JPH09331150A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH09331150A JPH09331150A JP8149306A JP14930696A JPH09331150A JP H09331150 A JPH09331150 A JP H09331150A JP 8149306 A JP8149306 A JP 8149306A JP 14930696 A JP14930696 A JP 14930696A JP H09331150 A JPH09331150 A JP H09331150A
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- solder
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/0058—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体素子搭載用絶縁基板と放熱板とを固着す
る半田のクラック発生による脆弱化の進行を抑制でき、
高信頼性の高い電力用半導体装置を実現する。 【解決手段】半導体素子１１と、絶縁基材の両面がメタ
ライズされた絶縁基板１２と、半導体素子と絶縁基板と
を固着する第１の半田層１８と、金属放熱板１３と、金
属放熱板上に絶縁基板の裏面メタルが対接した状態で両
者を固着し、その固着部における中央部よりも周辺部の
方が厚くなるように形成された第２の半田層１４とを具
備する。
る半田のクラック発生による脆弱化の進行を抑制でき、
高信頼性の高い電力用半導体装置を実現する。 【解決手段】半導体素子１１と、絶縁基材の両面がメタ
ライズされた絶縁基板１２と、半導体素子と絶縁基板と
を固着する第１の半田層１８と、金属放熱板１３と、金
属放熱板上に絶縁基板の裏面メタルが対接した状態で両
者を固着し、その固着部における中央部よりも周辺部の
方が厚くなるように形成された第２の半田層１４とを具
備する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置に係
り、特に電力用半導体素子の発生熱の放散性を向上させ
るために素子搭載基板と放熱板とが半田固着された構造
を有する電力用半導体装置に関するもので、例えばＩＧ
ＢＴ（絶縁ゲート型バイポートランジスタ）などに使用
されるものである。
り、特に電力用半導体素子の発生熱の放散性を向上させ
るために素子搭載基板と放熱板とが半田固着された構造
を有する電力用半導体装置に関するもので、例えばＩＧ
ＢＴ（絶縁ゲート型バイポートランジスタ）などに使用
されるものである。
【０００２】
【従来の技術】図１は、一般的なＩＧＢＴモジュールの
断面構造を概略的に示している。図１において、１１は
それぞれ電力用半導体素子であるＩＧＢＴチップ、１２
はＩＧＢＴチップを搭載する電気伝導度の高い素子搭載
用絶縁基板、１３は例えばＣｕをベースとする放熱板、
１４は上記素子搭載用絶縁基板１２と放熱板１３とを固
着した半田層であり、例えばシート状に形成されたＰｂ
Ｓｎ共晶半田が用いられている。
断面構造を概略的に示している。図１において、１１は
それぞれ電力用半導体素子であるＩＧＢＴチップ、１２
はＩＧＢＴチップを搭載する電気伝導度の高い素子搭載
用絶縁基板、１３は例えばＣｕをベースとする放熱板、
１４は上記素子搭載用絶縁基板１２と放熱板１３とを固
着した半田層であり、例えばシート状に形成されたＰｂ
Ｓｎ共晶半田が用いられている。
【０００３】上記素子搭載用絶縁基板１２は、例えばセ
ラミックスのような絶縁基材１５の素子実装面上に例え
ばＣｕなどのメタルパターン１６が形成されており、上
記絶縁基材１５の裏面に例えばＣｕなどのメタル１７が
形成されている。
ラミックスのような絶縁基材１５の素子実装面上に例え
ばＣｕなどのメタルパターン１６が形成されており、上
記絶縁基材１５の裏面に例えばＣｕなどのメタル１７が
形成されている。
【０００４】そして、上記メタルパターン１６の素子搭
載部上に前記チップ１１が第１の半田層１８により固着
され、メタルパターン１６の配線部と前記チップ１１の
パッド部とがボンディングワイヤーにより接続されてお
り、裏面のメタル１７が第２の半田層１４により前記放
熱板に固着されている。
載部上に前記チップ１１が第１の半田層１８により固着
され、メタルパターン１６の配線部と前記チップ１１の
パッド部とがボンディングワイヤーにより接続されてお
り、裏面のメタル１７が第２の半田層１４により前記放
