JPH0397699A - 接合フェライトの製造方法 - Google Patents

接合フェライトの製造方法

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JPH0397699A
JPH0397699A JP1232228A JP23222889A JPH0397699A JP H0397699 A JPH0397699 A JP H0397699A JP 1232228 A JP1232228 A JP 1232228A JP 23222889 A JP23222889 A JP 23222889A JP H0397699 A JPH0397699 A JP H0397699A
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JP
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JP1232228A
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Kazuhiro Takaguchi
高口 和博
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Shin Etsu Chemical Co Ltd
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Shin Etsu Chemical Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、磁気記録再生ヘッド用のMn−Znフェライ
ト単結晶とMn−Znフェライト多結晶とを接合させた
接合フェライトの製造方法に関するものである。
(従来の技術) 従来、Mn−Znフェライト単結晶とMn−Znフェラ
イト多結晶とを接合させた接合フェライトは、5Kg/
cm”以上の圧力下1,150 〜1,350℃で熱処
理することにより製造されている。その際、単結晶、多
結晶の各接合面は、表面粗さR maxが約0.1μm
の鏡面に仕上げられるのが一般的である。しかしながら
この製造方法により単結晶と多結晶とを接合しても、接
合不良が発生し、歩留りが良くなく、その上接合された
部分では、単結晶が多結晶側に成長し、その成長の長さ
が各部分によって異なるため、単結晶と多結晶との界面
が凹凸になり、磁気記録再生ヘッドを製造した時のヘッ
ド特性(SN比、再生出力等)のばらつきの原因となっ
ていた。
(発明が解決しようとする課題) 本発明は、従来の技術では解決できなかった上記諸欠点
を解消したIn−Znフェライト単結晶とMn−Znフ
ェライト多結晶の接合不良がなく、また単結晶の成長を
抑えた接合フェライトの製造方法を提供するものである
(課題を解決するための手段) 本発明者等は、かかる課題を解決するために接合方法に
ついて種々検討した結果、本発明に到達したもので、そ
の要旨とするところは、Mn−Znフェライト単結晶と
Mn−Znフェライト多結晶とを加熱、加圧下に接合さ
せるに際し、Mn−Znフェライト単結晶とMn−Zn
フェライト多結晶の接合面の表面粗さR maxを夫々
0.02μm以下とすることを特徴とする接合フェライ
トの製造方法にある。
以下、本発明を詳細に説明する。
Mn−Znフェライト単結晶とMn−Znフェライト多
結晶とを接合させて接合フェライトを製造するに当たっ
て、夫々の接合面を鏡面加工すると、結晶表面に加工歪
が導入される。この加工歪は熱処理によって解放され、
それに伴い試料の変形が生じこの変形は特に厚みの少な
い試料には顕著に現われ、この変形により熱処理中に接
合面同志の密着性が悪くなり、接合不良の原因になる。
更には、加工歪の解放が駆動力となって、単結晶が戒長
し、単結晶と多結晶との界面が凹凸になってしまう。従
って、結晶表面の加工歪を除去したり、または、減少さ
せたりすることが出来れば、以上の問題は解決できる。
加工歪を除去するためには、エッチングにより結晶表面
を溶解するのが簡単であるが、エッチングされた表面は
鏡面ではなくなり、表面が粗くなっているので、単結晶
と多結晶とを熱処理しても接合させることは難しい。結
晶表面の加工歪は結晶表面の粗さが小さければ小さい程
、表面粗さは小さくなり、結晶表面の粗さが小さくなる
ように加工すれば、加工歪を抑えることが出来る。表面
粗さR maxの範囲は0.02μm以下が良く、小さ
ければ小さいほど良い。これより大きな表面粗さR m
axの鏡面を接合したときには、接合不良が多く、また
、単結晶の成長が大きくなってしまう。
本発明の適用されるMn−Znフェライト組成はFez
es :45〜65mo1%、MnO:25〜45mo
l%、ZnO:5 〜25mo1%の範囲である。
以下、本発明の実施態様を実施例と比較例を挙げて説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
(実施例l、2、比較例1、2) 単結晶フェライト( FeJs 52. 5mol%,
Mn0 26.5mol%、Zn0 21mol%)は
、ブリッジマン法によって作製された単結晶インゴット
より15aoaX 15mmX 1mmtの板状に切り
出した。多結晶フェライトは、平衡酸素分圧下1, 3
00℃で5時間焼成して作製し. 15+n+oX 1
5a+mX 3 mmtの板状に切り出した。多結晶の
組成は、単結晶の組成とほぼ同じになる様にした。これ
ら板状の単結晶、多結晶の15mmX 15mmの面を
接合面とし、いろいろな表面相さR maxの鏡面に加
工した。接合面の表面粗さR maxを表1に示す。そ
の後、5 Kg/cm”の圧力下、1,250℃で熱処
理し、単結晶と多結晶とを接合した。接合後これを切断
し、断面を観察して接合不良と単結晶の成長を調べた。
この結果を表1に示す。
(発明の効果) 本発明によれば、Mn−Zn単結晶フェライトとMn−
Zn多結晶フェライトとを接合させた接合フェライトを
製造するに際し、接合不良を極力抑え、歩留まり良く製
造することができ、単結晶の成長を抑えることができる
ため磁気記録再生ヘッド用としてのヘッド特性のばらつ
きの原因も解消し、産業上極めて有益である。
(μm)  割合(%)  量(μm)比較例2 0.05 50 100

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. Mn−Znフェライト単結晶とMn−Znフェライト多
    結晶とを加熱、加圧下に接合させるに際し、Mn−Zn
    フェライト単結晶とMn−Znフェライト多結晶の接合
    面の表面粗さRmaxを夫々0.02μm以下とするこ
    とを特徴とする接合フェライトの製造方法。
JP1232228A 1989-09-07 1989-09-07 接合フェライトの製造方法 Expired - Lifetime JPH075438B2 (ja)

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JPH0397699A true JPH0397699A (ja) 1991-04-23
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60195097A (ja) * 1984-03-19 1985-10-03 Ngk Insulators Ltd フエライト単結晶の製造法
JPS62113787A (ja) * 1985-11-11 1987-05-25 Ngk Insulators Ltd 単結晶フェライト体の製造法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60195097A (ja) * 1984-03-19 1985-10-03 Ngk Insulators Ltd フエライト単結晶の製造法
JPS62113787A (ja) * 1985-11-11 1987-05-25 Ngk Insulators Ltd 単結晶フェライト体の製造法

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JPH075438B2 (ja) 1995-01-25

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