JPH0386704A - ポリマー固定化テトラキスアリールホスホニウム塩誘導体およびこれを触媒として用いる芳香族フッ素化合物の製造方法 - Google Patents
ポリマー固定化テトラキスアリールホスホニウム塩誘導体およびこれを触媒として用いる芳香族フッ素化合物の製造方法Info
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野〉
本発明は、ポリマー固定化による新規なテトラキスアリ
ールホスホニウム塩およびこれを触媒として用いる芳香
族フッ素化合物の工業的な製造方法に関するものである
。
ールホスホニウム塩およびこれを触媒として用いる芳香
族フッ素化合物の工業的な製造方法に関するものである
。
(従来の技術)
近年、フッ素を含有する農薬および医薬品は、優れた薬
理活性や生理活性などを有することから注目され、積極
的に研究がなされており、芳香族フッ素化合物はこの製
造中間体として、極めて重要な化合物であることが知ら
れている。従来、芳香族フッ素化合物の製造方法として
種々の方法が考案されており、例えばニトロ基等の電子
吸引性置換基を有し、さらにフッ素以外のハロゲン置換
基を有する芳香族化合物をアルカリ金属フッ化物と反応
させ芳香族フッ素化合物を製造する方法が古くから知ら
れている。[G、 C,F ingerら、ジャーナル
、オブ、ザ、アメリカン、ケミカル、ソサイアテ4−
(J、 Am、Chem、 Soc、) 、 78.
6034ページ(1956年)] (発明が解決しようとする課題) しかしながら、前記方法は、高い反応温度や長時間を要
したりする一方、十分な収率が得られず、またタール等
の副生成物を生じる場合が多く、満足できるものではな
かった。
理活性や生理活性などを有することから注目され、積極
的に研究がなされており、芳香族フッ素化合物はこの製
造中間体として、極めて重要な化合物であることが知ら
れている。従来、芳香族フッ素化合物の製造方法として
種々の方法が考案されており、例えばニトロ基等の電子
吸引性置換基を有し、さらにフッ素以外のハロゲン置換
基を有する芳香族化合物をアルカリ金属フッ化物と反応
させ芳香族フッ素化合物を製造する方法が古くから知ら
れている。[G、 C,F ingerら、ジャーナル
、オブ、ザ、アメリカン、ケミカル、ソサイアテ4−
(J、 Am、Chem、 Soc、) 、 78.
6034ページ(1956年)] (発明が解決しようとする課題) しかしながら、前記方法は、高い反応温度や長時間を要
したりする一方、十分な収率が得られず、またタール等
の副生成物を生じる場合が多く、満足できるものではな
かった。
さらに、このような問題点を解決するため、種々の相間
移動触媒の存在下ハロゲン化芳香族化合物のフッ素化反
応を行なう方法が検討されている。
移動触媒の存在下ハロゲン化芳香族化合物のフッ素化反
応を行なう方法が検討されている。
例えば、4−アミノピリジニウム塩誘導体を用いる方法
(公表公報WO87/ 04148 公報参照)が知
られている。この方法において、4−クロロニトロベン
ゼンのフッ化カリウムによるフッ素化反応により 47
.544%の4−フルオロニトロベンゼンが得られ、収
率の向上が見られるものの、反応温度が210℃と高く
、さらに使用した触媒の回収が困難であるなど、工業的
に芳香族フッ素化合物を製造する方法としては十分に満
足できるものではなかった。
(公表公報WO87/ 04148 公報参照)が知
られている。この方法において、4−クロロニトロベン
ゼンのフッ化カリウムによるフッ素化反応により 47
.544%の4−フルオロニトロベンゼンが得られ、収
率の向上が見られるものの、反応温度が210℃と高く
、さらに使用した触媒の回収が困難であるなど、工業的
に芳香族フッ素化合物を製造する方法としては十分に満
足できるものではなかった。
(課題を解決するための手段)
本発明者らは、このような現状に鑑み、ハロゲン化芳香
族化合物の中でも従来反応性が乏しいと考えられていた
化合物を原料として用いた場合においても、収率よく芳
香族フッ素化合物を工業的に製造する方法を提供すべく
各種触媒を合成し鋭意研究を重ねた結果、−数式 (式中、■はポリスチレンおよびα−アルキルポリスチ
レンによるポリマー支持体を表わし、Arはフェニル基
および置換フェニル基を表わし、X′はハロゲン原子を
表わす。〉で示される新規なポリマー固定化テトラキス
アリールホスホニウム塩誘導体が、ハロゲン化芳香族化
合物のフッ素化反応の触媒として高活性を有し、さらに
回収使用も容易であることを見出し、この知見に基づき
本発明を完成するに至った。
族化合物の中でも従来反応性が乏しいと考えられていた
化合物を原料として用いた場合においても、収率よく芳
香族フッ素化合物を工業的に製造する方法を提供すべく
各種触媒を合成し鋭意研究を重ねた結果、−数式 (式中、■はポリスチレンおよびα−アルキルポリスチ
レンによるポリマー支持体を表わし、Arはフェニル基
および置換フェニル基を表わし、X′はハロゲン原子を
表わす。〉で示される新規なポリマー固定化テトラキス
アリールホスホニウム塩誘導体が、ハロゲン化芳香族化
合物のフッ素化反応の触媒として高活性を有し、さらに
回収使用も容易であることを見出し、この知見に基づき
本発明を完成するに至った。
すなわち本発明は、−数式
(式中、■はポリスチレンおよびα−アルキルポリスチ
レンによるポリマー支持体を表わし、Arハフェニル基
、アルコキシフェニル基等の芳香族基を表わし、Xはハ
ロゲン原子を表わす。)で示されるポリマー固定化テト
ラキスアリールホスホニウム塩誘導体、および触媒の存
在下、−数式〔式中、χ2はハロゲン原子を表わし、n
は1〜5の整数を表わし、nが2以上の場合はx2は異
なるハロゲン原子であってもよい。また、Yはシアノ基
、ニトロ基、トリフルオロメチル基、ホルミル基、−C
OR’ (R’l;!ハロゲン原子、アルキル基、アリ
ール基を表わす。)で示される基、または−3O2R2
(R2はハロゲン原子、アルキル基、アリール基を表わ
す。)で示される基を表わす。〕で示されるハロゲン化
芳香族化合物をアルカリ金属フッ素化物と反応させて、
−数式 [式中、x2は前記と同一の意味を有し、Zはジノ基、
ニトロ基、トリフルオロメチル基、ホルミル基、−CO
R’ (R3はフッ素原子、アルキル基、アリール基を
表わす。)で示される基または一5O,R’(R’はフ
ッ素原子、アルキル基、アリール基を表わす。)で示さ
れる基を表わし、mは1〜5の整数を表わし、pは0〜
4の整数を表わし、m+p=nである。コで示される芳
香族フッ素化合物を製造するに当たり、触媒として前記
−数式(I>で示されるポリマー固定化テトラキスアリ
ールホスホニウム塩を用いることを特徴とする芳香族フ
ッ素化合物の製造方法である。
レンによるポリマー支持体を表わし、Arハフェニル基
、アルコキシフェニル基等の芳香族基を表わし、Xはハ
ロゲン原子を表わす。)で示されるポリマー固定化テト
ラキスアリールホスホニウム塩誘導体、および触媒の存
在下、−数式〔式中、χ2はハロゲン原子を表わし、n
は1〜5の整数を表わし、nが2以上の場合はx2は異
なるハロゲン原子であってもよい。また、Yはシアノ基
、ニトロ基、トリフルオロメチル基、ホルミル基、−C
OR’ (R’l;!ハロゲン原子、アルキル基、アリ
ール基を表わす。)で示される基、または−3O2R2
(R2はハロゲン原子、アルキル基、アリール基を表わ
す。)で示される基を表わす。〕で示されるハロゲン化
