JPH0378234A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、半導体装置の製造方法に関し、詳しくは、
テープキャリア方式（ＴＡＢ方式）において、テープキ
ャリアＬに実装されたＩＣチップとリードとを封Ｉ−「
６する樹脂村山処理における樹脂塗布時間を短縮するこ
とができ、かつ、その外形を形よく形成することができ
る樹脂耐重処理王稈の改良に関する。

［従来の技術］ 般に、ＴＡＢ方式では、ポリイミド等の合成樹脂の薄い
フィルム状テープの表面に銅等の金属箔をラミネートし
てこれをエツチングすることでリードを多数本形成し、
その各リードの先端側部分（フィンガ部分）又はＩＣチ
ップの端子部分（電極）に金属等のバンプを転写などに
より接着しておき、このバンブを介してリードとＩＣチ
ップの端子（電極）とを加熱接合してテープキャリア上
にＩＣチップを実装する。その後、これに樹脂を塗布し
てリードとＩＣチップとを一体的に樹脂士・１１トし、
こうしてテープキャリア上に耐重されたＩＣチップに対
してパンチング・フォーミングを行って切断してテープ
キャリアからバ・ソケージ前のＩＣ本体を切出している
。

［解決しようとする課題］ このようにＴＡＢ方式では、テープキャリア−ヒにおい
てＩＣチップとリードとが−・体的に樹脂封止された後
に切出されるが、そのための樹脂は、第４図（ａ）に示
すようにそれを吐出するニードル６をＩＣチップ３ヒで
そのほぼ中央に位置決めして塗布膜厚に対応する所定順
の樹脂５をＩＣチップ３Ｌに落とした後にそれを同図（
ｂ）に示すようにニードル６の先端側で広げて形を整え
、同図（Ｃ）に示すような形態に仕ヒげる。

なお、１は、テープキャリアであり、ｌａは、ＩＣチッ
プ３がセットされる矩形の開口部、−点鎖線で示す１ｂ
は切断線、２は、リードである。

このように樹脂を滴下してから樹脂を広げるために樹脂
封止をするための処理時間が長くなり、その外形もきれ
いにならない。そのため、ＩＣの製造効率がよくない欠
点がある。

この発明は、このような従来技術の問題点を解決するも
のであって、テープキャリア−ヒにおいて短時間に形よ
＜ＩＣチップとリードとを樹脂材１ト。

することができる半導体装置の製造方法を提供すること
を［１的とする。

［課題を解決するための手段コ このような［１的を達成するためのこの発明の゛ト導体
装置の製造方法の構成は、工Ｃチップとリードとに対し
て樹脂を塗布して封止する樹脂材１Ｆ・、処理［程が樹
脂を吐出するニードルを移動して最終的に塗布する樹脂
厚より薄い状態でＩＣチップと前記リードとをほぼ均一
に塗布する樹脂前塗布段階と、この段階の後において最
終的に中布する樹脂厚にするような残量の樹脂をニード
ルからＩＣチ・ノブに滴下する樹脂？ａ）′段階とから
なる。

［作用コ このように樹脂によるＩＣチップとリードとの封止処理
工程を樹脂前塗布段階と樹脂温ド段階との２段階に分け
て、最初の樹脂前塗布段階で先に樹脂を均一・に薄く塗
布することにより、後の段階では樹脂を滴下するたけで
よ＜、４Ｎ’Ｔ’シた樹脂は、その表面張力によりすで
にある程度均された樹脂の表面に沿って均一に薄く延び
てすでに塗布された樹脂に倣うようにコーテングされる
のでその形状がきれいに整う。

この場合、最初の前塗布段階は滴下した樹脂を広げるの
ではなく少量の樹脂を単に塗布するものであり、その後
の滴Ｆ段階は単に樹脂の滴下で済むことになるので、樹
脂塗布処理時間はＬに前段階で決まり、それが少＞Ｈの
樹脂を吐出しながら均すような塗布となることから所定
の膜厚を得る樹脂塗布のトータル時間が短くなる。

［実施例コ 以−ド、この発明の−・実施例について図面を参照して
詳細に説明する。

第１図は、この発明の半導体装置の製造方法を適用した
一実施例のテープキャリアに実装されたＩＣチップの樹
脂封止処理手順の説明図であり、第２図は、その塗布シ
ステムの説明図、第３図は、樹脂封止の処理時間と樹脂
塗布量の関係の説明図である。

