JPH0384966A - 光電変換素子 - Google Patents
光電変換素子Info
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- JPH0384966A JPH0384966A JP1222190A JP22219089A JPH0384966A JP H0384966 A JPH0384966 A JP H0384966A JP 1222190 A JP1222190 A JP 1222190A JP 22219089 A JP22219089 A JP 22219089A JP H0384966 A JPH0384966 A JP H0384966A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、光電変換素子、例えばアモルファスＳｉ系
材料を利用した光電変換素子に関する。
材料を利用した光電変換素子に関する。
アモルファスＳｔ（以下、適宜ｒａ−３ｉＪという）系
材料の光電変換層をもつ素子としては、電源用太陽電池
、フォトダイオード、フォトセンサ、さらには、フォト
カブラにおいてＬＥＤと光結合した受光素子等が挙げら
れる。
材料の光電変換層をもつ素子としては、電源用太陽電池
、フォトダイオード、フォトセンサ、さらには、フォト
カブラにおいてＬＥＤと光結合した受光素子等が挙げら
れる。
第５図に示された従来のａ−３ｔ光電変換素子３１は、
ガラス板（絶縁基材）３２表面に下電極用金属層３３、
ｐｉｎ型薄膜光電変換層（２層３５．１層３６、ｎ層３
７〉、上電極用透明導電層３４が順次積層形成されてな
る構成となっているこの光電変換素子３１はｎ層３７側
から光が入射するタイプ（ｎ連光入射型）であるが、他
にｐｉｎ型薄膜光電変換層の９層が光入射側にｎ層が下
電極側にあり第５図の構成とは逆構成のＰＮ側から光が
入射するタイプ（Ｐ層光入射型）もある、例えば、ａ−
３ｉ太陽電池の場合、普通、Ｐｉｉ光入射型光電変換素
子であり、フォトカブラの受光素子の場合、普通、ｎ層
光入射型光電変換素子である。
ガラス板（絶縁基材）３２表面に下電極用金属層３３、
ｐｉｎ型薄膜光電変換層（２層３５．１層３６、ｎ層３
７〉、上電極用透明導電層３４が順次積層形成されてな
る構成となっているこの光電変換素子３１はｎ層３７側
から光が入射するタイプ（ｎ連光入射型）であるが、他
にｐｉｎ型薄膜光電変換層の９層が光入射側にｎ層が下
電極側にあり第５図の構成とは逆構成のＰＮ側から光が
入射するタイプ（Ｐ層光入射型）もある、例えば、ａ−
３ｉ太陽電池の場合、普通、Ｐｉｉ光入射型光電変換素
子であり、フォトカブラの受光素子の場合、普通、ｎ層
光入射型光電変換素子である。
しかしながら、従来の光電変換素子、特にｎ連光入射型
光電変Ｊｊ！Ｉｓ子では光照射に伴う経時劣化が大きい
という問題がある。光を長時間照射しているうちに緒特
性が悪くなってしまうのである。
光電変Ｊｊ！Ｉｓ子では光照射に伴う経時劣化が大きい
という問題がある。光を長時間照射しているうちに緒特
性が悪くなってしまうのである。
経時劣化は、特にｎ層／ｉ層界面付近の劣化が支配的で
あるとされる。ｎＮ光入射型光電変換素子はｎ層／ｉ層
界面付近で主として発電作用が起こるため、Ｐ層／ｉ層
界面付近で主として発電作用が起こる２層光入射型光電
変換素子に比べて経時劣化の度合が大きい。
あるとされる。ｎＮ光入射型光電変換素子はｎ層／ｉ層
界面付近で主として発電作用が起こるため、Ｐ層／ｉ層
界面付近で主として発電作用が起こる２層光入射型光電
変換素子に比べて経時劣化の度合が大きい。
経時劣化の程度は入射する光のＰｉ類によっても幾分差
がある。波長６６０ｎ−の赤色単色光のＬＥＤに組み合
わすフォトカブラ用０層光入射型受光素子の場合、（例
えば太陽光のピーク波長５５０問に比べて）赤色入射光
の波長が長く、ｉ層における吸収率が低いので、第６図
にみるように、発電作用が１層３６内で広く起こり、ｎ
層／１層界面付近における発電作用の集中状態が若干緩
和される傾向がみられるが、それでも経時劣化が十分に
小さくなるわけではない。
がある。波長６６０ｎ−の赤色単色光のＬＥＤに組み合
わすフォトカブラ用０層光入射型受光素子の場合、（例
えば太陽光のピーク波長５５０問に比べて）赤色入射光
の波長が長く、ｉ層における吸収率が低いので、第６図
