JPH039656A

JPH039656A - イメージセンサ

Info

Publication number: JPH039656A
Application number: JP1143471A
Authority: JP
Inventors: Tsutomu Ishida; 力石田
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1989-06-06
Filing date: 1989-06-06
Publication date: 1991-01-17

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔技術分野〕本発明は、各種半導体デバイスの保護膜および該保護膜
を有するファクシミリ用のイメージセンサ、サーマルヘ
ッド、ＣＣＤセンサ、各種工／○デバイス及び半導体デ
バイスに関する。

〔従来技術〕

通常、各種半導体デバイスの保護膜、完全密着型を含む
密着型イメージセンサの摩擦帯電の防止のためには、表
面に界面活性剤などの有機物薄膜を形成したり、金属被
膜を形成したり、また透明性が要求される場合は酸化ス
ズ、酸化インジウムなどの透明無機物薄膜を形成したり
している。

しかし、これら薄膜を形成する場合においては、使用時
にその膜が薄くなり、結果として消滅してしまうことも
ある。このような場合は初期の機能である帯電防止効果
が発揮されない。

また、薄板ガラスを貼る前の光電変換素子の透明絶縁性
保護層の上にＡ！１などの金属層を設は静電防止をはか
ったものもあるが、この方式は素子の欠陥を生じやすい
。原因としては保護膜のピンホールを介してのショート
などが考えられる。

さらに、特開昭５８−１２７４６３号のように、センサ
表面が、薄板ガラス上に透明かつ高硬度の薄膜を形成し
てなる透明保護層である場合には。

原稿と透明保護Ｎ縁層との摩擦により生じる静電気ノイ
ズのため正確な読み取りができない。

特開昭６２−３６９６１号のように、透明絶縁体上に静
電気防止用の透光性導電層を設けたものにあっては、多
数回の使用により透明導体が最終的になくなってしまう
恐れがあり、信頼性に乏しく、また特開昭６４−７１１
７３号のように薄板ガラスの裏面に透明導電層を設けて
、静電気防止をしたものにあっては、透明導電層が摩耗
したり消失したりすることはないが、透明導体が薄板ガ
ラスの裏面にあることによりｉ）この導体をある電位（アース電位を含む）にする場
合電極の取り出しが困難。

ｉｉ）下部の素子あるいは配線との距離が近く、大きな
浮遊容量を形成などのため、信号のなまりが生じやすく、読み取り速度
に制限をうける。

〔目的〕

本発明の目的は、簡便で確実な帯電防止効果を与えるイ
メージセンサ保護用対物薄板ガラスを提供することおよ
び前記薄板ガラスを使用することにより、高い信頼性の
読み取り性能を持ったイメージセンサを提供することに
ある。

〔構成〕

本発明は薄板ガラスの表面に１μｍ以上で３０μｍ以下
の巾で凹凸を有するイメージセンサ保護用対物薄板ガラ
スに関する。

この凹凸の形状はある土方向に揃ったものであっても良
い（第１図）し、また複数の方向が組み合わされたもの
でもよい（第２図）シ、更にはそのパターンがランダム
であっても良い。

このパターンを作る方法としては ■粒度１０００〜５０００番程度のエメリーペーパーで
こする。

■通常の紙をローラなどでおしつけながらこする。

■　フォ１−リソグラフィー法で形成された樹脂レジス
トをマスクとし、フッ酸系溶液に浸漬する。

■粒径５〜３０μｍの粒子をぶつけるか、もしくはこの
粒子でこする。

などがいずれも使用できる。

この凹凸の巾が１μｍ以下では帯電防止効果が少なく、
また３０μｍ以上であるといわゆるすりガラスのように
なってしまい透明性が失われ、使用上の制限をうける。

なお、前記凹凸は、深さが０．５〜１０μｍ、とくに１
〜５μｍであることが好ましい。

また、本発明は、センサの背面から入射した光が原稿面
では反射し光電変換素子で検知されるタイプのイメージ
センサの表面に、対原稿面が１〜３０μｍの巾で凹凸を
有する対物薄板ガラスで被覆されている密着型イメージ
センサに関する。

本発明の１例として表面に１〜３０μｍ巾の凹凸が設け
られている薄板ガラスを配したイメージセンサを第３図
に示す。また別の例を第４図に示す。第４図は光電変換
素子の選択用の回路素子を同一の基板に薄板トランジス
タで形成したものである。