第１図の（ａ）は、ＩＣチップがテープキャリアへの実
装された後であって、樹脂前塗布段階において樹脂が塗
布される開始状態を示している。

ここで、ＩＣチップ３は、テープキャリア１に形成され
たり一ド２に図示しない加熱ツールによりバンプ４を介
してボンディングされて実装される。

リード２は、テープキャリア１のベースの表面に銅等の
金属箔をラミネートした後にこれをエツチングすること
であらかじめテープキャリア１に形成されていて、ＩＣ
チップ３は、このリード２゜２、・・・の下側において
接合されて一体化されている。ニードル６は、ＩＣチッ
プ３の中央上部に隣接して位置していて、この図では、
少量の樹脂５がそこから吐出された直後の状態を描いて
いる。

第１図の（ｂ）は、次にニードル６が移動して前塗布が
行われた樹脂前塗布段階の終了状態を示している。これ
ら図（ａ）、　　（ｂ）に示すように、樹脂前塗布段階
ではニードル６をＩＣチップ３１−のほぼ中央位置に隣
接させて位置決めしてニードル６から巾着の樹脂５をＩ
Ｃチップ３のほぼ中央に吐出し、そのまま樹脂５を吐出
しながら同図（Ｃ）の矢印に示すような方向に沿って斜
めにＩＣチップ３の表面に沿ってニードル６を移動して
リード２の領域に至り、次に反時計方向にニードル６を
移動し、リード２の領域を一周して元のＩＣチップ３の
中央にニードル６を元に戻す経路に沿って移動しながら
の樹脂塗布が杼われる。

このときのニードル６から吐出される樹脂５の吐出量は
従来の吐出量の１／１０程度であるため、同図（ｄ）の
平面図及び（ｂ）の断面図に示すように、ＩＣチップ３
とリード２との表面全体に亙って薄くほぼ均一に中布さ
れることになる。

第１図の（ｅ）は、前記の（ａ）、（ｂ）、（Ｃ）を経
た樹脂前塗布段階の後に行われる樹脂温ド段階であって
、ＩＣチップ３の中央に位置するニードル６から従来よ
り少し少ない吐出量で樹脂を一括して中央に吐出して滴
下する（（ｅ）の１−の図参照）。このことで吐出され
た樹脂５は、前に行われた前塗布段階で塗布された樹脂
５に沿って流れ込み、ニードル６を移動する整形操作す
ることなしに（ｅ）の−ド側の図に見るようにほぼ均一
・に倣うようにＩＣチップ３とリード２とを所定の膜厚
で被覆する。したがって、この段階では単に樹脂５を中
央位置で所定晴滴下させるだけでよく、その滴下時間は
１秒程度で済む。

第２図は、このような樹脂材［ヒ処理で使用される樹脂
塗布装置７であって、樹脂前塗布段階と樹脂前塗布段階
において樹脂５をニードル６から吐出するエアー式デイ
スペンサ８と、ニードル６ヲＸＹＺ軸に沿って移動させ
るＸＹＺ走査機横９、これら装置と機構とを制御する制
御装置１０とからなる。

鍵制御装置ｌＯは、第１図の（ｂ）の樹脂前塗布段階で
は、エアー式デイスペンサ８に所定の樹脂吐出量を設定
してＸＹＺ走査機構９をＸＹ甲而面沿って第１図の（Ｃ
）における矢印に沿って移動させる制御を行う。このと
きのニードル６の移動制御時間と吐出量との関係を示す
のが第３図である。図の樹脂前塗布段階に示すように、
吐出圧力は従来より小さく設定され、その吐出量は、Ｉ
Ｃチップ３の表面とリード２に均一に薄（樹脂５がコー
テングされ、その中布に要する時間がｔｌ　である。

第１図の（ｅ）の樹脂前塗布段階では、制御装置１０は
、エアー式デイスペンサ８に前塗布段階より多量の所定
の樹脂吐出量を設定して樹脂の滴下を行う。このときニ
ードル６はＩＣチップ３の中央位置にあってその移動制
御が行われない。この場合のニードル６の吐出量は、第
３図の樹脂前塗布段階において示すように、吐出圧力が
太き（設定され、その吐出量は、その前の前中布段階で
の樹脂吐出７１とを合わせて必要な膜厚を得る樹脂塗布
贋になるように選択されている。そして、その塗布に要
する時間がｔ２であって、ｔｌ＞ｔ２となっている。

