JPH0389514A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Publication number
JPH0389514A
JPH0389514A JP22588389A JP22588389A JPH0389514A JP H0389514 A JPH0389514 A JP H0389514A JP 22588389 A JP22588389 A JP 22588389A JP 22588389 A JP22588389 A JP 22588389A JP H0389514 A JPH0389514 A JP H0389514A
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JP
Japan
Prior art keywords
wafer
chuck
contact state
under
bernoulli
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Pending
Application number
JP22588389A
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English (en)
Inventor
Yukio Fujiwara
幸雄 藤原
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 半導体装置の製造方法、特に、加熱により固化する流動
性物質をつ・エーハ上に塗布した後の塗布膜の固化方法
に関し、 固化の重合反応により発生する副生成物が塗布膜から十
分除去されるようにし、且つ、遊離異物の発生を防止す
べくウェーハを他の固体に接触させないようにすること
を目的とし、 気体吹き出しにより吸引保持するベルヌーイ・チャック
により、上記ウェーハの塗布膜面を該チャック側にして
該ウェーハを非接触状態に保持し、該ウェーハの非塗布
面側から咳ウェーハを非接触で加熱するように構成する
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に、加熱に
より固化する流動性物質をウェーハ上に塗布した後の塗
布膜の固化方法に関する。
半導体装置製造のウェーハプロセスでは、ウェーハの加
工に伴い凹凸になったウェーハ表面を平坦化するために
、加熱により固化する流動性物質をその表面に塗布する
場合がある。その流動性物質には例えばSOG (スピ
ン・オン・グラス)やポリイミド樹脂などが用いられて
おり、これらの物質の多くは、重合反応番こより固化す
るものであリ、固化の際に副生成物を発生する。
そこで、この塗布膜の固化を行う際には、塗布膜から上
記副生成物が十分に除去されるようにすることが望まれ
る。
〔従来の技術〕
第2図は、上記塗布膜の固化を行う方法の従来例を説明
する側面図である。
同図において、1はウェーハ、2は加熱により固化する
流動性物質をウェーハ1上に塗布してなる塗布膜、3は
金属などの平板、4は平板2の下方に配置されて平板2
を加熱するヒータ、である。
塗布後の塗布膜2の固化は、塗布膜2が上側になるよう
にウェーハlを平板3上に載置し、平板3の熱にまりウ
ェーハエを介し塗布膜2を加熱して行う。
〔発明が解決しようとする課題〕
しかしながらこの方法よると、塗布膜2は、上部と下部
の温度がほぼ等しくなるために上部の固化が下部と並行
して進んでしまい、固化の重合反応により塗布膜2内に
発生した副生成物は、上部の分が揮発除去されるとして
も、下部の分が揮発を固化上部に阻害されて塗布膜2内
に残留したままとなり、固化した塗布膜2は、上記副生
成物が十分に除去されないものとなる。
また、スピン塗布などにおいて屡経験されるように、塗
布膜2を形成する塗布の際に流動性物質がウェーハlの
裏面周縁部に回り込んでその物質の突起2aを形成した
場合には、その突起2aが平板3に接触することにより
遊離異物となって浮遊するようになり、ウェーハ1の表
面がその異物により汚染される。
そしてこの両者のそれぞれは、半導体装置の製造におけ
るその後の工程を不安定にさせて製造歩留りを低下させ
る原因となる。この歩留り低下に及ぼす影響は、半導体
装置が微細化された場合に顕著である。
そこで本発明は、半導体装置の製造方法、特に、加熱に
より固化する流動性物質をウェーハ上に塗布した後の塗
布膜の固化方法に関し、固化の重合反応により発生する
副生成物が塗布膜から十分除去されるようにし、且つ、
遊離異物の発生を防止すべくウェーハを他の固体に接触
させないようにすることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的は、加熱により固化する流動性物質をウェーハ
上に塗布した後の塗布膜の固化を行うに際して、気体吹
き出しにより吸引保持するベルヌーイ・チャックにより
、上記ウェーへの塗布膜面を該チャ、ツタ側にして該ウ
ェーハを非接触状態に保持し、該ウェーハの非塗布面側
から該ウェーハを非接触で加熱する本発明の製造方法に
よって達成される。
〔作 用〕
上記ベルヌーイ・チャックに保持されたウェーハは、上
記加熱の際に、その保持のための気体流により塗布膜の
表面が冷却される。
二のことから、塗布膜は、上部の温度が下部の温度より
も低くなって、固化が下部から上部に向かって順次に進
行するようになり°、固化の重合反応により塗布膜内に
発生する副生成物は、上部の分が除去されるのは勿論の