にみるように、発電作用が１層３６内で広く起こり、ｎ
層／１層界面付近における発電作用の集中状態が若干緩
和される傾向がみられるが、それでも経時劣化が十分に
小さくなるわけではない。
太陽光の場合、２層光入射型光電変換素子の方が普通は
経時劣化が少ないことが分かっているので、受光素子を
２層光入射型光電変換素子にして赤色単色光を照射して
みた。ところが、この場合、逆に経時劣化がｎ連光入射
型受光素子よりも大きいということが判明した。これは
、赤色光の場合、吸収率が低く、５０００〜１００００
人程度の厚みのｉ層だと５０％以上の光が透過して下電
極用金属層に到達し、金属層表面で反射した光が再びｎ
層−ｉ層へと入射するために、ｎ層／ｉ層界面付近での
発電作用が強まるからであると推察しているこの発明は
、上記事情に鑑み、光照射に伴う経時劣化が非常に少な
い光電変換素子を提供することを課題とする。
経時劣化が少ないことが分かっているので、受光素子を
２層光入射型光電変換素子にして赤色単色光を照射して
みた。ところが、この場合、逆に経時劣化がｎ連光入射
型受光素子よりも大きいということが判明した。これは
、赤色光の場合、吸収率が低く、５０００〜１００００
人程度の厚みのｉ層だと５０％以上の光が透過して下電
極用金属層に到達し、金属層表面で反射した光が再びｎ
層−ｉ層へと入射するために、ｎ層／ｉ層界面付近での
発電作用が強まるからであると推察しているこの発明は
、上記事情に鑑み、光照射に伴う経時劣化が非常に少な
い光電変換素子を提供することを課題とする。
前記課題を解決をするため、この発明にかかる充電変換
素子は、絶縁基材表面に下電極用金属層、ｐｉｎ型薄膜
光電変換層、上電極用透明導電層が順次積層形成されて
いる構成において、前記ｐｉｎ型薄膜光電変換層のｉ層
をバンドギャップの異なる複数層で形成するようにして
いる。
素子は、絶縁基材表面に下電極用金属層、ｐｉｎ型薄膜
光電変換層、上電極用透明導電層が順次積層形成されて
いる構成において、前記ｐｉｎ型薄膜光電変換層のｉ層
をバンドギャップの異なる複数層で形成するようにして
いる。
具体的には、例えば、第１図に示すｎ連光入射型光電変
換素子１は、絶縁基材２表面に下電極用金属層３、ｐｉ
ｎ型薄膜光電変換層（１層５．１層６．０層７）、上電
極用透明導電層４が順次積層形成されている。そして、
１層６はバンドギャップの異なる２ｆｆｌ（上玉層６ａ
と下１層６ｂ）からなり、１層５０［ＩＪに位置する下
１層６ｂのバンドギャップはｎ層７側に位置する上１層
６ａのバンドギャップよりも小さい。
換素子１は、絶縁基材２表面に下電極用金属層３、ｐｉ
ｎ型薄膜光電変換層（１層５．１層６．０層７）、上電
極用透明導電層４が順次積層形成されている。そして、
１層６はバンドギャップの異なる２ｆｆｌ（上玉層６ａ
と下１層６ｂ）からなり、１層５０［ＩＪに位置する下
１層６ｂのバンドギャップはｎ層７側に位置する上１層
６ａのバンドギャップよりも小さい。
この光電変換素子１のｐｉｎ型ｉ膜光電変換層の各層は
、例えば、次のようにアモルファス材料で形成すること
ができる。１層５にはＢドープのａ−３層層が、０層７
にはＰドープのａ−３層層が挙げられる。上１層６ａに
はバンドギャップが１．８〜２．２ｅＶのＣ（炭素）含
有のａ−ＳｉＣＪ’ｉｔが、下１層６ｂにはバンドギャ
ップが約１．４〜１゜８ｅＶのノンドープミー３ｉ層が
挙げられる。
、例えば、次のようにアモルファス材料で形成すること
ができる。１層５にはＢドープのａ−３層層が、０層７
にはＰドープのａ−３層層が挙げられる。上１層６ａに
はバンドギャップが１．８〜２．２ｅＶのＣ（炭素）含
有のａ−ＳｉＣＪ’ｉｔが、下１層６ｂにはバンドギャ
ップが約１．４〜１゜８ｅＶのノンドープミー３ｉ層が
挙げられる。
絶縁基材２としては、ガラス板など全体が絶縁物からな
るものだけでなく、半導体素子が内に形成され表面に絶
縁層が設けられた半導体チップ等のように必要な表面だ
けが絶縁物であるものも挙げられる。さらに、下電極用
金属層３としてはＣｒ層が、上電極用透明導電層４には
ＩＴＯ（インジウム−錫−酸化物）層が挙げられる。
るものだけでなく、半導体素子が内に形成され表面に絶
縁層が設けられた半導体チップ等のように必要な表面だ
けが絶縁物であるものも挙げられる。さらに、下電極用
金属層３としてはＣｒ層が、上電極用透明導電層４には
ＩＴＯ（インジウム−錫−酸化物）層が挙げられる。
