例えば、対
向電極６上に前記高分子素材を設け、さらにその
上にガラス製カバー基板８を重ね、真空容器内に
て脱気しながら高分子素材を加熱溶解せしめると
同時に、ガラス製カバー基板８を押圧して密着
し、高分子素材の硬化によりガラス製カバー基板
８とガラス基板１とを相互に接着する方法によつ
て形成するとよい。これにより、エレクトロルミ
ネツセンスの内部、さらには絶縁層３，５や発光
層４に外界の湿気や空気等が浸入することを阻止
し、輝度寿命、表示品位、耐久性に優れたエレク
トロルミネツセンス表示装置が得られる。
実施例 ２
第２図は、本発明の第２実施例であるエレクト
ロルミネツセンス表示装置の断面図である。
ロルミネツセンス表示装置の断面図である。
本例は、ガラス基板１上に透明電極２、絶縁層
３、発光層４、絶縁層５を積層し、対向電極６を
設けたガラス製カバー基板８を重ね合わせ、樹脂
７によつて気密に接着封止したものである。
３、発光層４、絶縁層５を積層し、対向電極６を
設けたガラス製カバー基板８を重ね合わせ、樹脂
７によつて気密に接着封止したものである。
各構成部材は前記実施例１と同様の素材を用い
て形成されており、前記実施例１と同様の効果が
得られる。
て形成されており、前記実施例１と同様の効果が
得られる。
実施例 ３
第３図は、本発明の第３実施例であるエレクト
ロルミネツセンス表示装置の断面図である。
ロルミネツセンス表示装置の断面図である。
ガラス製カバー基板８の外側面に樹脂７を被覆
して設ける他は、前記実施例２と同様に形成され
ている。
して設ける他は、前記実施例２と同様に形成され
ている。
ガラス製カバー８の外側まで樹脂７で被覆して
いるため、防湿性が著しく高く、前記実施例２よ
り一段と高い耐湿信頼性が得られる。
いるため、防湿性が著しく高く、前記実施例２よ
り一段と高い耐湿信頼性が得られる。
実施例 ４
第４図は、本発明の第４実施例であるエレクト
ロルミネツセンス表示装置の断面図である。
ロルミネツセンス表示装置の断面図である。
ガラス製カバー基板８の代わりに高分子フイル
ム製カバー基板９を用いる他は、前記実施例１と
同様にして形成されている。
ム製カバー基板９を用いる他は、前記実施例１と
同様にして形成されている。
高分子フイルム製カバー基板９は、ポリエチレ
ンテレフタレートフイルム、ポリエーテルサルフ
オンフイルム、ポリブチレンテレフタレートフイ
ルム、ポリカーボネートフイルム、三フツ化塩化
エチレンフイルム、ポリフツ化ビニルフイルム等
が用いられる。前記高分子フイルムのうち、ポリ
エチレンテレフタレートフイルム、ポリエーテル
サルフオンフイルム、ポリブチレンテレフタレー
トフイルム、ポリカーボネートフイルムは透明度
が高くフレキシビリテイに優れており、両面発光
型のエレクトロルミネツセンス表示装置を形成す
ることが可能となる。なお、両面発光型では、対
向電極６にIn2O3−SnO2系等の透明電極が用いら
れる。
ンテレフタレートフイルム、ポリエーテルサルフ
オンフイルム、ポリブチレンテレフタレートフイ
ルム、ポリカーボネートフイルム、三フツ化塩化
エチレンフイルム、ポリフツ化ビニルフイルム等
が用いられる。前記高分子フイルムのうち、ポリ
エチレンテレフタレートフイルム、ポリエーテル
サルフオンフイルム、ポリブチレンテレフタレー
トフイルム、ポリカーボネートフイルムは透明度
が高くフレキシビリテイに優れており、両面発光
型のエレクトロルミネツセンス表示装置を形成す
ることが可能となる。なお、両面発光型では、対
向電極６にIn2O3−SnO2系等の透明電極が用いら
れる。
高分子フイルム製カバー基板９を用いているた
め、安価で容易に製造することができて量産性に
優れ、また、割れ等の破損が生じにくいので屋外
での表示使用において耐衝撃性等の信頼性が高
く、かつ前記実施例１と同様の効果が得られる。
め、安価で容易に製造することができて量産性に
優れ、また、割れ等の破損が生じにくいので屋外
での表示使用において耐衝撃性等の信頼性が高
く、かつ前記実施例１と同様の効果が得られる。
実施例 ５
第５図は、本発明の第５実施例であるエレクト
ロルミネツセンス表示装置の断面図である。
ロルミネツセンス表示装置の断面図である。
ガラス製カバー基板８の代わりに高分子フイル
ム製カバー基板９を用いる他は、前記実施例２と
同様にして形成されている。
ム製カバー基板９を用いる他は、前記実施例２と
同様にして形成されている。
高分子フイルム製カバー基板９は、前記実施例
４にて用いられたものと同様の素材が用いられ、
かつ、実施例４と同様の効果が得られる。
４にて用いられたものと同様の素材が用いられ、
かつ、実施例４と同様の効果が得られる。
実施例 ６
第６図は、本発明の第６実施例であるエレクト
ロルミネツセンス表示装置の断面図である。
ロルミネツセンス表示装置の断面図である。
高分子フイルム製カバー基板９の外側面に樹脂
７を被覆して設ける他は、前記実施例５と同様に
形成されている。高分子フイルム製カバー基板８
の外側まで樹脂７で被覆しているため、防湿性が
著しく高く、前記実施例５より一段と高い耐湿信
