JPH038144A - 光デイスク複製用スタンパ製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光ディスク複製用スタンバ製造方法に関する
。

従来の技術 従来、光ディスク複製用スタンパを製造する方法として
は、ガラス基板上に形成したプリグルーブパターン上に
導体化膜を形成した後、この導体化膜を陰極としてＮｉ
めっきしガラス基板を剥離することによりマスタを得、
このマスタを剥離被膜処理した後Ｎｉめっきし前記マス
タから剥離することによりマザーを得、このマザーを剥
離被膜処理した後Ｎｉめっきし前記マザーから剥離する
ことによりサン（スタンパ）を得るようにしたものが、
例えば特開昭６０−１９７９５９号公報等により知られ
ている。

発明が解決しようとする課題 即ち、剥離被膜処理したマスタ及び剥離被膜処理したマ
ザーを各々Ｎｉめっきすることにより、マザー及びサン
を複製するものである。

今、マスタからマザーを複製する場合を例にとり、第５
図及び第６図を参照して、そのめっき工程を考える。ま
ず、第５図に示すようにマスタ１を陰極とし、陽極（Ｎ
ｉアノード）２とともにめっき浴３中に浸漬させること
によりめっき工程を行う。この時、剥離被膜処理された
マスタｌの温度がめつき浴温に達するまでマスタｌと陽
極２とをめっき浴３中に浸漬させている間に、マスタ１
と陽極２との間に微小なる逆電圧が発生し、電極間電位
差が生じ、マスタ１上の剥離被膜がめつき浴３に溶解し
てしまう。即ち、通常は陰極としてＮｉめっきが析出す
べきマスタｌが陽極となって溶解することになる。一般
に、めっき浴３中での固液界面（円はマスタｌの剥離被
膜層、液はめっき浴３）には、第６図に示すような＋、
一対による電気二重層が存在し、マスタｌの最表面には
十で示す同極の電荷が存在し、その外側で電位が逆転す
る。この大きな電位変化によりめっき浴３のイオンの影
響を受けないことになる。しかし、めっき浴３中に陽極
２を入れることにより、電極１゜２間に電位差が発生す
ると、このような電気二重層が破壊されて、各々の電極
１，２部分で第６図に示すようにＮｉの溶解、析出が起
こるものである。これにより、剥離被膜が消滅し、複製
後の剥離が困難となる。仮に、剥離できても転写溝形状
が完全に破壊されてしまい、品質の悪いものとなってし
まう。

これは、マザーからサンを複製するためのマザーについ
てのめっき工程時も同様である。

課題を解決するための手段 ガラス基板上に形成したプリグルーブパターン上に導体
化膜を形成した後、この導体化膜を陰極としてＮｉめっ
きしガラス基板を剥離することによりマスタを得、この
マスタを剥離被膜処理した後Ｎｉめっきし前記マスタか
ら剥離することによりマザーを得、このマザーを剥離被
膜処理した後Ｎｉめっきし前記マザーから剥離すること
によりサンを得るようにした光ディスク複製用スタンバ
製造方法において、マスタをめっき浴に浸漬させめっき
用の陽極と陰極との電極間電位差をＯとしてマスタから
マザーを複製するめっき工程を行い、マザーをめっき浴
に浸漬させめっき用の陽極と陰極との電極間電位差を０
としてマザーからサンを複製するめっき工程を行うよう
にした。

作用 マスタからマザーを複製するめっき工程、及び、マザー
からサンを複製するめっき工程において、めっき用の陽
極と陰極との電極間電位差を０として行うことにより、
マスタ最表面及びマザー最表面の電気二重層は化学的に
安定したものとなる。

よって、めっき浴中で剥離被膜が溶解することがなく、
複製後の剥離性は安定したものとなり、欠陥の少ない高
品質のスタンパが製造される。

実施例 本発明の第一の実施例を第１図ないし第３図を参照して
説明する。

まず、ガラス基板上に形成したプリグルーブパターン上
に導体化膜を形成した後、この導体化膜を陰極としてＮ
ｉめっきしガラス基板を剥離することによりマスタを得
る。次に、このマスタを剥離被膜処理した後、Ｎｉめっ
きし、このマスタから剥離することによりマザーを得る
。剥離後、マザーの表面を剥離被膜処理した後、Ｎｉめ
っきし、このマザーから剥離することによりサンを得る
。

このような工程中のめっき工程において、本実施例では
めっき浴中に陽極及び陰極を浸漬させた場合の両電極間
電位を０とさせるものである。具体的には、例えばマス
タ最表面の電気二重層を化学的に安定させるため、電極
間に発生する微小電圧と逆極性で絶対値の等しい微小外
部電圧を電極間に印加させるものである。

