JPH0398242A - マグネトロンアノードの製造方法 - Google Patents
マグネトロンアノードの製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
- H01J23/02—Electrodes; Magnetic control means; Screens
- H01J23/04—Cathodes
- H01J23/05—Cathodes having a cylindrical emissive surface, e.g. cathodes for magnetrons
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/20—Bonding
- B23K26/21—Bonding by welding
- B23K26/24—Seam welding
- B23K26/244—Overlap seam welding
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的コ
(産業上の利用分野)
この発明は、マグネトロンアノードの製造方法に関する
。
。
(従来の技術)
周知のように、例えば電子レンジ用マグネトロンのアノ
ードは、第5図及び第6図に示すように、円筒状アノー
ドシリンダー1の内側に放射状に複数枚のアノードベイ
ン2が並べられ、このアノードベイン2の数に相当する
共振空胴が構成されている。 これらは電気伝導度及び
熱伝導度の良い銅(Cu)、アルミニウム(Aρ)など
が使用され得るが、一般的には耐熱性の点から銅が使用
される。
ードは、第5図及び第6図に示すように、円筒状アノー
ドシリンダー1の内側に放射状に複数枚のアノードベイ
ン2が並べられ、このアノードベイン2の数に相当する
共振空胴が構成されている。 これらは電気伝導度及び
熱伝導度の良い銅(Cu)、アルミニウム(Aρ)など
が使用され得るが、一般的には耐熱性の点から銅が使用
される。
このようなマグネトロンアノードの製造方法において、
従来、アノードベイン2とアノードシリンダー1を接合
する場合、第7図及び第8図に示すように、ろう接によ
り行なっている。このろう接は、一般的には、水素炉(
H2)や水素(H2)十窒素(N2)の混合ガス炉を使
用し、主に銀(Ag)ろう材でろう接を行なっている。
従来、アノードベイン2とアノードシリンダー1を接合
する場合、第7図及び第8図に示すように、ろう接によ
り行なっている。このろう接は、一般的には、水素炉(
H2)や水素(H2)十窒素(N2)の混合ガス炉を使
用し、主に銀(Ag)ろう材でろう接を行なっている。
図中の3がろう接箇所であり、3aがろう接面である。
しかしながら、このような方法は、大がかりなろう接用
設備、及び動力費が必要となる。
設備、及び動力費が必要となる。
又、アノードベイン2とアノードシリンダー1との接合
に使用するろう材は、アノードベイン1枚につき、1個
のろう材が必要になるか、又はアノードシリンダー内周
に相当するリング状ろう材が必要であり、マグネトロン
アノードとしての製品価格を不所望に高くしているのが
現状である。
に使用するろう材は、アノードベイン1枚につき、1個
のろう材が必要になるか、又はアノードシリンダー内周
に相当するリング状ろう材が必要であり、マグネトロン
アノードとしての製品価格を不所望に高くしているのが
現状である。
更に、ろう接後の製品精度面においては、ろう接前の組
立て治具を使用して行ない、ろう接時は治具ごと炉へ投
入する。当然のことながら、組立て治具と各部品の関係
は組立てを容易にするため、隙間(クリアランス)を設
けてあるが、炉への投入前のクリアランスはろう接温度
(約800〜930℃)まで昇温することで熱膨脹の影
響により変化が生じる。
立て治具を使用して行ない、ろう接時は治具ごと炉へ投
入する。当然のことながら、組立て治具と各部品の関係
は組立てを容易にするため、隙間(クリアランス)を設
けてあるが、炉への投入前のクリアランスはろう接温度
(約800〜930℃)まで昇温することで熱膨脹の影
響により変化が生じる。
その結果として、第6図に示すように各アノードベイン
2の遊端(カソード側端部)で形戊される内部寸法D及
び隣接するベイン同士のなす角度θにバラツキが生じ、
発振周波数や発振モードが不安定となる。
2の遊端(カソード側端部)で形戊される内部寸法D及
び隣接するベイン同士のなす角度θにバラツキが生じ、
発振周波数や発振モードが不安定となる。
一方、特開昭56−156646号公報に開示されてい
るように、アノードシリンダーの外周からレーザ溶接に
よりアノードベインを接合する方法もある。
るように、アノードシリンダーの外周からレーザ溶接に
よりアノードベインを接合する方法もある。
ところが、この方法の場合も、第8図と同様にアノード
ベインの接合すべき端面全面積が溶融部となり、上記と
同じく個々のアノードベインをしっかり固定した状態で
レーザ溶接しないと、各ベインのカソード側端部の各相
対位置が変化し、相互間隔が狂う。
ベインの接合すべき端面全面積が溶融部となり、上記と
同じく個々のアノードベインをしっかり固定した状態で
レーザ溶接しないと、各ベインのカソード側端部の各相
