JPH0397129A - 光ディスク装置用半導体レーザ - Google Patents
光ディスク装置用半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH0397129A JPH0397129A JP1233172A JP23317289A JPH0397129A JP H0397129 A JPH0397129 A JP H0397129A JP 1233172 A JP1233172 A JP 1233172A JP 23317289 A JP23317289 A JP 23317289A JP H0397129 A JPH0397129 A JP H0397129A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- light
- laser element
- optical disk
- shielding plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 35
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 claims description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕一
本発明は光ディスク装置用半導体レーザに係り、特に情
報の書込み、消去が何回でも可能な消去可能型光ディス
ク装置に用いられる半導体レーザに関する。
報の書込み、消去が何回でも可能な消去可能型光ディス
ク装置に用いられる半導体レーザに関する。
種々の情報を光を用いて記録・再生する光学式情報処理
装！（光ディスク装置）では、ユーザが１回だけ情報を
追加して記録できる追記型光ディスクを使用するものに
比べ、光磁気ディスクのように消去可能型光ディスクを
使用する装置が、情報の書込み、消去が何回でも可能で
あることから、コンピュータのコードデータ用メモリと
して大きな期待が寄せられている。
装！（光ディスク装置）では、ユーザが１回だけ情報を
追加して記録できる追記型光ディスクを使用するものに
比べ、光磁気ディスクのように消去可能型光ディスクを
使用する装置が、情報の書込み、消去が何回でも可能で
あることから、コンピュータのコードデータ用メモリと
して大きな期待が寄せられている。
一般に光ディスク装置では光源に半導体レーザを使用し
ている。この半導体レーザは一般に第４図に示す如き構
成とされている。同図中、１は半導体レーザ素子で、そ
の後方にＰＩＮホトダイオード２がステム３上に設けら
れている。半導体レーザ素子１は基部がステム３に固定
されているヒートシンク４の先端部に取付けられている
。これらの半導体レーザ素子１．ＰＩＮホトダイオード
２及びヒートシンク４は遣充用のキャップ５に内包され
ている。半導体レーザ素子１の前方のキャップ５の部分
には窓ガラス６が設けられ、レーザ光を透過するように
なされている。
ている。この半導体レーザは一般に第４図に示す如き構
成とされている。同図中、１は半導体レーザ素子で、そ
の後方にＰＩＮホトダイオード２がステム３上に設けら
れている。半導体レーザ素子１は基部がステム３に固定
されているヒートシンク４の先端部に取付けられている
。これらの半導体レーザ素子１．ＰＩＮホトダイオード
２及びヒートシンク４は遣充用のキャップ５に内包され
ている。半導体レーザ素子１の前方のキャップ５の部分
には窓ガラス６が設けられ、レーザ光を透過するように
なされている。
半導体レーザ素子１から出射されるレーザ光は、半導体
レーザ素子１の前方と後方の両方から出射されるが、後
方へ出射されるレーザ光はＰＩＮホトダイオード２で検
知され、この検知出力をフィードバック回路を通して半
導体レーザ素子１の駆動電流をｌｌＪＩｔｌすることに
より、半導体レーザ素子１の前方へ窓ガラス６を透過し
て出射されるレデ光の出力強度を一定に保つことができ
る。従って、商品化された半導体レーザのパッケージ内
にはＰＩＮホトダイオード２が予め備え付けられている
。
レーザ素子１の前方と後方の両方から出射されるが、後
方へ出射されるレーザ光はＰＩＮホトダイオード２で検
知され、この検知出力をフィードバック回路を通して半
導体レーザ素子１の駆動電流をｌｌＪＩｔｌすることに
より、半導体レーザ素子１の前方へ窓ガラス６を透過し
て出射されるレデ光の出力強度を一定に保つことができ
る。従って、商品化された半導体レーザのパッケージ内
にはＰＩＮホトダイオード２が予め備え付けられている
。
ところが、光ディスク装置においては、光ディスク装置
