JPH0380534B2 - - Google Patents

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JPH0380534B2
JPH0380534B2 JP58038261A JP3826183A JPH0380534B2 JP H0380534 B2 JPH0380534 B2 JP H0380534B2 JP 58038261 A JP58038261 A JP 58038261A JP 3826183 A JP3826183 A JP 3826183A JP H0380534 B2 JPH0380534 B2 JP H0380534B2
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JP
Japan
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diamond
seeds
carbon
coated
solvent
Prior art date
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Application number
JP58038261A
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English (en)
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JPS59164606A (ja
Inventor
Kyoichi Senda
Shinji Kashima
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Resonac Holdings Corp
Original Assignee
Showa Denko KK
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Publication date
Application filed by Showa Denko KK filed Critical Showa Denko KK
Priority to JP58038261A priority Critical patent/JPS59164606A/ja
Publication of JPS59164606A publication Critical patent/JPS59164606A/ja
Publication of JPH0380534B2 publication Critical patent/JPH0380534B2/ja
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J3/00Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
    • B01J3/06Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies
    • B01J3/062Processes using ultra-high pressure, e.g. for the formation of diamonds; Apparatus therefor, e.g. moulds or dies characterised by the composition of the materials to be processed
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2203/00Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
    • B01J2203/06High pressure synthesis
    • B01J2203/0605Composition of the material to be processed
    • B01J2203/061Graphite
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2203/00Processes utilising sub- or super atmospheric pressure
    • B01J2203/06High pressure synthesis
    • B01J2203/065Composition of the material produced
    • B01J2203/0655Diamond
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
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    • B01J2203/0675Structural or physico-chemical features of the materials processed
    • B01J2203/068Crystal growth