熱板に固着されている。
【０００５】なお、図８は、従来のＩＧＢＴモジュール
における素子搭載用絶縁基板１２と放熱板１３とを第２
の半田層１４で固着した部分の周辺部Ａを拡大して示
す。上記構造においては、ＩＧＢＴチップ１１と放熱板
１３との間に電気伝導度の高い素子搭載用絶縁基板１２
が介在し、ＩＧＢＴチップ１１と絶縁基板１２とが第１
の半田層１８により固着され、絶縁基板１２と放熱板１
３とが第２の半田層１４により固着されることにより、
ＩＧＢＴチップ１１と外部との電気的絶縁を保ちながら
高い放熱性を実現している。
における素子搭載用絶縁基板１２と放熱板１３とを第２
の半田層１４で固着した部分の周辺部Ａを拡大して示
す。上記構造においては、ＩＧＢＴチップ１１と放熱板
１３との間に電気伝導度の高い素子搭載用絶縁基板１２
が介在し、ＩＧＢＴチップ１１と絶縁基板１２とが第１
の半田層１８により固着され、絶縁基板１２と放熱板１
３とが第２の半田層１４により固着されることにより、
ＩＧＢＴチップ１１と外部との電気的絶縁を保ちながら
高い放熱性を実現している。
【０００６】なお、前記半田は、例えばＰｂＳｎを混合
した金属合金であり、一般に、熱伝導が悪く、電気抵抗
も大きいので、放熱経路の熱抵抗を抑制するために前記
第２の半田層１４は厚さは１００μｍ前後（余裕を持た
せるために１５０μｍ以下）に構成されている。
した金属合金であり、一般に、熱伝導が悪く、電気抵抗
も大きいので、放熱経路の熱抵抗を抑制するために前記
第２の半田層１４は厚さは１００μｍ前後（余裕を持た
せるために１５０μｍ以下）に構成されている。
【０００７】ところで、電力用半導体素子１１は発生熱
が大きいので、半導体素子の使用状態における発生熱を
放散する放熱経路の熱抵抗の増加に起因して半導体素子
の不良（熱損失の増加、熱破壊など）が発生するおそれ
がある。
が大きいので、半導体素子の使用状態における発生熱を
放散する放熱経路の熱抵抗の増加に起因して半導体素子
の不良（熱損失の増加、熱破壊など）が発生するおそれ
がある。
【０００８】即ち、上記したようにセラミック基板にＣ
ｕが張り合わされた素子搭載用絶縁基板１２とＣｕをベ
ースとする放熱板１３とが半田固着された構造は、絶縁
基板１２の熱膨脹係数（セラミック基板により支配され
る）と放熱板１３の熱膨脹係数との違いにより、温度サ
イクルにより膨脹・収縮が繰り返されるので、両者間の
半田（第２の半田層１４）に疲労が生じ、半田クラック
が発生し、半田の脆弱化が進行する。
ｕが張り合わされた素子搭載用絶縁基板１２とＣｕをベ
ースとする放熱板１３とが半田固着された構造は、絶縁
基板１２の熱膨脹係数（セラミック基板により支配され
る）と放熱板１３の熱膨脹係数との違いにより、温度サ
イクルにより膨脹・収縮が繰り返されるので、両者間の
半田（第２の半田層１４）に疲労が生じ、半田クラック
が発生し、半田の脆弱化が進行する。
【０００９】これにより、放熱経路の熱抵抗が増加し、
半導体素子の発生熱を十分に放散することが不可能にな
り、最終的には、半導体素子に急速な温度上昇が生じ、
熱破壊が発生するおそれがある。
半導体素子の発生熱を十分に放散することが不可能にな
り、最終的には、半導体素子に急速な温度上昇が生じ、
熱破壊が発生するおそれがある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記したように素子搭
載用絶縁基板と放熱板とが半田固着された構造を有する
従来の半導体装置は、半導体素子の使用状態における発
生熱を放散する放熱経路の熱抵抗の増加に起因して半導
体装置の不良が発生するおそれがあるという問題があっ
た。
載用絶縁基板と放熱板とが半田固着された構造を有する
従来の半導体装置は、半導体素子の使用状態における発
生熱を放散する放熱経路の熱抵抗の増加に起因して半導
体装置の不良が発生するおそれがあるという問題があっ
た。
【００１１】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、半導体素子搭載用絶縁基板と放熱板とを固着
する半田のクラック発生による脆弱化の進行を抑制で
き、高信頼性の高い電力用半導体装置を実現し得る半導
体装置を提供することを目的とする。
たもので、半導体素子搭載用絶縁基板と放熱板とを固着
する半田のクラック発生による脆弱化の進行を抑制で
き、高信頼性の高い電力用半導体装置を実現し得る半導
体装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体素子と、絶縁基材の両面がメタライズされた絶縁