頼性が得られる。
７を被覆して設ける他は、前記実施例５と同様に
形成されている。高分子フイルム製カバー基板８
の外側まで樹脂７で被覆しているため、防湿性が
著しく高く、前記実施例５より一段と高い耐湿信
頼性が得られる。
実施例 ７
第７図は、本発明の第７実施例であるエレクト
ロルミネツセンス表示装置の断面図である。
ロルミネツセンス表示装置の断面図である。
本例は、ガラス基板１上に透明電極２、絶縁層
３、発光層４、絶縁層５を積層し、対向電極６を
設けた高分子フイルム製カバー基板８を樹脂７を
介して気密に接着封止したものである。
３、発光層４、絶縁層５を積層し、対向電極６を
設けた高分子フイルム製カバー基板８を樹脂７を
介して気密に接着封止したものである。
各構成部材は、前記実施例４と同様の素材を用
いて形成されており、前記実施例４と同様の効果
が得られる。
いて形成されており、前記実施例４と同様の効果
が得られる。
実施例 ８
第８図は、本発明の第８実施例であるエレクト
ロルミネツセンス表示装置の断面図である。
ロルミネツセンス表示装置の断面図である。
本例は、透明電極２、絶縁層３、発光層４、絶
縁層５、対向電極６からなる積層体を樹脂７で被
覆し、さらに２枚の高分子フイルム基板１０，１
１をその上下方向から挟持して被包し、気密に接
着封止したものである。なお、１枚の高分子フイ
ルム基板を用いて前記積層体を被包（図示せず）
してもよい。
縁層５、対向電極６からなる積層体を樹脂７で被
覆し、さらに２枚の高分子フイルム基板１０，１
１をその上下方向から挟持して被包し、気密に接
着封止したものである。なお、１枚の高分子フイ
ルム基板を用いて前記積層体を被包（図示せず）
してもよい。
高分子フイルム基板１０，１１は、ポリエチレ
ンテレフタレートフイルム、ポリエーテルサルフ
オンフイルム、ポリブチレンテレフタレートフイ
ルム、ポリカーボネートフイルム、三フツ化塩化
エチレンフイルム、ポリフツ化ビニルフイルム等
が用いられる。前記高分子フイルムのうち、ポリ
エチレンテレフタレートフイルム、ポリエーテル
サルフオンフイルム、ポリブチレンテレフタレー
トフイルム、ポリカーボネートフイルムは、透明
度が高くフレキシビリテイに優れており、これら
を用いることにより容易に湾曲・変形ができる片
面あるいは両面発光型のエレクトロルミネツセン
ス表示装置を形成することが可能である。なお両
面発光型では、対向電極６にIn2O3−SnO2系等の
透明電極が用いられる。
ンテレフタレートフイルム、ポリエーテルサルフ
オンフイルム、ポリブチレンテレフタレートフイ
ルム、ポリカーボネートフイルム、三フツ化塩化
エチレンフイルム、ポリフツ化ビニルフイルム等
が用いられる。前記高分子フイルムのうち、ポリ
エチレンテレフタレートフイルム、ポリエーテル
サルフオンフイルム、ポリブチレンテレフタレー
トフイルム、ポリカーボネートフイルムは、透明
度が高くフレキシビリテイに優れており、これら
を用いることにより容易に湾曲・変形ができる片
面あるいは両面発光型のエレクトロルミネツセン
ス表示装置を形成することが可能である。なお両
面発光型では、対向電極６にIn2O3−SnO2系等の
透明電極が用いられる。
前記高分子フイルム基板１０，１１以外の構成
部材の素材は前記実施例１と同様のものが用いら
れる。
部材の素材は前記実施例１と同様のものが用いら
れる。
このエレクトロルミネツセンス表示装置は、湿
度、空気の浸入抑制効果の他にも軽く、フレキシ
ブルで、耐衝撃性に優れているため、持ち運び易
く曲面表示が可能で、衝撃に強く割れにくい。
又、高分子フイルム基板を用いて発光要素を被包
する構造ため、加工・組立てが容易で歩留りよく
量産することができる。
度、空気の浸入抑制効果の他にも軽く、フレキシ
ブルで、耐衝撃性に優れているため、持ち運び易
く曲面表示が可能で、衝撃に強く割れにくい。
又、高分子フイルム基板を用いて発光要素を被包
する構造ため、加工・組立てが容易で歩留りよく
量産することができる。
実施例 ９
第９図は、本発明の第９実施例であるエレクト
ロルミネツセンス表示装置の断面図である。
ロルミネツセンス表示装置の断面図である。
樹脂７を、高分子フイルム基板１０，１１間の
接着封止部付近に充填する他は、前記実施例８と
同様に形成されており、前記実施例８と同様の効
果が得られ、さらに一段と薄型化が可能となる。
なお１枚の高分子フイルム基板を用いて被包（図
示せず）してもよい。
接着封止部付近に充填する他は、前記実施例８と
同様に形成されており、前記実施例８と同様の効
果が得られ、さらに一段と薄型化が可能となる。
なお１枚の高分子フイルム基板を用いて被包（図
示せず）してもよい。
実施例 10
第１０図は、本発明の第10実施例であるエレク
トロルミネツセンス表示装置の断面図である。
トロルミネツセンス表示装置の断面図である。
高分子フイルム基板１０，１１の外側面に樹脂
７を被覆して設ける他は、前記実施例９と同様に
形成されている。高分子フイルム基板１０，１１
の外側まで樹脂７で被覆しているため、防湿性が
