JPH039642B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH039642B2 JPH039642B2 JP21286281A JP21286281A JPH039642B2 JP H039642 B2 JPH039642 B2 JP H039642B2 JP 21286281 A JP21286281 A JP 21286281A JP 21286281 A JP21286281 A JP 21286281A JP H039642 B2 JPH039642 B2 JP H039642B2
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- Japan
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- output
- harmonic
- circuit
- input
- circuits
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 6
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 18
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
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- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
- Microwave Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高周波電力増幅器に関するものであ
る。
る。
一般に、大電力増幅器では、効率の点からＢ
級、またはＣ級動作を用いる事が多い。その場
合、高調波、特に二次高調波を除くことが必要と
なるが、そのために回路中に先端開放した、λg／
８（λg；線路における、信号の実効波長）長のス
タブを設け、トランジスタの出力側において、２
次高調波に対して短絡となるようにし、高調波の
発生を抑制するという方法が考えられる。
級、またはＣ級動作を用いる事が多い。その場
合、高調波、特に二次高調波を除くことが必要と
なるが、そのために回路中に先端開放した、λg／
８（λg；線路における、信号の実効波長）長のス
タブを設け、トランジスタの出力側において、２
次高調波に対して短絡となるようにし、高調波の
発生を抑制するという方法が考えられる。
一般に高周波回路に用いられるマイクロストリ
ツプラインによりこのスタブを実現する場合、例
えば、信号周波数＝1GHz、テフロン基板（εr
＝2.6）上にて特性インピーダンスZO＝50Ωのラ
インを用いた時、λg／８長のスタブは、幅1.47
mm、長さ25.5mmとなる。小型化の求められる場合
に、整合回路、バイアス供給回路、RFCに加え
て、この様なスタブを基板上にパターン化し構成
することは困難なため実用的でない。
ツプラインによりこのスタブを実現する場合、例
えば、信号周波数＝1GHz、テフロン基板（εr
＝2.6）上にて特性インピーダンスZO＝50Ωのラ
インを用いた時、λg／８長のスタブは、幅1.47
mm、長さ25.5mmとなる。小型化の求められる場合
に、整合回路、バイアス供給回路、RFCに加え
て、この様なスタブを基板上にパターン化し構成
することは困難なため実用的でない。
本発明は、以上のような問題点を解決するため
になされたもので、第２次高調波阻止回路の全回
路中における占有面積を小さくすることのできる
高周波電力増幅器を提供することを目的とする。
になされたもので、第２次高調波阻止回路の全回
路中における占有面積を小さくすることのできる
高周波電力増幅器を提供することを目的とする。
本発明の他の目的は、トランジスタ本体からの
距離を変えて、最適状態に設定する事のできる第
２次高調波阻止回路を有した高周波電力増幅器を
提供することである。
距離を変えて、最適状態に設定する事のできる第
２次高調波阻止回路を有した高周波電力増幅器を
提供することである。
この目的を達成するために本発明は、高周波入
力信号の電力を増幅する電力増幅部と、 前記電力増幅部の入力信号及び出力信号に対す
る整合をとる入力及び出力整合回路と、 少なくとも前記出力整合回路が接続されている
前記電力増幅部の出力側に、前記電力増幅部の出
力信号成分の第２次高調波で、直列共振する先端
開放の、かつ輪状の同軸線路より成る第２次高調
波阻止回路とを設けることにより、その占有面積
を小さくすると同時に、第２次高調波阻止の最適
ポイントを選択し、設定するものである。
力信号の電力を増幅する電力増幅部と、 前記電力増幅部の入力信号及び出力信号に対す
る整合をとる入力及び出力整合回路と、 少なくとも前記出力整合回路が接続されている
前記電力増幅部の出力側に、前記電力増幅部の出
力信号成分の第２次高調波で、直列共振する先端
開放の、かつ輪状の同軸線路より成る第２次高調
波阻止回路とを設けることにより、その占有面積
を小さくすると同時に、第２次高調波阻止の最適
ポイントを選択し、設定するものである。
以下に本発明の一実施例を図面を用いて説明す
る。
る。
第１図は、本発明の第一の実施例を示してい
る。この実施例では入、出力回路は両面に導体を
配した誘電体基板表面に構成される。Ｑはトラン