基板と、前記半導体素子と絶縁基板とを固着する第１の
半田層と、金属放熱板と、前記金属放熱板上に前記絶縁
基板の裏面メタルが対接した状態で両者を固着し、その
固着部における中央部よりも周辺部の方が厚くなるよう
に形成された第２の半田層とを具備することを特徴とす
る。
半導体素子と、絶縁基材の両面がメタライズされた絶縁
基板と、前記半導体素子と絶縁基板とを固着する第１の
半田層と、金属放熱板と、前記金属放熱板上に前記絶縁
基板の裏面メタルが対接した状態で両者を固着し、その
固着部における中央部よりも周辺部の方が厚くなるよう
に形成された第２の半田層とを具備することを特徴とす
る。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の半導体装
置の第１の実施の形態に係る電力用半導体装置としてＩ
ＧＢＴモジュールの断面構造の一例を示している。
施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明の半導体装
置の第１の実施の形態に係る電力用半導体装置としてＩ
ＧＢＴモジュールの断面構造の一例を示している。
【００１４】図１に示すＩＧＢＴモジュールは、電力用
半導体素子であるＩＧＢＴチップ１１と例えばＣｕをベ
ースとする金属放熱板１３との間に絶縁基材１５の両面
がメタライズされた電気伝導度の高い絶縁基板１２が介
在し、電力用半導体素子１１と絶縁基板１２とが第１の
半田層１８により固着され、絶縁基板１２と金属放熱板
１３とが第２の半田層１４により固着されている。
半導体素子であるＩＧＢＴチップ１１と例えばＣｕをベ
ースとする金属放熱板１３との間に絶縁基材１５の両面
がメタライズされた電気伝導度の高い絶縁基板１２が介
在し、電力用半導体素子１１と絶縁基板１２とが第１の
半田層１８により固着され、絶縁基板１２と金属放熱板
１３とが第２の半田層１４により固着されている。
【００１５】なお、前記素子搭載用の絶縁基板１２は、
例えばセラミックスのような絶縁基材１５の素子実装面
上に例えばＣｕなどのメタルパターン１６が形成されて
おり、上記絶縁基材１５の裏面に例えばＣｕなどのメタ
ル１７が形成されている。
例えばセラミックスのような絶縁基材１５の素子実装面
上に例えばＣｕなどのメタルパターン１６が形成されて
おり、上記絶縁基材１５の裏面に例えばＣｕなどのメタ
ル１７が形成されている。
【００１６】そして、上記絶縁基板１２のメタルパター
ン１６の素子搭載部上に前記半導体素子が搭載された状
態で両者が第１の半田層１８により固着されており、上
記金属放熱板１３上に前記絶縁基板１２の裏面のメタル
１８が対接した状態で両者が第２の半田層１４により固
着されている。また、前記絶縁基板１２のメタルパター
ン１６の配線部と前記半導体素子１１のパッド部とはボ
ンディングワイヤーにより接続されている。
ン１６の素子搭載部上に前記半導体素子が搭載された状
態で両者が第１の半田層１８により固着されており、上
記金属放熱板１３上に前記絶縁基板１２の裏面のメタル
１８が対接した状態で両者が第２の半田層１４により固
着されている。また、前記絶縁基板１２のメタルパター
ン１６の配線部と前記半導体素子１１のパッド部とはボ
ンディングワイヤーにより接続されている。
【００１７】さらに、本発明においては、前記第２の半
田層１４は、前記絶縁基板１２と放熱板１３との固着部
における中央部よりも周辺部（全周）の方が厚くなるよ
うに形成されている。
田層１４は、前記絶縁基板１２と放熱板１３との固着部
における中央部よりも周辺部（全周）の方が厚くなるよ
うに形成されている。
【００１８】図２は、図１中の第２の半田層１４の固着
部分の構造の一例について一部Ａを取り出して拡大して
示す断面図である。図２は、図１中の前記絶縁基板１２
の裏面メタル１７ａに、中央部よりも周辺部の方が薄く
なるように段差が形成されることによって、第２の半田
層１４の固着部分における中央部よりも周辺部の方が厚
くなっている構造を示している。
部分の構造の一例について一部Ａを取り出して拡大して
示す断面図である。図２は、図１中の前記絶縁基板１２
の裏面メタル１７ａに、中央部よりも周辺部の方が薄く
なるように段差が形成されることによって、第２の半田
層１４の固着部分における中央部よりも周辺部の方が厚
くなっている構造を示している。
【００１９】この場合、前記固着部分における中央部
は、放熱性の点では薄いほどよいが、絶縁基板と放熱板
