JPH0378247A - 半導体チップ放熱実装構造 - Google Patents
半導体チップ放熱実装構造Info
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- JPH0378247A JPH0378247A JP1214144A JP21414489A JPH0378247A JP H0378247 A JPH0378247 A JP H0378247A JP 1214144 A JP1214144 A JP 1214144A JP 21414489 A JP21414489 A JP 21414489A JP H0378247 A JPH0378247 A JP H0378247A
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- semiconductor chip
- gap
- heat sink
- chip
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高電力のＴ Ａ Ｂ （＝Ｔａｐｅ Ａｕｔ
ｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ）実装構造の半導体チップ
放熱実装構造に関する。
ｏｍａｔｅｄＢｏｎｄｉｎｇ）実装構造の半導体チップ
放熱実装構造に関する。
この種の半導体チップ放熱実装構造の従来技術としでは
、特公昭６２−５３４１号に開示される技術がある。
、特公昭６２−５３４１号に開示される技術がある。
第３図は上記従来例を示す断面図であり、図において、
１はＴＡＢ実装構造の半導体チップ、２は配線基板であ
り、前記半導体チップ１はリード３の端部３ａにてイン
ナーリードボンディングされた後、配線基板２にリード
３の端部３ｂにてアウターリードボンディングされる。
１はＴＡＢ実装構造の半導体チップ、２は配線基板であ
り、前記半導体チップ１はリード３の端部３ａにてイン
ナーリードボンディングされた後、配線基板２にリード
３の端部３ｂにてアウターリードボンディングされる。
通常、前記配線基板２はアルミナセラミック等の熱伝導
性を考慮した材料が使用される。
性を考慮した材料が使用される。
４は配線基板２に接着層５を介して接着固定されたヒー
トシンクである。
トシンクである。
以上の構成により、半導体チップ１の熱は、配線基板２
を介してヒートシンク４に伝わり、放熱フィン等で放熱
されていた。
を介してヒートシンク４に伝わり、放熱フィン等で放熱
されていた。
しかしながら、上述した構成の従来技術によれば、ヒー
トシンクと半導体チップ間に配線基板及び接着層が介在
しているため、放熱に際し配線基板の熱抵抗が大きく係
わってきて、良好な放熱作用が得られないという問題が
あった。
トシンクと半導体チップ間に配線基板及び接着層が介在
しているため、放熱に際し配線基板の熱抵抗が大きく係
わってきて、良好な放熱作用が得られないという問題が
あった。
すなわち、熱抵抗をＲとすると、
Ｒ＝
・・・ （１）
λ Ａ
ｔ・・・板厚
λ・・・熱伝導率
Ａ・・・面積
の関係があり、通常のアルミナセラミック基板では、λ
は銅アルミニュウム等ヒートシンク材の１７１０〜１／
２０の値であり、又板厚ｔも接着層などと比べかなり厚
いため、Ｒが大きい値となる。
は銅アルミニュウム等ヒートシンク材の１７１０〜１／
２０の値であり、又板厚ｔも接着層などと比べかなり厚
いため、Ｒが大きい値となる。
本発明は、以上の問題点に鑑み、放熱に際する熱抵抗を
最小限度まで小さくする構成を得て、良好な放熱作用を
有する半導体チップ放熱実装構造を提供することを目的
とする。
最小限度まで小さくする構成を得て、良好な放熱作用を
有する半導体チップ放熱実装構造を提供することを目的
とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するため、本発明は、半導体チップとヒ
ートシンクを最大限に近づけるとともに、両者の間隙を
最小限にする。
ートシンクを最大限に近づけるとともに、両者の間隙を
最小限にする。
すなわち、半導体チップを実装する配線基板にヒートシ
ンクを接着固定して半導体チップの放熱を行う半導体チ
ップ放熱実装構造において、前記配線基板の半導体チッ
プ実装部を貫通穴とし、該貫通穴に半導体チップを収容
し、該半導体チップとヒートシンクの間隙に熱伝導性樹
脂を充填したことを特徴とする。
ンクを接着固定して半導体チップの放熱を行う半導体チ
ップ放熱実装構造において、前記配線基板の半導体チッ
プ実装部を貫通穴とし、該貫通穴に半導体チップを収容
し、該半導体チップとヒートシンクの間隙に熱伝導性樹
脂を充填したことを特徴とする。
以上の構成により、本発明は、配線基板の貫通穴に半導
体チップを収容した状態で半導体チップを実装するので
、ヒートシンクと半導体チップの距離は最短となる。
体チップを収容した状態で半導体チップを実装するので
、ヒートシンクと半導体チップの距離は最短となる。
このとき、配線基板の板厚のばらつき、半導体チップの
板厚のばらつき及び接着材の厚さのばらつきから、半導
体チップとヒートシンクの間に間隙が発生する。
板厚のばらつき及び接着材の厚さのばらつきから、半導
体チップとヒートシンクの間に間隙が発生する。
しかし、半導体チップとヒートシンクの間隙に熱伝導性
樹脂を充填するので、この間隙の熱抵抗を最小限にする
ことができる。
樹脂を充填するので、この間隙の熱抵抗を最小限にする
ことができる。
以下図面に従って実施例を説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示す断面図である。
図において、１はＴＡＢ実装構造の半導体チップ、２は
配線基板であり、前記半導体チップ１はリード３の端部
３ａにてインナーリードボンディングされた後、配線基
板２にリード３の端部３ｂにてアウターリードボンディ
ングされる。
配線基板であり、前記半導体チップ１はリード３の端部
３ａにてインナーリードボンディングされた後、配線基
板２にリード３の端部３ｂにてアウターリードボンディ
ングされる。
４は配線基板２に接着層５を介して接着固定されたヒー
トシンクである。
トシンクである。
６は該配線基板２の半導体チップ実装部に予め打ち抜き
加工等により形成した貫通穴であり、該貫通穴６は半導
体チップｌを収容したときに半導体チップ１に対し空隙
ｄを保つ大きさに設定しである。
加工等により形成した貫通穴であり、該貫通穴６は半導
体チップｌを収容したときに半導体チップ１に対し空隙
ｄを保つ大きさに設定しである。
また、配線基板２の板厚のばらつき、半導体チップ１の