対位置が変化し、相互間隔が狂う。
この発明は、アノードベインの組立て精度を改善し、高
品質のマグネトロンアノードの製造方法を提供すること
を目的とする。
品質のマグネトロンアノードの製造方法を提供すること
を目的とする。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
この発明は、アノードシリンダー内面に接合すべきアノ
ードベイン端面の全面積の20〜90%が、非溶融部と
して残るようにレーザ溶接するマグネトロンアノードの
製造方法である。
ードベイン端面の全面積の20〜90%が、非溶融部と
して残るようにレーザ溶接するマグネトロンアノードの
製造方法である。
(作用)
この発明によれば、アノードベインの各相対位置が狂わ
ず、カソード側端部の相互間隔が変化しないので良好な
発振特性が得られる。
ず、カソード側端部の相互間隔が変化しないので良好な
発振特性が得られる。
(実施例)
以下、図面を参照して、この発明の一実施例を詳細に説
明する。
明する。
先ず、この発明によって完成するマグネトロンアノード
は、第1図及び第2図に示すように構戊され、従来例(
第5図乃至第8図)と同一箇所は同一符号を付すと、円
筒状のアノードシリンダー1の内側に放射状に複数枚の
板状アノードベイン2が配設され、レーザビーム溶接に
より接合固着されている。
は、第1図及び第2図に示すように構戊され、従来例(
第5図乃至第8図)と同一箇所は同一符号を付すと、円
筒状のアノードシリンダー1の内側に放射状に複数枚の
板状アノードベイン2が配設され、レーザビーム溶接に
より接合固着されている。
製造に当たっては、アノードシリンダー1の内側に放射
状に複数枚のアノードベイン2を配列固定し、アノード
シリンダー1の外周側からレーザビームを照射して両者
を溶接する。図中の4がレザビーム溶接による接合箇所
である。
状に複数枚のアノードベイン2を配列固定し、アノード
シリンダー1の外周側からレーザビームを照射して両者
を溶接する。図中の4がレザビーム溶接による接合箇所
である。
但し、この場合、第3図(a)、(b)に示すように、
アノードベイン2のうちアノードシリンダー1の内面に
接合すべき端面4の全面積の20〜90%が非溶融部5
として残るように溶接する。
アノードベイン2のうちアノードシリンダー1の内面に
接合すべき端面4の全面積の20〜90%が非溶融部5
として残るように溶接する。
残り80〜10%の面積が溶融し合って融接した5
領域6である。
例えば、アノードベイン2の接合すべき端面4が、幅2
.0mm,長さが9.9mmの場合、第3図(a)に示
すように、アノードベイン2端面の周縁部に約0.2m
m幅の非溶融部5が出来るように溶接を行なう。それに
より、全面積の約20%の非溶融部5が、アノードベイ
ン2とアノードシリンダー1との間に残って亙いに機楓
的に接し合っている。
.0mm,長さが9.9mmの場合、第3図(a)に示
すように、アノードベイン2端面の周縁部に約0.2m
m幅の非溶融部5が出来るように溶接を行なう。それに
より、全面積の約20%の非溶融部5が、アノードベイ
ン2とアノードシリンダー1との間に残って亙いに機楓
的に接し合っている。
或いは又、第3図(b)は、2箇所に直径約1mmの融
接部6が出来るように2点溶接を行なりた場合である。
接部6が出来るように2点溶接を行なりた場合である。
それにより全面積の約90%の非溶融部5が残る。
尚、非溶融部が90%以上であると、溶接強度不足を生
じ、又、これが10%未満であると、溶融部がが多すぎ
てアノードベイン2の相互位置が変化し易い。従って、
非溶融部は接合すべき端面の全面積の20〜90%の範
囲が適当である。
じ、又、これが10%未満であると、溶融部がが多すぎ
てアノードベイン2の相互位置が変化し易い。従って、
非溶融部は接合すべき端面の全面積の20〜90%の範
囲が適当である。
さて、溶接スタート時は、アノードベイン2端面とアノ
ードシリンダー1内面はほぼ密着してい6 る。しかし、アノードベイン2端面の溶融面積を全面に
した場合、溶接後の冷却時に溶融部分が収縮するため、
第6図に示すφD寸法が不安定となり、結果的に前述し
た信頼性に乏しい製品となる。
ードシリンダー1内面はほぼ密着してい6 る。しかし、アノードベイン2端面の溶融面積を全面に
した場合、溶接後の冷却時に溶融部分が収縮するため、
第6図に示すφD寸法が不安定となり、結果的に前述し
た信頼性に乏しい製品となる。
これを防ぐために、第2図に示す非溶融部5が必要であ
り、この非溶融部5が溶接後の熱による収縮のストッパ
ーとなり、アノードベイン2端面がアノードシリンダー
11号面に密着する。その結果、第6図に示すD寸法は
アノードシリンダー山径及びアノードベイン2の部品精
度で安定した精度を維持することが出来る。
り、この非溶融部5が溶接後の熱による収縮のストッパ
ーとなり、アノードベイン2端面がアノードシリンダー
11号面に密着する。その結果、第6図に示すD寸法は
アノードシリンダー山径及びアノードベイン2の部品精
度で安定した精度を維持することが出来る。
又、溶接作業は、常温で行なうため、組立治具と各部品
のクリアランスは変化せず、全体的に組立精度は向上す