著しく高く、前記実施例９より一段と高い耐湿信
頼性が得られる。
７を被覆して設ける他は、前記実施例９と同様に
形成されている。高分子フイルム基板１０，１１
の外側まで樹脂７で被覆しているため、防湿性が
著しく高く、前記実施例９より一段と高い耐湿信
頼性が得られる。
実施例 11
第１１図は、本発明の第11実施例であるエレク
トロルミネツセンス表示装置の断面図である。
トロルミネツセンス表示装置の断面図である。
本例は、発光層４と絶縁層３，５との積層体を
樹脂７で被覆し、透明電極２を設けた高分子フイ
ルム基板１０と、対向電極６を設けた高分子フイ
ルム基板１１で上下方向から挟持して被包し、気
密に接着封止したものである。なお１枚の高分子
フイルム基板を用いて被包（図示せず）してもよ
い。なお、対向電極にIn2O3−SnO2系等の透明電
極を用いて両面発光型のエレクトロルミネツセン
ス表示装置を形成することができる。
樹脂７で被覆し、透明電極２を設けた高分子フイ
ルム基板１０と、対向電極６を設けた高分子フイ
ルム基板１１で上下方向から挟持して被包し、気
密に接着封止したものである。なお１枚の高分子
フイルム基板を用いて被包（図示せず）してもよ
い。なお、対向電極にIn2O3−SnO2系等の透明電
極を用いて両面発光型のエレクトロルミネツセン
ス表示装置を形成することができる。
前記高分子フイルム基板１０，１１以外の構成
部材の素材は、前記実施例８と同様のものが用い
られかつ同様の効果が得られる。
部材の素材は、前記実施例８と同様のものが用い
られかつ同様の効果が得られる。
「発明の効果」
以上説明したように、本発明によれば樹脂とそ
れに接触する部材との界面の密着性が良好である
ので発光層と該発光層を挟持する絶縁層とからな
る積層体へ外界から湿気・空気が浸入することが
阻止し、種々の屋外環境下においても長期に渡つ
て輝度寿命、優れた表示品位を保持することが可
能である。
れに接触する部材との界面の密着性が良好である
ので発光層と該発光層を挟持する絶縁層とからな
る積層体へ外界から湿気・空気が浸入することが
阻止し、種々の屋外環境下においても長期に渡つ
て輝度寿命、優れた表示品位を保持することが可
能である。
第１図は本発明の第１実施例を示すエレクトロ
ルミネツセンス表示装置の断面図、第２図は本発
明の第２実施例を示すエレクトロルミネツセンス
表示装置の断面図、第３図は本発明の第３実施例
を示すエレクトロルミネツセンス表示装置の断面
図、第４図は本発明の第４実施例を示すエレクト
ロルミネツセンス表示装置の断面図、第５図は本
発明の第５実施例を示すエレクトロルミネツセン
ス表示装置の断面図、第６図は本発明の第６実施
例を示すエレクトロルミネツセンス表示装置の断
面図、第７図は本発明の第７実施例を示すエレク
トロルミネツセンス表示装置の断面図、第８図は
本発明の第８実施例を示すエレクトロルミネツセ
ンス表示装置の断面図、第９図は本発明の第９実
施例を示すエレクトロルミネツセンス表示装置の
断面図、第１０図は本発明の第10実施例を示すエ
レクトロルミネツセンス表示装置の断面図、第１
１図は本発明の第11実施例を示すエレクトロルミ
ネツセンス表示装置の断面図、第１２図は従来の
エレクトロルミネツセンス表示装置を示す断面
図、第１３図は従来のエレクトロルミネツセンス
表示装置の他の例を示す断面図である。 １…ガラス基板、２…透明電極、３，５…絶縁
層、４…発光層、６…対向電極、７…樹脂、８…
ガラス製カバー基板、９…高分子フイルム製カバ
ー基板、１０，１１…高分子フイルム基板。
ルミネツセンス表示装置の断面図、第２図は本発
明の第２実施例を示すエレクトロルミネツセンス
表示装置の断面図、第３図は本発明の第３実施例
を示すエレクトロルミネツセンス表示装置の断面
図、第４図は本発明の第４実施例を示すエレクト
ロルミネツセンス表示装置の断面図、第５図は本
発明の第５実施例を示すエレクトロルミネツセン
ス表示装置の断面図、第６図は本発明の第６実施
例を示すエレクトロルミネツセンス表示装置の断
面図、第７図は本発明の第７実施例を示すエレク
トロルミネツセンス表示装置の断面図、第８図は
本発明の第８実施例を示すエレクトロルミネツセ
ンス表示装置の断面図、第９図は本発明の第９実
施例を示すエレクトロルミネツセンス表示装置の
断面図、第１０図は本発明の第10実施例を示すエ
レクトロルミネツセンス表示装置の断面図、第１
１図は本発明の第11実施例を示すエレクトロルミ
ネツセンス表示装置の断面図、第１２図は従来の
エレクトロルミネツセンス表示装置を示す断面
図、第１３図は従来のエレクトロルミネツセンス
表示装置の他の例を示す断面図である。 １…ガラス基板、２…透明電極、３，５…絶縁
層、４…発光層、６…対向電極、７…樹脂、８…
ガラス製カバー基板、９…高分子フイルム製カバ
ー基板、１０，１１…高分子フイルム基板。
Claims (1)
- １ 透明電極と、絶縁層と、該絶縁層上に形成さ
れた発光層と、該発光層上に形成された絶縁層
と、対向電極とを薄膜状で備えたエレクトロルミ
ネツセンス表示装置の製造方法において、少なく