この発明の光電変換素子は上記のものに限らない。例え
ば、光電変換素子が、第１図においてｐｉｎ薄膜光電変
換層が上下逆転した１Ｍ光入射型であってもよい。また
、ｐｉｎ薄膜光電変換層の各層の材料や上下電極用材料
が他の半導体材料や導電材料であってもよい。
ば、光電変換素子が、第１図においてｐｉｎ薄膜光電変
換層が上下逆転した１Ｍ光入射型であってもよい。また
、ｐｉｎ薄膜光電変換層の各層の材料や上下電極用材料
が他の半導体材料や導電材料であってもよい。
〔作 用〕
この発明の光電変換素子では、例えば、第２図にみるよ
うに、０層７を通った入射光は、まずバンドギャップが
高く低光吸収率の上１層６ａに入るが、ここでは余り吸
収されず、続いて入るバンドギャップが低く高光吸収率
の下１層６ｂで十分に吸収される。したがって、第２図
にみるように、発電作用は、下ｉ Ｎ ６ ｂでは活発
であり、一方、上１層６ａでは活発でない。つまり、Ｐ
層／ｉ層界面付近での発電作用が支配的であり、ｎＪｉ
ｔ／ｉ層界面付近での発電作用は副次的である。そのた
め、全体として、経時劣化の少ない光電変換素子となる
。
うに、０層７を通った入射光は、まずバンドギャップが
高く低光吸収率の上１層６ａに入るが、ここでは余り吸
収されず、続いて入るバンドギャップが低く高光吸収率
の下１層６ｂで十分に吸収される。したがって、第２図
にみるように、発電作用は、下ｉ Ｎ ６ ｂでは活発
であり、一方、上１層６ａでは活発でない。つまり、Ｐ
層／ｉ層界面付近での発電作用が支配的であり、ｎＪｉ
ｔ／ｉ層界面付近での発電作用は副次的である。そのた
め、全体として、経時劣化の少ない光電変換素子となる
。
以下、この発明の光電変換素子の具体的な実施例を説明
する。
する。
実施例１一
実施例１の光電変換素子の構成は第１図の素子と同じで
ある。
ある。
この実施例１の光電変換素子は、水素化アモルファスＳ
ｉおよびそれにＢＳＰをドープしたりＣを含ませた材料
でｐｉｎ薄膜光電変換層を形成する。特に、１層は、Ｃ
を含ませたａ−３ｉＣと、ノンドープのａ−３ｉを使い
、バンドギャップの異なる２層からなり、Ｃを含ませる
ことでバンドギャップの調整を行っている。なお、アモ
ルファス５ｉＣＨＨ材料のＣ濃度とバンドギャップは、
第３図に示す関係にある。ａ Ｓ ｔ Ｃｓ Ｈ層は
、ＳｉＨ４、Ｈ２、ＣＨ４ガスの混合ガスをグロー放電
させることで形成可能であり、ＣＨ，ガス濃度を変える
ことによりＣ濃度を制御する。第３図にみるように、Ｃ
濃度を０〜２０％（０〜０．２）の間に調節することに
より、１．８〜２．２ｅｖの間のバンドギャップコント
ロールが可能である。
ｉおよびそれにＢＳＰをドープしたりＣを含ませた材料
でｐｉｎ薄膜光電変換層を形成する。特に、１層は、Ｃ
を含ませたａ−３ｉＣと、ノンドープのａ−３ｉを使い
、バンドギャップの異なる２層からなり、Ｃを含ませる
ことでバンドギャップの調整を行っている。なお、アモ
ルファス５ｉＣＨＨ材料のＣ濃度とバンドギャップは、
第３図に示す関係にある。ａ Ｓ ｔ Ｃｓ Ｈ層は
、ＳｉＨ４、Ｈ２、ＣＨ４ガスの混合ガスをグロー放電
させることで形成可能であり、ＣＨ，ガス濃度を変える
ことによりＣ濃度を制御する。第３図にみるように、Ｃ
濃度を０〜２０％（０〜０．２）の間に調節することに
より、１．８〜２．２ｅｖの間のバンドギャップコント
ロールが可能である。
まず、絶縁基材２上に下電極用Ｃｒ ｉｉ ３を形成し
、その上に厚み３００人のＢドープａ−５ｔからなるＰ
Ｈ１を積層した。この１層５に、厚み３０００人のノン
ドープａ−５ｉからなる下ｉ眉６ｂを積み、さらに厚み
３０００人のＣ（炭素）１０％含有のａ−３ｉＣからな
る上１層６ａを積んだ、この後、１００人のＰドーフ゛
ａ−３ｉからなるｎ層７を積層してから、厚み８００人
の上電極用ＩＴＯ透明導電層４を形威し、有効発電面積
２５ｎ＋”の光電変換素子ｌを得た。なお、上１層６ａ
のバンドギャップは２ｅＶであり、下１層６ｂのバンド
ギャップは１．８ｅｖであった。
、その上に厚み３００人のＢドープａ−５ｔからなるＰ
Ｈ１を積層した。この１層５に、厚み３０００人のノン
ドープａ−５ｉからなる下ｉ眉６ｂを積み、さらに厚み
３０００人のＣ（炭素）１０％含有のａ−３ｉＣからな
る上１層６ａを積んだ、この後、１００人のＰドーフ゛
ａ−３ｉからなるｎ層７を積層してから、厚み８００人