芳香族化合物をアルカリ金属フッ素化物と反応させて、
−数式 [式中、x2は前記と同一の意味を有し、Zはジノ基、
ニトロ基、トリフルオロメチル基、ホルミル基、−CO
R’ (R3はフッ素原子、アルキル基、アリール基を
表わす。)で示される基または一5O,R’(R’はフ
ッ素原子、アルキル基、アリール基を表わす。)で示さ
れる基を表わし、mは1〜5の整数を表わし、pは0〜
4の整数を表わし、m+p=nである。コで示される芳
香族フッ素化合物を製造するに当たり、触媒として前記
−数式(I>で示されるポリマー固定化テトラキスアリ
ールホスホニウム塩を用いることを特徴とする芳香族フ
ッ素化合物の製造方法である。
本発明のポリマー固定化テトラキスアリールホスホニウ
ム塩は、前記−数式(I)で示される化合物であり、式
中、Arはフェニル基、トリル基、メトキシフェニル基
、エトキシフェニル基、クロロフェニル基、ジメチルア
ミノフェニル基等の芳香族基を表わす。また、■はポリ
スチレン骨格を主体とするポリマー支持体であり、スチ
レン、クロロスチレン、ビニルトルエン、α−メチルス
チレン、α−メチルクロロスチレン等のモノマーの単独
、またはこれらの混合物を主骨格とし、その他にジビニ
ルベンゼンあるいはエチレンジメタクリレート等の架橋
剤としてのポリマーを1〜20モル%含有してなる不溶
性ポリマーである。このようなポリスチレン系ポリマー
に固定化されたテトラキスアリールホスホニウム塩誘導
体の含量(ポリマーの全重量に対するホスホニウム塩の
割合)は5〜60モル%、好ましくは10〜40モル%
である。
ム塩は、前記−数式(I)で示される化合物であり、式
中、Arはフェニル基、トリル基、メトキシフェニル基
、エトキシフェニル基、クロロフェニル基、ジメチルア
ミノフェニル基等の芳香族基を表わす。また、■はポリ
スチレン骨格を主体とするポリマー支持体であり、スチ
レン、クロロスチレン、ビニルトルエン、α−メチルス
チレン、α−メチルクロロスチレン等のモノマーの単独
、またはこれらの混合物を主骨格とし、その他にジビニ
ルベンゼンあるいはエチレンジメタクリレート等の架橋
剤としてのポリマーを1〜20モル%含有してなる不溶
性ポリマーである。このようなポリスチレン系ポリマー
に固定化されたテトラキスアリールホスホニウム塩誘導
体の含量(ポリマーの全重量に対するホスホニウム塩の
割合)は5〜60モル%、好ましくは10〜40モル%
である。
本発明の前記−数式(I)で示されるポリマー固定化テ
トラキスアリールホスホニウム塩は固定化されていない
、通常のホスホニウム塩の場合と全く同様に台底するこ
とができ、例えばポリスチレンに固定化されたテトラフ
ェニルホスホニウムプロミド(V)は、架橋ポリスチレ
ンを臭素化して得られる、ポリブロモスチレン(rV)
に臭化ニッケルの存在下、トリフェニルホスフィンを反
応させることにより得られる。
トラキスアリールホスホニウム塩は固定化されていない
、通常のホスホニウム塩の場合と全く同様に台底するこ
とができ、例えばポリスチレンに固定化されたテトラフ
ェニルホスホニウムプロミド(V)は、架橋ポリスチレ
ンを臭素化して得られる、ポリブロモスチレン(rV)
に臭化ニッケルの存在下、トリフェニルホスフィンを反
応させることにより得られる。
(IV)
また、上記のポリブロモスチレン(IV)のかわりに、
対応する塩素化されたポリスチレン誘導体を使用するこ
とにより、ポリスチレンに固定化されたテトラフェニル
ホスホニウムクロリド(V゛)が台底できる。一方、先
のポリマー(TV)に相当する化合物は先の例で示され
るように、架橋ポリスチレンをハロゲン化することによ
り台底できるが、その他の方法でも得ることができる。
対応する塩素化されたポリスチレン誘導体を使用するこ
とにより、ポリスチレンに固定化されたテトラフェニル
ホスホニウムクロリド(V゛)が台底できる。一方、先
のポリマー(TV)に相当する化合物は先の例で示され
るように、架橋ポリスチレンをハロゲン化することによ
り台底できるが、その他の方法でも得ることができる。
すなわチ、側光ば4−クロロスチレン等のハロゲン化ス
チレン誘導体の単独あるいは他の化合物との共重合によ
り台底されたものを用いても全くさしつかえない。
チレン誘導体の単独あるいは他の化合物との共重合によ
り台底されたものを用いても全くさしつかえない。
このようにして得られたポリスチレン固定化テトラキス
アリールホスホニウム塩は安定な化合物であり、溶媒に
全く溶けないことから、触媒として反応で使用した後に
濾過により容易に回収し、次の反応で再使用することが
できるが、支持体とするポリマーの構造を修飾すること
によりさらに高温で安定なものを得ることができる。例
えば、スチレン78%、α−メチル−4−クロロスチレ
ン20%、ジビニルベンゼン2%(モル比)から成る混
合物を重合して得られる共重合体(Vl)に臭化ニッケ
ル存在下でトリフェニルホスフィンを反応させて得られ
る、ポリマー固定化テトラフェニルホスホニウムクロリ
ド(■)は先のポリマ−(V)や(V′)と比べてさら
に安定であり、180〜200℃以上の高温でも回収、
再使用することが可能である。また、これらのポリマー
固定化テトラキスアリールホスホニウム塩の一方の原料
である、トリアリールホスフィン類としては人手の容易
なl・リフェニルホスフィンを使用するのが最も便利で
あるが、その類縁体である、トリーp−)リルホスフィ
ン、トリー4−クロロフェニルホスフィン、トリス(4
−メトキシフェニル)ホスフィン、トリス(4−エトキ
シフェニル)ホスフィン、トリス(2,6−シメトキシ
フエニル)ホスフィン、トリス (2,4,6−)リメ
トキシフェニル〉ホスフィン、トリス(4−ジメチルア
ミノフェニル)ホスフィンなどが使用できる。これらの
ホスフィン類のうちでも、とりわけメトキシ基、エトキ
シ基、ジメチルアミノ基などのいわゆる電子供与性置換
基の結合した化合物を触媒に用いるとホスホニウム塩部
分の分解による触媒の劣化を押さえることが可能である
。
アリールホスホニウム塩は安定な化合物であり、溶媒に
全く溶けないことから、触媒として反応で使用した後に
濾過により容易に回収し、次の反応で再使用することが
できるが、支持体とするポリマーの構造を修飾すること
によりさらに高温で安定なものを得ることができる。例
えば、スチレン78%、α−メチル−4−クロロスチレ
ン20%、ジビニルベンゼン2%(モル比)から成る混
合物を重合して得られる共重合体(Vl)に臭化ニッケ
ル存在下でトリフェニルホスフィンを反応させて得られ
る、ポリマー固定化テトラフェニルホスホニウムクロリ
ド(■)は先のポリマ−(V)や(V′)と比べてさら
に安定であり、180〜200℃以上の高温でも回収、
再使用することが可能である。また、これらのポリマー
固定化テトラキスアリールホスホニウム塩の一方の原料
である、トリアリールホスフィン類としては人手の容易
なl・リフェニルホスフィンを使用するのが最も便利で
あるが、その類縁体である、トリーp−)リルホスフィ
ン、トリー4−クロロフェニルホスフィン、トリス(4
−メトキシフェニル)ホスフィン、トリス(4−エトキ
シフェニル)ホスフィン、トリス(2,6−シメトキシ
フエニル)ホスフィン、トリス (2,4,6−)リメ
トキシフェニル〉ホスフィン、トリス(4−ジメチルア
ミノフェニル)ホスフィンなどが使用できる。これらの
ホスフィン類のうちでも、とりわけメトキシ基、エトキ
シ基、ジメチルアミノ基などのいわゆる電子供与性置換