る。
のクリアランスは変化せず、全体的に組立精度は向上す
る。
更に、ビーム溶接時は、インサート材等を使用する必要
がないため、マグネトロンアノードとしての製品価格も
従来のろう接品に比べ、大幅なコストダウンが出来る。
がないため、マグネトロンアノードとしての製品価格も
従来のろう接品に比べ、大幅なコストダウンが出来る。
又、設備面では、水素炉等の必要もなく、スペース及
び動力費を低減することが出来る。
び動力費を低減することが出来る。
(他の実施例)
第4図(a)、(b)はこの発明の他の実施例を示した
もので、上記実施例と同様効果が得られる。
もので、上記実施例と同様効果が得られる。
即ち、(a)の場合は、溶接性向上のため、アノードシ
リンダー1のうちアノードベイン2の接合部にのみ凹部
7を形成し、その部分のみ肉厚tを減少させた状態を示
している。
リンダー1のうちアノードベイン2の接合部にのみ凹部
7を形成し、その部分のみ肉厚tを減少させた状態を示
している。
又、(b)の場合も(a)と同様に溶接性向上を目的と
しているが、四部8をアノードベイン2の接合部だけで
なく、全周に亘って形威している。
しているが、四部8をアノードベイン2の接合部だけで
なく、全周に亘って形威している。
[発明の効果コ
この発明によれば、アノードシリンダーに溶接すべきア
ノードベイン端面の全面積の20〜90%が、非溶融部
として残るようにレーザ溶接しているので、アノードベ
インのカソード側端部の各相対位置が狂わず、組立精度
の良好な高品質のマグネトロンアノードを得ることが出
来る。
ノードベイン端面の全面積の20〜90%が、非溶融部
として残るようにレーザ溶接しているので、アノードベ
インのカソード側端部の各相対位置が狂わず、組立精度
の良好な高品質のマグネトロンアノードを得ることが出
来る。
第1図はこの発明の一実施例に係るマグネトロンアノー
ドの製造方法により得られたマグネトロンアノードを示
す斜視図、第2図は第1図のマグネトロンアノードにお
けるアノードベインを示す斜視図、第3図(a)、(b
)はこの発明の製造方法におけるアノードベインの非溶
融部の2種類を示す平面図、第4図(a)、(b)はこ
の発明の他の実施例に係るマグネトロンアノードの製造
方法により得られたマグネトロンアノードを示す半断面
図、第5図及び第6図は一般的なマグネトロンアノード
を示す斜視図と平面図、第7図は従来のマグネトロンア
ノードの製造方法により得られたマグネトロンアノード
を示す斜視図、第8図は第7図のマグネトロンアノード
におけるアノードベインを示す斜視図である。 1・・・アノードシリンダー 2・・・アノ5・・・非
溶融部、6・・・溶融部。 ドベイン、 ) 舛
ドの製造方法により得られたマグネトロンアノードを示
す斜視図、第2図は第1図のマグネトロンアノードにお
けるアノードベインを示す斜視図、第3図(a)、(b
)はこの発明の製造方法におけるアノードベインの非溶
融部の2種類を示す平面図、第4図(a)、(b)はこ
の発明の他の実施例に係るマグネトロンアノードの製造
方法により得られたマグネトロンアノードを示す半断面
図、第5図及び第6図は一般的なマグネトロンアノード
を示す斜視図と平面図、第7図は従来のマグネトロンア
ノードの製造方法により得られたマグネトロンアノード
を示す斜視図、第8図は第7図のマグネトロンアノード
におけるアノードベインを示す斜視図である。 1・・・アノードシリンダー 2・・・アノ5・・・非
溶融部、6・・・溶融部。 ドベイン、 ) 舛
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 アノードシリンダーの内側に複数のアノードベインを放
射状に配設し、上記アノードシリンダーの外周側からレ
ーザビームを照射して上記アノードベインを溶接するマ
グネトロンアノードの製造方法において、 上記アノードシリンダーに接合すべきアノードベイン端
面の全面積の20〜90%が、非溶融部として残るよう
にレーザ溶接することを特徴とするマグネトロンアノー
ドの製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1234958A JPH0744006B2 (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | マグネトロンアノードの製造方法 |
EP90114772A EP0417455B1 (en) | 1989-09-11 | 1990-08-01 | Method of manufacturing magnetron anodes |
DE69010433T DE69010433T2 (de) | 1989-09-11 | 1990-08-01 | Verfahren zur Herstellung von Magnetronanoden. |
US07/563,619 US5078635A (en) | 1989-09-11 | 1990-08-07 | Method of manufacturing magnetron anodes |