板厚のばらつき及び接着層５の厚さのばらつきから、最
小をねらっても０．１ｍｍ程度の間隙ｅが必要である。
板厚のばらつき及び接着層５の厚さのばらつきから、最
小をねらっても０．１ｍｍ程度の間隙ｅが必要である。
このため、この間隙ｅの熱抵抗を下げるため、半導体チ
ップ１とヒートシンク４の間隙に熱伝導性樹脂７を充填
する。
ップ１とヒートシンク４の間隙に熱伝導性樹脂７を充填
する。
熱伝導性樹脂７としては、非流動性グリース状のものか
、流動性のシリコーン樹脂などを注入後硬化されるもの
でもどちらでも良いが、熱伝導率の高い材料、すなわち
２Ｘ１０”’ ｃａｌ／ｃｍ−ｓｅｃ″Ｃ程度以上で、
且つ温度変化による熱膨張の差を吸収できる様にある程
度の弾性又は塑性を有するものが適している。
、流動性のシリコーン樹脂などを注入後硬化されるもの
でもどちらでも良いが、熱伝導率の高い材料、すなわち
２Ｘ１０”’ ｃａｌ／ｃｍ−ｓｅｃ″Ｃ程度以上で、
且つ温度変化による熱膨張の差を吸収できる様にある程
度の弾性又は塑性を有するものが適している。
第２図は本発明の第２の実施例を示す断面図である。
第２の実施例においては半導体チップ１とヒートシンク
４の間に注入する熱伝導性樹脂７で半導体チップ１を封
止する。
４の間に注入する熱伝導性樹脂７で半導体チップ１を封
止する。
このようにすることで、熱伝導性樹脂７に半導体チップ
１のボンディング部分のコーティングを兼ねさせて、製
造時の工数を低減することができる。
１のボンディング部分のコーティングを兼ねさせて、製
造時の工数を低減することができる。
〔発明の効果］
以上詳細に説明した如く、本発明によれば、半導体チッ
プを実装する配線基板にヒートシンクを接着固定して半
導体チップの放熱を行う半導体チップ放熱実装構造にお
いて、前記配線基板の半導体チップ実装部を貫通穴とし
、該貫通穴に半導体チップを収容し、該半導体チップと
ヒートシンクの間隙に熱伝導性樹脂を充填したので、半
導体チップとヒートシンクを最大限に近づけるとともに
、両者の間隙を最小限にすることができる。
プを実装する配線基板にヒートシンクを接着固定して半
導体チップの放熱を行う半導体チップ放熱実装構造にお
いて、前記配線基板の半導体チップ実装部を貫通穴とし
、該貫通穴に半導体チップを収容し、該半導体チップと
ヒートシンクの間隙に熱伝導性樹脂を充填したので、半
導体チップとヒートシンクを最大限に近づけるとともに
、両者の間隙を最小限にすることができる。
これにより、放熱に際する熱抵抗を最小限度まで小さく
することが可能となり、良好な放熱作用を有する半導体
チップ放熱実装構造を提供するという効果がある。
することが可能となり、良好な放熱作用を有する半導体
チップ放熱実装構造を提供するという効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例を示す断面図、第２図は
本発明の第２の実施例を示す断面図、第３図は従来例を
示す断面図である。 ■・・・半導体チップ ・・・配線基板 ・・・リード ・・・ヒートシンク ・・・接着層 ・・・貫通穴 ・・・熱伝導性樹脂
本発明の第２の実施例を示す断面図、第３図は従来例を
示す断面図である。 ■・・・半導体チップ ・・・配線基板 ・・・リード ・・・ヒートシンク ・・・接着層 ・・・貫通穴 ・・・熱伝導性樹脂
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体チップを実装する配線基板にヒートシンクを
接着固定して半導体チップの放熱を行う半導体チップ放
熱実装構造において、 前記配線基板の半導体チップ実装部を貫通穴とし、 該貫通穴に半導体チップを収容し、 該半導体チップとヒートシンクの間隙に熱伝導性樹脂を
充填したことを特徴とする半導体チップ放熱実装構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1214144A JPH0378247A (ja) | 1989-08-22 | 1989-08-22 | 半導体チップ放熱実装構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1214144A JPH0378247A (ja) | 1989-08-22 | 1989-08-22 | 半導体チップ放熱実装構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0378247A true JPH0378247A (ja) | 1991-04-03 |
Family
ID=16650958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1214144A Pending JPH0378247A (ja) | 1989-08-22 | 1989-08-22 | 半導体チップ放熱実装構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0378247A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6999318B2 (en) * | 2003-07-28 | 2006-02-14 | Honeywell International Inc. | Heatsinking electronic devices |
| WO2007045112A1 (de) * | 2005-10-20 | 2007-04-26 | Creative Led Gmbh | Leistungsgehäuse für halbleiterchips und deren anordnung zur wärmeabfuhr |
-
1989
- 1989-08-22 JP JP1214144A patent/JPH0378247A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6999318B2 (en) * | 2003-07-28 | 2006-02-14 | Honeywell International Inc. | Heatsinking electronic devices |
| WO2007045112A1 (de) * | 2005-10-20 | 2007-04-26 | Creative Led Gmbh | Leistungsgehäuse für halbleiterchips und deren anordnung zur wärmeabfuhr |
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