からの反射光の一部が半導体レーザ自身に戻る。この戻
り光量は光学系の構成上、光磁気ディスク装置では無視
できない量となる。この戻り光が、前記した半導体レー
ザ内のＰＩＮホトダイオード２に直接入射すると、本来
制御対象となっているレーザチップからの出射光にノイ
ズとして重畳されるため、半導体レーザ素子１の前方へ
出射される出力ビーム光の正確な制御ができなくなる。
からの反射光の一部が半導体レーザ自身に戻る。この戻
り光量は光学系の構成上、光磁気ディスク装置では無視
できない量となる。この戻り光が、前記した半導体レー
ザ内のＰＩＮホトダイオード２に直接入射すると、本来
制御対象となっているレーザチップからの出射光にノイ
ズとして重畳されるため、半導体レーザ素子１の前方へ
出射される出力ビーム光の正確な制御ができなくなる。
従って、半導体レーザにおいては、上記の戻り光の影響
を低減することが必要とされる。
を低減することが必要とされる。
〔従来の技術）
第５図は従来の光ディスク装置の一例の構成図を示す。
同図中、７は半導体レーザで、第４図に示す如き構成と
されている。この半導体レーザ７より出射された光（半
導体レーザ素子１からその前方へ窓ガラス６を透過して
出射された光）は、コリメートレンズ８により平行光と
された後、ビーム整形プリズム９によりビーム形状が整
形され、更にピームスプリッタ１０を透過して対物レン
ズ１１により光ディスク１２上に焦点一致して収束せし
められ、微少な光スポットを形成する。
されている。この半導体レーザ７より出射された光（半
導体レーザ素子１からその前方へ窓ガラス６を透過して
出射された光）は、コリメートレンズ８により平行光と
された後、ビーム整形プリズム９によりビーム形状が整
形され、更にピームスプリッタ１０を透過して対物レン
ズ１１により光ディスク１２上に焦点一致して収束せし
められ、微少な光スポットを形成する。
この光ディスク１２に光スポットを形戚すると共に、こ
こで反射された光は再び対物レンズ１１を透過してビー
ムスプリッタ１０に入射されて反射される。ビームスブ
リッタ１０からの反射光は１７２波長板１３，偏光ビー
ムスブリッタ１４を通して光路が２分岐され、一方は集
光レンズ１５を通してＰＩＮ分割ホトディテクタ１６に
入射され、他方は集光レンズ１７を通してＰＩＮ分υ１
ホトディデクタ１８に入射される。ＰＩＮ分割ホトディ
デクタ１６及び１８の各出力信号に基づいて情報信号の
再生、トラック誤差信号及びフォーカス誤差信ｇの生成
が行なわれる。
こで反射された光は再び対物レンズ１１を透過してビー
ムスプリッタ１０に入射されて反射される。ビームスブ
リッタ１０からの反射光は１７２波長板１３，偏光ビー
ムスブリッタ１４を通して光路が２分岐され、一方は集
光レンズ１５を通してＰＩＮ分割ホトディテクタ１６に
入射され、他方は集光レンズ１７を通してＰＩＮ分υ１
ホトディデクタ１８に入射される。ＰＩＮ分割ホトディ
デクタ１６及び１８の各出力信号に基づいて情報信号の
再生、トラック誤差信号及びフォーカス誤差信ｇの生成
が行なわれる。
ここで、光ディスク１２からの反躬光はビームスプリッ
タ１０によりすべて反射されるわけではなく、僅かでは
あるがビームスプリッタ１０を透過し、ビーム整形プリ
ズム９．コリメートレンズ８を逆進して半導体レーザ７
に入射する。
タ１０によりすべて反射されるわけではなく、僅かでは
あるがビームスプリッタ１０を透過し、ビーム整形プリ
ズム９．コリメートレンズ８を逆進して半導体レーザ７
に入射する。
従って、半導体レーザ７内の半導体レーザ索了１と光デ
ィスク１２との１１の光路系により、第２図（Ａ）に示
すように、実線■及び■で示す半導体レーザ素ｆ１の＃
ｉ万及び後方に夫々出射される本来のレーザ光以外に、
破線■で示す戻り光が生じ、これがＰＩＮホトダイオー
ド２に入射してしまう。
ィスク１２との１１の光路系により、第２図（Ａ）に示
すように、実線■及び■で示す半導体レーザ素ｆ１の＃
ｉ万及び後方に夫々出射される本来のレーザ光以外に、
破線■で示す戻り光が生じ、これがＰＩＮホトダイオー
ド２に入射してしまう。
そこで、従来はこのＰＩＮホトダイオード２を使用禁止
とし、かつ、第５図に示す如く、ビームスプリッタ１０
により１／２波長板１３７＋向とは逆方向に反射される
光の光路中に、外部ＰＩＮホトダイオード１９を設け、
このＰＩＮホ１〜ダイオード１９により光電変換して得
られる信号に基づき、半導体レーザ７の出射レーザ光の
強度が一定′となるようにフィードバック制御している
。
とし、かつ、第５図に示す如く、ビームスプリッタ１０