このように樹脂の塗布工程の樹脂前塗布段階と樹脂温ド
段階とに分けて、前塗布段階で少漬の樹脂を塗布して全
体の形態をＩＣチップ３の形態の沿ったものとし、均さ
れた樹脂のＬに単に次の樹脂前塗布段階で必要とされる
樹脂の酸だけ滴下するようにしているので、後は樹脂の
表面張力で前塗布段階で塗布した樹脂に沿って樹脂が均
一に流れ、ＩＣチップ３とリード２とがコーテングされ
る。

したがって、形態を後から整える必要がなく、トータル
の樹脂塗布時間が短くなる。

その具体例として、ＩＣサイズ４．３　Ｘ１３ｍｍにお
いて、第１図（ｅ）の下側の図に示すように、塗布後の
樹脂厚を８０μｍ〜１００μｍ程度に仕−ヒげるとし、
このときのトータルの樹脂吐出量を１７ｍｇとする。こ
のとき、ニードル６の径を１．０ｍｍφと仮定すれば、
第３図におけるタイミングチャートの樹脂前塗布段階の
樹脂５の吐出量は、１゜Ｑ　ｗｇ　／　Ｓｅｅ　ｓ移動
して塗布する時間が６秒程度である。その次の樹脂温ド
段階の樹脂５の塗布量は残りの１１　、　Ｏ−ｇ／ｓｅ
ｅであって、その滴下時間は、ｌ　ｓｅｃとなり、トー
タル時間は７　ｓｅｃ程度で済む。

これに対して、従来の方法では、まず、ＩＣチップ３の
中央位置で１７ｆｆ１ｇをｌ　ｓｅｃで滴下し１、それ
を１４ｓｅｃ程度かけて広げることで均一化することに
なる。この場合には、トータル時間で考えると１５ｓｅ
ｃとなり、これを先の７　ｓｅｃと比べると、この発明
では、樹脂塗布によるＩＣチップとリードとの封１Ｆ処
理時間が１／２程度に短縮されていることが判る。

以上説明してきたが実施例における樹脂的塗布段階の時
間や圧力は塗布対象となるＩＣチップ等に応じて適宜選
択できるものであり、この段階でのニードルの移動の仕
方も実施例に限定されるものではなく、薄く倣うように
前処理として塗４】できればどのような移動形態をとっ
てもよい。

この実施例では、エアー式のデイスペンサについて説明
しているが、その他の方式のデイスペンサにおいても吐
出量を２段階にＩＩＪ変することで同様な効果が期待で
きる。

［発明の効果コ 以トの説明から理解できるように、この発明にあっては
、最初の樹脂的塗布段階で先に樹脂を均一に薄く塗布す
ることにより、後の段階では樹脂を滴下するだけでより
、滴下した樹脂は、その表面張力によりすでにある程度
均された樹脂の表面に沿って均一に薄く延びてすでに塗
布された樹脂に倣うようにコーテングされるのでその形
状がきれいに整う。

この場合、最初の前塗布段階は滴下した樹脂を広げるの
ではなく少［ｄの樹脂を単に塗布するものであり、その
後の滴下段階は単に樹脂の滴下で済むことになるので、
樹脂塗布処理時間は主に［）」段階で決まり、それが少
量の樹脂を吐出しながら均すような塗布となることから
所定の膜厚を得る樹脂塗布のトータル時間が短くなる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の半導体装置の製造方法を適用した
一実施例のテープキャリアに実装されたＩＣチップの樹
脂封止処理手順の説明図であり、第２図は、その塗布シ
ステムの説明図、第３図は、樹脂封止の処理時間と樹脂
塗布量の関係の説明図、第４図は、従来のテープキャリ
アに実装されたＩＣチップの樹脂封止処理手順の説明図
である。 １・・・テープキャリア、２・・・リード、３・・・Ｉ
Ｃチップ、４・・・バンプ、５・・・樹脂、６・・・ニ
ードル１．７・・・樹脂塗布装置、８・・・エアー式デ
イスペンサ、 ９・・・ＸＹＺ走査機構、１０・・・制御装置。 第１図 （ａ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）テープキャリア上に形成されたリードにボンディ
   ングされて実装されたＩＣチップとリードとに対して樹
   脂を塗布してこれを封止する樹脂封止処理工程を有する
   テープキャリアによる半導体装置の製造方法において、
   前記樹脂を吐出するニードルを移動して最終的に塗布す
   る樹脂厚より薄い状態で前記ＩＣチップと前記リードと
   をほぼ均一に塗布する樹脂前塗布段階と、この段階の後
   において前記最終的に塗布する樹脂厚にするような残量
   の樹脂を前記ニードルから前記ＩＣチップに滴下する樹
   脂滴下段階とを備えることを特徴とする半導体装置の製
   造方法。