JPH0379435B2 - - Google Patents
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- JPH0379435B2 JPH0379435B2 JP58225785A JP22578583A JPH0379435B2 JP H0379435 B2 JPH0379435 B2 JP H0379435B2 JP 58225785 A JP58225785 A JP 58225785A JP 22578583 A JP22578583 A JP 22578583A JP H0379435 B2 JPH0379435 B2 JP H0379435B2
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- polymer
- substrate
- frequency coil
- polymer sheet
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高周波を用いたイオンプレーテイング
装置に関するものである。
装置に関するものである。
磁気テープ等の磁気記録媒体は、高分子フイル
ム等の基体に鉄やコバルト等の強磁性金属薄膜を
形成し、さらにその薄膜の表面に保護層や潤滑層
を設けた構造になつている。
ム等の基体に鉄やコバルト等の強磁性金属薄膜を
形成し、さらにその薄膜の表面に保護層や潤滑層
を設けた構造になつている。
保護層や潤滑層は、耐候性や耐摩耗性を付与す
るもので、高分子物質等を塗布したりしている。
ところで、磁気テープ等においては、この保護層
等の厚みにバラツキがあつたり、厚すぎたりする
とスペーシングロスが変化したりあるいは増大す
るために好ましくなく、この層の厚さを薄く一定
にすることが要求されている。が、従来の方法で
は所定の厚さを得ることが困難である欠点があつ
た。
るもので、高分子物質等を塗布したりしている。
ところで、磁気テープ等においては、この保護層
等の厚みにバラツキがあつたり、厚すぎたりする
とスペーシングロスが変化したりあるいは増大す
るために好ましくなく、この層の厚さを薄く一定
にすることが要求されている。が、従来の方法で
は所定の厚さを得ることが困難である欠点があつ
た。
本発明は、以上の欠点を改良し、基体に所定の
厚さの高分子層を設けうるイオンプレーテイング
装置の提供を目的とするものである。
厚さの高分子層を設けうるイオンプレーテイング
装置の提供を目的とするものである。
本発明は、上記の目的を達成するために、高周
波イオンプレーテイングにより基体に高分子物質
を付着しうるイオンプレーテイング装置におい
て、高周波アンテナに接触してまたは近傍に高分
子シートを配置し、該高周波コイルを該高分子シ
ートのスパツタリングとして用いることを特徴と
するイオンプレーテイング装置を提供するもので
ある。
波イオンプレーテイングにより基体に高分子物質
を付着しうるイオンプレーテイング装置におい
て、高周波アンテナに接触してまたは近傍に高分
子シートを配置し、該高周波コイルを該高分子シ
ートのスパツタリングとして用いることを特徴と
するイオンプレーテイング装置を提供するもので
ある。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。
る。
１は、円筒状の真空槽であり、槽１内は10-3〜
10-4Torr程度の真空度に保持されている。２は、
供給ローラであり、帯状の基体３が巻回されてい
る。基体３はポリエステル等の高分子からなり、
下面に鉄やコバルト、ニツケル等の強磁性金属薄
膜が設けられている。４は、巻取ローラであり、
基体を巻き取るものである。５は基体３の下部に
配設された高周波コイルであり、先端は真空槽１
外部に配置された高周波電源６に接続されてい
る。７は、高分子物質からなるシートであり、高
周波コイル５の上に接触して載置されている。こ
こに、高分子物質としては、ポリテトラフルオロ
エチレンやポリフツ化ビニル、六フツ化プロピレ
ン（ポリプロピレンのＨをＦに置換した構造式）、
ポリイミド、ポリエチレン、ポリフエニレン、エ
コノール（住友化学工業株式会社製商品名−芳香
族ポリエステル系の熱可塑性樹脂）、ポリアセタ
ール等を用いる。
10-4Torr程度の真空度に保持されている。２は、
供給ローラであり、帯状の基体３が巻回されてい
る。基体３はポリエステル等の高分子からなり、
下面に鉄やコバルト、ニツケル等の強磁性金属薄
膜が設けられている。４は、巻取ローラであり、
基体を巻き取るものである。５は基体３の下部に
配設された高周波コイルであり、先端は真空槽１
外部に配置された高周波電源６に接続されてい
る。７は、高分子物質からなるシートであり、高
周波コイル５の上に接触して載置されている。こ
こに、高分子物質としては、ポリテトラフルオロ
エチレンやポリフツ化ビニル、六フツ化プロピレ
ン（ポリプロピレンのＨをＦに置換した構造式）、
ポリイミド、ポリエチレン、ポリフエニレン、エ
コノール（住友化学工業株式会社製商品名−芳香
族ポリエステル系の熱可塑性樹脂）、ポリアセタ
ール等を用いる。
すなわち、高周波電源６により高周波コイル５
に高周波を加えると、グロー放電が生じ、槽１内
がプラズマ状態となり、特に、高周波コイル５の
近傍でこのプラズマ状態が顕著になる。高分子シ
ート７は、主として下面がプラズマによつてスパ
ツタリングされ、高分子鎖の一部がきれてある分
子量の高分子のかたまりとなつて蒸発する。そし
てこれらの蒸発したかたまりは、高分子シート７
の端をまわりこんで基体３に付着する。この場
合、高分子シート７に孔を設けたりすればこの孔
からまわりこむ分だけ基体３に単位時間当りに付
着する量を増加できる。基体３に付着した高分子
のかたまりは、互いに接近したものどうしが相互
作用で、プラズマのエネルギーの影響を受けて重
合し合う。そのために強磁性金属薄膜の表面に高
分子物質の層が形成される。この高分子物質の層
は、従来の塗布方法による場合に比べてはるかに
均一であり、またその厚さも薄いものが形成され
る。
に高周波を加えると、グロー放電が生じ、槽１内
がプラズマ状態となり、特に、高周波コイル５の
近傍でこのプラズマ状態が顕著になる。高分子シ
ート７は、主として下面がプラズマによつてスパ
ツタリングされ、高分子鎖の一部がきれてある分
子量の高分子のかたまりとなつて蒸発する。そし
てこれらの蒸発したかたまりは、高分子シート７
の端をまわりこんで基体３に付着する。この場
合、高分子シート７に孔を設けたりすればこの孔
からまわりこむ分だけ基体３に単位時間当りに付
着する量を増加できる。基体３に付着した高分子
のかたまりは、互いに接近したものどうしが相互
作用で、プラズマのエネルギーの影響を受けて重
合し合う。そのために強磁性金属薄膜の表面に高
分子物質の層が形成される。この高分子物質の層
は、従来の塗布方法による場合に比べてはるかに
均一であり、またその厚さも薄いものが形成され