との熱膨脹係数の違いに起因する応力を緩和する作用の
点では厚い方がよく、現状では１００μｍ前後に設定さ
れる。
は、放熱性の点では薄いほどよいが、絶縁基板と放熱板
との熱膨脹係数の違いに起因する応力を緩和する作用の
点では厚い方がよく、現状では１００μｍ前後に設定さ
れる。
【００２０】そして、前記固着部分における周辺部は、
中央部の厚さの１．５倍以上に設定される。ここで、絶
縁基板と放熱板とを固着している半田のクラック発生に
よる脆弱化は、接合周辺部から進行することに着目する
（例えば、wuchen Wu, Marcel Held, wt al.'Thermal S
tress Related Packaging Failure in Power IGBT Modu
les'の報告参照）。
中央部の厚さの１．５倍以上に設定される。ここで、絶
縁基板と放熱板とを固着している半田のクラック発生に
よる脆弱化は、接合周辺部から進行することに着目する
（例えば、wuchen Wu, Marcel Held, wt al.'Thermal S
tress Related Packaging Failure in Power IGBT Modu
les'の報告参照）。
【００２１】図３（ａ）および（ｂ）は、絶縁基板１２
・放熱板１３間の半田接合領域の温度サイクル試験前後
における状態の一例を概略的に示している。温度サイク
ル試験後には、半田接合周辺部に半田の脆弱化が進行し
た領域１９がみられ、接合周辺部から半田の脆弱化が進
行していることが分かる。
・放熱板１３間の半田接合領域の温度サイクル試験前後
における状態の一例を概略的に示している。温度サイク
ル試験後には、半田接合周辺部に半田の脆弱化が進行し
た領域１９がみられ、接合周辺部から半田の脆弱化が進
行していることが分かる。
【００２２】しかし、前記半田接合領域の厚さをある範
囲まで（１．５倍以上）厚くすることにより、半田のク
ラック発生、脆弱化を抑制できることが実験により判明
している。
囲まで（１．５倍以上）厚くすることにより、半田のク
ラック発生、脆弱化を抑制できることが実験により判明
している。
【００２３】よって、本発明の半導体装置では、熱膨脹
係数が互いに異なる絶縁基板１２と金属放熱板１３とを
固着している第２の半田層１４の固着部分における中央
部よりもクラックが発生し易い周辺部の方がある範囲ま
で厚くなっている構造を有するので、温度サイクルによ
る第２の半田層１４の固着部分の周辺部におけるクラッ
ク発生、脆弱化を抑制できる。
係数が互いに異なる絶縁基板１２と金属放熱板１３とを
固着している第２の半田層１４の固着部分における中央
部よりもクラックが発生し易い周辺部の方がある範囲ま
で厚くなっている構造を有するので、温度サイクルによ
る第２の半田層１４の固着部分の周辺部におけるクラッ
ク発生、脆弱化を抑制できる。
【００２４】この場合、第２の半田層１４の固着部分の
中央部（半導体チップの直下付近）の厚さは従来の半導
体装置と変わらないので、従来の半導体装置と比べて熱
抵抗の増加は殆んど生じない。
中央部（半導体チップの直下付近）の厚さは従来の半導
体装置と変わらないので、従来の半導体装置と比べて熱
抵抗の増加は殆んど生じない。
【００２５】従って、本発明の半導体装置は、大きな熱
サイクルの発生する厳しい環境下で使用しても、半田の
脆弱化が進行しにくく、放熱経路の悪化によ半導体素子
の不良を抑制でき、信頼性の高い電力用半導体装置を実
現できる。
サイクルの発生する厳しい環境下で使用しても、半田の
脆弱化が進行しにくく、放熱経路の悪化によ半導体素子
の不良を抑制でき、信頼性の高い電力用半導体装置を実
現できる。
【００２６】図４は、上記したような図２の構造を有す
る半導体デバイスと前記したような図８の構造を有する
従来例の半導体デバイスとについて温度サイクル試験を
行った後における絶縁基板・放熱板間の半田接合領域の
接合率の変化を測定した結果を示している。
る半導体デバイスと前記したような図８の構造を有する
従来例の半導体デバイスとについて温度サイクル試験を
行った後における絶縁基板・放熱板間の半田接合領域の
接合率の変化を測定した結果を示している。
【００２７】図５乃至図８は、それぞれ図２中の第２の
半田層１４の固着部分の構造の他の例を示す断面図であ
る。図５は、前記絶縁基板１２の裏面メタル１７ｂに、
中央部よりも周辺部に向かうほど薄くなるようにテーパ
面が形成されることによって、第２の半田層１４の固着
部分における中央部よりも周辺部の方が厚くなっている