により１／２波長板１３７＋向とは逆方向に反射される
光の光路中に、外部ＰＩＮホトダイオード１９を設け、
このＰＩＮホ１〜ダイオード１９により光電変換して得
られる信号に基づき、半導体レーザ７の出射レーザ光の
強度が一定′となるようにフィードバック制御している
。
従って、従来は半導体レーザ７内のＰＩＮボトダイオー
ド２は使用しないで、外部にＰＩＮホトダイオード１９
を設けていたため、部品点数が多くなり信頼性の点で不
利であり、また外部ＰＩＮホトダイオード１９を配置す
るスペースが必要となるために、装置の小型化に制約を
与えている。
ド２は使用しないで、外部にＰＩＮホトダイオード１９
を設けていたため、部品点数が多くなり信頼性の点で不
利であり、また外部ＰＩＮホトダイオード１９を配置す
るスペースが必要となるために、装置の小型化に制約を
与えている。
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、光ディ
スクからの戻り光の影響を、装置の小型化可能な構成で
除去できる光ディスク装置用半導体レーザを提供するこ
とを目的とする。
スクからの戻り光の影響を、装置の小型化可能な構成で
除去できる光ディスク装置用半導体レーザを提供するこ
とを目的とする。
第１図（Ａ）．（Ｂ）は本発明の原理構成図を示す。同
図中、第４図と同一構成部分には同一符号を付してある
。第１図（Ａ）において、半導体レーザ素子１はその前
方へ窓ガラス６を通してレーザ光ダ出射すると同時に、
後方の光出力制御用受光素子（例えばＰＩＮホトダイオ
ード２）へもレーザ光を出射する。
図中、第４図と同一構成部分には同一符号を付してある
。第１図（Ａ）において、半導体レーザ素子１はその前
方へ窓ガラス６を通してレーザ光ダ出射すると同時に、
後方の光出力制御用受光素子（例えばＰＩＮホトダイオ
ード２）へもレーザ光を出射する。
本発明ではこの半導体レーザ素子１と光出力制御用受光
素子であるＰＩＮホトダイオード２と−の間に、戻り充
用遣光板２１を設けた点に特徴を有する。
素子であるＰＩＮホトダイオード２と−の間に、戻り充
用遣光板２１を設けた点に特徴を有する。
戻り光用遮光板２１は、第１図（Ｂ）に示すように、そ
の中央にピンホール２１ａが９！設されている。
の中央にピンホール２１ａが９！設されている。
戻り光用遮光板２１が設けられていない従来の半導体レ
ーザにおいては、第２図（Ａ）に示す如く、光ディスク
１２で反射された光が、破線■で示す如く対物レンズ１
１．コリメートレンズ８等を経由してＰＩＮホトダイオ
ード２に戻り光として入射されてしまう。
ーザにおいては、第２図（Ａ）に示す如く、光ディスク
１２で反射された光が、破線■で示す如く対物レンズ１
１．コリメートレンズ８等を経由してＰＩＮホトダイオ
ード２に戻り光として入射されてしまう。
これに対し、本発明では戻り光用遣光板２１を設けたた
め、第２図（Ｂ）に破線■で示す経路を辿る戻り光は、
戻り光用遮光板２１のピンホール゛２１ａ以外の遮光部
分２ｌｂで遮光され、半導体レーザ素子１から出射゛さ
れたレーザ光だけが同図（Ｂ）に出で示す如く戻り光用
遮光板２１のピンホール２１ａを透過して光出力ｌＩｌ
ｔＩ用受光素子であるＰＩＮホトダイオード２に到達し
、ここで受光される。
め、第２図（Ｂ）に破線■で示す経路を辿る戻り光は、
戻り光用遮光板２１のピンホール゛２１ａ以外の遮光部
分２ｌｂで遮光され、半導体レーザ素子１から出射゛さ
れたレーザ光だけが同図（Ｂ）に出で示す如く戻り光用
遮光板２１のピンホール２１ａを透過して光出力ｌＩｌ
ｔＩ用受光素子であるＰＩＮホトダイオード２に到達し
、ここで受光される。
第３図は本発明の一実施例の構成図を示す。同図中、第
４図と同一構成部分には同一符号を何し、その説明を省
略する。第３図において、ヒートシンク４上に設けられ
た半導体レーザ素子１とＰＩＮホトダイオード２とのは
の光路中に、戻り光用遮光板２２が設けられている。こ
の戻り光用遮光板２２の中央には第１図（［３）で示し
たピンホール２１ａと同じピンホールが穿設されている
。ピンホールの中央が半導体レーザ素子１とＰＩＮホト
ダイオード２との間の光路の光軸と一致するように、戻
り充用遮光板２２が配設されている。
４図と同一構成部分には同一符号を何し、その説明を省
略する。第３図において、ヒートシンク４上に設けられ
た半導体レーザ素子１とＰＩＮホトダイオード２とのは
の光路中に、戻り光用遮光板２２が設けられている。こ
の戻り光用遮光板２２の中央には第１図（［３）で示し
たピンホール２１ａと同じピンホールが穿設されている
。ピンホールの中央が半導体レーザ素子１とＰＩＮホト