る。
なお、上記実施例においては、高分子シートを
高周波コイルに載置したが、高分子シートは高周
波コイルにより分解され蒸発する位置にあればよ
く、従つて、保持具により高分子シートを高周波
コイルの近傍に配置してもよく、同様な効果が得
られる。
高周波コイルに載置したが、高分子シートは高周
波コイルにより分解され蒸発する位置にあればよ
く、従つて、保持具により高分子シートを高周波
コイルの近傍に配置してもよく、同様な効果が得
られる。
次に、高分子シートとしてポリイミドシートと
ポリテトラフルオロエチレンシートを用い、高分
子層の形成状態を測定した。
ポリテトラフルオロエチレンシートを用い、高分
子層の形成状態を測定した。
実施例 １
真空槽：槽内を１×10-5Torrまで排気した後、
アルゴンガスを導入して５×10-3Torrの真空
度にする。
アルゴンガスを導入して５×10-3Torrの真空
度にする。
基体：表面に強磁性薄膜を形成した幅15cmのポリ
エステルフイルムを用い、これを１ｍ／分で走
行させる。
エステルフイルムを用い、これを１ｍ／分で走
行させる。
高周波電源：周波数13.56MHz出力インピーダン
ス50Ω出力（最大出力）１Å（10Å） 高周波コイル：長さ１ｍ、直径４mmのステンレス
製のパイプを直径15cmのらせん状に巻いて形成
する。
ス50Ω出力（最大出力）１Å（10Å） 高周波コイル：長さ１ｍ、直径４mmのステンレス
製のパイプを直径15cmのらせん状に巻いて形成
する。
高分子シート：厚さ200μｍのポリイミドシート
を15cm×15cm角に成形したもので、図に示す通
りに、高周波コイルに載せる。
を15cm×15cm角に成形したもので、図に示す通
りに、高周波コイルに載せる。
上記の条件により高分子シートをプラズマによ
りスパツタリングして基体に付着したところ、基
体の表面にポリイミドの重合体からなる厚さ150
Åの膜ができた。
りスパツタリングして基体に付着したところ、基
体の表面にポリイミドの重合体からなる厚さ150
Åの膜ができた。
実施例 ２
高分子シートとして厚さ150μｍのポリテトラ
フルオロエチレンシートを50cm×20cm角に成形し
たものを用い、これを円筒状にまるめて高周波コ
イルの内側に配置する以外は、実施例１と同一条
件とする。
フルオロエチレンシートを50cm×20cm角に成形し
たものを用い、これを円筒状にまるめて高周波コ
イルの内側に配置する以外は、実施例１と同一条
件とする。
この実施例では、基体表面に厚さ200Åの、架
橋したポリテトラフルオロエチレンに近い高分子
重合膜ができる。
橋したポリテトラフルオロエチレンに近い高分子
重合膜ができる。
以上の通り、本発明によれば、基体に均一で薄
い高分子物質の層を設けうるイオンプレーテイン
グ装置が得られる。
い高分子物質の層を設けうるイオンプレーテイン
グ装置が得られる。
図は本発明の実施例の正面断面図を示す。
３……基体、５……高周波コイル、７……高分
子シート。
子シート。
Claims (1)
- １ 高周波イオンプレーテイングにより基体に高
分子物質を付着しうるイオンプレーテイング装置
において、高周波コイルに接触してまたは近傍に
高分子シートを配置し、該高周波コイルを該高分
子シートのスパツタリングとして用いることを特
徴とするイオンプレーテイング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22578583A JPS60116773A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | イオンプレ−ティング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22578583A JPS60116773A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | イオンプレ−ティング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60116773A JPS60116773A (ja) | 1985-06-24 |
| JPH0379435B2 true JPH0379435B2 (ja) | 1991-12-18 |
Family
ID=16834738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22578583A Granted JPS60116773A (ja) | 1983-11-30 | 1983-11-30 | イオンプレ−ティング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60116773A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0621349B2 (ja) * | 1986-03-12 | 1994-03-23 | 株式会社ト−ビ | 高速移動フイルムの連続的イオンプレ−テイング装置 |
| JP2007274185A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-10-18 | Matsushita Electric Works Ltd | タイムスイッチ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57134558A (en) * | 1981-02-16 | 1982-08-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | Production of organic vapor deposited thin film |
| JPS59153881A (ja) * | 1983-02-18 | 1984-09-01 | Hitachi Ltd | 皮膜形成装置 |
-
1983
- 1983-11-30 JP JP22578583A patent/JPS60116773A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57134558A (en) * | 1981-02-16 | 1982-08-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | Production of organic vapor deposited thin film |
| JPS59153881A (ja) * | 1983-02-18 | 1984-09-01 | Hitachi Ltd | 皮膜形成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60116773A (ja) | 1985-06-24 |
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