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はダイヤモンド種子を用い、その成長を
はかつたダイヤモンド合成法に関し、特に高純度
で結晶性の良いダイヤモンド合成法に関する。
ダイヤモンド合成法において、種子を用いる方
法は大粒のダイヤモンドを得る方法として知られ
ている。この場合、種子はそのまま用いる方法と
種子を溶媒金属でメツキして用いる方法がある。
溶媒金属は周知のようにFe、Co、Ni等の周期律
表の第8族の元素、Cr、Ta等及びこれらの合金
が用いられている。
合成ダイヤモンドは主な用途は砥粒であるが、
その性能をよくするには不純物が少なく、結晶欠
陥のないものがよく、さらに外形的には扁平でな
い、いわゆる自形性の良いものが要求される。
従来の種子を用いた合成法でダイヤモンド種子
をそのまま用いたものは、種子が直接炭素(以
下、炭素とは非ダイヤモンド炭素をいう)及び溶
媒金属に接触するので、ダイヤモンドが析出する
際、これらの炭素や金族に含まれている不純物が
ダイヤモンド中に巻き込まれ易い。これらは良質
のダイヤモンド成長を阻害する。特に不純物の中
では酸素、窒素の影響が大きい。ダイヤモンド種
子を溶媒金属で被覆した場合は炭素との直接々触
は避けられるが、溶媒金属中の不純物の影響、特
に酸素や窒素の影響は避けられない。
本発明は高純度のダイヤモンドを合成すべく
種々研究した結果、ダイヤモンド種子を酸素、窒
素の固定化元素で被覆し、さらにその外側を溶媒
金属で被覆して用いることにより、その目的を達
成したものである。
このようにして炭素や金属からくる酸素や窒素
が固定化されれば、これらはダイヤモンド中に侵
入することはなく、また固定化した化合物はダイ
ヤモンド中には析出しないので、生成するダイヤ
モンドは高純度となる。
固定化元素の外側を溶媒金属で被覆する理由
は、固定化元素は厚くするとダイヤモンドの生成
速度に影響するので、あまり厚くすることはでき
ないが、そうするとダイヤモンドと炭素が直接々
触するおそれがあり、これを防ぐためである。こ
の被覆は溶媒金属であるのでダイヤモンドの成長
を阻害しない。
固定化元素として使用するのはSi、Alの元素
である。これらの元素の被覆の厚さは0.1〜3μm
が適する。ダイヤモンド種子は一般的には30μm
以上のものが用いられる。
外側の溶媒金属はFe、Co、Ni等周期律表の第
8族の元素、Cr、Ta等の金属、及びこれらの合
金である。その厚さは1〜100μmが適する。
これらの元素或いは金属の被覆方法は無電解或
いは電解メツキ、蒸着法、化合物の熱分解析出
法、機械的に塗布する方法などが用いられる。被
覆後は水素雰囲気下での熱処理、減圧熱処理等を
施すのが好ましい。
合成は炭素粉末、溶媒金属粉末及び上記の被覆
種子を単純に混合して行なう方法、炭素と金属を
板状にして、これらを交互に積層して行なう方法
などであり、後者の場合は種子は例えば炭素と金
属の板の間に配置する。溶媒金属は上記のものと
同じである。
これらの量的割合は溶媒金属100重量部に対し、
炭素30〜500重量部、ダイヤモンド種子5重量部
(被覆部を含む)以下が適当である。
合成の温度、圧力はダイヤモンドが熱力学的に
安定な条件で1300〜2000℃、5万〜7万気圧の範
囲である。
実施例 実施例 1 ダイヤモンド種子として105〜125μmの粒度の
ものを使用した。この種子に先ず固定化元素とし
てSiを有機シリコンの熱分解法により被覆した。
その厚さは約0.5μmであつた。次にその外側に無
電解法によりNiを厚さ約10μmに被覆した。
溶媒金属には30Ni−70Fe板(厚さ0.25mm)を
使用し、炭素1.6mm厚さの板を使用した。この金
属板に直径0.2mmの小凹孔を0.6mm間隔(中心間)
であけ、その中に前記被覆種子を配置した。
これら金属板と炭素板を交互に多数積層し、超
高圧装置に装填し、ダイヤモンド合成を行なつ
た。推定の温度1450℃、圧力53000気圧であつた。
保持時間は約30分である。
得られたダイヤモンドは大きさ400〜500μm
で、大部分は種子が成長したものであつた。そし
て純度は極めてよく、結晶欠陥も殆んどみられな
かつた。そのため強度が向上した。
#140/170のダイヤモンド粒にAlを真空蒸着
により0.1μmの厚さで被覆し、その外側に電解法
によりNiを厚さ20μm被覆した。実施例1と同様
の条件で成長したダイヤモンド粒を得た。色は淡
黄色で、不純物の少ないものであつた。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 非ダイヤモンド炭素、溶媒金属及びダイヤモ
    ンド種子から高温高圧下でダイヤモンドを合成す
    る方法において、ダイヤモンド種子を酸素及び窒
    素の固定化元素としてSi、Alで被覆し、その外
    側を溶媒金属で被覆したものを用いることを特徴
    とする方法。
JP58038261A 1983-03-10 1983-03-10 ダイヤモンド合成法 Granted JPS59164606A (ja)

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JP58038261A JPS59164606A (ja) 1983-03-10 1983-03-10 ダイヤモンド合成法

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JP58038261A JPS59164606A (ja) 1983-03-10 1983-03-10 ダイヤモンド合成法

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JPS59164606A JPS59164606A (ja) 1984-09-17
JPH0380534B2 true JPH0380534B2 (ja) 1991-12-25

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP0525207B1 (en) * 1991-02-15 1996-11-06 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Process for synthesizing diamond
JP5362992B2 (ja) * 2004-12-09 2013-12-11 エレメント シックス (プロダクション)(プロプライエタリィ) リミテッド ダイヤモンドの合成

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58161995A (ja) * 1982-03-19 1983-09-26 Sumitomo Electric Ind Ltd ダイヤモンドの合成方法

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JPS59164606A (ja) 1984-09-17

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