基の結合した化合物を触媒に用いるとホスホニウム塩部
分の分解による触媒の劣化を押さえることが可能である
。
また、前記一般式(I)で示されるポリマー固定化テト
ラキスアリールホスホニウム塩誘導体は、前記一般式(
II)で示されるハロゲン化芳香族化合物とアルカリ金
属フッ素化物と反応させ、前記一般式(I[[)で示さ
れる芳香族フッ素化物を製造する方法においてフッ素化
用の反応触媒として優れた活性を示す。
ラキスアリールホスホニウム塩誘導体は、前記一般式(
II)で示されるハロゲン化芳香族化合物とアルカリ金
属フッ素化物と反応させ、前記一般式(I[[)で示さ
れる芳香族フッ素化物を製造する方法においてフッ素化
用の反応触媒として優れた活性を示す。
(II)
(III)
(式中、X2、Y、Z、m、n、およびpは前記と同一
の意味を有し、MFはアルカリ金属フッ素化物を示す。
の意味を有し、MFはアルカリ金属フッ素化物を示す。
)
本製造方法において、原料として用いられるハロゲン化
芳香族化合物は、前記一般式(If)で示される化合物
であり、式中、x2は塩素原子、臭素原子またはヨウ素
原子等のハロゲン原子を表し、nは1〜5の整数を表し
、nが2以上の場合はX2は異なるハロゲン原子であっ
てもよく、また、Yはシアノ基、ニトロ基、トリフルオ
ロメチル基、ホルミル基、−COR’ (R’はハロゲ
ン原子アルキル基、アリール基を表す。)で示される基
、または−3o2R”(R’はハロゲン原子、アルキル
基、アリール基を表す。)で示される基を表わす化合物
である。このようなハロゲン化芳香族化合物としては具
体的には例えば、2−クロロベンゾニトリル、4−クロ
ロベンゾニトリル、2.6−シクロロペンゾニトリル等
のベンゾニトリル類、2−ISO=)ロヘンセン、4−
”ロロニトロベンゼン等のニトロベンゼン類、2−クロ
ロ安息香酸メチルエステル、4−クロロ安息香酸エチル
エステル、3.4.5−)リクロロ安息香酸ネオペンチ
ルエステル等の安息香酸エステル類、4−クロロベンゾ
イルクロリド、2−クロロベンゾイルクロリド等のベン
ゾイルハライド類、2−クロロベンズアルデヒド、4−
クロロベンズアルデヒド等のベンズアルデヒド類、4−
クロロベンゾフェノン、4,4°−ジクロロベンゾフェ
ノン、4クロロアセトフエノン等の芳香族ケトン類、2
クロロベンゼンスルホニルクロリド、4−クロロベンゼ
ンスルホニルクロリド等のベンゼンスルボニルクロリド
類、4−クロロメチルフェニルスルホン、4.4”−ジ
クロロジフェニルスルホン等の芳香族スルホン類などが
挙げられる。また、本発明の製造方法により得られる芳
香族フッ素化合物は、一般式(II[)で示される化合
物であり、式中、X2は前記と同一の意味を有し、Zは
アノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、ホルミル基
、COR5(R’はフッ素原子、アルキル基、アリール
基を表す。)で示される基または、 S 02 R’(
R’はフッ素原子、アルキル基、アリール基を表す。〉
で示される基を表し、mは1〜5の整数を表し、pは0
〜4の整数を表し、m−1−p=nであり、前記一般式
(II)中のYにフッ素原子以外のハロゲン原子を含む
場合のZは、Yにおけるハロゲン原子がフッ素原子に交
換したものである。
芳香族化合物は、前記一般式(If)で示される化合物
であり、式中、x2は塩素原子、臭素原子またはヨウ素
原子等のハロゲン原子を表し、nは1〜5の整数を表し
、nが2以上の場合はX2は異なるハロゲン原子であっ
てもよく、また、Yはシアノ基、ニトロ基、トリフルオ
ロメチル基、ホルミル基、−COR’ (R’はハロゲ
ン原子アルキル基、アリール基を表す。)で示される基
、または−3o2R”(R’はハロゲン原子、アルキル
基、アリール基を表す。)で示される基を表わす化合物
である。このようなハロゲン化芳香族化合物としては具
体的には例えば、2−クロロベンゾニトリル、4−クロ
ロベンゾニトリル、2.6−シクロロペンゾニトリル等
のベンゾニトリル類、2−ISO=)ロヘンセン、4−
”ロロニトロベンゼン等のニトロベンゼン類、2−クロ
ロ安息香酸メチルエステル、4−クロロ安息香酸エチル
エステル、3.4.5−)リクロロ安息香酸ネオペンチ
ルエステル等の安息香酸エステル類、4−クロロベンゾ
イルクロリド、2−クロロベンゾイルクロリド等のベン
ゾイルハライド類、2−クロロベンズアルデヒド、4−
クロロベンズアルデヒド等のベンズアルデヒド類、4−
クロロベンゾフェノン、4,4°−ジクロロベンゾフェ
ノン、4クロロアセトフエノン等の芳香族ケトン類、2
クロロベンゼンスルホニルクロリド、4−クロロベンゼ
ンスルホニルクロリド等のベンゼンスルボニルクロリド
類、4−クロロメチルフェニルスルホン、4.4”−ジ
クロロジフェニルスルホン等の芳香族スルホン類などが
挙げられる。また、本発明の製造方法により得られる芳
香族フッ素化合物は、一般式(II[)で示される化合
物であり、式中、X2は前記と同一の意味を有し、Zは
アノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、ホルミル基
、COR5(R’はフッ素原子、アルキル基、アリール
基を表す。)で示される基または、 S 02 R’(
R’はフッ素原子、アルキル基、アリール基を表す。〉
で示される基を表し、mは1〜5の整数を表し、pは0
〜4の整数を表し、m−1−p=nであり、前記一般式
(II)中のYにフッ素原子以外のハロゲン原子を含む
場合のZは、Yにおけるハロゲン原子がフッ素原子に交
換したものである。
このような芳香族フッ素化合物としては、具体的には例
えば、2−フルオロベンゾニトリル、2゜6−シフルオ
ロベンゾニトtJル等のベンゾニトリル類、2−フルオ
ロニトロベンゼン、4−フルオロニトロベンゼン等のニ
トロベンゼン類、2−フルオロ安息香酸メチルエステル
、4−フルオロ安息香酸エチルエステル、3.4.5−
)リフルオロ安息香酸ネオペンチルエステル等の安息香
酸エステル類、4−フルオロベンゾニルフルオリド、2
−フルオロベンゾニルフルオリド等のペンゾイルフルオ
リド類、2−フルオロベンズアルデヒド、4−フルオロ
ベンズアルデヒド等のベンズアルデヒド類、4−フルオ
ロベンゾフェノン、4,4“ジフルオロベンゾフェノン
、4−フルオロアセトフェノン等の芳香族ケトン類、2
−フルオロベンゼンスルホニルフルオリド、4−フルオ
ロベンゼンスルホニルフルオリド等のベンゼンスルホニ
ルフルオリド類、4−フルオロフェニルメチルスルホン
、4.4°−ジフルオロジフェニルスルホン等の芳香族
スルホン類などが挙げられる。
えば、2−フルオロベンゾニトリル、2゜6−シフルオ
ロベンゾニトtJル等のベンゾニトリル類、2−フルオ
ロニトロベンゼン、4−フルオロニトロベンゼン等のニ
トロベンゼン類、2−フルオロ安息香酸メチルエステル
、4−フルオロ安息香酸エチルエステル、3.4.5−
)リフルオロ安息香酸ネオペンチルエステル等の安息香
酸エステル類、4−フルオロベンゾニルフルオリド、2
−フルオロベンゾニルフルオリド等のペンゾイルフルオ
リド類、2−フルオロベンズアルデヒド、4−フルオロ
ベンズアルデヒド等のベンズアルデヒド類、4−フルオ
ロベンゾフェノン、4,4“ジフルオロベンゾフェノン
、4−フルオロアセトフェノン等の芳香族ケトン類、2
−フルオロベンゼンスルホニルフルオリド、4−フルオ
ロベンゼンスルホニルフルオリド等のベンゼンスルホニ