の上電極用ＩＴＯ透明導電層４を形威し、有効発電面積
２５ｎ＋”の光電変換素子ｌを得た。なお、上１層６ａ
のバンドギャップは２ｅＶであり、下１層６ｂのバンド
ギャップは１．８ｅｖであった。
そして、実施例の他に、上１層もノンドープａ−３ｔで
もって形成するようにした他は全く同様にして比較例の
光電変換素子を得た。
もって形成するようにした他は全く同様にして比較例の
光電変換素子を得た。
上記実施例１と比較例の画素子に１００ｍＷの赤色ＬＥ
Ｄ光源を１０時間照射した後、特性をそれぞれ測定した
。結果を第１表に示す。
Ｄ光源を１０時間照射した後、特性をそれぞれ測定した
。結果を第１表に示す。
一実施例２一
実施例２の光電変換素子の構成も第１図の素子と同じで
ある。
ある。
この実施例１の光電変換素子ば、ａ−５ｉ層形威時の基
板温度を変えてバンドギャップを異ならせた２層で１層
を形成した。なお、アモルファスＳｔ；Ｈ材料の基板温
度とバンドギャップは、第４図に示す関係にある。基板
温度を１５０〜３００℃の間で変化させることにより、
１．９〜１．６ｅＶＯ間のバンドギャップコントロール
が可能である。
板温度を変えてバンドギャップを異ならせた２層で１層
を形成した。なお、アモルファスＳｔ；Ｈ材料の基板温
度とバンドギャップは、第４図に示す関係にある。基板
温度を１５０〜３００℃の間で変化させることにより、
１．９〜１．６ｅＶＯ間のバンドギャップコントロール
が可能である。
基板温度２５０℃で３０００人の下１層６ｂを形成する
とともに、基板温度１５０℃で厚み３０００人の上ｉ
Ｆｉ ６ ａを形成する他、実施例１と同様にして光電
変換素子１を得た。なお、上１層６ａのバンドギャップ
は１．９ ｅ Ｖであり、下１層６ｂのバンドギャップ
は１．７ ｅ Ｖであった。
とともに、基板温度１５０℃で厚み３０００人の上ｉ
Ｆｉ ６ ａを形成する他、実施例１と同様にして光電
変換素子１を得た。なお、上１層６ａのバンドギャップ
は１．９ ｅ Ｖであり、下１層６ｂのバンドギャップ
は１．７ ｅ Ｖであった。
上記実施例１と同様素子に１００ｍＷ赤色ＬＥＤ光源を
ＩＯ時間照射した後、特性を測定した。
ＩＯ時間照射した後、特性を測定した。
結果を第１表に示す。
第
１
表
実施例１．２と比較例の特性測定結果をみると１層をエ
ネルギーギャップの異なる２層Ｍで構成することが、経
時的光劣化を十分に小さくしていることが良く分かる。
ネルギーギャップの異なる２層Ｍで構成することが、経
時的光劣化を十分に小さくしていることが良く分かる。
以上に述べたように、請求項１〜３記載の光電変換素子
では、ｎ層／ｉ層界面付近での発電作用の集中が緩和さ
れるため、経時的光劣化が非常に少なくなる。
では、ｎ層／ｉ層界面付近での発電作用の集中が緩和さ
れるため、経時的光劣化が非常に少なくなる。
第１図は、この発明にかかる光電変換素子の一例の構成
をあられす概略断面図、第２図は、この光電変換素子に
おける発電作用を模式的にあられす説明図、第３図は、
アモルファスＳｉＣ；Ｈ材料におけるＣ濃度とバンドギ
ャップの関係をあられすグラフ、第４図は、アモルファ
スＳｉ ：Ｈ材料における基板温度とバンドギャップの
関係をあられすグラフ、第５図は、従来の光電変換素子
の構成をあられす概略断面図、第６図は、この光電変換
素子における発電作用を模式的にあられす説明図である
。 １・・・光電変換素子 ２・・・絶縁基材 ３・・
・下電極用金属Ｎ ４・・・上電極用透明導電層
５・・・１層 ６・・・１層 ６ａ、６ｂ・・・バ
ンドギャップの異なる１ｊｉｔ？・・・ｎ層
をあられす概略断面図、第２図は、この光電変換素子に
おける発電作用を模式的にあられす説明図、第３図は、
アモルファスＳｉＣ；Ｈ材料におけるＣ濃度とバンドギ
ャップの関係をあられすグラフ、第４図は、アモルファ
スＳｉ ：Ｈ材料における基板温度とバンドギャップの
関係をあられすグラフ、第５図は、従来の光電変換素子
の構成をあられす概略断面図、第６図は、この光電変換
素子における発電作用を模式的にあられす説明図である
。 １・・・光電変換素子 ２・・・絶縁基材 ３・・
・下電極用金属Ｎ ４・・・上電極用透明導電層
５・・・１層 ６・・・１層 ６ａ、６ｂ・・・バ
ンドギャップの異なる１ｊｉｔ？・・・ｎ層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁基材表面に下電極用金属層、ｐｉｎ型薄膜光電