ジスタで、トランジスタＱに入、出力回路を構成
する線路１，２が接続されている。入、出力回路
は他にインダクタ、コンデンサ、線路等を直列あ
るいは並列に組み合わせた整合回路やバイアス供
給回路、RFCより構成される。
る。この実施例では入、出力回路は両面に導体を
配した誘電体基板表面に構成される。Ｑはトラン
ジスタで、トランジスタＱに入、出力回路を構成
する線路１，２が接続されている。入、出力回路
は他にインダクタ、コンデンサ、線路等を直列あ
るいは並列に組み合わせた整合回路やバイアス供
給回路、RFCより構成される。
ここでは、それら各回路に加えて入、出力に
各々第２次高調波阻止回路３，４が設けられてい
る。第２次高調波阻止回路３，４は同軸線路を用
い、λg／８長で、先端は開放してある。線路１と
第２次高調波阻止回路３、線路２と第２次高調波
阻止回路４の接点は解析により、トランジスタチ
ツプの出力点において第２次高調波に対して短絡
となるような点として導出するよりも、むしろ実
験的に決定される。第２次高調波阻止回路３，４
は同軸線路のため、その接する位置や、長さの最
適状態を容易に選択し、決定することができる。
各々第２次高調波阻止回路３，４が設けられてい
る。第２次高調波阻止回路３，４は同軸線路を用
い、λg／８長で、先端は開放してある。線路１と
第２次高調波阻止回路３、線路２と第２次高調波
阻止回路４の接点は解析により、トランジスタチ
ツプの出力点において第２次高調波に対して短絡
となるような点として導出するよりも、むしろ実
験的に決定される。第２次高調波阻止回路３，４
は同軸線路のため、その接する位置や、長さの最
適状態を容易に選択し、決定することができる。
第２図は、本発明の第一の実施例の断面を示
す。第２図において、５は基板を構成する誘電
体、６は誘電体５の裏面側導体、１および２は誘
電体５上に設けられた入出力側路を構成する線路
である。第２次高調波阻止回路３，４の中心導体
は線路１，２に接続され、外部導体は基板上で、
スルーホール９により裏面側導体６とつながれた
導体に接続される。
す。第２図において、５は基板を構成する誘電
体、６は誘電体５の裏面側導体、１および２は誘
電体５上に設けられた入出力側路を構成する線路
である。第２次高調波阻止回路３，４の中心導体
は線路１，２に接続され、外部導体は基板上で、
スルーホール９により裏面側導体６とつながれた
導体に接続される。
また、第２次高調波阻止回路３，４は同軸線路
であるから、第２図のように立体的に組むことが
可能で、また線路をパターンによつて実施した場
合に比べ、線路による電磁界のひろがりが、同軸
線路内に限られるため、その構成をより密にする
ことができるため、入、出力回路中での占有面積
を大幅に小さくすることができる。
であるから、第２図のように立体的に組むことが
可能で、また線路をパターンによつて実施した場
合に比べ、線路による電磁界のひろがりが、同軸
線路内に限られるため、その構成をより密にする
ことができるため、入、出力回路中での占有面積
を大幅に小さくすることができる。
第３図は本発明の第二の実施例を示し、第４図
はその具体的構成を示す断面図である。
はその具体的構成を示す断面図である。
第３図において、Ｑはトランジスタで、トラン
ジスタＱに入、出力回路を構成する線路１，２が
接続されている。入、出力回路は他にインダク
タ、コンデンサ、線路等を直列あるいは並列に組
み合わせた整合回路や、バイアス供給回路、
RFCより構成される。この場合でも、各回路は
両面に導体を配した誘電体基板表面に構成されて
いる。
ジスタＱに入、出力回路を構成する線路１，２が
接続されている。入、出力回路は他にインダク
タ、コンデンサ、線路等を直列あるいは並列に組
み合わせた整合回路や、バイアス供給回路、
RFCより構成される。この場合でも、各回路は
両面に導体を配した誘電体基板表面に構成されて
いる。
ここでは、それら各回路に加えて入、出力に
各々第２次高調波阻止回路３，４が設けられてい
る。第２次高調波阻止回路３，４は誘電体基板５
にあけられた孔１１を貫いて、基板５表面で中心
導体が線路１，２にハンダ付けし接続され、基板
５裏面で外部導体が裏面導体６、筐体凹部１０と
接続される。外部導体は裏面導体６へハンダ付け
により接地される。
各々第２次高調波阻止回路３，４が設けられてい
る。第２次高調波阻止回路３，４は誘電体基板５
にあけられた孔１１を貫いて、基板５表面で中心
導体が線路１，２にハンダ付けし接続され、基板
５裏面で外部導体が裏面導体６、筐体凹部１０と
接続される。外部導体は裏面導体６へハンダ付け
により接地される。
第４図において、誘電体５を貫いた第２次高調
波阻止回路３，４は、基板５表面で中心導体が線
路１，２にハンダ付けされ、孔１１を貫いて基板
５裏面で裏面導体６、筐体凹部１０にはさまれる
形になる。外部導体は裏面導体６にハンダ付け部
８でハンダ付けで接地される。９は基板表面に接
地導体を構成するためのスルーホールである。
波阻止回路３，４は、基板５表面で中心導体が線
路１，２にハンダ付けされ、孔１１を貫いて基板
５裏面で裏面導体６、筐体凹部１０にはさまれる
形になる。外部導体は裏面導体６にハンダ付け部
８でハンダ付けで接地される。９は基板表面に接
地導体を構成するためのスルーホールである。
この実施例では、同軸線路により構成される第
２次高調波阻止回路３，４のほとんどを誘電体５
基板の裏面に構成できるため、誘電体基板５表面