（周辺部の最大厚さが中央部の厚さの１．５倍以上）構
造を示している。
半田層１４の固着部分の構造の他の例を示す断面図であ
る。図５は、前記絶縁基板１２の裏面メタル１７ｂに、
中央部よりも周辺部に向かうほど薄くなるようにテーパ
面が形成されることによって、第２の半田層１４の固着
部分における中央部よりも周辺部の方が厚くなっている
（周辺部の最大厚さが中央部の厚さの１．５倍以上）構
造を示している。
【００２８】図５の構造でも、前述した図２の構造とほ
ぼ同様の作用・効果が得られる。図６は、前記金属放熱
板１３ａの表面側に中央部よりも周辺部の方が薄くなる
ように段差が形成されることによって、第２の半田層１
４の固着部分における中央部よりも周辺部の方が厚くな
っている（周辺部の厚さが中央部の厚さの１．５倍以
上）構造を示している。
ぼ同様の作用・効果が得られる。図６は、前記金属放熱
板１３ａの表面側に中央部よりも周辺部の方が薄くなる
ように段差が形成されることによって、第２の半田層１
４の固着部分における中央部よりも周辺部の方が厚くな
っている（周辺部の厚さが中央部の厚さの１．５倍以
上）構造を示している。
【００２９】図７は、前記金属放熱板１３ｂの表面側に
中央部よりも周辺部に向かうほど薄くなるようにテーパ
面が形成されることによって、第２の半田層１４の固着
部分における中央部よりも周辺部の方が厚くなっている
（周辺部の最大厚さが中央部の厚さの１．５倍以上）構
造を示している。
中央部よりも周辺部に向かうほど薄くなるようにテーパ
面が形成されることによって、第２の半田層１４の固着
部分における中央部よりも周辺部の方が厚くなっている
（周辺部の最大厚さが中央部の厚さの１．５倍以上）構
造を示している。
【００３０】図６および図７の構造でも、前述した図２
の構造とほぼ同様の作用・効果が得られる。なお、本発
明の半導体装置では、第２の半田層１４の固着部分にお
ける中央部よりも周辺部の方が厚くなっている構造を有
すればよく、前記絶縁基板１２の裏面の形状、前記金属
放熱板１３の表面側の形状は、前記各例に限定されるも
のではない。
の構造とほぼ同様の作用・効果が得られる。なお、本発
明の半導体装置では、第２の半田層１４の固着部分にお
ける中央部よりも周辺部の方が厚くなっている構造を有
すればよく、前記絶縁基板１２の裏面の形状、前記金属
放熱板１３の表面側の形状は、前記各例に限定されるも
のではない。
【００３１】
【発明の効果】上述したように本発明の半導体装置によ
れば、半導体素子搭載用絶縁基板と放熱板とを固着する
半田のクラック発生による脆弱化の進行を抑制でき、高
信頼性の高い電力用半導体装置を実現し得る半導体装置
を提供することができる。
れば、半導体素子搭載用絶縁基板と放熱板とを固着する
半田のクラック発生による脆弱化の進行を抑制でき、高
信頼性の高い電力用半導体装置を実現し得る半導体装置
を提供することができる。
【図１】本発明の半導体装置の第１の実施の形態に係る
ＩＧＢＴモジュールの断面構造の一例を概略的に示す断
面図。
ＩＧＢＴモジュールの断面構造の一例を概略的に示す断
面図。
【図２】図１中の第２の半田層の固着部分の構造の一例
について一部を取り出して拡大して示す断面図。
について一部を取り出して拡大して示す断面図。
【図３】図１中の絶縁基板・放熱板間の第２の半田層の
温度サイクル試験前後における状態の一例を示す図。
温度サイクル試験前後における状態の一例を示す図。
【図４】図２の構造を有する半導体デバイスと前記した
ような図８の構造を有する従来例の半導体デバイスとに
ついて温度サイクル試験を行った後における絶縁基板・
放熱板間の半田接合領域の接合率の変化を測定した結果
を示す特性図。
ような図８の構造を有する従来例の半導体デバイスとに
ついて温度サイクル試験を行った後における絶縁基板・
放熱板間の半田接合領域の接合率の変化を測定した結果
を示す特性図。
【図５】図２中の第２の半田層の固着部分の構造の他の
例を示す断面図。
例を示す断面図。
【図６】図２中の第２の半田層の固着部分の構造のさら
に他の例を示す断面図。
に他の例を示す断面図。
【図７】図２中の第２の半田層の固着部分の構造のさら
に他の例を示す断面図。
に他の例を示す断面図。
【図８】従来のＩＧＢＴモジュールにおける素子搭載用
絶縁基板と放熱板とを第２の半田層で固着した様子を拡
大して示す断面図。
絶縁基板と放熱板とを第２の半田層で固着した様子を拡
大して示す断面図。