ルフルオリド類、4−フルオロフェニルメチルスルホン
、4.4°−ジフルオロジフェニルスルホン等の芳香族
スルホン類などが挙げられる。
本発明の芳香族フッ素化合物の製造方法において用いら
れるアルカリ金属フッ素化物としては、例えば、フッ化
カリウム、フッ化セシウムなどが挙げられるが、特にス
プレー乾燥したフッ化カリウムが好ましい。これらアル
カリ金属フッ素化物は前記一般式(n)で示されるハロ
ゲン化芳香族化合物における置換され得るハロゲン原子
に対して、通常1〜2当量の割合で用いる。さらに触媒
として用いる前記一般式(I)で示されるポリマー固定
化テトラキスアリールホスホニウム塩誘導体は、前記一
般式(n)で示されるハロゲン化芳香族化合物に対して
、ポリマー固定化テトラキスアリールホスホニウム塩誘
導体中のホスホニウム基の量で1〜50モル%好ましく
は5〜20モル%の割合で用いる。また、反応は無溶媒
で反応させてもよいし、溶媒の存在下で反応させること
もできる。使用する溶媒としてはクロロベンゼン、クロ
ロトルエン等のハロゲン化炭化水素溶媒、またはアセト
ニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド、N−メチルピロリドン、スルホラン、1.3−ジメ
チルイミダシリンジオン等の非プロトン性極性溶媒が挙
げられる。また、反応温度は通常室温〜300℃、好ま
しくは50〜250℃の範囲で選ばれる。さらに反応圧
については特に制限はなく、常圧で反応させてもよいし
、10kg/crI以下の加圧下で反応を行っても良い
が、工業的には常圧で反応させるのが好ましい。
れるアルカリ金属フッ素化物としては、例えば、フッ化
カリウム、フッ化セシウムなどが挙げられるが、特にス
プレー乾燥したフッ化カリウムが好ましい。これらアル
カリ金属フッ素化物は前記一般式(n)で示されるハロ
ゲン化芳香族化合物における置換され得るハロゲン原子
に対して、通常1〜2当量の割合で用いる。さらに触媒
として用いる前記一般式(I)で示されるポリマー固定
化テトラキスアリールホスホニウム塩誘導体は、前記一
般式(n)で示されるハロゲン化芳香族化合物に対して
、ポリマー固定化テトラキスアリールホスホニウム塩誘
導体中のホスホニウム基の量で1〜50モル%好ましく
は5〜20モル%の割合で用いる。また、反応は無溶媒
で反応させてもよいし、溶媒の存在下で反応させること
もできる。使用する溶媒としてはクロロベンゼン、クロ
ロトルエン等のハロゲン化炭化水素溶媒、またはアセト
ニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド、N−メチルピロリドン、スルホラン、1.3−ジメ
チルイミダシリンジオン等の非プロトン性極性溶媒が挙
げられる。また、反応温度は通常室温〜300℃、好ま
しくは50〜250℃の範囲で選ばれる。さらに反応圧
については特に制限はなく、常圧で反応させてもよいし
、10kg/crI以下の加圧下で反応を行っても良い
が、工業的には常圧で反応させるのが好ましい。
さらに反応時間は1〜20時間程時間子分である。
また本反応で用いられるポリマー固定化テトラキスアリ
ールホスホニウム塩誘導体は、触媒として用いた後、濾
過により容易に回収することができ、水洗、溶媒洗浄に
より無機物やタール等を除去した後、繰り返し反応に用
いることができる。
ールホスホニウム塩誘導体は、触媒として用いた後、濾
過により容易に回収することができ、水洗、溶媒洗浄に
より無機物やタール等を除去した後、繰り返し反応に用
いることができる。
(発明の効果〉
本発明のポリマー固定化テトラキスアリールホスホニウ
ム塩誘導体は、ハロゲン化芳香族化合物のフッ素化用の
触媒として非常に有用な化合物であり、これを触媒とし
て用いた芳香族フッ素化合物のi!!造方決方法K料と
して容易に人手し得るハロゲン化芳香族化合物を用いて
収率よく芳香族フッ素化合物を製造することができ、そ
れらの中でも反応性が乏しいと考えられていた化合物で
も短時間に収率よくフッ素化が進行し、さらに反応に用
いた触媒の回収が容易であり、再使用も可能であるなど
工業的に極めてずぐれた方法である。
ム塩誘導体は、ハロゲン化芳香族化合物のフッ素化用の
触媒として非常に有用な化合物であり、これを触媒とし
て用いた芳香族フッ素化合物のi!!造方決方法K料と
して容易に人手し得るハロゲン化芳香族化合物を用いて
収率よく芳香族フッ素化合物を製造することができ、そ
れらの中でも反応性が乏しいと考えられていた化合物で
も短時間に収率よくフッ素化が進行し、さらに反応に用
いた触媒の回収が容易であり、再使用も可能であるなど
工業的に極めてずぐれた方法である。
実施例
以下実施例により本発明を具体的に説明する。
厘テ■乃
実施例1
ジーナル・オブ・オーガニック・ケミストリー(J、○
rg、Chem、)41,3877 (1976)記載
の方法に従って、2%ジビニルベンゼン架橋ポリスチレ
ンを臭素化した。得られた生成物(IV)の重量増加を
もとに臭素化率を計算すれば、約36%であった。還流
冷却管、温度計および攪拌装置を備えた3・00m1!
四つロフラスコに、上記の(IV)18.9g、)リフ
ェニルホスフィン15. 7 g (60111111
01) 、臭化ニッケル6.6g (30mmoりおよ
びベンゾニトリル100−を入れ、190℃で5.5時
間加熱還流下撹拌した。
rg、Chem、)41,3877 (1976)記載
の方法に従って、2%ジビニルベンゼン架橋ポリスチレ
ンを臭素化した。得られた生成物(IV)の重量増加を
もとに臭素化率を計算すれば、約36%であった。還流
冷却管、温度計および攪拌装置を備えた3・00m1!
四つロフラスコに、上記の(IV)18.9g、)リフ
ェニルホスフィン15. 7 g (60111111
01) 、臭化ニッケル6.6g (30mmoりおよ
びベンゾニトリル100−を入れ、190℃で5.5時
間加熱還流下撹拌した。
反応終了後冷却し、濾過後アセトン200−、テトラヒ
ドロフラン300m1でそれぞれ洗浄した。
ドロフラン300m1でそれぞれ洗浄した。
得られた生成物をビーカーに移し、水30〇−中で1時
間攪拌した。その後濾過し、アセトン、水で繰り返し洗
浄した。さらにテトラヒドロフランおよびジクロロメタ
ンで洗浄後、50℃で一昼夜通風乾燥した。その後80
〜90℃で5.5時間減圧乾燥し、27.5gのポリス
チレン固定化テトラフェニルホスホニウムプロミド(V
)を得た。
間攪拌した。その後濾過し、アセトン、水で繰り返し洗
浄した。さらにテトラヒドロフランおよびジクロロメタ
ンで洗浄後、50℃で一昼夜通風乾燥した。その後80
〜90℃で5.5時間減圧乾燥し、27.5gのポリス
チレン固定化テトラフェニルホスホニウムプロミド(V
)を得た。
この生成物の臭化物イオンをジャーナル・オブ・ザ・ア
メリカン・ケミカル・ソサイエティ−(J。
メリカン・ケミカル・ソサイエティ−(J。
Am、Chem、Soc、)103.3821(198
1)に記載されている方法により滴定し、ホスホニウム
塩の含有量を求めたところ、1. 23 mmol/g
であった。また、本化合物の赤外線吸収スペクトルを測
定したところ、以下のとうりであった。
1)に記載されている方法により滴定し、ホスホニウム
塩の含有量を求めたところ、1. 23 mmol/g
であった。また、本化合物の赤外線吸収スペクトルを測
定したところ、以下のとうりであった。
IR(Nujol、cm−’);1400.1100.