こと、下部の分も塗布膜内に残留することなく十分に除
去される。
また、ウェーハが保持または加熱の何れの側においても
他の固体即ちベルヌーイ・チャックまたはヒータに接触
しないので、その接触による遊離異物の発生が起こらな
い。
〔実施例〕
以下本発明による塗布膜固化方法の実施例について第1
図の側面図を用いて説明する。
同図において、5はベルヌーイ・チャック、6は気体供
給装置、7はヒータ、である。
ベルヌーイ・チャック5は、例えば浅い漏斗状をなすも
ので、中央部の口から拡がり開口の方向に向けて気体を
吹き出すことにより、ベルヌーイの定理に基づいて拡が
り開口部がウェーハ1を非接触状態に保持する。吹き出
す気体は、清浄な空気または窒素ガスなどであり、気体
供給装置6から供給される。気体供給装置6は、コンプ
レッサまたはボンベなどで構成される。
加熱により固化する流動性物質をウェーハl上に塗布し
た塗布Wl!2の固化は、ベルヌーイ・チャック5によ
り塗布膜2面をチャック5側にしてウェーハlを非接触
状態に保持し、ウェーハlの非塗布面側からヒータ7に
よりウェーハ1を非接触で加熱して行う。
ヒータ7は、電熱器または赤外線ランプなどで構成され
るものであり、ウェーハlから適宜熱して配置すること
により、ウェーハ1を非接触で加熱することができる。
この方法によれば、先に説明した理由により、固化した
塗布膜2は、固化の重合反応により塗布膜2内に発生す
る副生成物が十分に除去されたものとなる。
また、先に述べた流動性物質の突起2aを存在させる場
合をも含めて、ウェーハ1が保持または加熱の何れの側
においても他の固体即ちベルヌーイ・チャック5または
ヒータ7に接触しないので、従来例で述べたような浮遊
異物の発生が起こらない。
そして本発明者は、5′6>ウェーハを用いて上記の両
者を確認した。突起2aはそのまま固化している。
なお、ベルヌーイ・チャック5は、ウェーハ1を流動性
物質の塗布位置で保持しヒータ7の位置で加熱し更に次
工程の位置に搬送するといった、ウェーハlの搬送手段
として用いることも可能であり、そのようにすることに
より、ウェーハlの搬送ハンドリングが単純化される。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明の構成によれば、半導体装置
の製造方法、特に、加熱により固化する流動性物質をウ
ェーハ上に塗布した後の塗布膜の固化方法に関し、固化
の重合反応により発生する副生成物が塗布膜から十分に
除去されるようにし、且つ、遊離異物の発生を防止すべ
くウェーハを他の固体に接触させないようにすることが
できて、上記副生成物の残留または上記遊離異物の発生
に起因する半導体装置製造の歩留り低下を防止させる効
果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は実施例を説明する側面図、 第2図は従来例を説明する側面図、 である。 図において、 lはウェーハ、 2は塗布膜、 2aは流動性物質の突起、 3は平板、 4.7はヒータ、 5はベルヌーイ・チャック、 6は気体供給装置、 ) 1:ウェーハ 2oL: 51動性物質の突起 5:ベルヌーイ・チャック 6:気体供給装置 2:塗布膜 ワ :ヒータ 実施例を説明する側面図 第 1 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 加熱により固化する流動性物質をウェーハ上に塗布した
    後の塗布膜の固化を行うに際して、気体吹き出しにより
    吸引保持するベルヌーイ・チャックにより、上記ウェー
    ハの塗布膜面を該チャック側にして該ウェーハを非接触
    状態に保持し、該ウェーハの非塗布面側から該ウェーハ
    を非接触で加熱することを特徴とする半導体装置の製造
    方法。
JP22588389A 1989-08-31 1989-08-31 半導体装置の製造方法 Pending JPH0389514A (ja)

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JP22588389A JPH0389514A (ja) 1989-08-31 1989-08-31 半導体装置の製造方法

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JPH0389514A true JPH0389514A (ja) 1991-04-15

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JP (1) JPH0389514A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012230997A (ja) * 2011-04-26 2012-11-22 Panasonic Corp 基板のエッチング方法
JP2013136132A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Lintec Corp 搬送装置および搬送方法

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012230997A (ja) * 2011-04-26 2012-11-22 Panasonic Corp 基板のエッチング方法
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