１１…電力用半導体素子（チップ）、 １２…素子搭載用絶縁基板、 １３、１３ａ、１３ｂ…金属放熱板、 １４…第２の半田層、 １５…絶縁基材、 １６…メタルパターン、 １７、１７ａ、１７ｂ…メタル、 １８…第１の半田層。
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体素子と、 絶縁基材の両面がメタライズされた絶縁基板と、 前記半導体素子と絶縁基板とを固着する第１の半田層
と、 金属放熱板と、 前記金属放熱板上に前記絶縁基板の裏面メタルが対接し
た状態で両者を固着し、その固着部における中央部より
も周辺部の方が厚くなるように形成された第２の半田層
とを具備することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置において、 前記絶縁基板の裏面の中央部よりも周辺部の方が薄くな
るように段差が形成されていることを特徴とする半導体
装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体装置において、 前記絶縁基板の裏面の中央部よりも周辺部に向かうほど
薄くなるようにテーパ面が形成されていることを特徴と
する半導体装置。 - 【請求項４】 請求項１記載の半導体装置において、 前記金属放熱板の表面側の中央部よりも周辺部の方が薄
くなるように段差が形成されていることを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項５】 請求項１記載の半導体装置において、 前記金属放熱板の表面側に中央部よりも周辺部に向かう
ほど薄くなるようにテーパ面が形成されていることを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれか１項に記載の
半導体装置において、 前記固着部における周辺部の最大厚さは中央部の厚さの
１．５倍以上であることを特徴とする半導体装置。
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|---|---|---|---|
| JP14930696A JP3522975B2 (ja) | 1996-06-11 | 1996-06-11 | 半導体装置 |
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| JP14930696A JP3522975B2 (ja) | 1996-06-11 | 1996-06-11 | 半導体装置 |
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| JP (1) | JP3522975B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007142472A (ja) * | 2007-02-26 | 2007-06-07 | Hitachi Ltd | インバータ |
| JP2012222324A (ja) * | 2011-04-14 | 2012-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| US9029994B2 (en) | 2011-06-09 | 2015-05-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
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| JPS60101743U (ja) * | 1983-12-16 | 1985-07-11 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| JPH0562048U (ja) * | 1992-01-24 | 1993-08-13 | 日本電子機器株式会社 | パワー素子の固定構造 |
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-
1996
- 1996-06-11 JP JP14930696A patent/JP3522975B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US9029994B2 (en) | 2011-06-09 | 2015-05-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
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