900実施例2 還流冷却管、温度計および攪拌装置を備えた100m!
!四つロフラスコに、4−クロロスチレン94%、ジビ
ニールベンゼン6%(モル比)かうする架橋ポリ−4−
クロロスチレン6−OgzF’)フェニルホスフィン5
゜7 g (21,7mmol)無水臭化ニッケル2.
4 g (11mmol)およびベンゾニトリル50
−を入れ、190℃で10時間反応させた。反応終了後
冷却し、濾過後ジクロロメタン100mj!で洗浄した
。さらにアセトンおよびテトラヒドロフランで2〜3回
洗浄した。次に生成物をビーカーに移し、テトラヒドロ
7ラン25−1水50In1を加え1時間攪拌した。そ
の後濾過し、水およびテトラヒドロフランで洗浄した。
900実施例2 還流冷却管、温度計および攪拌装置を備えた100m!
!四つロフラスコに、4−クロロスチレン94%、ジビ
ニールベンゼン6%(モル比)かうする架橋ポリ−4−
クロロスチレン6−OgzF’)フェニルホスフィン5
゜7 g (21,7mmol)無水臭化ニッケル2.
4 g (11mmol)およびベンゾニトリル50
−を入れ、190℃で10時間反応させた。反応終了後
冷却し、濾過後ジクロロメタン100mj!で洗浄した
。さらにアセトンおよびテトラヒドロフランで2〜3回
洗浄した。次に生成物をビーカーに移し、テトラヒドロ
7ラン25−1水50In1を加え1時間攪拌した。そ
の後濾過し、水およびテトラヒドロフランで洗浄した。
以下実施例1と同様の方法で乾燥し、ポリスチレンに固
定化されたテトラフェニルホスホニウムクロリド(V゛
)を11.0g得た。ホスホニウム塩の固定化率は、1
.47 mmol/gであった。
定化されたテトラフェニルホスホニウムクロリド(V゛
)を11.0g得た。ホスホニウム塩の固定化率は、1
.47 mmol/gであった。
IR(KBr、c+c’):1410,1110.10
00実施例3 250−の水にゼラチン0.7gニホウ酸2゜6g1ポ
リアミンスルホン−A(日東紡績部)8g1亜硝酸ナト
リウム0.1gを溶解したものに、pH9まで25%水
酸化す) IJウム溶液を加えて懸濁重合用の水相を調
製した。39.5gのスチレン、15.2gのp−クロ
ロ−α−メチルスチレン、2.5gの工業用ジビニール
ベンゼンの混合物に1gのアゾビスイソブチロニトリル
を溶解した有機層と前記水相を500−の三つロフラス
コへ仕込み、窒素下70℃、約400rpmの攪拌条件
下、16時間重合させた。反応終了後ポリマービーズを
ガラスフィルター上に分離し、水、アセトンで十分洗浄
した後70℃で減圧乾燥し、20%のp−クロロ−α−
メチルスチレン単位を含む2%ジビニルベンゼン架橋ポ
リマー(VI)を収率75%で得た。
00実施例3 250−の水にゼラチン0.7gニホウ酸2゜6g1ポ
リアミンスルホン−A(日東紡績部)8g1亜硝酸ナト
リウム0.1gを溶解したものに、pH9まで25%水
酸化す) IJウム溶液を加えて懸濁重合用の水相を調
製した。39.5gのスチレン、15.2gのp−クロ
ロ−α−メチルスチレン、2.5gの工業用ジビニール
ベンゼンの混合物に1gのアゾビスイソブチロニトリル
を溶解した有機層と前記水相を500−の三つロフラス
コへ仕込み、窒素下70℃、約400rpmの攪拌条件
下、16時間重合させた。反応終了後ポリマービーズを
ガラスフィルター上に分離し、水、アセトンで十分洗浄
した後70℃で減圧乾燥し、20%のp−クロロ−α−
メチルスチレン単位を含む2%ジビニルベンゼン架橋ポ
リマー(VI)を収率75%で得た。
実施例4
実施例3で得たスチレン/p−クロロ−α−メチルスチ
レン共重合体(Vl) 11. 5g (0,05モ
ル)トリフェニルホスフィン26.4g (0゜1モル
)、無水臭化ニッケル11.0g (0,05モル)、
ベンゾニトリル50mj!を用い、実施例2と同様の操
作で10時間加加熱流下攪拌した。
レン共重合体(Vl) 11. 5g (0,05モ
ル)トリフェニルホスフィン26.4g (0゜1モル
)、無水臭化ニッケル11.0g (0,05モル)、
ベンゾニトリル50mj!を用い、実施例2と同様の操
作で10時間加加熱流下攪拌した。
冷却後、濾過し、ジクロロメタン300mj!で洗浄し
た。次にアセトンおよび水で繰り返し洗浄した。
た。次にアセトンおよび水で繰り返し洗浄した。
さらに生成物をビーカーに移し、1規定の塩酸50mj
l!とテトラヒドロフラン150−を加え0.5時間攪
拌後−夜装置した。さらに濾過抜水およびテトラヒドロ
フランで繰り返し洗浄した。以下実施例2と同様の方法
で乾燥し、ポリマー固定化テドラフェニルホスホニウム
クロリド(■)16゜3g得た。ホスホニウム塩の固定
化率は、1.19 +n+nol/gであった。T R
(KBr、cm−’) ;1400.1150.100
0 実施例5 実施例3で得たポリマー(VI)5.7g、)リス(4
−メトキシフェニル)ホスフィン5.7g(25mmo
l)無水臭化ニッケル2.7g (12゜4 mmol
)およびベンゾニトリル50m12を用い実施例2と同
様の反応操作および後処理により、ポリマー固定化トリ
ス(4−メトキシフェニル)フェニルホスホニウムクロ
リド(■)8.72gを得た。ホスホニウム塩の固定化
率は、0.81mmol/gであった。
l!とテトラヒドロフラン150−を加え0.5時間攪
拌後−夜装置した。さらに濾過抜水およびテトラヒドロ
フランで繰り返し洗浄した。以下実施例2と同様の方法
で乾燥し、ポリマー固定化テドラフェニルホスホニウム
クロリド(■)16゜3g得た。ホスホニウム塩の固定
化率は、1.19 +n+nol/gであった。T R
(KBr、cm−’) ;1400.1150.100
0 実施例5 実施例3で得たポリマー(VI)5.7g、)リス(4
−メトキシフェニル)ホスフィン5.7g(25mmo
l)無水臭化ニッケル2.7g (12゜4 mmol
)およびベンゾニトリル50m12を用い実施例2と同
様の反応操作および後処理により、ポリマー固定化トリ
ス(4−メトキシフェニル)フェニルホスホニウムクロ
リド(■)8.72gを得た。ホスホニウム塩の固定化
率は、0.81mmol/gであった。
IR(KBr、cm ’);2950〜2850,14
00゜1270.1120.1020 実施例6 実施例3で得たポリマー(■〉 4.6g、トリス(4
−エトキシフェニル〉ホスフィン7.9g(20mmo
l)無水臭化ニッケル2.2g (10mmo1)およ
びベンゾニトリル40m1を用い実施例4と同様の反応
操作および後処理により、ポリマー固定化トリス(4−
エトキシフェニル)フェニルホスホニウムクロリド(I
X)7.2gを得た。ホスホニウム塩の固定化率は、0
、 91 mmol/gであった。
00゜1270.1120.1020 実施例6 実施例3で得たポリマー(■〉 4.6g、トリス(4
−エトキシフェニル〉ホスフィン7.9g(20mmo
l)無水臭化ニッケル2.2g (10mmo1)およ
びベンゾニトリル40m1を用い実施例4と同様の反応
操作および後処理により、ポリマー固定化トリス(4−
エトキシフェニル)フェニルホスホニウムクロリド(I
X)7.2gを得た。ホスホニウム塩の固定化率は、0
、 91 mmol/gであった。
IR(KBr、cm−’);2950〜2850.14
00゜1270.1110.1040 実施例7 ポリスチレン固定化テトラフェニルホスホニウムプロミ
ド(V)を25−丸底フラスコに少量移し、減圧下(0