とも前記薄膜形成面に樹脂を塗布または印刷し、
その上に基板を重ね、真空脱気しながら前記樹脂
を加熱し、次いで樹脂を硬化させることにより封
止してなることを特徴とするエレクトロルミネツ
センス表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61201346A JPS6358394A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61201346A JPS6358394A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6358394A JPS6358394A (ja) | 1988-03-14 |
| JPH0410075B2 true JPH0410075B2 (ja) | 1992-02-24 |
Family
ID=16439510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61201346A Granted JPS6358394A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6358394A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6750835B2 (en) | 1999-12-27 | 2004-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Image display device and driving method thereof |
| US7109653B2 (en) * | 2002-01-15 | 2006-09-19 | Seiko Epson Corporation | Sealing structure with barrier membrane for electronic element, display device, electronic apparatus, and fabrication method for electronic element |
| WO2016012900A1 (en) | 2014-07-25 | 2016-01-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54122990A (en) * | 1978-03-16 | 1979-09-22 | Sharp Corp | Manufacture for thin film el panel |
| JPS5617389A (en) * | 1979-07-23 | 1981-02-19 | Nippon Telegraph & Telephone | Sealing thin film electroluminescence element |
| JPS5975595A (ja) * | 1982-10-22 | 1984-04-28 | 日本精機株式会社 | 電界発光表示素子 |
| JPS6196694A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-15 | 富士通株式会社 | 表示装置の防湿構造 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5986696U (ja) * | 1982-12-03 | 1984-06-12 | 日産自動車株式会社 | Ｅｌパネルの構造 |
-
1986
- 1986-08-29 JP JP61201346A patent/JPS6358394A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54122990A (en) * | 1978-03-16 | 1979-09-22 | Sharp Corp | Manufacture for thin film el panel |
| JPS5617389A (en) * | 1979-07-23 | 1981-02-19 | Nippon Telegraph & Telephone | Sealing thin film electroluminescence element |
| JPS5975595A (ja) * | 1982-10-22 | 1984-04-28 | 日本精機株式会社 | 電界発光表示素子 |
| JPS6196694A (ja) * | 1984-10-16 | 1986-05-15 | 富士通株式会社 | 表示装置の防湿構造 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6358394A (ja) | 1988-03-14 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
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