での占有面積を、第一実施例に比しても、さらに
小さくすることができる。なお、第１図、および
第３図の実施例では、トランジスタＱの入力側、
及び出力側に第２次高調波阻止回路３，４を設け
ているが、出力側のみに第２次高調波阻止回路を
設けるだけでも、充分な効果を得ることができ
る。
２次高調波阻止回路３，４のほとんどを誘電体５
基板の裏面に構成できるため、誘電体基板５表面
での占有面積を、第一実施例に比しても、さらに
小さくすることができる。なお、第１図、および
第３図の実施例では、トランジスタＱの入力側、
及び出力側に第２次高調波阻止回路３，４を設け
ているが、出力側のみに第２次高調波阻止回路を
設けるだけでも、充分な効果を得ることができ
る。
以上説明したように、本発明は、信号成分の第
２次高調波で直列共振する先端開放の線路を同軸
線路を用いて構成しているため、小形で効率の良
い第二次高調波阻止回路を実現することができ、
電源効率、出力特性の良好な高周波電力増幅器を
提供することができる。
２次高調波で直列共振する先端開放の線路を同軸
線路を用いて構成しているため、小形で効率の良
い第二次高調波阻止回路を実現することができ、
電源効率、出力特性の良好な高周波電力増幅器を
提供することができる。
第１図、第２図はそれぞれ本発明の第１の実施
例における高周波電力増幅器を示す平面図および
断面図、第３図、第４図はそれぞれ本発明の第２
の実施例を示す平面図および断面図である。 Ｑ…トランジスタ、１…入力側回路、２…出力
側回路、３…２次高調波阻止回路（入力側）、４
…２次高調波阻止回路（出力側）、５…基板の誘
電体、６…基板の裏面側導体、７…筐体、８…ハ
ンダ付け部、９…スルーホール、１０…筐体凹
部、１１…孔。
例における高周波電力増幅器を示す平面図および
断面図、第３図、第４図はそれぞれ本発明の第２
の実施例を示す平面図および断面図である。 Ｑ…トランジスタ、１…入力側回路、２…出力
側回路、３…２次高調波阻止回路（入力側）、４
…２次高調波阻止回路（出力側）、５…基板の誘
電体、６…基板の裏面側導体、７…筐体、８…ハ
ンダ付け部、９…スルーホール、１０…筐体凹
部、１１…孔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 高周波入力信号の電力を増幅する電力増幅部
と、前記電力増幅部の入力信号及び出力信号に対
する整合をとる入力及び出力整合回路と、 少なくとも前記出力整合回路が接続されている
前記電力増幅部の出力側に、前記電力増幅部の出
力信号成分の第２次高調波で、直列共振する先端
開放の、かつ輪状の同軸線路より成る第２次高調
波阻止回路とを設けた高周波電力増幅器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21286281A JPS58116808A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 高周波電力増幅器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21286281A JPS58116808A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 高周波電力増幅器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58116808A JPS58116808A (ja) | 1983-07-12 |
| JPH039642B2 true JPH039642B2 (ja) | 1991-02-08 |
Family
ID=16629525
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21286281A Granted JPS58116808A (ja) | 1981-12-29 | 1981-12-29 | 高周波電力増幅器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58116808A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04132707U (ja) * | 1991-05-31 | 1992-12-09 | 株式会社ヨコオ | マイクロ波集積回路 |
| JP2529038B2 (ja) * | 1991-07-19 | 1996-08-28 | 株式会社日立製作所 | 高周波高効率電力増幅器 |
| GB9126616D0 (en) * | 1991-12-16 | 1992-02-12 | Texas Instruments Ltd | Improvements in or relating to amplifiers |
| JP4030310B2 (ja) * | 1999-09-30 | 2008-01-09 | 富士通株式会社 | 高周波電力増幅器 |
-
1981
- 1981-12-29 JP JP21286281A patent/JPS58116808A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58116808A (ja) | 1983-07-12 |
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