,1++++nt1g) 150℃で2.5時間乾燥
した。一方還流冷却管および攪拌機を備えた50−三つ
ロフラスコにスプレー乾燥したフッ化カリウム〔リーデ
ル・デ・バーエン社製〕2.61 g (45mmol
)を入れ、同様の条件で減圧乾燥した。三つロフラスコ
内に乾燥ホスホニウムプロミド(V) 2. 44
g (3+nmol) 、2. 4−ジニトロクロロベ
ンゼン6、 08 g (30mmol)および無水ア
セトニトリル24m1?を入れ窒素ガス雰囲気下80℃
で12時間加熱還流を続けた。反応終了後、反応混合物
を冷却し濾過した。得られた固形物をジクロロメタン2
0rdで洗浄した。さらにジクロロメタン30rdを加
え、室温で1時間攪拌した。濾液をすべて合わせ均一に
した後、内部標準物質としてフェナントレンを2.OO
g加え、ガスクロマトグラフィーで分析したところ、9
7゜5%の2,4−ジニトロフルオロベンゼンが生成し
ていた。さらに濾取した触媒および無機物質の混合物を
グラスフィルター上で水洗した後、アセトンで洗浄した
。さらに回収触媒をテトラヒドロフラン40m1!およ
びIN−塩酸10m1の混合液中に移し、室温で1時間
攪拌した。その後濾過し、濾液のpHが約7になるまで
水およびテトラヒドロフランで洗浄を繰り返した。最後
にテトラヒドロフランで洗浄後、50℃で1日通風乾燥
した。
00゜1270.1110.1040 実施例7 ポリスチレン固定化テトラフェニルホスホニウムプロミ
ド(V)を25−丸底フラスコに少量移し、減圧下(0
,1++++nt1g) 150℃で2.5時間乾燥
した。一方還流冷却管および攪拌機を備えた50−三つ
ロフラスコにスプレー乾燥したフッ化カリウム〔リーデ
ル・デ・バーエン社製〕2.61 g (45mmol
)を入れ、同様の条件で減圧乾燥した。三つロフラスコ
内に乾燥ホスホニウムプロミド(V) 2. 44
g (3+nmol) 、2. 4−ジニトロクロロベ
ンゼン6、 08 g (30mmol)および無水ア
セトニトリル24m1?を入れ窒素ガス雰囲気下80℃
で12時間加熱還流を続けた。反応終了後、反応混合物
を冷却し濾過した。得られた固形物をジクロロメタン2
0rdで洗浄した。さらにジクロロメタン30rdを加
え、室温で1時間攪拌した。濾液をすべて合わせ均一に
した後、内部標準物質としてフェナントレンを2.OO
g加え、ガスクロマトグラフィーで分析したところ、9
7゜5%の2,4−ジニトロフルオロベンゼンが生成し
ていた。さらに濾取した触媒および無機物質の混合物を
グラスフィルター上で水洗した後、アセトンで洗浄した
。さらに回収触媒をテトラヒドロフラン40m1!およ
びIN−塩酸10m1の混合液中に移し、室温で1時間
攪拌した。その後濾過し、濾液のpHが約7になるまで
水およびテトラヒドロフランで洗浄を繰り返した。最後
にテトラヒドロフランで洗浄後、50℃で1日通風乾燥
した。
さらに150℃で2時間減圧乾燥し、2.19gのホス
ホニウムプロミド(V)を回収した。(回収率89.8
%)。
ホニウムプロミド(V)を回収した。(回収率89.8
%)。
実施例8〜9
実施例7で回収した、ポリスチレン固定化ホスホニウム
プロミド(V)を使用し、同様に2.4−ジニトロクロ
ロベンゼンを反応基質として用い反応を行ってみた。こ
のような触媒の回収再使用を2回行った。結果を表−■
に示す。
プロミド(V)を使用し、同様に2.4−ジニトロクロ
ロベンゼンを反応基質として用い反応を行ってみた。こ
のような触媒の回収再使用を2回行った。結果を表−■
に示す。
表−1
上記収率は、ガスクロ内部標準法による分析値である。
実施例10
実施例7と同様の操作で、フッ化カリウム2゜18 g
(37,5mmol)およびポリマー固定化触媒(V
) 2. 03g (2,5mmol)を減圧乾燥し
た。さらに4−クロロニトロベンゼン3.94g(25
mmol)無水スルホラン15gを加え、180℃で4
時間反応した。反応終了後乾燥し、固形物を濾別し除去
した。さらに固形物をジクロロメタン70−で洗浄した
。ろ液を濃縮後、減圧蒸留し沸点77〜83℃/ 5
mmHgの4−フルオロニトロベンゼンを2.55g(
収率72.3%)得た。
(37,5mmol)およびポリマー固定化触媒(V
) 2. 03g (2,5mmol)を減圧乾燥し
た。さらに4−クロロニトロベンゼン3.94g(25
mmol)無水スルホラン15gを加え、180℃で4
時間反応した。反応終了後乾燥し、固形物を濾別し除去
した。さらに固形物をジクロロメタン70−で洗浄した
。ろ液を濃縮後、減圧蒸留し沸点77〜83℃/ 5
mmHgの4−フルオロニトロベンゼンを2.55g(
収率72.3%)得た。
実施例11
水分離器、攪拌機を備えた50rnlEつロフラスコ内
にスプレー乾燥したフッ化カリウム2.18g (37
,5mmol) 、無水スルホラン15g1ポリスチレ
ン固定化ホスホニウムプロミド(V)2゜03 g (
2,5mmol)およびトルエン20−を入れ、オイル
バスでトルエンを加熱、留去し、共沸脱水した。その後
反応容器内を真空ポンプにより減圧(38mmHg)に
し、液温か150℃に達するまで加熱をつづけ、残留す
るトルエンを除去した。
にスプレー乾燥したフッ化カリウム2.18g (37
,5mmol) 、無水スルホラン15g1ポリスチレ
ン固定化ホスホニウムプロミド(V)2゜03 g (
2,5mmol)およびトルエン20−を入れ、オイル
バスでトルエンを加熱、留去し、共沸脱水した。その後
反応容器内を真空ポンプにより減圧(38mmHg)に
し、液温か150℃に達するまで加熱をつづけ、残留す
るトルエンを除去した。
次に反応容器内を窒素ガスで置換し、常圧に戻した後4
−クロロベンゾニトリル3.44g (25mmo1)
を加え、210〜215℃で5時間加熱攪拌した。反応
終了後冷却し、実施例IOと同様の後処理をした。濾液
に内部標準物質としてジベンジルを0.50g加え、ガ
スクロマトグラフィーで分析したところ、62.0%の
4〜フルオロベンゾニトリルが生威し、29.1%の4
−クロロベンゾニトリルが残っていた。
−クロロベンゾニトリル3.44g (25mmo1)
を加え、210〜215℃で5時間加熱攪拌した。反応
終了後冷却し、実施例IOと同様の後処理をした。濾液
に内部標準物質としてジベンジルを0.50g加え、ガ
スクロマトグラフィーで分析したところ、62.0%の
4〜フルオロベンゾニトリルが生威し、29.1%の4
−クロロベンゾニトリルが残っていた。
実施例12
実施例11において、ホスホニウムプロミド(V)のか
わりにポリマー固定化ホスホニウムクロリド(V’)
1. 76g (2,6mmol)を使用し、7時間
加熱攪拌した以外は同様の方法で行った。生成物をガス
クロマトグラフィーで分析したところ、反応液の組成は
4−フルオロベンゾニトリル78.1%、4−クロロベ
ンゾニトリル21゜4%であった。
わりにポリマー固定化ホスホニウムクロリド(V’)
1. 76g (2,6mmol)を使用し、7時間
加熱攪拌した以外は同様の方法で行った。生成物をガス
クロマトグラフィーで分析したところ、反応液の組成は
4−フルオロベンゾニトリル78.1%、4−クロロベ
ンゾニトリル21゜4%であった。
実施例13
水分離器、攪拌機および温度計を備えた100−四つ目
フラスコ内にスプレー乾燥したフッ化カリウム4. 3
6 g (75+y+mol> 、無水スルホラン30
g1ポリマー固定化ホスホニウムクロリド(■) 4.