ダイオード２との間の光路の光軸と一致するように、戻
り充用遮光板２２が配設されている。
このような戻り光遮光板２２は、例えば銅板の表面を黒
化処理し、戻り光を吸収させるようにするのがよく、ま
た遮光板からの反射光がレーザ素子１に入射しないよう
斜め−に設置してもよい。
化処理し、戻り光を吸収させるようにするのがよく、ま
た遮光板からの反射光がレーザ素子１に入射しないよう
斜め−に設置してもよい。
かかる戻り光用遮光板２２により、戻り光は遮蔽され、
かつ、半導体レーザ素子１の後方へ出射される光がピン
ホールを通してＰＩＮホトダイオード２に入射される。
かつ、半導体レーザ素子１の後方へ出射される光がピン
ホールを通してＰＩＮホトダイオード２に入射される。
従って、ＰＩＮホトダイオード２の出力信号を光出力制
御信弓として用いて、フィードバック制御することによ
り、戻り光による悪影響なく半導体レーザ素ｒ１の前方
へ出射されるレーザ光の強度を正確に一定に制御するこ
とができる。
御信弓として用いて、フィードバック制御することによ
り、戻り光による悪影響なく半導体レーザ素ｒ１の前方
へ出射されるレーザ光の強度を正確に一定に制御するこ
とができる。
従って、半轡休レーザパッケージ内にもともとあるＰＩ
Ｎホトダイオード２を使用でき、かつ、半導体レーザパ
ッケージの外部に、光出力制御用のＰＩＮホトダイオー
ド〈第５図の１９〉を設けなくてもよいため、部品点数
の削減による装置の小型化、高信頼化が可能となる，， 〔発明の効果〕 上述の如く、本発明によれば、半導体レーザ素ｆ後方の
光出力制御用受光素子への戻り光の入射を遮光づること
ができるため、半導体レーザ素子後方の出力レーザ光に
基づいて正確なレーザ光出力強度のＭｉｌｌができ、ま
た外部に光出力制御用受光素子を設ける必要がないため
、光ディスク装置の小型化、高信頼化に寄与するところ
大である等の特長を有するものである。
Ｎホトダイオード２を使用でき、かつ、半導体レーザパ
ッケージの外部に、光出力制御用のＰＩＮホトダイオー
ド〈第５図の１９〉を設けなくてもよいため、部品点数
の削減による装置の小型化、高信頼化が可能となる，， 〔発明の効果〕 上述の如く、本発明によれば、半導体レーザ素ｆ後方の
光出力制御用受光素子への戻り光の入射を遮光づること
ができるため、半導体レーザ素子後方の出力レーザ光に
基づいて正確なレーザ光出力強度のＭｉｌｌができ、ま
た外部に光出力制御用受光素子を設ける必要がないため
、光ディスク装置の小型化、高信頼化に寄与するところ
大である等の特長を有するものである。
第１図は本発明の原即構成図、
第２図は本発明による戻り光の影響の除去説明図、
第３図は本発明の一実施例の構成図、
第４図は一般的な半導体レーザの構成図、第５図は従来
の光ディスク装置の一例の構成図である。 図において、 １は半導体レーザ素子、 ２％よＰＩＮホ１・ダイオード 子）、 ５はキャップ、 ６は窓ガラス、 １２Ｌｔ光ディスク、 ２１は戻り光用遮光板、 ２１ａはピンホール、 ２ｌｂは遮光部分 を示す。 （光出力制御用受光素 第１図 ｒｉ’！： ３図 本発明１′：よる戻り光の影響の除去説８月図第２図 一貧え的ケ午尊了木しープ゛Ｏａ方定図第４図
の光ディスク装置の一例の構成図である。 図において、 １は半導体レーザ素子、 ２％よＰＩＮホ１・ダイオード 子）、 ５はキャップ、 ６は窓ガラス、 １２Ｌｔ光ディスク、 ２１は戻り光用遮光板、 ２１ａはピンホール、 ２ｌｂは遮光部分 を示す。 （光出力制御用受光素 第１図 ｒｉ’！： ３図 本発明１′：よる戻り光の影響の除去説８月図第２図 一貧え的ケ午尊了木しープ゛Ｏａ方定図第４図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体レーザ素子（１）と、その後方に設けられた光
出力制御用受光素子（２）とがキャップ（５）内に内包
され、該半導体レーザ素子（１）の前方へ該キャップ（
５）の一部に設けられた窓ガラス（６）を通してレーザ
光を出射する光ディスク装置用半導体レーザにおいて、 前記半導体レーザ素子（１）と前記光出力制御用受光素
子（２）との間に、ピンホール（２１ａ）を有する戻り
光用遮光板（２１）を設けたことを特徴とする光ディス