KR1019900014604A KR920010171B1 (ko) | 1989-09-11 | 1990-09-11 | 마그네트론 애노드의 제조방법. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1234958A JPH0744006B2 (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | マグネトロンアノードの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0398242A true JPH0398242A (ja) | 1991-04-23 |
JPH0744006B2 JPH0744006B2 (ja) | 1995-05-15 |
Family
ID=16978924
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1234958A Expired - Lifetime JPH0744006B2 (ja) | 1989-09-11 | 1989-09-11 | マグネトロンアノードの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5078635A (ja) |
EP (1) | EP0417455B1 (ja) |
JP (1) | JPH0744006B2 (ja) |
KR (1) | KR920010171B1 (ja) |
DE (1) | DE69010433T2 (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51151060A (en) * | 1975-06-20 | 1976-12-25 | Toshiba Corp | Construction method of a magnetron anode constituted body |
JPS56156646A (en) * | 1980-05-01 | 1981-12-03 | Toshiba Corp | Magnetron anode and manufacture |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4167662A (en) * | 1978-03-27 | 1979-09-11 | National Research Development Corporation | Methods and apparatus for cutting and welding |
US4461946A (en) * | 1982-03-11 | 1984-07-24 | Hull Corporation | Apparatus for clamping an assembly of parts for laser welding |
-
1989
- 1989-09-11 JP JP1234958A patent/JPH0744006B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-08-01 DE DE69010433T patent/DE69010433T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-01 EP EP90114772A patent/EP0417455B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-08-07 US US07/563,619 patent/US5078635A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-11 KR KR1019900014604A patent/KR920010171B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51151060A (en) * | 1975-06-20 | 1976-12-25 | Toshiba Corp | Construction method of a magnetron anode constituted body |
JPS56156646A (en) * | 1980-05-01 | 1981-12-03 | Toshiba Corp | Magnetron anode and manufacture |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR920010171B1 (ko) | 1992-11-19 |
EP0417455A1 (en) | 1991-03-20 |
DE69010433T2 (de) | 1994-12-22 |
KR910007053A (ko) | 1991-04-30 |
EP0417455B1 (en) | 1994-07-06 |
JPH0744006B2 (ja) | 1995-05-15 |
US5078635A (en) | 1992-01-07 |
DE69010433D1 (de) | 1994-08-11 |
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