変換層、上電極用透明導電層が順次積層形成されている
光電変換素子において、前記ｐｉｎ型薄膜光電変換層の
ｉ層がバンドギャップの異なる複数層からなることを特
徴とする光電変換素子。 ２ Ｐ層側に位置するｉ層のバンドギャップがｎ層側に
位置するｉ層のバンドギャップよりも小さい請求項１記
載の光電変換素子。 ３ ｎ層側に位置するｉ層がバンドギャップ１．８〜２
．２ｅＶのアモルファスＳｉＣからなる請求項２記載の
光電変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1222190A JPH0384966A (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 光電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1222190A JPH0384966A (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 光電変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0384966A true JPH0384966A (ja) | 1991-04-10 |
Family
ID=16778566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1222190A Pending JPH0384966A (ja) | 1989-08-28 | 1989-08-28 | 光電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0384966A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7030413B2 (en) | 2000-09-05 | 2006-04-18 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device with intrinsic amorphous film at junction, having varied optical band gap through thickness thereof |
| JP2006269931A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58145171A (ja) * | 1981-12-14 | 1983-08-29 | エナジー・コンバーション・デバイセス・インコーポレーテッド | 増大電流の光起電デバイス |
| JPS5975682A (ja) * | 1982-10-25 | 1984-04-28 | Nippon Denso Co Ltd | 光起電力素子 |
-
1989
- 1989-08-28 JP JP1222190A patent/JPH0384966A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58145171A (ja) * | 1981-12-14 | 1983-08-29 | エナジー・コンバーション・デバイセス・インコーポレーテッド | 増大電流の光起電デバイス |
| JPS5975682A (ja) * | 1982-10-25 | 1984-04-28 | Nippon Denso Co Ltd | 光起電力素子 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7030413B2 (en) | 2000-09-05 | 2006-04-18 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device with intrinsic amorphous film at junction, having varied optical band gap through thickness thereof |
| JP2006269931A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
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