ク装置用半導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1233172A JPH0397129A (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | 光ディスク装置用半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1233172A JPH0397129A (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | 光ディスク装置用半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0397129A true JPH0397129A (ja) | 1991-04-23 |
Family
ID=16950860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1233172A Pending JPH0397129A (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | 光ディスク装置用半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0397129A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994008367A1 (en) * | 1992-10-07 | 1994-04-14 | Diomed Limited | Laser diode assembly |
-
1989
- 1989-09-08 JP JP1233172A patent/JPH0397129A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994008367A1 (en) * | 1992-10-07 | 1994-04-14 | Diomed Limited | Laser diode assembly |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4570251A (en) | Overlay recording prevention device for optical disc apparatus | |
| JPH06309685A (ja) | 光学式情報記録再生装置のレーザ出力制御装置 | |
| US5067117A (en) | Output stabilizing apparatus for an optical head | |
| JPS60131648A (ja) | 光学ヘツド | |
| JPH04332185A (ja) | 半導体レーザ用前方出射光検出機構及び光量調整方法 | |
| US7023787B2 (en) | Optical pickup device | |
| JPH0397129A (ja) | 光ディスク装置用半導体レーザ | |
| US6643247B2 (en) | Method for recording information in optical information medium and reproducing information therefrom | |
| JPH0478029A (ja) | 光学的情報記録再生装置 | |
| JP2609221B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS61162838A (ja) | 光デイスク記録再生装置の光源駆動装置 | |
| JPS5829155A (ja) | 光磁気方式による情報再生装置 | |
| JPS6394438A (ja) | 光カ−ド記録再生装置 | |
| JPH04330646A (ja) | 光学式情報記録再生装置のレーザ出力制御装置 | |
| JP3908002B2 (ja) | 光ピックアップおよび光ディスク装置 | |
| JP2002319699A (ja) | 光学装置 | |
| JPH0728085B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JP2002288870A (ja) | 光ピックアップ | |
| JP2571037B2 (ja) | 光学ヘッド | |
| JP4115255B2 (ja) | 光ヘッド装置 | |
| JP2001202651A (ja) | 光学ピックアップ装置及び光ディスク装置 | |
| JP2755633B2 (ja) | レーザ光制御装置 | |
| JP2758232B2 (ja) | 光ピックアップ装置及びこれを用いた光情報記録再生装置 | |
| JP2001084625A (ja) | 光学的情報記録再生装置 | |
| JPH073461Y2 (ja) | 光ピックアップ装置 |