実際のめっき装置における電圧制御としては、エレクト
ロメータ等を用いて各々の電極間電位差がＯ（即ち、各
々の電極電位が等しくなる）となるように、微小外部電
圧を印加する。例えば、第１図はマスタからマザーを複
製するためのめっき装置例を示し、めっき槽１０のめっ
き浴ＩＩ中にＮｉアノード（陽極）１２を浸漬させると
ともに、このＮｉアノード１２に対向し駆動軸１３によ
り面方向に回転されるマスタ１４を陰極としてめっき浴
１１中に浸漬させる。このマスタ１４は剥離被膜処理さ
れたものである。ここに、塩化カリウム飽和水溶液１５
を収納した補助槽１６も設けられ、この水溶液１５中に
は飽和甘こう電極（ＳＣＥ）１７が浸漬されている。ま
た、これらの槽ｌｏ、１６に対しては陰極電位測定用の
ルギン毛管１８及び塩橋１９が浸漬され、マスタ（陰極
）１４と前記飽和甘こう電極１７との間に接続したエレ
クトロメータ２０によりマスタ電位の測定が可能とされ
ている。同様に、これらの槽１０．１６に対しては陽極
電位測定用のルギン毛管２１及び塩橋２２が浸漬され、
ＮｉアノードＪ２と前記飽和甘こう電極１７との間に接
続したエレクトロメータ２３により陽極電位の測定が可
能とされている。さらに、前記マスタ（陰極）１４とＮ
ｉアノード１２との間には分解能が１．ｍＶのＤＣ＠源
２４が接続されている。このＤＣ？ｉｔ源２４がエレク
トロメータ２０，２３による電位測定結果に基づき、両
電［１４，１２間の微小電位を打ち消す微小電位を印加
することになる。

今、このような電位測定装置を含むめっき装置において
、めっき浴１１に対する電極１４．１２の浸漬による両
電極間電位差の経時変化を測定したところ、第２図に示
すような特性が得られたものである。そして、例えば浸
漬後６分経過した時点で外部微小電圧としてｔＶを画電
極１４．１２間に印加したところ、電極間電位差は＋９
６８ｍＶとなったものである。つまり、３２ｍＶの電位
差があったことになる。

しかして、本実施例では、マスタ１４からマザーを複製
するためのめっき工程において、マスタ１４をめっき浴
１１に入れ、陽極との間に３０ｍＶなる外部微小電圧を
印加しぬっき浴温に到達した後にめっきを行い、マザー
を複製する。マザーらサンを複製するためのめっき工程
においても、これと同じ方法でめっきを行い、サンを複
製するようにしたものである。このようなめつき工程を
経て複製された光ディスクの信号特性（半径位置による
ＩＤ部のトラッキング誤差信号特性）を第３図に示す。

図中、○印はマスタ、Δ印はサンを示す。

つづいて、本発明の第二の実施例を第４図を参照して説
明する。本実施例は前記実施例と同じ方法によりマスタ
からマザーの複製、マザーからサンの複製を行うが、め
っき工程において陽極と陰極との間に印加する外部微小
電圧を３０ｍＶに代えて５０ｍＶとしたものである。こ
のようなめっき工程を経て複製された光ディスクの信号
特性を第４図に示す。

ちなみに、これらの実施例に対する比較例１として、同
一の工程において、外部微小電圧を１５ｍＶとした場合
に、複製された光ディスクの信号特性を第７図に示す。

この場合には、第３図や第４図の結果よりも劣化してい
る。さらに、比較例２として、めっき工程で外部微小電
圧を印加することなく、従来方式により、複製された光
ディスクの信号特性を第８図に示す。この場合、かなり
劣化している。

これらの第３図、第４図、第７図及び第８図に示す信号
特性によれば、めっき工程において、陽極と陰極との間
に両Ｍｌ極間電位差を打ち消す外部微小電圧を印加する
のが有効であることが判る。

印加電圧としては、１５ｍＶ程度では不十分であり、３
０ｍＶ以上５０ｍＶ以下程度が適当といえる。

発明の効果 本発明は、上述したようにマスタからマザーを複製する
めっき工程、及び、マザーからサンを複製するめっき工
程において、めっき用の陽極と陰極との電極間電位差を
Ｏとして行うようにしたので、めっき浴中でマスタ最表
面及びマザー最表面の電気二重層は化学的に安定したも
のとなり、よって、めっき浴中で剥離被膜が溶解されて
しまうことがなく、複製後の剥離性が損なわれず安定し
たものとなり、欠陥の少ない高品質のスタンバを製造す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第一の実施例を示す電位！ｌｆ’ｌ定
装置を含むめっき装置の概略構成図、第２図は浸Ｈ１時
間に対する電極間電位差の経時変化特性図、第３図は信
号特性図、第４図は本発明の第二の実施例による信号特
性図、第５図は一般的なめっき工程を示す構成図、第６
図は電気二重層の様子を示す説明図、第７図は比較例１
による信号特性図、第８図は比較例２による信号特性図
である。 ＩＩ　・・めっき浴、Ｉ２・・陽極、Ｉ４　・マスタ陰
極 出　願　人　　　株式会社　　　リ　コ」　」　図 」８図 生色（ｍｍ） Ｊｕ図 ＪＺ母 浸漬府間（分）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　ガラス基板上に形成したプリグルーブパターン上に導
   体化膜を形成した後、この導体化膜を陰極としてＮｉめ
   っきしガラス基板を剥離することによりマスタを得、こ
   のマスタを剥離被膜処理した後Ｎｉめっきし前記マスタ
   から剥離することによりマザーを得、このマザーを剥離
   被膜処理した後Ｎｉめっきし前記マザーから剥離するこ
   とによりサンを得るようにした光ディスク複製用スタン
   パ製造方法において、マスタをめっき浴に浸漬させめっ
   き用の陽極と陰極との電極間電位差を０としてマスタか
   らマザーを複製するめっき工程を行いマザーをめっき浴
   に浸漬させめっき用の陽極と陰極との電極間電位差を０
   としてマザーからサンを複製するめっき工程を行うよう
   にしたことを特徴とする光ディスク複製用スタンパ製造
   方法。