本発明のセンサは特に導電性材料を全く用いていないが
、それでも静電気ノイズが低減できる。この理由ないし
メカニズムは不明であるが、表面に凹凸があることによ
って、帯電時の実効的静電容量の増加による帯電電位の
低減もしくは表面への水分の吸着の効果などが働いてい
ると思われる。

第３図及び第４図に示すように、本発明のイメージセン
サをセットするには、薄板ガラス８を、例えば金屑より
成るセンサホルダー１とを導体Ｍ９で導通させておくこ
とにより帯電防止効果を達成することができる。

実施例１、石英基板上に減圧ＣＶＤ法で０．１μｍのポリシリ
コン膜を形成し、これをフォトリソ・エツチング法で加
工する。

２、このポリシリコンを１０２０℃で純酸素中で加熱し
、ゲート酸化膜を形成する。

３、レジストをマスクとして、Ｐ型となるＴＰＴのチャ
ンネル部にボロンをイオン注入する。

４、フォスフイン（ＰＨ３）をシラン（ＳｉＨ４）に混
入し、減圧ＣＶＤ法でドープドポリシリコン膜を形成し
、フォトリソ・エツチングしてゲート配線を形成する。

５、レジストパターンを形成し、イオン注入法でリンを
ドープし、ｎ型ＴＦＴのソース・ドレインを形成する。

６、レジストパターンを形成し、イオン注入法でボロン
をドープし、Ｐ型ＴＦＴのソース・ドレインを形成する
。

７．９００℃に加熱し、ソース・ドレインのドーピング
剤の活性化を行う。

８、減圧ＣＶＤで層間絶縁膜のＳｉｎ、を形成する。

９、水素ガスのプラズマ放電にさらすことによりポリシ
リコンの欠陥を補償する。このようにしてＴＰＴのシフ
トレジスタ及び光電変換素子選択用のアナログスイッチ
を形成する。

１０、Ｃｒ膜の形成及びパターニングを行う。

１１、プラズマＣＶＤによりａ−５ｉの形成とパターニ
ングを行う。

１２、ＩＴＯ透明導電層の形成とパターニングを行う。

１３、プラズマＣＶＤによる５ｉＯＮ膜の形成とコンタ
クトホールの形成を行う。

１４、　ＡＩ２上部電極の形成及びパターニングを行う
。

１５、プラズマＣＶＤによるＳｉＮ膜を形成する。

以上で受光部が形成された。

１６、別途、３０００番のエメリーベーパーで表面に凹
凸を設けた５０μｍ厚のガラスを用意し、エポキシ樹脂
で貼りつけた。このガラス平面の凹凸は、巾３〜７μｍ
、深さ１〜２μｍの範囲であった。このようにして光電
変換素子密度８　ｄｏｔｓ／ｍｍ、読み取り巾２１０ｎ
＋ｍのイメージセンサを作製した。

このセンサを蛍光灯を光源として完全密着型スキャナユ
ニットとして評価した。

その結果、２．５ｍｓ／ｕの速度まで良好なＳ／Ｎ値が
得られた。

〔効果〕

本発明イメージセンサ保護用対物薄板ガラスは１表面に
特定の凹凸が設けられているので帯電防止能が高く、各
種半導体デバイスの＃電気ノイズの心配のいらない保護
材として長期間にわたり好適に使用できる。

また、本発明イメージセンサは表面に特定の凹凸のある
薄板ガラスを用いるので、静電気ノイズが少なく、結果
として信号／ノイズ比の大きなセンサーが簡便に得られ
、信頼性も高い。

また、２．５ｍｓ／βの速度まで良好なＳ／Ｎ値が得ら
れる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明イメージセンサ保護用対物薄板ガラス
の一例を示す斜視図、第２図は別の例を示す斜視図、第
３図は本発明イメージセンサの一例を示す断面図、第４
図は別の例を示す断面図である。１・・・センサーホルダー２・・・透明基体３・・・下部電極４・・・光電変換素子５・・・上部電極６−１〜Ｇ−６・・・保護層、絶縁層７・・・接着層８・・・表面に凹凸をもつ薄板ガラス９・・・導体

Claims

【特許請求の範囲】１、イメージセンサ保護用対物薄板ガラスの表側の全面
に１μｍ〜３０μｍの巾で凹凸を有することを特徴とす
るイメージセンサ保護用対物薄板ガラス。２、対原稿面が１μｍ〜３０μｍの巾で凹凸を有する対
物薄板ガラスで被覆されていることを特徴とする密着型
イメージセンサ。