20 g (5,0mmol)を入れ、実施例1Oと
同様の操作でトルエン40−で2回共沸脱水した後、残
留するトルエンを減圧留去し、さらに反応容器内を窒素
ガスで置換した。次に4−クロロニトロベンゼン7、
88 g (50mmoりを加え、180℃で5時間加
熱攪拌した。反応終了後実施例7と同様の方法により後
処理を行い、さらに同様の方法で触媒を回収した。濾液
をガスクロマトグラフィーで分析したところ、反応液の
組成は4−フルオロニトロベンゼン97.8%であった
。濾液を′濃縮後減圧蒸留し、5.84g、(収率82
.8%)の4−フルオロニトロベンゼンを得た。また、
ポリマー固定化ホスホニウムクロリド(■)3.92g
を回収した。(回収率93.3%) 実施例14〜17 実施例13に基づき、回収触媒ポリマー固定化ホスホニ
ウムクロリド(■)の減量した分に対し、新たにポリマ
ー固定化ホスホニウムクロリド(■)を追加し、同一の
反応を4回繰り返した。その結果を以下の表 2に示す。
フラスコ内にスプレー乾燥したフッ化カリウム4. 3
6 g (75+y+mol> 、無水スルホラン30
g1ポリマー固定化ホスホニウムクロリド(■) 4.
20 g (5,0mmol)を入れ、実施例1Oと
同様の操作でトルエン40−で2回共沸脱水した後、残
留するトルエンを減圧留去し、さらに反応容器内を窒素
ガスで置換した。次に4−クロロニトロベンゼン7、
88 g (50mmoりを加え、180℃で5時間加
熱攪拌した。反応終了後実施例7と同様の方法により後
処理を行い、さらに同様の方法で触媒を回収した。濾液
をガスクロマトグラフィーで分析したところ、反応液の
組成は4−フルオロニトロベンゼン97.8%であった
。濾液を′濃縮後減圧蒸留し、5.84g、(収率82
.8%)の4−フルオロニトロベンゼンを得た。また、
ポリマー固定化ホスホニウムクロリド(■)3.92g
を回収した。(回収率93.3%) 実施例14〜17 実施例13に基づき、回収触媒ポリマー固定化ホスホニ
ウムクロリド(■)の減量した分に対し、新たにポリマ
ー固定化ホスホニウムクロリド(■)を追加し、同一の
反応を4回繰り返した。その結果を以下の表 2に示す。
表
実施例18
実施例13の4−クロロニトロベンゼンのかわi)1.
:3,4−ジクロロニトロベンゼン5.76g(30m
mol)を用い、またフッ化カリウム2,61 g (
45mmoり 、無水スルホランLag、ポリマー固定
化ホスホニウムクロリド(■)2.52g (3、0m
mol)を使用し、160℃で3時間反応を行った以外
は、実施例13と同様である。後処理後減圧蒸留し、4
.51g(収率85.6%)の3−クロロ−4−フルオ
ロニトロベンゼンを得た。沸点は105〜b た、ポリマー固定化ホスホニウムクロリド(■)を2.
36g回収した。回収率93.7%であった。
:3,4−ジクロロニトロベンゼン5.76g(30m
mol)を用い、またフッ化カリウム2,61 g (
45mmoり 、無水スルホランLag、ポリマー固定
化ホスホニウムクロリド(■)2.52g (3、0m
mol)を使用し、160℃で3時間反応を行った以外
は、実施例13と同様である。後処理後減圧蒸留し、4
.51g(収率85.6%)の3−クロロ−4−フルオ
ロニトロベンゼンを得た。沸点は105〜b た、ポリマー固定化ホスホニウムクロリド(■)を2.
36g回収した。回収率93.7%であった。
実施例19
実施例18で回収したポリマー固定化ホスホニウムクロ
リド(■〉を使用し、また3、4−ジクロロニトロベン
ゼン5. 38 g (28mmol) 、フッ化カリ
ウム2. 44 g (42mmol)および無水スル
ホラン16.8gを用い、実施例18と同じ条件で反応
を繰り返した。生成物の3−クロロ−4−フルオロニト
ロベンゼンの収量1に4.24g(収率86.3%〉で
あった。
リド(■〉を使用し、また3、4−ジクロロニトロベン
ゼン5. 38 g (28mmol) 、フッ化カリ
ウム2. 44 g (42mmol)および無水スル
ホラン16.8gを用い、実施例18と同じ条件で反応
を繰り返した。生成物の3−クロロ−4−フルオロニト
ロベンゼンの収量1に4.24g(収率86.3%〉で
あった。
実施例20〜22
実施例13と同様の操作により、ポリマー固定化ホスホ
ニウムクロリド(■〉を用い、原料を変え反応を行った
。その結果を以下の表3に示す。
ニウムクロリド(■〉を用い、原料を変え反応を行った
。その結果を以下の表3に示す。
表−3
実施例23
実施例13でポリマー固定化ホスホニウムクロリド(■
)のかわりにポリマー固定化ホスホニウムクロリド(■
) 3. 7g (3,Ommol)用い、またフッ化
カリウム2.61 g (45mmol> 、無水スル
ホラン18g、4−クロロニトロベンゼン4゜73 g
(3Ommol)を各々使用し、50−の三つロフラ
スコを用い同様の操作で180℃で3時間反応を行った
。反応処理後ガスクロマド、グラフィーで分析すると、
4−フルオロニトロベンゼンが59.6%、4.4″−
ジニトロジフェニルエーテルが30,5%生成していた
。一方触媒の分解物であるトリス(4−メトキシフェニ
ル)フェニルホスフィンオキシトは、全く生成していな
かった。
)のかわりにポリマー固定化ホスホニウムクロリド(■
) 3. 7g (3,Ommol)用い、またフッ化
カリウム2.61 g (45mmol> 、無水スル
ホラン18g、4−クロロニトロベンゼン4゜73 g
(3Ommol)を各々使用し、50−の三つロフラ
スコを用い同様の操作で180℃で3時間反応を行った
。反応処理後ガスクロマド、グラフィーで分析すると、
4−フルオロニトロベンゼンが59.6%、4.4″−
ジニトロジフェニルエーテルが30,5%生成していた
。一方触媒の分解物であるトリス(4−メトキシフェニ
ル)フェニルホスフィンオキシトは、全く生成していな
かった。
実施例24
実施例23でポリマー固定化ホスホニウムクロリド(■
)のかわりにポリマー固定化ホスホニウムクロリド(I
X) 1. 65g (1,5mmol>を用い、ま
たフッ化カリウム1. 31 g (22,5mmol
)、無水スルホラン9g14−クロロニトロベンゼン2
.36 g (15mmol)を各々使用し、以下は同
様の条件で反応を行った。ガスクロマトグラフィーで分
析すると、4−フルオロニトロベンゼンが68.4%、
4,4′−ジニトロジフェニルエーテルが15.8%生
成していた。また、実施例23の場合と同様に、触媒の
分解物であるトリフェニルホスフィンオキシト誘導体は
、全く生成していなかった。
)のかわりにポリマー固定化ホスホニウムクロリド(I
X) 1. 65g (1,5mmol>を用い、ま
たフッ化カリウム1. 31 g (22,5mmol
)、無水スルホラン9g14−クロロニトロベンゼン2
.36 g (15mmol)を各々使用し、以下は同
様の条件で反応を行った。ガスクロマトグラフィーで分
析すると、4−フルオロニトロベンゼンが68.4%、
4,4′−ジニトロジフェニルエーテルが15.8%生
成していた。また、実施例23の場合と同様に、触媒の
分解物であるトリフェニルホスフィンオキシト誘導体は
、全く生成していなかった。
比較例1
実施例7と同様の反応装置で、2,4−ジニトロクロロ
ベンゼン2. 53 g (12,5mmol)、スプ
レー乾燥フッ化カリウム1.09g (18゜8mmo
l)および無水アセトニトリル10−を用いポリマー固
定化触媒(V)を加えずに同一の条件で12時間反応を
行った。反応液の組成は生成物(D2.4−ジニトロフ
ルオロベンゼン10.7%、原料の2.4−ジニトロク
ロロベンゼン88.7%であった。
ベンゼン2. 53 g (12,5mmol)、スプ
レー乾燥フッ化カリウム1.09g (18゜8mmo
l)および無水アセトニトリル10−を用いポリマー固
定化触媒(V)を加えずに同一の条件で12時間反応を
行った。反応液の組成は生成物(D2.4−ジニトロフ
ルオロベンゼン10.7%、原料の2.4−ジニトロク
ロロベンゼン88.7%であった。
比較例2
実施例10において、ポリマー固定化ホスホニウム塩(
V)を使用しないこと以外は同様にして反応をおこなっ
た。反応終了後、ガスクロマトグラフィーで分析したと
ころ、4−フルオロニトロベンゼンが10%生成してお
り、原料の4−クロロニトロベンゼンが90%残存して
いた。
V)を使用しないこと以外は同様にして反応をおこなっ
た。反応終了後、ガスクロマトグラフィーで分析したと
ころ、4−フルオロニトロベンゼンが10%生成してお
り、原料の4−クロロニトロベンゼンが90%残存して
いた。
比較例3
実施例11において、ポリマー固定化ホスホニウム塩(
V)を使用せず、またスプレー乾燥フッ化カリウム1.
31g (22,5mmol) 、無水スルホラン9
g、4−クロロベンゾニトリル2. 06 (15m
mo+)を使用し、210〜20℃で6時間反応を行っ
たこと以外は同様に反応を行ったところ、4−フルオロ
ベンゾニトリルが11%生成し、4−クロロベンゾニト
リルが81%残存していた。
V)を使用せず、またスプレー乾燥フッ化カリウム1.
31g (22,5mmol) 、無水スルホラン9
g、4−クロロベンゾニトリル2. 06 (15m
mo+)を使用し、210〜20℃で6時間反応を行っ
たこと以外は同様に反応を行ったところ、4−フルオロ
ベンゾニトリルが11%生成し、4−クロロベンゾニト
リルが81%残存していた。
比較例4
実施例13の反応液をガスクロマトグラフィーで分析し
たところ、ポリマー固定化ホスホニウムクロリド(■)
の分解生成物であるトリフェニルホスフィンオキシトの
生成を認めた。
たところ、ポリマー固定化ホスホニウムクロリド(■)
の分解生成物であるトリフェニルホスフィンオキシトの
生成を認めた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、(P)はポリスチレンおよびα−アルキルポリ
スチレンによるポリマー支持体を表わし、Arはフェニ
ル基および置換フェニル基を表わし、X^1はハロゲン
原子を表わす。)で示されるポリマー固定化テトラキス
アリールホスホニウム塩誘導体。 2)触媒の存在下、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、X^2はハロゲン原子を表わし、nは1〜5の
整数を表わし、nが2以上の場合はX^2は異なるハロ
ゲン原子であってもよい。また、Yはシアノ基、ニトロ
基、トリフルオロメチル基、ホルミル基、−COR^1
(R^1はハロゲン原子、アルキル基、アリール基を表
わす。)で示される基、または−SO_2R^2(R^
2はハロゲン原子、アルキル基、アリール基を表わす。 )で示される基を表わす。〕で示されるハロゲン化芳香
族化合物をアルカリ金属フッ素化物と反応させて、 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、X^2は前記と同一の意味を有し、Zはシアノ
基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、ホルミル基、−
COR^3(R^3はフッ素原子、アルキル基、アリー
ル基を表わす。)で示される基または−SO_2R^4
(R^4はフッ素原子、アルキル基、アリール基を表わ
す。)で示される基を表わし、mは1〜5の整数を表わ
し、pは0〜4の整数を表わし、m+p=nである。]
で示される芳香族フッ素化合物を製造するに当たり、触
媒として一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、(P)はポリスチレンおよびα−アルキルポリ
スチレンによるポリマー支持体を表わし、Arはフェニ
ル基および置換フェニル基を表わし、X^1はハロゲン
原子を表わす。)で示されるポリマー固定化テトラキス
アリールホスホニウム塩を用いることを特徴とする、芳
香族フッ素化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1223867A JPH0386704A (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | ポリマー固定化テトラキスアリールホスホニウム塩誘導体およびこれを触媒として用いる芳香族フッ素化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1223867A JPH0386704A (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | ポリマー固定化テトラキスアリールホスホニウム塩誘導体およびこれを触媒として用いる芳香族フッ素化合物の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0386704A true JPH0386704A (ja) | 1991-04-11 |
Family
ID=16804951
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1223867A Pending JPH0386704A (ja) | 1989-08-30 | 1989-08-30 | ポリマー固定化テトラキスアリールホスホニウム塩誘導体およびこれを触媒として用いる芳香族フッ素化合物の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0386704A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997002308A1 (de) * | 1995-06-30 | 1997-01-23 | Hoechst Aktiengesellschaft | Polyarylensulfide mit polymer gebundenen phosphoniumsalzen und verfahren zu deren herstellung |
JP2012130904A (ja) * | 2010-12-22 | 2012-07-12 | Ind Technol Res Inst | カーボンナノ材料担持触媒及びその環状炭酸エステル合成への応用 |
US8466242B2 (en) | 2011-02-28 | 2013-06-18 | Midori Renewables, Inc. | Polymeric acid catalysts and uses thereof |
US9238845B2 (en) | 2012-08-24 | 2016-01-19 | Midori Usa, Inc. | Methods of producing sugars from biomass feedstocks |
-
1989
- 1989-08-30 JP JP1223867A patent/JPH0386704A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1997002308A1 (de) * | 1995-06-30 | 1997-01-23 | Hoechst Aktiengesellschaft | Polyarylensulfide mit polymer gebundenen phosphoniumsalzen und verfahren zu deren herstellung |
US6077918A (en) * | 1995-06-30 | 2000-06-20 | Hoechst Aktiengesellschaft | Polyarylene sulphides with polymer-bound phosphonium salts and process for producing them |
JP2012130904A (ja) * | 2010-12-22 | 2012-07-12 | Ind Technol Res Inst | カーボンナノ材料担持触媒及びその環状炭酸エステル合成への応用 |
US8466242B2 (en) | 2011-02-28 | 2013-06-18 | Midori Renewables, Inc. | Polymeric acid catalysts and uses thereof |
US8476388B2 (en) | 2011-02-28 | 2013-07-02 | Midori Renewables, Inc. | Polymeric acid catalysts and uses thereof |
US9079171B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-07-14 | Midori Usa, Inc. | Polymeric acid catalysts and uses thereof |
US9205418B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-12-08 | Midori Usa, Inc. | Polymeric acid catalysts and uses thereof |
US10131721B2 (en) | 2011-02-28 | 2018-11-20 | Cadena Bio, Inc. | Polymeric acid catalysts and uses thereof |
US10787527B2 (en) | 2011-02-28 | 2020-09-29 | Cadena Bio, Inc. | Polymeric acid catalysts and uses thereof |
US9238845B2 (en) | 2012-08-24 | 2016-01-19 | Midori Usa, Inc. | Methods of producing sugars from biomass feedstocks |
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